UNIVERSIDAD EVANGELICA BOLIVIANA

FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

INGENIERIA ELECTRONICA

GUÍA DIDÁCTICA
.

ELECTRONICA ANALOGICA I
ELT-224

Autor: Ing. Herman Luis Patiño Andia

AÑO 2020
Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

ÍNDICE
COMPONENTES DE LA GUÍA PÁGINA
1. SECCION INTRODUCTORIA GENERAL

Presentación
1.1 Contenido Mínimo 6
1.2 Objetivos Generales de la Asignatura 6
1.3 Propuesta educativa de la asignatura 7
1.4 Cronograma 8
1.5 Evaluación 10
1.6 Conceptos Básicos 11
1.7 Importancia Práctica del Módulo 12
1.8 El principio en la práctica 13
UNIDAD 1
Diodos Semiconductores y sus
aplicaciones
Introducción 14
Objetivos 15
Propuesta Educativa de la Unidad 16
Conceptos básicos 17
Importancia Práctica de la unidad 18
El principio en la práctica (Dilema) 19
Recursos Disponibles (Bibliografía) 20
Actividades de Profundización e 20
integración
Desarrollo del tema 26-88
UNIDAD 2
El Transistor Bipolar de Unión
Introducción 89
Objetivos 90
Propuesta Educativa de la Unidad 91
Conceptos básicos 92
Importancia Práctica de la unidad 92
El principio en la práctica (Dilema) 93
Actividades de Profundización e 95
integración
Recursos Disponibles (Bibliografía) 96
Desarrollo del tema 97-165
UNIDAD 3
Modelaje y Análisis de los Transistores
Bipolares
Introducción 165
Objetivos 165
Propuesta Educativa de la Unidad 166

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Conceptos básicos 166

Importancia Práctica de la unidad 167
El principio en la práctica (Dilema) 168
Actividades de Profundización e 169
integración
Recursos Disponibles 171
Desarrollo del tema 172-
UNIDAD 4
El Transistor Efecto de Campo y su
Polarización
Introducción 188
Objetivos 189
Propuesta Educativa de la Unidad 190
Conceptos básicos 191
Importancia Práctica de la unidad 192
El Principio en la Práctica 193
Actividades de Profundización e 194
integración
Recursos Disponibles 198-205

CONTENIDO

UNIDAD I MATERIALES SEMICONDUCTORES Y SUS PROPIEDADES

1.-Introducción
2.-La unión PN
3.-Circuitos con diodos
4.-Análisis y modelos en CD
5.-Análisis en CA
CIRCUITOS CON DIODOS
1.-Circuitos rectificadores de media onda y onda completa
2.-Diodos zener
3.-Emisores de luz y fotodiodos
4.-Voltaje de rizo y corriente de diodo
5.-Circuito doblador de voltaje ideal
6.-Circuito de referencia de voltaje ideal
7.-Resistencia Zener y porcentaje de regulación
8.-Circuitos con Zener
9.-Circuitos lógicos con diodos
10.- Recortadores y sujetadores.

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UNIDAD II EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION

1.-Estructura del transistor
2.-Circuito Emisor común
3.-Línea de carga y modos de operación
4.-Circuitos bipolares comunes análisis en CD
5.-Aplicaciones básicas
6.-Amplificadores BJT
7.-Amplificador bipolar de emisor común
8.-Análisis de línea de carga
9.-Amplificador emisor seguidor
10.- Polarización con: resistencia de base, divisor de voltaje y estabilidad de
Polarización, fuente de corriente constante.
11.-Análisis de línea de carga en CA
12.- El transistor como conmutador

UNIDAD III MODELAJE Y ANALISIS DE LOS TRANSISTORES

1.-. Respuesta en frecuencia
2..-Respuesta en frecuencia y modelos
3.- Modelo híbrido π
4.- Análisis básico de respuesta en frecuencia
5.- Análisis en baja y alta frecuencia

UNIDAD IV TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

1.- El transistor JFET
2.-Estructura MOS de dos terminales
3.-MOSFET de canal N en modo de enriquecimiento
4.-Características corriente-voltaje del MOSFET ideal
5.-Características corriente-voltaje del MOSFET no ideal
6.-Análisis e n CD del circuito con MOSFET

UNIDAD V CONFIGURACIONES COMPUESTAS

1.-Conexión en cascada, cascode y Darlington
2.-Par retroalimentado
3.-Circuito CMOS
4.-Circuito de fuente de corriente
5.-Espejo de corriente
6.-Circuito de Amplificador diferencial

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PRESENTACIÓN

A
ctualmente la electrónica es de fundamental importancia
en las áreas de ingeniería y ciencia, dentro de sus
aplicaciones se encuentran varios campos de la ciencia
como la medicina, la aeronáutica, la geofísica y otras; en la
aeronáutica los instrumentos electrónicos permiten establecer
rutas aéreas seguras por medio de antenas de radar y radio;
en las investigaciones espaciales, también se utilizan
complicados y reducidos sistemas electrónicos como por
ejemplo en las estaciones terrestres de seguimiento. La
electrónica al servicio de la transmisión de imágenes ha
revelado al hombre más información sobre el universo, las
cámaras de televisión situados en satélites enviados a lejanos
planetas nos ofrecen panoramas de mundos desconocidos por
el hombre. En el campo de la medicina la electrónica es vital
en el apoyo de la detección de enfermedades y evaluación de
los signos vitales de las personas a través de la
instrumentación médica, estas son algunas de las tantas
aplicaciones que tiene la electrónica hoy en día.

La electrónica se divide en dos grandes áreas para su

estudio, la electrónica analógica y electrónica digital, la
primera trata con señales que cambian con el tiempo en forma
continua y la segunda, las variables que maneja, las
representa en forma discreta, es decir, con señales pulsadas
con respecto al tiempo.

La electrónica es fundamental para entender los circuitos

que tiene como base los sistemas digitales, por eso la
electrónica analógica es de vital importancia por que estudia
los estados de conducción y no conducción de los transistores
que sirven para diseñar compuertas lógicas basadas en el
álgebra booleana.

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1.1 Contenido Mínimo

Unidad 1: Diodos Semiconductores y sus aplicaciones

Unidad 2: El Transistor Bipolar de Unión
Unidad 3: Modelaje y análisis de los transistores bipolares
Unidad 4: El Transistor Efecto de Campo y su polarización
Unidad 5: Configuraciones compuestas

1.2 Objetivos Generales de la Asignatura

Analizar y diseñar circuitos electrónicos analógicos.

Relacionado con:

Formación Profesional.-

 El estudiante estará en condiciones de analizar y diseñar circuitos electrónicos

analógicos, en función a semiconductores básicos.

Formación Productiva.-

 El estudiante estará en condiciones de analizar e implementar, fuentes de

energía (unipolar, bipolar regulada y variable), circuitos inversores,
amplificadores de audio y video.

Formación Personal.-

 El estudiante estará en condiciones de valorar el orden y la disciplina como

resultado del aprendizaje de métodos y procedimientos para aplicar en proyectos
de la materia de electrónica analógica I.

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1.3 Propuesta Educativa de la Asignatura

COMPETENCIA
Logra la implementación de circuitos electrónicos
por medio del trabajo individual y en grupo, sin
dejar de lado el orden, la precisión, la eficiencia y la
eficacia en los circuitos electrónicos, según el
principio del ORDEN DIVINO

48 HORAS 48 HORAS NO
PRESENCIALES PRESENCIALES

PRODUCTOS

PRODUCTO 1 PRODUCTO 2
Diseño e implementación de Diseño e implementación de
una fuente regulada de voltaje un amplificador de potencia,
bipolar. con una potencia de salida de
300 W. Inversores de Voltaje
DE 300 W.

INDICADORES INDICADORES
Contiene: Contiene:
 Configuración de los transistores.  Configuración de los transistores.
 Puentes rectificadores.  Tipo de amplificador a utilizar.
 Diseño del circuito electrónico  Reducir lo más posible el ruido en
su entrada.
 Diseño del circuito electrónico

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1.4 CRONOGRAMA DE LA ASIGNATURA

MES FECHA Nº TEMA DE ESTUDIO INFORME DE UNIDAD

CLASES TAREAS ASIGNADAS Nº
AL ESTUDIANTE
FEBRER0 1-02-2016 Clase 1 Presentación e introducción
de la asignatura y entrega
del cronograma

FEBRERO 15-02-2016 Clase 2 PRIMERA UNIDAD

MATERIALES
SEMICONDUCTORES Y PRACTICOS SOBRE 1
SUS PROPIEDADES LA PRIMERA UNIDAD
Materiales semiconductores y
sus propiedades
La unión PN
Circuitos con diodos: análisis y
modelos en CD
Circuitos con diodos: análisis
en CA y circuito equivalente
FEBRERO 22-02-2016 Clase 3
CIRCUITOS CON DIODOS
Circuitos rectificadores de 1
media onda y onda
completa
Circuitos con diodos en
serie y en paralelo. Diodos
Schottky
FEBRERO 29-03-2016 Clase 4 Diodo Zener, Emisor de luz PRACTICO SOBRE 1
y el fotodiodo. LA SEGUNDA
Circuitos rectificadores de UNIDAD
media onda y onda
completa
Voltaje de rizo y corriente
de diodo.
Circuito doblador de voltaje
MARZO 07-03-2016 Clase 5 Limitadores y ejercicios. 1
Sujetadores y ejercicios
MARZO 14-03-2016 Clase 6 Circuito de referencia de
voltaje ideal 1
Resistencia Zener y
porcentaje de regulación
Circuitos con Zener.
Circuitos lógicos con diodos
Circuitos con fotodiodos y
Leds
MARZO 21-03-2016 Clase 7 SEGUNDA UNIDAD
EL TRANSISTOR 2
BIPOLAR DE UNION
Estructuras de transistor
Transistor NPN y PNP
Circuito de emisor común.
MARZO 28-04-2016 Clase 8 Línea de carga y modos de EXAMEN PRIMER 2
operación. PERCIAL

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ABRIL 04-04-2016 Clase 9 Circuitos bipolares PRACTICO SOBRE 2

comunes: análisis en CD ESTABILIDAD
Aplicaciones básicas del
transistor: interruptor, lógica
digital y amplificador.

ABRIL 11-04-2016 Clase 10 Polarización con: 2

resistencia de base, divisor
de voltaje y estabilidad de
polarización, fuente de
corriente constante.
ABRIL 18-04-2016 Clase 11 TERCERA UNIDAD PRACTICO SOBRE 3
MODELAJE Y ANALISIS LA TERCERA
DE LOS TRANSISTORES UNIDAD
BIPOLARES
El amplificador bipolar.
Amplificador de emisor
común
Análisis de línea de carga
en CA
ABRIL 25-04-2016 Clase 12 Amplificador emisor 3
seguidor
Amplificador de base común
Consideraciones de
potencia.
MAYO 02-05-2016 Clase 13 Respuesta en frecuencia
Introducción, Respuesta en
frecuencia y modelos,
Modelo Hibrido π, Análisis
básico de respuesta en
frecuencia, Análisis en baja
frecuencia, Análisis en alta
frecuencia.
MAYO 09-05-2016 Clase 14 CUARTA UNIDAD
EL TRANSISTOR DE
EFECTO DE CAMPO 4
Estructura MOS de dos
terminales.
MOSFET de canal n en
modo de enriquecimiento
Características corriente-
voltaje del MOSFET ideal.
MAYO 16-05-2016 Clase 15 Características corriente- EXAMEN SEGUNDO 4
voltaje del MOSFET no PARCIAL
ideal.
Análisis en CD del circuito
con MOSFET
MAYO 23-05-2016 Clase 16 Feria interna de Taller PRACTICO
SIPES COMPLEMENTARIO 4
DE LOS
TRANSISTORES
JFET
MAYO 30-05-2016 Clase 17 Aplicaciones básicas del
MOSFET: Interruptor, 5

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compuerta, lógica digital y

amplificador
QUINTA UNIDAD
CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS
BÁSICOS
Transistores de potencia.
Clases de amplificadores:
clase A, B, AB, C
JUNIO 06-06-2016 Clase 18 Amplificadores de potencia PRACTICO
clase A. COMPLEMENTARIO
Etapas de salida DE LOS 5
complementarias push-pull TRANSISTORES DE
clase AB POTENCIA
MAYO 13-06-2016 Clase 19
EXAMEN FINAL

1.5 EVALUACIÓN Y ACREDITACIÓN

La evaluación es continua. El estudiante puede saber su progreso en la realización de
la asignatura con solo preguntar al docente. El docente utiliza muchos momentos e
instrumentos para evaluar al estudiante de la asignatura.

Ámbito Unidades a Evaluar Puntaje

Evaluaciones Acumulativas
Primer Parcial 1,2 20 %
Segundo Parcial 3,4 20 %
Examen Final 1,2,3,4,5 25 %
Exámenes Cortos 4,5 10 %
Productos
Investigación, Extensión y/o
1,2,3,4,5 10%
Producción.
Trabajos prácticos 1,2,3,4,5 15 %

TOTAL 100%

Principio bíblico.-

ORDEN DIVINO
Es agradable encontrar una buena organización que funcione y respete las reglas, normas que
tenga la institución, demuestra la competencia y seriedad cuando observamos no sólo en el
dominio de su profesión, sino en el orden de su escritorio, forma de manejar asuntos
financieros, laborales, económicos. A veces los pequeños detalles demuestran lo que
verdaderamente expresamos como profesionales.

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1.6 CONCEPTOS BÁSICOS

Diodos
semiconductores y
sus aplicaciones

Configuraciones El transistor
compuestas bipolar de unión

Electrónica
Analógica

Modelaje y
El transistor análisis de los
efecto de campo transistores
y su polarización bipolares

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1.7 IMPORTANCIA PRÁCTICA DE LA ASIGNATURA.-

María Teresa es organizadora de un proyecto en su institución para la expo ciencia en

Electrónica, sus superiores le dieron el tiempo de un mes para organizar la expo ciencia.
Pancho, su futuro esposo, es su mano derecha en este trabajo y ambos llevan adelante el
proyecto siguiendo ordenadamente la lista.

Durante la prueba Pancho observa un error y se lo da a conocer a María, quien ignora su

advertencia y sigue adelante con su trabajo, esta situación puede ser perjudicial en la
presentación y no solo quedar uno mal, sino los ambos.

Por otra parte, Pancho no desea que la califiquen de incompetente a su novia, ni crear una
discusión en su relación.

¿De qué manera se puede hacer entender a María Teresa de su error?

¿Qué tipo de medidas debería de tomar Alexander con María Teresa sin dañar su relación?
¿Cómo solucionaría Ud. Este problema si estuviera en el caso de Pancho?
¿Hubo algunos problemas en las indicaciones de la lista?
¿Quiénes expresa el Principio de Orden?

¿Qué significa el Principio de Orden Divino?

A continuación explicamos un poco más qué significa el principio de Orden Divino.

Luego, en los temas, presentamos casos relacionados con este principio. Participe en uno de
ellos.

1.- El orden le permite al ser humano organizarse con secuencia y sucesión para un eficiente
trabajo y así evitar conflictos posteriores. Dios hizo la creación en un orden establecido desde el
cielo y la tierra hasta la creación del ser humano. Todo sigue una secuencia, un orden que se
debe de seguir, así como el desarrollo y crecimiento del hombre a lo largo de la vida.
2.- Dios ordenadamente hizo la creación y demostró de esta manera ser un Dios de orden,
desde el inicio podemos ver la importancia de mantener una organización no solo en nuestro
trabajo, sino en nuestras vidas.
3.- El orden le ayuda al ser humano a trabajar sin dificultad y realizar sus faenas en corto
tiempo, es importante que los padres inculquen este principio de Orden Divino en sus hijos,
empezando por las tareas más pequeñas dentro del hogar.
4.- Los mandamientos que Dios dio a Moisés fue para que el ser humano rija su conducta en
base a un orden, aquellos que intentan cumplir tienen menos problemas tanto en la vida familiar
como con la sociedad.
5.- La humanidad está llena de pecado, una vida desordenada y vacía sin Cristo Jesús es difícil
encontrarle un sentido para vivir en esta tierra. Es necesario un Orden Divino en nuestras vidas
y más si las instrucciones para seguirlo vienen de Dios.
6.- La creación de Dios marcha en un orden establecido como el día y la noche. El hombre debe
respetar es Orden Divino y dar gloria a Dios por maravillosas creaciones. Jehová hizo el día
para que pueda trabajar el hombre y la noche para descansar.
7.- Jesús demostró tener una vida ordenada y recta, es un ejemplo a seguir para la humanidad,
nadie nos obliga a mantener ese orden, debe nacer de uno mismo o bien por la misma
necesidad nos veremos obligados a cumplir con este principio.

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1.8 EL PRINCIPIO ORDEN DIVINO EN LA PRÁCTICA

Instrucciones.-

Bajo el principio de ORDEN DIVINO

Debe de haber un buen ORDEN DIVINO cuando se refiere a realizar un trabajo, en este caso
se debe dejar de lado los sentimientos para poder trabajar de manera organizada y eficiente.

“De esta manera hizo Ezequias en todo Judá; y ejecutó lo bueno, recto y verdadero delante de
Jehová, su Dios; En todo cuanto emprendió en el servicio de la casa de Dios, de acuerdo con la
Ley y los mandamientos, buscó a su Dios, lo hizo de todo corazón, y fue prosperado”
- 2DA de Crónicas 31:20-21 -

Un hombre de ejemplo encontrado en la Biblia es la actitud que tomo Ezequias al hacer lo

bueno, recto y verdadero delante de los ojos de Jehová.

Piensa y responde:
¿Estas haciendo lo bueno delante de los ojos de Dios?
¿Qué es hacer lo recto y verdadero delante de Jehová?
¿Cómo obra tu vida con Cristo?

“Porque yo se los pensamientos que tengo acerca de vosotros, dice Jehová, pensamientos de
paz, y no de mal, para darnos el fin que esperáis. Entonces me invocaréis, y vendréis, y oraréis
ya mí, y yo os oiré; y me buscaréis y me hallaréis, porque me buscaréis de todo vuestro
corazón. Y seré hallado por vosotros, dice Jehová, y haré volver vuestra cautividad, y os reuniré
de todas las naciones y de todos los lugares a donde os arrojé, dice Jehová; y os haré volver al
lugar de donde os hice llevar".
- Jeremías 29: 11-14 –

Nuestro padre conoce nuestras necesidades desde lo más pequeño hasta lo más grande,
nuestros pensamientos de paz o de mal, muestra nuevamente su amor para con nosotros que
por medio de la oración nos oirá, lo buscaremos y no será difícil de encontrarlo
.
Piensa y responde:
¿Qué opinión tienes sobre el versículo mencionado?
¿Mantienes un orden también en tu vida espiritual?

Caso Dilemático.- (Continuación del caso anterior)

María Teresa comienza a darse cuenta que algo no está bien, hace una revisión paso por paso
de manera ordenada y nota que la falla estaba en donde le indicaba su novio Pancho.
Se siente avergonzada por no prestarle atención debida a las advertencias de su novio, sin
embargo se ve en la necesidad de darle una disculpa.

a) ¿Qué actitudes serían correctas que optara María Teresa?

b) ¿Cómo se puede corregir tal error?
c) ¿Será necesario comenzar de nuevo el trabajo?
d) ¿Qué importancia encuentra usted en aplicar este principio?

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2 SECCION DE DESARROLLO TEMATICO

2.1 UNIDAD # 1: DIODOS SEMICONDUCTORES Y SUS

APLICACIONES

2.1.1 Introducción.-

L
as décadas que siguieron a la introducción del transistor en los años cuarenta han
atestiguado un cambio sumamente drástico en la industria electrónica. La miniaturización
que ha resultado nos maravilla cuando consideramos sus límites. En la actualidad se
encuentran sistemas completos en una oblea de silicio, miles de veces más pequeña que un
solo elemento de las redes iníciales. Las ventajas asociadas con los sistemas actuales,
comparados con las redes de bulbos de los años anteriores, resultan, en su mayor parte, obvias
de inmediato: son más pequeños y ligeros, no tienen requerimientos de calentamiento o
disipación de calor (como en el caso de los bulbos), tienen una construcción más robusta, son
más eficientes y no requieren de un periodo de calentamiento.

La miniaturización de los últimos años ha producido sistemas semiconductores tan

pequeños que el propósito principal de su encapsulado es proporcionar simplemente algunos
medios para el manejo del dispositivo y para asegurar que las conexiones permanezcan fijas a
la oblea del semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los límites de la miniaturización:
la calidad del propio material semiconductor, la técnica de diseño de la red y los límites del
equipo de manufactura y procesamiento.

El primer dispositivo electrónico que se presentará se denomina diodo. Es el más

sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempeña un papel vital en los sistemas
electrónicos, con sus características que se asemejan en gran medida a las de un sencillo
interruptor. Se encontrará en una amplia gama de aplicaciones, que se extienden desde las
simples hasta las sumamente complejas.

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2.1.2 Objetivos.-

2.1.2.1 PROFESIONAL:

Mediante los conocimientos adquiridos en la primera unidad y con las aplicaciones

expuestas en clase el estudiante podrá tener una base sólida de los diodos
semiconductores.

2.1.2.2 PRODUCTIVO:

Logra familiarizarse con los diferentes diodos semiconductores, por medio del
funcionamiento y la composición de los mismos.

2.1.2.3 PERSONAL:

Desarrolla con honestidad y responsabilidad los trabajos proporcionados por el

docente, según el Principio de Fruto del Carácter.

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Propuesta Educativa de la Unidad

COMPETENCIA
Lograr en el estudiante un correcto dominio y
entendimiento de los conceptos de materiales
semiconductores y el funcionamiento interno de los
mismos, para luego llevarlos a la práctica, según el
principio de FRUTO DEL CARÁCTER.

48 HORAS 48 HORAS NO
PRESENCIALES PRESENCIALES

PRODUCTOS

PRODUCTO 1 PRODUCTO 2
Conocer y aplicar los Redactar y elaborar un
conocimientos adquiridos, informe acerca de los
generando de ese modo la materiales semiconductores,
eficiencia y eficacia en la y la importancia que tienen
elaboración de proyectos.
estos en la electrónica.

INDICADORES INDICADORES
Contiene: Contiene:
 Propósito formativo es “Fruto del  El trabajo de investigación
Carácter”. desarrollará una actitud científica y
 Actividades de investigación. objetiva en el estudiante.
 Exposiciones en grupo.  Actividades de investigación.
 Aplicación de los conocimientos.  Corrección de errores y aclaración
 Participación activa en clases. de dudas.

Principio bíblico.-

FRUTO DEL CARÁCTER

Todo buen profesional debe de trabajar primeramente en formar un carácter agradable,
aceptable y convertirlo en un hábito y así ejercer algún proyecto trazado. Cuando el ser
humano realiza primero modificando su conducta, por ende llegará a sembrar buenos
cimientos y ser agradable a los ojos de Dios, de las personas que le rodean.

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2.1.4 CONCEPTOS BÁSICOS.-

El diodo y sus
materiales
semiconductores
Niveles de
Diodos zener y resistencia y los
circuitos circuitos
multiplicadores equivalentes para
de voltaje diodos

Diodos Diodo zener y

Recortadores y semiconductores diodo emisor de
cambiadores de y sus luz
nivel aplicaciones

Compuertas y Análisis
rectificadores de mediante la recta
media onda y de carga
onda completa Configuraciones
de diodos en
serie y en
paralelo

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2.1.5 IMPORTANCIA PRÁCTICA DE LA UNIDAD

Caso Problematizador

Pablo tiene un amigo del barrio que es docente de la Universidad y se encuentra dictando la
materia de Programación I, hace dos años salio del colegio y se ha dedicado al trabajo, por
incentivos de su amigo decide entrar a la Universidad donde casualmente se topa como
docente a su amigo del barrio.

¿Interferirá en algo la amistad en la calificación de las notas?

¿Qué dificultades se pueden presentar en las horas de clase?
¿En qué manera se aplicaría el principio de “Fruto del carácter”?
¿Cómo podrías solucionar si estuvieras en el caso del Docente?
¿Será correcto que Pablo cambiara de Universidad?

¿Qué significa el principio de Fruto del carácter?

A continuación explicamos un poco más qué significa el principio de Fruto del Carácter.
Luego, en los temas, presentamos casos relacionados con este principio. Participe en uno de
ellos.

1.- El verdadero carácter del ser humano sale a relucir ante los demás tarde o temprano, es
difícil demostrar algo que realmente no somos, el ser genuinos en el trato, comportamiento,
actitud con los demás e incluso con la misma sociedad son fruto de nuestro carácter.
2.- La lengua puede dañar mucho a nuestros semejantes, como también levantar los ánimos
que estén decaídos, si dentro de nuestro corazón nos nace hacerlo y es parte de nuestra forma
de ser serán expresados en los frutos que recogeremos.
3.- Jesucristo vino al mundo y en su trayectoria de predica sirve de testimonio para nosotros los
seres humanos, tomando como ejemplo el carácter divino del hijo de Dios en el trato con las
personas.
4.- En varios relatos Bíblicos podemos ver el carácter expresado en la ira de Dios cuando envió
a destruir Sodoma y Gomorra y en otras que fue calmada (El becerro de oro), mas aún la
promesa de no volver a destruir a la humanidad (el arca de Noé) Dios es un Dios de amor, no
de venganza, debemos dar gracias por su misericordia, la oportunidad que nos da para llegar al
padre (por medio de Jesús).
5.- Todo profesional abarca la carrera que más le agrada, o bien con la cual se identifican, los
cambios que se dan internamente (por ejemplo de Agronomía a Ingeniería) se deben a la falta
de carácter que tienen para ejercer esa carrera. Debemos identificarnos con la carrera que más
se adapta a nuestra forma de ser, aquella que va como fruto de nuestro carácter.
6.- Caín y Abel fueron dos hermanos que tenían distintas formas de agradecer a Dios por las
bendiciones que les brindaba, Dios premio el carácter humilde que tenía Abel y castigo a su
hermano Caín por no respetar la vida de su hermano Abel, esta actitud es parte del carácter de
dos hermanos de la misma madre pero distinto fruto del carácter que tenían.
7.- En todo lugar es bien recibido las personas que tienen buenos antecedentes, la siembra que
realizaron en su vida social son los frutos que hablaran sobre sí mismo. El carácter del ser
humano influye mucho para las recomendaciones que puedan ser dados por sus conocidos,
como también colegas del trabajo.

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EL PRINCIPIO DEL FRUTO DEL CARÁCTER EN LA PRÁCTICA

Instrucciones.-

Bajo el principio de FRUTO DEL CARÁCTER

Debe de haber un buen FRUTO DEL CARACTER si se desea que Pablo continúe su carrera
que ha comenzado y no se atrase buscando nuevas oportunidades de estudio, por otra parte el
Docente deberá mantener su postura y dar ejemplo con un carácter humilde y comprensivo.

“No reprendas al anciano, sino exhórtale como a padre; a los más jóvenes, como a hermanos; a
las ancianas, como a madres; a las jovencitas, como a hermanas, con toda pureza. Honra a las
viudas que en verdad lo son. Pero si alguna viuda tiene hijos, o nietos, aprendan éstos primeros
a ser piadosos para con su propia familia, y a recompensar a sus padres, porque esto es lo
bueno y agradable delante de Dios. ”
- 1 Timoteo 5: 1-4 –

En este versículo podemos ver que nos enseña a modificar nuestro carácter, a tener el respeto
a las personas adultas y viceversamente, primero debe nacer del carácter de uno para poder
cumplir con las enseñanzas de la palabra de Dios.

¿Estás de acuerdo con estos versículos Bíblicos?

¿Has faltado el respeto a una persona adulta?
¿En qué manera puedes corregir tal error?

“Y también todos los que quieren vivir piadosamente en Cristo Jesús padecerán persecución;
mas los malos hombres y los negadores irán de mal en peor, engañando y siendo engañados,
pero persiste tú en lo que has aprendido y te persuadiste, sabiendo de quién has aprendido; y
que desde la niñez has sabido las Sagradas Escrituras, las cuales te pueden hacer sabio para
la salvación por la fe que es en Cristo Jesús".
- 2 Timoteo 3: 12-15 –

El mensaje demuestra el carácter de los hombres en los postreros días, la importancia en las
Sagradas Escrituras y el de la obediencia.
¿Desde qué edad conoces las Sagradas Escrituras?
¿Has respetado u obedecido la palabra de Dios? ¿Qué te impide hacerlo?

Caso Dilemático.- (Continuación del caso anterior)

Pablo y su amigo se han cruzado un par de veces en la Universidad, en horarios fuera de clase
Pablo aborda el tema de las notas incomodando a su amigo quien le da el consejo “Estudia,
para que puedas ver los frutos de tu esfuerzo”.

a) ¿Será correcto que Pablo tenga una preferencia en el aula por ser amigo del Docente?

b) ¿Cuál de los dos expresa el principio de Fruto del Carácter? ¿Cómo Ud. Arreglaría este caso
dilemático?

c) ¿Cómo califica la actitud del Docente? ¿Cómo califica el carácter de Pablo?

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-19-
 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

2.1.6 BIBLIOGRAFIA

1. DONALD L. SCHILLING - CHARLES BELOVE “Circuitos Electrónicos

discretos e integrados” 5ta. Edición. Marcombo 1992 (*).
2. BOYLESTAD - NASHELSKE “Electrónica: teoría y circuitos” Printece Hall 1996
3. SAVANT-RODEN-CARPENTER “Diseño Electrónico”, Addison-Wesley
Iberoamericana, 1999 (*)
4. MALVINO: “Principios de electrónica” Grupo Alfa y Omega 1994 (*)

(*) Libro que se encuentra en la biblioteca de la UEB.

ACTIVIDADES PRESENCIALES Y NO PRESENCIALES

ACTIVIDAD ACTIVIDAD NO
TEMA TIEMPO TIEMPO
PRESENCIAL PRESENCIAL
Tema 1 Exposición ilustrada 90min. Trabajo escrito a mano 180 min.
Materiales participativa del sobre “Comparación
Semiconductores docente sobre “la de la estructura
y sus estructura atómica de atómica de los
Propiedades los materiales materiales
semiconductores” semiconductores con
(Silicio y Germánico. los conductores y
aislantes”. Usando
como referencia los
libros: Robert L.
Boylestad. ANALISIS
INSTRODUCTORIO
DE CIRCUITOS.
Octava edición.
Pag.29-49.
BOYLESTAD –
NASHELSKE
“Electrónica: teoría y
circuitos” Prentice
Hall 1996, página 9-13.

Tema 2 Exposición ilustrada 45 min. *Trabajo escrito a 45 min

La Unión PN participativa sobre la mano sobre la unión
unión PN PN materiales
semiconductores de
En plenaria, el Silicio y Germanio.
estudiante comentará Usando como
la importancia de la referencia el libro:
Unión PN y los BOYLESTAD -
beneficios que tiene NASHELSKE
dicha unión en los “Electrónica:
diferentes dispositivos

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-20-
 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

electrónicos. teoría y circuitos”

Printece Hall 1996,
página 9-15.
Tema 3 Exposición ilustrada 30 min. *Presentación de un 90min.
Circuitos con participativa sobre los informe individual de
Diodos: Análisis modelos de laboratorio escrito a
y modelo en CD representación del mano con base en el
(Corriente Diodo en CD formato otorgado por el
Directa) docente.
En grupos los 45 min. LABARATORIO I,
estudiantes resolverán “COMPONENTES
ejercicios de circuitos ELECTRONICOS
propuestos por el BASICOS”. GUIA DE
docente. LABORATORIO DE
ELECTRONICA
En aula y laboratorio el 45 min. ANALOGICA I Ing.
estudiante verificara HERMAN L. PATIÑO
cada ejercicio resuelto ANDIA, PAG. 1-11.
en el trabajo de grupo

Tema 4 Exposición ilustrada 30 min. *Presentación de un 90 min.

Circuitos con participativa sobre el informe individual de
Diodos: Análisis comportamiento del laboratorio escrito a
en CA (Corriente diodo en corriente mano con base en el
Alterna) y alterna y circuitos formato otorgado por el
circuito equivalentes. docente.
equivalente LABORATORIO 2,
En grupos los 45 min. “DIODOS EN SERIE Y
estudiantes resolverán EN PARALELO” .
ejercicios de circuitos GUIA DE
propuestos por el LABORATORIO DE
docente. ELECTRONICA
ANALOGICA I Ing.
En aula y laboratorio el 45 min. HERMAN L. PATIÑO
estudiante verificara ANDIA, PAG. 24-31.
cada ejercicio resuelto
en el trabajo de grupo.
En grupo de tres
personas elaboraran
diferentes fuentes
reguladas bipolares.

Tema 5 Exposición ilustrada 30 min. *Practico general 6 Hrs.

Diodos Schottky, participativa sobre el individual con distintos
Zener, Emisor de comportamiento de los tipos de circuitos, con
Luz y el diodos especiales. aplicación de diodos
Fotodiodo (Series y paralelos).
En grupos los Usando como
estudiantes resolverán referencia el libro:
ejercicios de circuitos 45 min. BOYLESTAD -
GUÍA DIDÁCTICA - ELECTRONICA ANALOGICA I - Santa Cruz, enero 2019
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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

propuestos por el NASHELSKE

docente. “Electrónica:
teoría y circuitos”
En aula y laboratorio el Printece Hall 1996,
estudiante verificara página 120-123.
cada ejercicio resuelto 45 min.
Ejercicios 1-21. Pares o
en el trabajo de grupo.
impares.

*Presentación de un
informe individual de
laboratorio escrito a
mano con base en el
formato otorgado por el
docente.
LABORATORIO 3,
“DIODOS EN SERIE Y
EN PARALELO” .
GUIA DE
LABORATORIO DE
ELECTRONICA
ANALOGICA I Ing.
HERMAN L. PATIÑO
ANDIA, PAG. 24-31.

ESTRATEGIA DE EVALUACION.-

Evento 1 Evento 2 Evento 3 Evento 4

Qué se evaluará Trabajo escrito a Trabajo escrito a Presentación de En grupo de tres
Variable mano sobre mano sobre la un informe personas
“Comparación de unión PN en individual de elaboraran una
la estructura materiales laboratorio fuente regulada
atómica de los semiconductores escrito a mano bipolar con todos
materiales de Silicio y con base en el sus accesorios:
semiconductores Germanio. formato otorgado Fusibles contra
con los por el docente. corto circuito,
conductores y protección contra
aislantes. inversión de
polaridad, cooler,
indicadores de
nivel digitales o
analógicos. Para
presentar en el
1er. Parcial.
Qué criterios se Presentación en Presentación en Presentación en Generen voltajes
utilizará hoja tamaño carta hoja tamaño carta hoja tamaño carta positivos y
negativos
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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

Que contenga Que contenga Que contenga correctos

información información información
correcta correcta correcta Presenta todos
sus accesorios
Que sea Que sea Que sea solicitados
presentado en la presentado en la presentado en la funcionando
fecha indicada fecha indicada fecha indicada
Presentación de
Los resultados la fuente de
son correctos calidad.
Para qué se hará Sumativa Sumativa Formativa Sumativa
Propósito: Dx.
Form. Sum.
Quién lo hará Heteroevaluacion Heteroevaluacion Coevaluacion Heteroevalaucion
Hetero, Co., Auto. y Coevaluacion
Cómo se hará Observación Observación Observación y Observación y
Técnica o escala verificación verificación

Con qué se hará Lista de cotejo Lista de cotejo Lista de cotejo Lista de cotejo
Instrumento
Qué alcance Calificación Calificación Evaluación Calificación
tendrá
Eva. Cal. Acred.

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ACTIVIDAD ACTIVIDAD NO
TEMA TIEMPO TIEMPO
PRESENCIAL PRESENCIAL
Tema 1 Exposición ilustrada 20 min.
Análisis participativa sobre el
mediante la análisis de la recta de
recta de carga y carga del diodo
aproximaciones
de Diodos. En grupos los 20 min.
estudiantes
reconocerán la recta de
carga en la parte
directa e inversa del
diodo.

Tema 2 Exposición ilustrada 20 min. Presentación de un

Configuraciones participativa sobre las informe individual de
de Diodos en configuraciones de laboratorio escrito a
serie con diodos en series en CD mano con base en el
entrada de DC. (Corriente Directa) formato otorgado por el
docente.
En plenaria, los 25 min. LABORATORIO 4,
estudiante analizaran y “RECTIFICACION” .
resolverán circuitos con GUIA DE
diodos en series. LABORATORIO DE
ELECTRONICA
En laboratorio los 45 min. ANALOGICA I ing
estudiantes HERMAN L. PATIÑO
implementaran circuitos ANDIA, PAG. 32-44.
en series
Tema 3 Exposición ilustrada 20 min. Presentación de un 60min.
Configuraciones participativa sobre las Elaboración de práctico
en paralelo y en configuraciones en que contengan
serie-paralelo y series y paralelos. ejercicios con diodos en
compuertas series y paralelos
AND/OR. En plenaria, los circuitos lógicos con
estudiante analizaran y 25 min. diodos (Compuertas
resolverán circuitos con lógicas) 120 min.
diodos en series y del libro:
paralelos. BOYLESTAD -
NASHELSKE
En laboratorio los 45 min “Electrónica:
estudiantes teoría y circuitos”
implementaran circuitos
Printece Hall 1996,
en series y paralelos.
pagina 120-123.
Ejercicios 1-21. Pares o
impares.
Tema 4 Exposición ilustrada 60 min. En grupo de tres 6 Hrs.
Rectificación de participativa sobre personas elaboraran
onda completa, rectificación de onda una fuente regulada

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recortadores y completa, recortadores bipolar con todos sus

cambiadores de y cambiadores de nivel. accesorios: Fusibles
nivel. contra corto circuito,
En plenaria y 120 min. protección contra
laboratorio, los inversión de polaridad,
estudiante analizaran y cooler, indicadores de
resolverán circuitos de nivel digitales o
rectificación de onda analógicos. Para
completa, recortadores, presentar en el 1er.
sujetadores y Parcial.
cambiadores de nivel
Presentación de un
informe individual de
laboratorio escrito a
mano con base en el
formato otorgado por el
docente.
LABORATORIO 5,
“FUENTES
REGULADAS”. GUIA
DE LABORATORIO DE
ELECTRONICA
ANALOGICA I ing
HERMAN L. PATIÑO
ANDIA, PAG. 45-57.
Tema 5 Exposición ilustrada 40 min. Práctico general sobre 140 min.
Diodos Zener. participativa sobre el circuitos, recortadores,
diodo zener, su sujetadores,
importancia en los desplazadotes y diodo
reguladores de voltaje y zener a presentarse en
en los circuitos en el 1er. Parcial.
genral del libro:
BOYLESTAD -
NASHELSKE
“Electrónica:
teoría y circuitos”
Printece Hall 1996,
pagina 124-129
Ejercicios 22-48. Pares
o impares.

Evento 1 Evento 2 Evento 3 Evento 4

Qué se evaluará Presentación de Elaboración de En grupo de tres Práctico general
Variable informes práctico que personas sobre circuitos,
individuales de contengan elaboraran una recortadores,
laboratorio escrito ejercicios con fuente regulada sujetadores,
a mano con base diodos en series bipolar con todos desplazadotes y
en el formato y paralelos sus accesorios: diodo zener a
otorgado por el circuitos lógicos Fusibles contra presentarse en

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

docente. con diodos corto circuito, el 1er. Parcial.

(Compuertas protección contra
lógicas) inversión de
polaridad, cooler,
indicadores de
nivel digitales o
analógicos. Para
presentar en el
1er. Parcial.
Qué criterios se Presentación en Presentación en Que contenga Presentación en
utilizará hoja tamaño carta hoja de todos sus hoja tamaño
cuadernillo accesorios carta
Que contenga tamaño carta
información Funcionando Que contenga
correcta Que contenga correctamente información
información correcta
Que sea correcta Calidad del
presentado en la trabajo Que sea
fecha indicada Que sea presentado en la
presentado en la Trabajo fecha indicada
fecha indicada cooperativo
Para qué se hará Sumativa Formativa Formativa Sumativa
Propósito: Dx.
Form. Sum.
Quién lo hará Heteroevalaucion Coevalaucion Heteroevalaucion Heteroevalaucion
Hetero, Co., Auto. Coevalaucion
Con qué se hará Lista de cotejo Lista de cotejo Lista de cotejo Lista de Cotejo
Instrumento
Qué alcance Calificación Evaluación Evaluación Calificación
tendrá
Eva. Cal. Acred.

2.1.3 Desarrollo del tema.-

Los temas que se llevarán a cabo dentro de la primera unidad son:

Tema # 1: “El diodo y sus materiales semiconductores”

Tema # 2: “Niveles de resistencia y los circuitos equivalentes para diodos”
Tema # 3: “Diodo zener y diodo emisor de luz”
Tema # 4: “Análisis mediante la recta de carga”
Tema # 5: “Configuraciones de diodos en serie y en paralelo”
Tema # 6: “Compuertas AND/OR y rectificadores de media onda y onda completa”
Tema # 7: “Recortadores y cambiadores de nivel”
Tema # 8: “Diodos zener y los circuitos multiplicadores de voltaje”

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PRIMERA UNIDAD

“MATERIALES SEMICONDUCTORES Y SUS PROPIEDADES”

ID
IR
Representación
del diodo
Representación de la
resistencia

VD
VR

Diodo Ideal

Anodo Cátodo

A K Polarizacion directa

A K
P N

Polarizacion inversa

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1.2 Operación del diodo

Esta figura 1.4 curva difiere del caso ideal de la figura 1.1 en los siguientes puntos
con forme la tensión en directo aumenta más allá de cero la corriente no fluye de
inmediato es necesario una tensión mínima denotada por VI para obtener una corriente
significativa conforme la tensión tiende a exceder VI la corriente aumenta con rapidez
la pendiente I la curva característica es grande pero no infinita como en el caso del
diodo ideal la tensión mínima necesaria para obtener una corriente significativa VI es
aproximadamente de 0.7V para semiconductores de silicio (a temperatura ambiente
0.2V para los casos de Ge y 1.2 V para los diodos de Arseniuro de galio (la diferencia
de Voltaje radica en la estructura atómica de los materiales)
cuando el diodo está polarizado inverso existe una pequeña corriente de fuga está
corriente se produce siempre que la tensión sea inferior a la requerida para romper la
unión si la tensión negativa es lo suficientemente grande como para estar en la región
de ruptura podría destruirse un diodo normal está tensión de ruptura se define como
Tensión Inversa del Pico (PIV) la cosa de la figura1.4 no está a escala en la región
inversa y ya que la ruptura por avalancha suele tener valores negativos de tensión
elevado (generalmente 50V O más) el daño del diodo normal en ruptura se debe a la
avalancha de electrones que fluyen a través de la unión con poco incremento en la
tensión la corriente muy grande puede destruir el diodo si se genera excesivo calor está
ruptura a menudo se la conoce como la tensión de ruptura del diodo (VBR)

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Diodo Ideal

Ger 0.3v

0.4v
Sil
Se debe en a la diferencia de voltaje radica en la estructura atómica de los materiales

Modelos de circuito equivalente de diodos

a) modelo en CD (directo e inverso)

b) modelo simple de CA para el diodo polarizado en inverso

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c) modelo en CA para el diodo polarizado en directo

Representan un modelo simplificado del diodo Si bajo condiciones de operación en CD

tanto como en directo como en inverso las relaciones para este modelo se aproximan a
las curvas de operación del diodo Fig. 1.4 donde Rr representa la resistencia en la
polarización inversa del diodo y por lo general es de orden de Mega ohms (MΩ)
Rr es igual al inverso de la pendiente de la porción (casi) horizontal de las curvas de
operación.

El diodo ideal en el modelo es un corto circuito cuando se polariza directamente en el

modelo la resistencia entre terminales es la combinación en paralelo de las dos
regiones.

Rr // Rf ≈ Rf

Esta aproximación final es la consecuencia de la gran diferencia entre los valores de los
resistores el diodo ideal del modelo esta polarizado directamente cuando el voltaje en
las terminales excede 0.7V

Cuando el diodo del modelo esta polarizado en inverso el mismo actúa como un circuito
abierto y la resistencia entre las terminales del modelo es simple Rr.

Comportamiento del diodo en corriente alterna polarizado inversamente

El modelo de circuito de corriente alterna de un diodo es más que complejo debido al
comportamiento de pendiente de la frecuencia cuando es polarizado inversamente debe
existir capacitancia entre las uniones por lo tanto el modelo de corriente alterna debe

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

incluir está constancia del capacitador es la capacitancia de unión surge en vista de

que la región de agotamiento actúa como un capacitor

El modelo de corriente alterna simplificado del diodo polarizado directamente

en la figura " C " se puede ver que se ha agregado un segundo capacitór la capacitancia
de disfunción y se ha sustituido la resistencia directa con una resistencia de difusión
implica el movimiento de portadores y conduce a una condición comparable al
almacenamiento de carga por lo tanto la consecuencia de difusión incluyen efectos
capacitivos la capacitancia de difusión se acerca a 0 el diodo polarizado inversamente

1.4 Aproximaciones del diodo

Utilizar el modelo aproximado normalmente resulta en un menor gasto de tiempo y
esfuerzo para obtener los resultados deseados si este modelo lleva consigo todas las
consideraciones para el análisis de los circuitos
Tabla 1.1) Modelos aproximados e ideal de semiconductor
Silicio

0.7

Germanio

Modelo Ideal (Si o Ge)

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

Como ocurre con el diodo Si un diodo de Ge se aproxima por un circuito abierto

equivalente para voltajes menores que Vt. El diodo entrara en el estado “Activo” cuando
VD un VT = 0.3V

1.5) Configuración del diodo en serie con entrada de corriente directa

En esta sección se utilizara el “Modelo aproximado” para investigar diversas
configuraciones de “diodos en serie” con entras de CD. El contenido establecerá un
fundamento para el análisis de diodos de hecho el procedimiento descrito podrá
emplearse o aplicarse a redes con un numero cualquiera de diodos con diversas
configuraciones

Para cada configuración debe determinarse primero el estado del diodo cuáles diodos
están en estado activo (de conducción) y cuál es el estado" no activo" (de no
conducción) una vez determinado esto el equivalente apropiado puede ponerse en su
lugar y determinar los parámetros restantes de la red

En general un diodo está en estado "activo" si la corriente establecida por las fuentes
aplicadas coinciden en dirección con la de la flecha en el símbolo del diodo y en VD ≥
0.7V para el silicio VD ≥ 0.3Ven

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El estado del diodo se determina primero al reemplazar mentalmente el diodo por un

elemento resistido (Fig. 1.7) la dirección resultante coincide con la flecha en el símbolo
del diodo y puesto que E > VT el diodo se encuentra el estado de conducción en los
niveles de voltaje resultante y corrientes resultantes son los siguientes

E - VD -VR = 0 (Ec. 1.1)

VD = VT Volt. En el diodo = Volt. Umbral (Ec. 1.2)

VR = E - VT (Ec. 1.3)

ID = IR = VR (Ec. 1.4)
R

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La dirección de la corriente resultante no coincide con la de la flecha del símbolo del

diodo el diodo está en estado de no conducción a consecuencia del circuito abierto la
corriente del diodo es de 0A< y el voltaje a través del resistor R es el siguiente

VR = IR R = ID R = (0A) R = 0V

Por la ley del corriente de Kirchhoff.

Ejemplos
Ejemplo 1.1)
Para el siguiente circuito (diodo en serie) determine VD, VR e ID

ID= 3.18 mA
VD= 0.7V
IR= 3.18 mA
VR= 7.3V

I= 8V-0.7V = 7.3 = 3.18 mA

2.2K 2.2K
Ejemplo 1.2)
Repita el problema (1.1) con el diodo invertido

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Nota importante

1) en circuito abierto puede tener cualquier montaje a través de sus terminales pero la
corriente es siempre 0 A

2) un cortocircuito tiene la caída de 0V por sus terminales pero la corriente se limita sólo
por la red circundante

Ejemplo 3.1

Determine
VD=
VR=
ID=

El nivel de voltaje es insuficiente para activar el estado de conducción del diodo de

silicio

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

Ejemplo 1.4

Ejemplo 1.5

Para el siguiente circuito

Eliminando los diodos y determinando
Determine: la dirección de la corriente resultante
de I se tiene el siguiente circuito;
ID:
VDz:
Vo:

La combinación de un corto circuito en serie

con un circuito abierto da ID = 0A

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

¿Para que sustituir el diodo de silicio?

Para el análisis es necesario recordar que para ID = 0A, V= 0V (y viceversa)

Vo = IR R = ID . R = (0A) R = 0V

VDz = V circuito abierto -0 E = 12V

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en el

sentido de las manecillas del reloj

E – VD1 – VD2 – Vo = 0 VD2 = E – VD1 – Vo

VD2 = 12V – 0V – 0V VD2 = 12V

Con VD = 0V

Ejemplo 1.6
Para la configuración de CD en serie determine:

I:
V1:
V2:
Vo:

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

Análisis circuítal se tiene:

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a la sección a la salida en el sentido de la

manecilla del reloj se tiene

El signo negativo indica que Vo tiene una polaridad opuesta ala que aparece en la Fig.
Anterior

1.6 Configuración en paralelo y en serie - paralelo

Ejemplo 1.7
Para la configuración de diodo paralelo determine:

Vo:
I1:
ID1:
ID2:

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

La corriente:

Suponiendo que los diodos tienen características idénticas o similares se tiene

Ejemplo 1.8
Para el siguiente circuito determine la corriente de la red

Ejemplo 1.9
Determine el voltaje Vo para la siguiente figura

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Se activa primero el diodo de Ge (0.3V) no dando lugar para que se active el diodo de
Si

Ejemplo 1.10
Preguntas
Determine el voltaje Vo de la red

Solución:

Vo = 12V - 0.3V = 11.7V

Ejemplo 1.11

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Ejemplo 1.12

Compuerta OR

A B Vo
0 0 0
1 0 1
0 1 1
1 1 1

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Ejemplo 1.13

Compuerta AND

Ejemplo 1.14

Determine:

I:
VR100:
VR200:
VR700:

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

Ejemplo 1.15

Determinar:

I:
VR200:
VR300:

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Ejemplo 1.16

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Ejemplo 1.17

1.7) Entradas sinusoidales Rectificación de Media Onda

El análisis entorno al diodo se extenderá para incluir funciones que varían con el tiempo
como forma de onda senoidal y de onda cuadrada

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* Rectificador de Media Onda

a) Para la onda positiva

Intervalo de tiempo de t = 0  t =

b) Para el semiciclo negativo

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Para el diodo de Silicio

Para el siguiente circuito determine

a) Dibuje la salida Vo y determine el nivel de CD de la salida
b) Repita el inciso (a) si el diodo se sustituye para un diodo de silicio
c) Repita los incisos (a) y (b) si Vm se Incrementa a 200V y y compare las
soluciones

a) Solución

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

b) Al emplear un diodo de silicio

Vcd = - 0.318 (Vm - 0.7V) = - 3.318 (19.3V) = - 6.14V

c) Ecuación 1.5

Vcd = - 0.318Vm = = - 0.318 (200V) = - 63.6 (V)

Ecuación 1.6

Vcd = - 0.318 (Vm – VT) = - 0.318 (200V – 0.7V)

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

= - (0.318) (199.3V) = - 63.38V

VPI
El voltaje pico inverso (VPI) nominal del diodo es de fundamental importancia en el
diseño de sistemas recuérdese que este valor nominal de voltaje no debe exceder en la
región de polarizacion inversa o el diodo entrara en la región de avalancha del Zener

1.8) Rectificación de Onda Completa

Red Puente

La red mostrada es la mas familiar para efectuar la redacción con sus cuatro diodos su
configuración puente durante el periodo
T = 0 a T/2 la polaridad de la entrada es dada por la siguiente Fig.

Escribir las características técnicas del Amp Op Μa 741C graficar las curvas de
comportamiento del Amp Op Μa 741C

a) Ganancia del Voltaje en lazo abierto en función de voltaje de alimentación

b) Variación del voltaje de solidad en función del voltaje de alimentación

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c) Resistencia de entrada en función de la temperatura ambiente

d) Consumo de potencia en función del voltaje de alimentación
e) Corriente de desvió de entrada en función del voltaje de alimentación
f) Respuesta transitoria
g) Relación de rechazo en modo común en función de la frecuencia

En la región negativa de la entrada los diodos que conducen son

D1 y D4 tal como se muestra en la Sig. Figura

Lo importante en esta sección es que la polaridad en la resistencia R es la misma que

para el de la Fig. (b) dando lugar a un segundo pulso positivo Fig. (d)

Como resultado se tiene

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

Como es el doble que para el de media onda el nivel de CD se duplica por lo tanto se
tiene

Vcd = 2 . (0.318Vm)

Vcd = 0.636Vm

Si se emplean diodos de silicio el voltaje de salida Vo por la ley de voltaje de Kirchhoff

es.

Vi – VT – Vo – VT = 0

Vo = Vi – 2VT

El valor pico del voltaje de salida Vo es por lo tanto

Vo max = Vm – 2VT

Transformador con dirección central

Un segundo rectificador de onda completa es el que se muestra en la Fig. (f) ella esta
formada por solo 2 diodos pero requiere un transformador con derivaciones central
(CD).

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Durante la parte positiva de la señal de entrada Vi aplicada al primario del

transformador se tiene que D1 une el estado de corto circuito y D2 el equivalente de
circuito de acuerdo con los voltajes en el secundario y los direcciones de la corriente
resultante

Fig. (g) condiciones de la red para la región positiva de Vi

Para la parte negativa de Vi se invierte los diodos pero manteniendo la polaridad para el
voltaje Vo en el resistor de la carga R

Recortadores
Existe una variedad de redes de diodos denominados recortado es que tienen la
capacidad para recordar una parte de la señal de la entrada sin distorsionar la parte
restante de la forma de onda el rectificador de media onda es la forma más sencilla de
recortar una onda a través de un diodo y una resistencia dependiendo de la polarización
del diodo se va a recordar ya sea la región positiva o negativa

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son dos categorías senoidales de los recortadores en serie y en paralelo la

configuración en serie se define como aquella donde el diodo está en serie con la
carga mientras que la variedad en paralelo tiene el diodo en una rama paralela a la
carga

En Serie
En la Fig. 1.11 (a) se muestra un circuito recortado para una diversidad de ondas
alternas (no solamente senoidal)

Fig. 1.11 Recortador en Serie

* Recortador serie con fuente de CD

La inclusión de una fuente de CD tal como se nuestra en la Fig. Puede tener un

pronunciado efecto en la salida de un recortador análisis para diodos ideales

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Para el análisis de este tipo de red se puede seguir algunas ideas de apoyo para
seleccionarlos

1.- se bosqueja mentalmente la respuesta de la red con base en la dirección del diodo
y los niveles de voltaje aplicado
- se analiza la señal de entrada para determinar en que situación en diodo está en
estado de corte o de conducción
2.- se determina el voltaje aplicado (voltaje de transición) que causará un cambio en el
estado del diodo.

Para el diodo ideal la transición entre estados (de no conducción a conducción) ocurrirá
en el punto de las características en que
VD = 0 e ID = 0A esto ocurrirá pero nuestro caso cuando:

Para Vi > si el diodo se encuentra en estado de conducción (cortocircuito)

Vi < si el diodo se encuentra en estado de circuito abierto

3.- Siempre se debe tener cuidado al definir las terminales y la polaridad de Vo en

Cuando el yodo está en estado de cortocircuito tal como en la Fig. 1.14 el voltaje de
salida puede determinarse aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff se tiene.

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4.- puede resultar útil dibujar la señal de entrada arriba de la señal de salida y
determinar la salida a los valores instantáneos de la entrada
se puede asumir los valores instantáneos de entrada Vi como fuente de CD

Ejemplo
Determine la forma de onda para el siguiente circuito

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Recortador en Paralelo
La red de la Fig. 1.19 es la mas simple de las configuraciones de diodo en paralelo con
la salida para las mismas de la Fig. 1.11 El análisis para esta configuración es la misma
que para la de en serie.

Ejemplo
Determine Vo para la red de la Fig.

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Solución

La polaridad de la fuente de CD y la dirección del diodo sugieren fuertemente que el

diodo estará en estado de
"conducción" en la región negativa de la señal de entrada la misma que se muestra en
la Sig Figura

El estado de transición puede determinarse de la Fig. Donde se ha impuesto la

condición ID= 0A en VD =0V esto ocurre para Vi (transición) = 1 v = 4V puesto que es
evidente que la alimentación de CD (fuerza) el diodo para que permanezca el estado de
cortocircuito devota del entrada debe ser mayor que 4V para que el diodo se encuentre
en estado de "Cueto abierto"
Cualquier voltaje de entrada menor que 4V dará como resultado un diodo en
cortocircuito en el estado de circuito abierto VD = Vi el circuito viene dado por:

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 Repita el ejemplo anterior, empleando un diodo de si con VT= 0.7v.

Solución
El voltaje de transición puede determinare primero aplicando la condición id= 0A. en
Vd= 0.7v. (por ley de voltaje de Kirchooff) manecillas del reloj.

Vi + VT – V= 0
Vi = V - VT = 4V – 0.7V = 3.3V
VR iR R = id R= (0) R = 0V

+ + Determinación del nivel de

id= 0A -
Transición
0.7V
+
Vi Vo
+
0.4V
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- - -58-
-
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Para Vi > 3.3 el diodo se encuentra en circuito abierto y Vo = Vi

Para Vi < 3.3 el diodo se encuentra en corto circuito (conducción)

Vo = 4V – 0.7V =3.3V (Vi < 3.3V)

Vo
+ R +
-
16
+ v
Vi Vo
3,3V
+ 0 T/2 T t

- - - Voltaje de salida Vo

Nota.- El efecto de Vt fue reducir el nivel del estado ‘’de conduccion’’ de 4 a 3.3V.

Circuitos multiplicadores de voltaje.-

Los circuitos multiplicadores de voltaje se emplean para mantener un voltaje pico de

transformador relativamente bajo mientras se incrementa el voltaje pico de salida a dos,
tres, cuatro o mas veces el voltaje pico rectificado.

Doblador de voltaje

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a) b)

Fig. 1.19
Doblador de voltaje media onda

1.- durante el semiciclo (+), en el secundario del transformador, el diodo D1 conduce (y

el diodo D2 esta en corte), cargando el capacitor C1 hasta el voltaje rectificado pico
(Vm). El diodo D1 esta idealmente en corto durante este semiciclo y el voltaje de
entrada carga el capacitor C1 hasta Vm, con la polaridad que se muestra el la fig. 1.20
a.

2.- Durante el semiciclo negativo del voltaje en el secundario, el diodo D1 se corta y el

diodo D2 conduce cargando el capacitor C2. puesto que el diodo D2 actúa como un
corto durante el semiciclo negativo (y el diodo D1 esta abierto), se puede sumar los
voltajes alrededor del circuito exterior (fig. 1.20 b)

3.- En el siguiente semiciclo, el diodo D2, no esta conduciendo y el capacitor C2 se

descarga a través de la carga. Si no hay carga, conectada en el capacitor C2, ambos
capacitares permanecerán cargados:
C1 a Vm y C2 a 2Vm. Si como se esperaría, hubiese una carga conectada en la salida
del doblador de voltaje, el voltaje en el capacitor C2, se reducirá durante el semiciclo
positivo (en la entrada) y el capacitor se recargara hasta 2Vm durante el semiciclo
negativo.
La forma de onda de salida en el capacitor C2 es la correspondiente a una señal de
media onda filtrada mediante un filtro con capacitor.

Sujetadores y fijadores.-
La red de sujeción, es aquella que ‘’sujeta’’ una señal aun diferente nivel de cd. La red
debe tener un capacitor, un diodo y un elemento resistivo, pero también puede
emplearse una fuente de corriente directa (cd) independiente para producir un

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corrimiento adicional. La magnitud de R y C debe elegirse de manera tal que la

‘’constante de tiempo’’ T= RC sea suficientemente grande para asegurar que el voltaje
en el capacitor descargue de manera significativa, durante el intervalo en el que el diodo
no esta conduciendo.
Para propósitos prácticos el capacitor se carga o descarga por completo en cinco
constantes de tiempo: 5T

a)

b)

c)

 Intervalo de 0 a T/2
La red para este intervalo aparecerá como se muestre en la fig. (b), con el diodo
en el estado ‘’encendido’’ efectivo ‘’cortocircuito’’ el efecto del resistor R.
 La constante de tiempo RC resultante de la red determina el valor de R que el
capacitor se carga rápidamente hasta V volts.
Durante este intervalo el voltaje de salida esta directamente a través del corto
circuito y Vo= 0V
 Intervalo de T/2 a T
Se produce cuando la entrada cambia al estado –V, la red será como se muestra
en la (fig. C), donde se tiene el equivalente en circuito abierto para el diodo
determinado por la señal aplicada y el voltaje almacenado en el capacitor (ambos
‘’fuerzas’’ la corriente a través del diodo de ánodo a cátodo).
En este semiciclo R se encuentra de nuevo en la red, la constante de tiempo T,
determinada por el producto RC es lo bastante grande para establecer un
periodo de descarga 5T mucho mayor que el periodo T/2 ---- T y puede
suponerse en forma aproximada que el capacitor sostiene toda su carga, y por
tanto, su voltaje (puesto que V= Q/C) durante este periodo.
 analizando la Fig. c. como Vo esta en paralelo con el diodo y el Resistor.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchooff alrededor de la malla de entrada dará
como resultado:

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-V - V – Vo= 0 y Vo= -2V

El signo negativo se debe al hecho de que la polarizacion de 2V es opuesta a la

definida para Vo. En la (fig. d) se muestra la forma de onda de salida resultante y
graficada en forma conjunta con la señal de entrada.

Fig. d) Esquema de Vo
para la red de la fig. a

 la señal de salida se sujeta a 0V en el intervalo de 0 a T/2, pero mantiene la

misma excursión total (2V) que la entrada.

Nota.-

Para una red de sujeción:

“La excursión total de la salida es igual a la excusión total de la señal de entrada”
Este hecho se constituye en una excelente herramienta de verificación del resultado
obtenido.
En general, los siguientes pasos pueden resultar útiles cuando se analizan redes de
sujeción.

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1) Siempre se inicia el análisis de redes de sujeción considerando aquella parte de

la señal de entrada que polarizará directamente el diodo.
Ojo: Quizás esto requiera saltar un intervalo de la señal de entrada.

2) Durante el periodo en que se encuentra es estado de encendido, puede

suponerse que el capacitor se cargará en forma instantánea hasta un nivel de
voltaje determinado por la red.

3) Se supone que durante el periodo que el diodo está en circuito abierto (estado de
corte), el capacitor mantendrá toda su carga consecuentemente su voltaje.

4) En todo el análisis debe tenerse cuidado respecto a la localización y polaridad de

referencia para el Vo para asegurar que se obtienen los niveles apropiados de
dicha cantidad.

5) No se olvide la regla general que establece que la excursión de la salida total

debe corresponder con la de la señal de entrada.

Ejemplos: Determine Vo en la red de la (fig. e) para la entrada indicad.

F=1000 Hz.
1)

La frecuencia es f= 1000 Hz. ------- T= 1ms ------- T/2= 0.5ms

 análisis de t1 a t2 señal de entrada para el cual el diodo esta en conducción.

Para esta señal de entrada se tiene el circuito f.

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Fig. f) determinación de Vo y Vc con el diodo en estado de conducción.

 En este intervalo, la red aparecerá:

La salida es a través de R, pero se encuentra también directamente a través de
la batería de -5V si se sigue la conexión directa entre los terminales definidos
para Vo y las correspondientes a la batería. El resultado es Vo= 5V para este
intervalo aplicando la ley de voltaje de Kirchooff alrededor de la malla de entrada
como resultado:

-20V + Vc – 5V = 0
Vc= 25V
El capacitor se carga, por lo tanto, hasta 25V, como se establece en el comentario 2.
En este caso, el resistor no se pone en corto por el diodo, pero un circuito equivalente
de thevenin, dará como resultado RTh= 0Ω con ETh= V= 5V.

Fig. g) Determinación de Vo
con el diodo en estado
de no conducción.

Análisis para el periodo t2 ----- t3

La red se muestra como siguiente:
El equivalente en circuito abierto para el diodo hará que la batería de 5V no tenga
ningún efecto sobre Vo. Aplicando la L.V.K. en torno a la malla exterior de la red dará
como resultado:
10V + 25V – Vo = 0
Por lo que:
Vo = 10V + 25V = 35V
Vo= 35V
La constante de tiempo de descarga de esta fig. g se determina mediante el producto
RC y su magnitud es:
T= R C=(100kΩ)(0.1µF)= 0.01s = 10ms.
 El tiempo de descarga total es, por lo tanto, 5T=5(10ms)= 50ms.

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 Como el intervalo T2 – T3 duran solo 0.5ms, es sin duda una buena

aproximación suponer que el capacitor sostendrá su voltaje durante el periodo
de descarga entre pulsos de la señal de entrada.
La señal resultante es la que se muestra en la fig. f.

Nota.- Que la excursión de salida de 30V equivale a la excursión de entrada como se

señalo en el comentario 5.

Fig.f) Vi y Vo para el sujetador de la fig. a.

 Para un diodo de silicio con Vt= 0.7V.

Solución
Para e estado de corto de T1 – T2, se tiene en el circuito (fig. g).

- +
+ +
V -
c 0,7V
+
20V Vo
R
+
5V
- -
-

Fig. g) Determinación de Vo y Vc con el diodo en estado encendido de conducción.

Por la ley de voltaje de Kirchooff se tiene el voltaje de salida:

(Sección de salida)

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5V - 0.7V – Vo = 0
Y
Vo = 5V – 0.7V = 4.3V

En la sección de entrada la LVK dará como resultado:

20V + Vc + 0.7 – 5V= 0

Vc = 20V + 5V – 0.7V
Vc = 24.3V
 Durante el periodo de T2 --- T3 la red aparecerá como se muestra en la fig. h con
el único cambio de que el voltaje esta en el capacitor. (nuevo voltaje). La
aplicación de la ley de voltaje de Kirchooff produce:

10V+ 24.3V – Vo = 0
Vo= 34.3V

- +
+ +
24,3V

10 Vo
R
V
+
5V
- -
-

Fig. h) Determinación de Vo con el diodo en el estado de conducción.

La salida resultante es:

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Fig. i) Esquema de Vo con

diodo de silicio

1) Diodo schottky

Tipos alternativos de diodos:

En esa sección se presentan brevemente los siguientes tipos de diodos:
 Schottky
 Emisor de luz (LED)
 Fotodiodo
 Zener

1) Diodos Shottky

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Fig. 1) Diodo Shottky

Un diodo Shottky (diodo de barrera Shottky), se forma uniendo un metal, con el

aluminio o el platino a silicio tipo N o P. se emplea a menudo en circuitos integrados
para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Su símbolo y sustracción se
muestra en la fig. 1.
El diodo Schottky tiene una característica voltaje-corriente similar a la del diodo de
unió PN de silicio, salvo que el voltaje de ruptura directa, Vt (voltaje de umbral), se
encuentra entre 0.3 y 0.7 (V) fig. 2.

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Fig. 2) Comparación de las características.

El valor específico de voltaje de estructura directo se determina por medio del proceso
de manufactura. Cuando el diodo schottky se opera en modo directo, la corriente es
inducida por el movimiento de electrones del silicio tipo “n” a través de la barrera y el
metal. Puesto que los electrones se recombinan relativamente rápido a través de los
metales, el tiempo de recombinación es pequeño, del orden de los 10 pico segundos.
Esto es mucho más rápido que el caso de un diodo de unión PN ordinario. En
consecuencia, el diodo de schottky es de gran valor en aplicaciones de conmutación de
alta velocidad. La capacitancia asociada con este diodo es en extremo pequeña.

Material metálico en el lugar # 1, en la región “n”, ligeramente contaminada forman una

unión de rectificación, en tanto que la región ‘’n’’ altamente contaminada y el contacto #
2 forman un contacto ohmnico. Los electrones de dirección directa de silicio tipo N,
cruzan la barrera hacia el metal donde hay una alta concentración de electrones. Esto
origina un dispositivo de portadores ‘’mayoritarios’’.
Los diodos de schottky son útiles en la tecnología de circuitos integrados debido a que
son fáciles de fabricar y pueden manufacturarse al mismo tiempo que los otros
componentes en el chip. La fabricación de un diodo de unión PN requiere una difusión
más de tipo P que en el caso del diodo de schottky. Sin embargo la fabricación de un
diodo de schottky, tal vez requiera de un paso adicional de metalización. Las
características de bajo ruido del diodo de schottky lo hace ideal para aplicarlo en la

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supervisión (medición) de potencia de frecuencia de radio de bajo nivel, detectores

para alta frecuencia y mezcladores de radar doppler.

Otros nombres.- Diodo de barrera de schottky, de barrera superficial o de barrer de

portadores de alta energía.
Área de aplicación.- Originalmente se limitaba a intervalos de frecuencia sumamente
altos. Debido a su rápido tiempo de respuesta (Alta frecuencias) y baja figura de ruido.
Seguidamente se los encontró, en fuentes de alimentación de bajo voltaje, alta corriente
y en los convertidores de corriente alterna a corriente directa.
Otras aplicaciones.- Sistema de radar, la lógica de comunicaciones, instrumentación y
en los convertidores (análogo-digital) Analógico-Digitales.
Construcción.-
Como se comento anteriormente su construcción es muy diferente de la unión P-N
convencional, por el hecho de que se crea una unión semiconductora de metal, en la
forma que se muestra en la fig. 1. el semiconductor es por lo general silicio tipo N
(aunque en ocasiones se utiliza silicio tipo P), en tanto que se emplea un ‘’anfitrión’’ de
diferentes metales, como: platino, cromo, o tungsteno.
La construcción de este diodo produce una región de unión más uniforme y así como
mayor salidez, en comparación con el diodo de punto de contacto.
En ambos materiales, el electrón es al portador mayoritario. En el metal, el nivel de
portadores minoritarios (huecos) es insignificante. Cuando se unen los materiales, los
electrones en el material semiconductor de silicio tipo N fluyen de inmediato hacia el
metal adyacente, estableciendo un denso flujo de portadores mayoritarios. Puesto que
los portadores inyectados tienen un nivel de energía cinética sumamente alto en
comparación con los electrones del metal, comúnmente reciben el nombre de
‘’portadores de alta energía’’. En la unión convencional P-N se inyectaron portadores
minoritarios en la región adjunta. Para nuestro caso (diodo Schottky) los electrones se
inyectan dentro de una región de la misma pluralidad de electrones. Así pues, los
diodos Schottky son únicos por el hecho de que la conducción se debe por completo a
los portadores mayoritarios.
Rd= f(ID)= 26mV/ ID

rd=f(Id)=26mV/Id
Lp
RB Diodo Ideal

3mH

CJ
CP
CJ

Fig.4) circuito equivalente

Fig.3) circuito equivalente del diodo Shottky aproximado para el diodo
Shottky
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Diodos emisores de luz (LED).-

Ciertos tipos de diodos son capaces de cambiar la energía eléctrica en energía

luminosa.

El diodo emisor de luz (LED) transforma corriente eléctrica en luz. Es útil en varias
pantallas indicadoras, y puede usarse algunas veces como fuente luminosa en
aplicaciones de comunicación por fibra óptica.

Un electrón puede caer desde la banda de conducción dentro de un hueco y emitir

energía en forma de un fotón de luz. Las relaciones de momento y energía en el silicio y
el germanio son tales que el electrón entrega su energía como calor cuando regresa de
la basada de conducción a la banda de valencia. Sin embargo, el electrón en un cristal
de arseniuro de galio produce un foton cuando regresa de la banda de conducción a la
banda de valencia. No hay suficientes electrones en un cristal para producir luz visible.
Sin embargo cuando se aplica una polarización directa, se inyecta gran número de
electrones del material “N” al material “P”. Estos electrones se combinan con huecos en
el material tipo “P” en el nivel de energía de la banda de valencia y se liberan
electrones. La intensidad de luz es proporcional a la taza de recombinación de
electrones, y por lo tanto proporcional a la corriente del diodo.
El diodo de arseniuro de galio emite ondas luminosas a una longitud de onda cercana a
la banda infrarroja. Para producir luz en el intervalo visible se requiere mezclar fosfuro
de galio con arseniuro de galio.

Cuando un LED esta conduciendo la caída de voltaje es aproximadamente 1.7v. La

cantidad de luz emitida por el LED depende de la corriente que circula por el diodo;
cuando mayor es la corriente tanto más grande es la luz emitida. Un resistor limitador
de corriente debe ponerse en serie con el LED para evitar destruir el diodo. La magnitud
de este resistor limitadores de corriente se calcula con facilidad limitando la corriente de
encendido del LED a cercad de 10 mA con un voltaje del diodo de casi 1.7V.

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 Ejemplo del calculo de la resistencia limitadora.-

LED

RCL

5V
Solución.-
Desea limitarse la corriente que circula por el LED a casi 10mA. Cuando el LED
conduce y cuando el voltaje encendido es 1.7V. el voltaje que cae a través de RCL
es 5 – 1.7 = 3.3 (V). Con una corriente máxima de 10mA, el valor de RCL=
3.3/10mA= 330Ω

Fotodiodo.-

Un fotodiodo efectúa la acción inversa de un LED. Esto es, transforma la energía

luminosa en una corriente eléctrica. Se aplica polarización inversa al fotodiodo y la
corriente de saturación inversa es controlada por la intensidad de la luz que incide sobre
el diodo. La luz genera pares de electrón-hueco, los cuales inducen corriente. El
resultado es una foto corriente en el circuito externo que es proporcional a la intensidad
efectiva de la luz sobre el dispositivo.

El diodo se comporta como un generador de corriente constante siempre que el voltaje

no supere el voltaje de avalancha. Los tiempos de respuestas son menores que 1µs.

La sensibilidad del diodo puede incrementarse si el área de la unión se hace mas

grande ya que se recogen más fotones aunque lo anterior también incrementa el tiempo
de respuesta, puesto que aumenta la capacitancia de la unión (y consecuentemente la
constante de tiempo RC).

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Símbolo del fotodiodo

Fig.1) Fotodiodo

Curvas características del

fotodiodo, para diversas
intensidades luminosas, H.

La corriente del fotodiodo, Ip,

puede estimarse a partir de la
ecuación siguiente: Ip= g q H

H= ux A = intensidad luminosa en fotones

U= densidad de flujo de fotones en fotones/s – cm2
A= área de la unión en cm2

La mayor parte de los detectores de luz de silicio consisten en una unión de fotodiodo y
un amplificador, frecuentemente en un solo chip.

Donde:
g= eficiencia
q=carga en electrón
1.6E-19 C

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Diodo Zener.-

Un diodo zener es un dispositivo cuya contaminación se realiza de un modo que la hace

característica de voltaje de avalancha o ruptura sea muy inclinada. Si el voltaje inverso,
supera el voltaje de ruptura, el diodo zener normalmente no será destruido. Esto se
cumple siempre que la corriente no exceda un valor máximo predeterminado y el
dispositivo no se sobrecaliente. Cuando un portador generado térmicamente (parte de
la corriente de saturación inversa) cae por debajo de la barrera de la unión y adquiere
energía de potencial aplicado, el portador choca con los iones del cristal e imparte
suficiente energía, para romper un enlace covalente, además del portador original se
crea un nuevo par electrón-hueco, este par puede recoger suficiente energía del campo
aplicado para chocar con otro ión del cristal y formar otro par electrón-hueco. Esta
acción continua y rompe de este modo los enlaces covalentes. El proceso se conoce
como “ionización de impacto”, “multiplicación de avalancha o ruptura de
avalancha”. Hay un segundo mecanismo que rompe los enlaces covalentes, el uso de
un campo eléctrico, suficientemente fuerte en la unión puede provocar una ruptura
directa del enlace, si el campo eléctrico ejerce una fuerza intensa sobre un electrón
ligado este puede arrancarse del enlace covalente ocasionando así que se multipliquen
las combinaciones por electrón-hueco. Este mecanismo se llama “emisión de campo
intenso o ruptura zener”. El valor del voltaje inverso al cual esto ocurre se controla por
medio del nivel de contaminación del diodo. Un diodo altamente contaminado tiene un
bajo voltaje de ruptura zener, en tanto que dicho valor es alto en un diodo con ligera
contaminación, aunque se describieron dos mecanismos claramente diferentes para
efectuar la ruptura, se intercambian comúnmente. A voltajes superiores a 8v, el
mecanismo predominante es la ruptura de avalancha. Puesto que el efecto zener
(avalancha) ocurre en un punto predecible, el diodo puede utilizarse o usarse con una
referencia de voltaje. El voltaje inverso a la cual se presenta la avalancha se llama
“voltaje de ruptura o tener”. Una característica típica del diodo zener se ilustra en la
figura. El símbolo del circuito del diodo zener es diferente del correspondiente al diodo
ordinario. La corriente inversa máxima Iz máx., que el diodo zener puede soportar
depende del diseño y construcción del diodo.

Se empleara la guía a cerca de que la corriente zener mínima, en la que la curva

característica permanece en Vz (cerca del codo de la curva) es 0.1 Iz máx.

La cantidad de potencia que el diodo zener puede soportar (Iz Iz máx.) es un factor
limite en el diseño de fuentes de potencia.

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Factor de rizo del rectificador.- El factor de rizo de un voltaje se define mediante:

r= rms valor de la componente de la señal
Valor medio de la señal

Que puede expresarse como:

R= Vr(rms)
Vcd
Puesto que la componente de voltaje de C.C. de una señal que contiene una señal C.D.
es:
Vac= V – Vdc

El valor rms de la componente C.A. es:

2πV2 A.C.
Vr(rms)= [1/2π do]1/2

2π(V – Vdc)2
=[1/2π do]1/2

2π(V2 – 2V
=[1/2π Vdc + V2 dc) do]1/2

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=[V2 (rms) - 2V2 dc + V2dc ]1/2

=[V2 (rms) - V2 dc]1/2

Donde V(rms) es el valor rms del voltaje total. Para la señal rectificada de media onda.

Vr(rms)=[ V2 (rms) - V2 dc]1/2

=[(Vm/2)2 – (Vm/π)2 ]1/2
=Vm[(1/2)2 – (1/ π) 2 ] 1/2

Vr (rms)= 0.385 Vm (media onda) Ec.1

Para la señal rectificada de onda completa

Vr(rms)=[ V2 (rms) - V2 dc]1/2

=[(Vm/2)2 – (2Vm/π)2 ]1/2
= Vm [1/2 – 4/ π 2 ] 1/2

Vr (rms)= 0.308 Vm (onda completa)

Ec. 2

Voltaje de Rizo del filtro con capacitor.-

Forma de onda triangular

aproximada
Fig.1) voltaje de Rizo triangular aproximado
para un filtro con capacitor

Fig.2) voltaje de Rizo triangular aproximado

para un filtro con capacitor.
Voltaje de Rizo con capacitor

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Siguiendo una aproximación de forma de onda de rizo triangular como se muestra en la

fig.1, se puede escribir (fig.2)
Vcd= vm – vr (p - p) (Ec.3)
2
Durante la descarga del capacitor el cambio de voltaje a través de C es:
Vr (p - p)= Icd T2 (Ec.4)
C
A partir de la forma de onda triangular de la fig.1
Vr (rms)= Vr (p - p) (Ec.5 )
2√3
Empleando los detalles de la forma de onda de la fig.1 se obtiene:
Vr (p - p) = Vm --------- T1= Vr (p - p) T/4
T1 T/4 Vm

Así mismo T2 = T – T1= T – Vr (p - p) (T/4) = 2TVm – Vr (p - p) t

2 2 Vm 4Vm

T2= 2Vm – Vr (p - p) T (Ec.6)

Vm 4

Puesto que la ecuación (Ec. 3) puede escribirse como

Vcd= 2Vm – Vr (p - p)
2
Se puede cambiar la ultima ecuación con (Ec. 6)

T2= Vcd _ T
Vm 2

Que insertada en la ecuación (Ec. 4), produce

Vr (p - p)= Icd ( Vcd T)

C Vm 2

T= 1
F

Vr (p - p) = Icd Vcd
2fc Vm Ec. 7

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Combinado la Ec.5 y Ec.7, se resuelve para Vr (rms):

Vr (rms) = Vr (p - p) = Icd Vcd

2 √3 2√3 f c Vm

Por lo tanto el voltaje de rizo se puede calcular de

Vr (rms)= Icd = 2.4 Icd = 2.4 Vcd
4√3 f C C RLC

Donde: Icd esta en mili amperes, C en microfaradios y RL en Kilohms.

Ejemplo:
Calcular el voltaje de Rizo de un rectificador de onda completa con un capacitor de filtro
de 100µF conectado a una carga que consume 50 mA.

Vr (rms) = 2.4 Vcd = 2.4 Icd

RLC C

Vr (rms) = 2.4 * 50 mA = 1.2V//

100
 Voltaje de CD, Vcd (a través del capacitor)

Vcd = Vm - Icd = Vm - 4.17 Icd

4fC C
Donde:
Vm= voltaje Rectificado de pico.
Icd= corriente de carga en MiliAmperes.
C= valor del capacitor en µF.

Ejemplo.-
Si e voltaje rectificado pico, del ejemplo anterior, fuera de 30V, calcule el voltaje cd del
filtro.
Solución.-
Vm= 30V
Vcd= Vm - 4.17 Icd = 30 - 4.17 * (50) = 27.9V//
C 100

 Rizo en un filtro con capacitor.

Para Vcd = Vm, se obtiene la expresión para el rizo de onda de la forma de
salida de un rectificador de onda completa y con un filtro capacitivo.

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R= Vr (rms) * 100 % = 2.4 Icd * 100% = 2.4 *100%

Vcd Vcd RLC

Ejemplo.- calcule el Rizo de un filtro capacitivo, para un voltaje rectificado de pico de

30V, un capacitor de C=100µF y una corriente de carga de 50mA.

R= Vr (rms) * 100 % = 2.4 (50) * 100% = 4.3%//

Vcd 100 (27.9)

Podríamos calcular también el rizo mediante el uso de la definición básica.

R= Vr (rms) * 100 % = 1.2V * 100% = 4.3%//

Vcd 27.9V.

Periodo de conducción del diodo y corriente pico del diodo.

Se puede apreciar del análisis anterior, que para valores mas altos de capacitancia
producen rizos menores, y voltajes promedio mas elevados, por lo que se proporciona
una mejor acción del filtro. De acuerdo con esto podría concluirse que para mejorar el
funcionamiento de un filtro con capacitor solo seria necesario incrementar el tamaño del
capacitor del filtro. Sin embargo, el capacitor afecta también a la corriente pico a través
del diodo de rectificación. Se vera mas adelante, que cuanto mayor sea el valor de la
capacitancia utilizada, mayor será la corriente pico a través del diodo de rectificación.

t1 t1

t t

a) b)

Formas de onda del voltaje de salida y de la corriente de diodo.

a) c pequeño b) c grande

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Es importante recordar que los diodos conducen durante un periodo T1, tiempo
durante el cual el diodo debe proporcionar la corriente de carga. En la fig. Se muestra
esta relación para una señal rectificada de media onda. Se advierte que para valores
mas pequeños del capacitor, con T1 más grande, la corriente pico del diodo es menor
que para valores más grandes del capacitor de filtro.

Redes con diodos zener.

El análisis con diodos zener, es bastante similar al aplicado para el análisis de los
diodos semiconductores. Primero se debe determinar el estado del diodo, seguido de
una sustitución del modelo aproximado y por una determinación de las otras cantidades
desconocidas de la red. El modelo zener, para la conducción es como el que se
muestra en la fig. a) para el estado de no conducción definido por un voltaje menor que
Vz pero mayor que 0V con la polaridad indicada en la fig. b), el modelo equivalente
zener es el circuito abierto.

Fig. Equivalencias del diodo zener para los estados de (a) conducción
Y (b) no conducción.

Vi y R fijas

La más sencilla de las redes con diodos zener se presenta en la siguiente figura (fig. c).
El voltaje cd aplicado esta fijo, al igual que lo esta el resistor de carga.

PzM

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Fig. c)

El análisis puede dividirse fundamentalmente en dos pasos:

1) Determine el estado del diodo zener, extrayéndolo del circuito y calculando el

voltaje a lo largo del circuito, abierto resultante.

Aplicando el paso 1 al circuito de la figura c, se obtendrá la red de la fig.d), donde

haciendo uso del divisor de voltaje resultara en:

V= VL = RL Vi
R+RL

Fig. d)

Si V >= Vz el diodo zener está en estado de conducción y el modelo equivalente

de la figura “a” puede ser sustituido aquí
Si V < Vz el diodo está en estado de no conducción y la equivalencia del circuito
abierto de la figura “b” ocupa el lugar del diodo.

2) Sustitúyase el circuito equivalente apropiado y resuélvase para las incógnitas

deseadas.

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Fig. e) sustitución para el diodo en conducción

La corriente del diodo zener debe determinarse mediante la aplicación de la ley de la

corriente de Kirchoff. Esto es:

IR = Iz + IL Ec. (2)
Iz = IR - IL Ec. (3)

Donde IL = VL e IR = Vr = Vi – VL
RL R R

La potencia disipada por el diodo zener se determina por:

Pz = Vz * Iz

La cual debe ser menor que la Pzm, especificada para el dispositivo.

 Los diodos zener se utilizan con más frecuencia en redes de reguladores o como
un voltaje de referencia.
En el caso de un voltaje de referencia, proporciona un nivel para comparar con
otro voltaje.

Ejemplo.-

a) Para la red de diodo zener de la fig. f) determine Vl, Vr , Iz, Pz.

b) Repita la parte “a” con Rl = 3KΩ

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a)

Puesto que v=8.73v, es menor que Vz=10V, el diodo esta en estado de no conducción,
el mismo que la fig. De abajo. Sustituyendo el circuito equivalente se obtendrá la misma
red que el circuito de arriba, en donde hallamos que:

= VL

b)

Ya que V= 12V es mayor que Vz= 10V, el diodo esta en el estado de conducción y
tendrá la red siguiente.

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De modo que:
Ir=Iz+IL
Iz=Ir-IL= 6mA – 3.33mA
Iz=2.67 mA//

La potencia disipada:

Pz= Vz Iz = 10V * 2.67mA

El cual es menor que el valor
Pz= 26.7mA//
especificado de PzM= 30mW

Vi fijo, RL variable.-

Por causa de voltaje Vz, hay un intervalo específico de valores del resistor (y por lo
tanto, de la corriente de carga) que asegurarán que el zener esté en estado de
conducción. Una resistencia de carga demasiado pequeña RL originará un voltaje VL en
el resistor de carga menor que Vz y el dispositivo zener encontrara en el estado de
‘’corte’’.
Para determinar la resistencia de carga mínima (y consecuentemente la corriente de
carga máxima), que regresa al diodo zener al estado de conducción, basta calcular el
calor de RL, que producirá un voltaje de carga de VL= Vz. Esto es:

VL= Vz= R Vz
RL + R

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A partir de la regla del divisor de voltaje y resolviendo para R L, tenemos:

RLmin = R Vz
Vi – Vz

Cualquier valor de resistencia mayor que RL obtenido a partir de la Ec. Anterior,

asegura que el diodo zener se encuentra en estado de conducción y el diodo puede
sustituirse por su fuente equivalente Vz.
La condición establecida por la anterior ecuación, establece el valor mínimo R L, pero el
valor máximo de IL es:
ILmax= VL = Vz
RL RLmin

Una vez que el diodo esta en el estado de conducción, el voltaje a través de R permanece fijo en:
VR = Vi-Vz
e IR permanece fijo en:

IR = VR
R

La corriente zener:

Iz = IR- IL

Resulta en un Iz mínimo cuando IL es máximo y un Iz máximo cuando IL es un valor

mínimo, puesto que IR es una constante.
Como Iz esta limitada a Iz máx. De acuerdo con la hoja de datos, no afecta el rango de
RL y por lo mismo a IL.
La sustitución de IzM por Iz establece el mínimo IL como

ILmin = IR- IzM

Y la resistencia de carga máximo como

RLmax = Vz
Ilmin
Ejercicio:
a) para la red de la Fig. Determine el rango de RL e IL, que dará como resultado a
VRL manteniendo a 10v.
b) determine el voltaje nominal del diodo.

Regulador de voltaje

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Solución.-

(a) para determinar el valor de RL que regresara al diodo zener al estado de

conducción, se tiene.

RLMIN = R Vz = (1 ) . (10V) = 10 = 250

Vi – Vz 50V – 10v 40v

El voltaje en el resistor R se determina entonces

VR = Vi – Vz = 50v – 10v = 40v

Por lo tanto IR
Ir = VR = 40v = 40 mA
R 1

El nivel mínimo de IL se determina a través de:

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ILmin = IR – Izm = 40 mA – 32 mA = 8 mA

El valor máximo de RL es:

RLmax = Vz = 10v = 1, 25
ILmin 8 mA

En la sgte figura se muestra una grafica de VL versus RL y VL versus IL

b) Pmax = Vz . Izm = (10v) . (32 mA) = 320w

Diodo zener practico y regulación porcentual.-

En las secciones previas de supuso que el diodo zener era Ideal. Esto es en la región
de ruptura de avalancha el diodo se comporta como una fuente de voltaje constante.
Esta suposición significa que la curva de la corriente en función del voltaje. Al inicio de
esta sección, es una línea vertical en la región de ruptura. En la práctica esta curva no
es precisamente vertical, y la pendiente no infinita tiene el efecto de una resistencia en
serie diferente de cero. El voltaje de ruptura es entonces, una función de corriente en
vez de ser una constante. Se modela el diodo zener práctico como se muestra en la
siguiente figura. Este modelo reemplaza el diodo zener práctico con un diodo ideal en
serie con una resistencia Rz.

Fig. circuito equivalente del zener

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Supónganse que un diodo zener practico se incorpora al circuito con la resistencia de

diodo, Rz = 2. Se asume que Izmir es 10% de Izmax, o 0,053 A. el voltaje de salida
(en los extremos de la carga) ya no es constante en 10v debido a Rz.
Se encuentran los valores máximo y mínimo de este voltaje empleando los valores de
corriente mínimo y máximo de este voltaje en el diodo ideal de la fig. Anterior es 10v,
por lo que se escribe:

Vomin = 10 + (0.053 * 2) = 10,1(v)

Vomax = 10 + (0.053 * 2) = 10,1(v)

Fig. Regulador con diodo zener

Izmax = 0,533(A) Izmir = Izmax = 0,053(A)

La regulación porcentual.-

Se define como la variación total de voltaje tanto divida por el voltaje nominal. Cuantos
mas pequeña la regulación porcentual tanto mejor el regulador. Por con siguiente, en
este ejemplo:

% reg = Vomax – Vomin = 11,1 – 10,1 = 0,1

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Vo nominal 10

o 10 %
Circuitos lógicos con diodos.-

Nuestro adjetivo es demostró la variedad de aplicaciones de este dispositivo de los

niveles de voltaje y no incluirá un análisis detallado del algebra booleaya o de la lógica
positiva y negativa.

Compuerta OR
Donde 1 = 10v
0 = 0v a tierra

Compuerta AND

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UNIDAD # 2: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION

2.2.1 Introducción.-

D
urante el periodo de 1904 a 1947, el bulbo, fue sin duda, el dispositivo electrónico más
interesante y también el que más se desarrolló. El diodo de bulbo fue introducido por J.
A. Fleming en 1904. Poco tiempo después, en 1906, Lee De Forest le añadió un tercer
elemento al diodo al vacío, denominado rejilla de control, lo cual dio por resultado el tríodo,
primer amplificador de su género. En los años subsecuentes, la radio y la televisión ofrecieron
un gran estimulo a la industria de los bulbos. La producción se incrementó de cerca de un millón
de bulbos en 1922 a cien millones aproximadamente en 1937. A principio de los años treinta el
tuvo al vacío de cuatro y cinco elementos cobró gran importancia en la industria de los tubos
electrónicos al vacío. En los años siguientes la industria se convirtió en una de las más
importantes y se lograron rápidos avances en el diseño, técnicas de manufactura, aplicaciones
de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturización.

Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrónica registró la

aparición de un nuevo campo de interés y desarrollo. Fue esa tarde cuando Walter H. Brattain y
Joseph Bardeen demostraron la acción amplificadora del primer transistor en la compañía de
Bell Telephone Laboratories. El transistor original (un transistor de punto contacto). Las ventajas
de este dispositivo de estado sólido de tres terminales respecto al bulbo se manifestaron de

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inmediato: era más pequeño y ligero, no tenía requerimientos de calentamiento o disipación de

calor, su construcción era resistente y era mas eficiente debido a que el mismo dispositivo
consumía menos potencia, estaba disponible para utilizarse de inmediato, no requería de un
periodo de calentamiento y era posible utilizar voltajes de operación más bajos.

2.2.2 Objetivos.-

2.2.2.1 PROFESIONAL:

Mediante los conocimientos adquiridos en la primera unidad y con las aplicaciones

expuestas en clase el estudiante podrá tener una base sólida de los diodos
semiconductores.

2.2.2.2 PRODUCTIVO:

Logra familiarizarse con los diferentes diodos semiconductores, por medio del
funcionamiento y la composición de los mismos.

2.2.2.3 PERSONAL:

Desarrolla con honestidad y responsabilidad los trabajos proporcionados por el

docente.

2.2.3 Desarrollo del tema.-

Los temas que se llevarán a cabo dentro de la segunda unidad son:

Tema # 1: “Construcción y operación de los transistores”

Tema # 2: “Configuración base, emisor y colector común”
Tema # 3: “Punto de operación”
Tema # 4: “Circuitos de polarización fija y estabilizado en emisor”
Tema # 5: “Polarización por divisor de voltaje y por retroalimentación de voltaje”
Tema # 6: “Diversas configuraciones de polarización y operaciones de diseño”

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2.2.4 Conceptos Básicos.-

Construcción y
operación de los
transistores

Técnicas para Configuración base,

localización de emisor y colector
fallas; común
Transistores PNP

El transistor
bipolar de unión
Diversas
configuraciones;
Operaciones de Punto de operación
diseño

Polarización por Circuitos de

divisor de voltaje y polarización fija y
por estabilizada en
retroalimentación de emisor
voltaje
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2.3.5 Actividades de Profundización e Integración.-

Principio bíblico.-

FRUTO DEL CARÁCTER

Dios es un ser de orden, bien puede ser la manera organizada de las creaciones divinas hasta
la culminación de la pareja del hombre. Si la humanidad demuestra mantener firme este
principio, por ejemplo, la casa, deberá esmerarse por saber el lugar exacto, de lo más sencillo
como los materiales de su hijo hasta lo más complejo.

IMPORTANCIA PRÁCTICA DE LA UNIDAD

Caso problematizador

Juan Carlos es un estudiante de Ingeniería bastante inquieto y curioso, produce mucha

distracción a sus demás compañeros del aula y cierta dificultad a la Docente Clarita para poder
dar sus clases cuando da ejercicios en transistores bipolares. Debido a esto la docente del aula
ha llegado a la conclusión de sacarlo del salón durante su horario de clases hasta que tenga un
carácter y conducta aceptable.

El jefe de carrera se dio cuenta de la poca paciencia que tiene Clarita con su alumno, el cual
aconseja que ingrese dentro del aula y busque otra solución para evitar que Juan Carlos se
perjudique en sus estudios y tienda a repetir el año o dejar la universidad

¿De que manera se implementa el principio “Fruto del carácter en la maestra?

¿Qué sería lo más aconsejable para Clarita?
¿Cómo se lograría trabajar con Juan Carlos?
¿Cómo se puede enseñar el adquirir conductas aceptables?

¿Qué significa el principio de Fruto del Carácter?

A continuación explicamos un poco más qué significa el principio de Fruto del Carácter.
Luego, en los temas, presentamos casos relacionados con este principio. Participe en uno de
ellos.

1.- Todo ser humano tiene un carácter diferente de los otros; Hay quienes reaccionan de una
manera razonable y otros lo contrario, debemos aprender a desarrollar el autocontrol para
formar un buen carácter y sembrar buenos frutos.

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2.- Jesucristo es un buen ejemplo que debemos seguir para formar nuestro carácter; Si
seguimos su modelo en el mundo se acabaría las guerras y contiendas entre las diferentes
regiones del mundo
3.- Si la humanidad hoy en día esta sufriendo calamidades, es porque estamos recogiendo los
frutos amargos de los errores que hemos sembrado en el pasado. Es necesario plantar semillas
de optimismo y amor para obtener una siembra de alegría y felicidad.
4.- Las pruebas que tenemos día a día son dadas por Dios para formar nuestro carácter, si nos
topamos con una persona bastante egoísta nuestra labor es trabajar no tanto en ella, sino en
nosotros mismos para formarnos más como personas.
5.- El enemigo nos pone piedras en el camino para poder tropezar, cuando estamos bien con
Dios aquellas piedras son insignificantes en la formación de nuestro carácter, el mejor pilar de
apoyo es Jehová.
6.- Jesucristo tuvo una vida en constante lucha con los maestros de la ley, a pesar de esto,
sembró amor entre los hermanos y nos dio con su muerte en la cruz la oportunidad de
redimirnos; Su cosecha vemos hoy en día muchas personas convertidas y serviciales a Dios a
pesar de la pelea constante que se tiene con Satanás.
7.- La corrupción en el mundo se acabaría si sembráramos semillas de honestidad, lealtad y
sinceridad; Hoy en día tenemos los frutos de una mala cosecha.

EL PRINCIPIO DE ORDEN DIVINO EN LA PRÁCTICA

Instrucciones.-

Bajo el principio de FRUTO DEL CARÁCTER.

Como docente Clarita debe partir del ejemplo, del carácter como persona con conocimientos
debe ejercer una empatía con su alumno o tomar medidas que sean más respetables.

“Para que andéis como es digno del Señor, agradándole en todo, llevando fruto en toda buena
obra, y creciendo en el conocimiento de Dios; Fortalecidos con todo poder, conforme a la
potencia de su gloria, para toda paciencia y longanimidad; con gozo dando gracias al Padre que
nos hizo aptos para participar de la herencia de los santos en luz; el cual nos ha librado de la
potestad de las tinieblas, y trasladado al reino de su amado Hijo, en quien tenemos redención
por su sangre, el perdón de pecados.”

– Colosenses 1:10-14 –

Cuando no podamos encontrar la respuesta en nuestra vida, ni tengamos una esperanza,

debemos recordar una persona amorosa que puede darnos la solución para poder ver la
felicidad y su ayuda, su sostén. Cristo es la respuesta.

¿Agradeces a Dios por las cosas buenas del día?

¿Estás generando frutos de tus buenas obras?

CASO DILEMÁTICO

Carla Patricia es una licenciada que está estudiando en postgrado, sus logros lo ha
conseguido con mucho esfuerzo y dedicación, sobre todo perseverancia. Su hermana se
encuentra trabajando en la misma institución que elabora su proyecto para los módulos;

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Durante los horarios de encuentros llego a elaborar varios apuntes personales de los temas
presentados, el día de la presentación envió su trabajo en un CD para entregarlo a su docente
que dirige los módulos, extrañamente su hermana perdió sus presentaciones pero los demás
lo tiene en archivos, la computadora de Carla Patricia se le entro un virus y no puede abrir el
disco. Ahora Carla Patricia no sabe si dar a conocer tal descuido de su hermana a sus
superiores o volver a realizar el mismo trabajo desde cero.

Responda las siguientes preguntas al Caso Dilemático.-

a) ¿En qué manera se pueden implantar el principio en este caso?

b) ¿Qué decisión sería la correcta? ¿Cómo saldrías de esta situación de Carla Patricia? ¿Qué
medidas tomarías en lugar de la hermana de Carla?

c) ¿Qué solución plantearías para aplicar el principio de Fruto del Carácter de una manera
que sea para ambos provechosa?

d) ¿Qué actitudes serían las correctas? ¿Qué harías en lugar de Carla Patricia?

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ACTIVIDADES PRESENCIALES Y NO PRESENCIALES

ACTIVIDAD ACTIVIDAD NO
TEMA TIEMPO TIEMPO
PRESENCIAL PRESENCIAL
Tema 1 Exposición ilustrada 30 min. Trabajo práctico de las 30 min.
Configuración participativa sobre curvas características de
de Base configuración de Base la configuración de base
Común común común y sus
aplicaciones.
Análisis de casos en la Usando como referencia
pizarra y en grupos de el libro:
tres personas sobre la BOYLESTAD -
configuración de Base NASHELSKE “
Común Electrónica: teoría y
circuitos” Printece Hall
1996, pagina 134-138.

Presentación de un
informe individual de
laboratorio escrito a
mano con base en el
formato otorgado por el
docente.
LABORATORIO 6,
“MULTIPLICADORES
DE TENSION” . GUIA
DE LABORATORIO DE
ELECTRONICA
ANALOGICA I ing
HERMAN L. PATIÑO
ANDIA, PAG. 58-73.

Tema 2 Exposición ilustrada 60 min. Trabajo práctico de la 30min.

Configuración participativa sobre curva característica de
Emisor configuración de emisor las configuraciones de
Común. común, curvas emisor común con la
características, análisis anterior.

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

de circuitos, Usando como referencia

aplicaciones. el libro:
BOYLESTAD -
NASHELSKE
Análisis de casos sobre “Electrónica:
circuitos de emisor
teoría y circuitos”
común y aplicaciones en
laboratorio. Printece Hall 1996,
LABORATORIO 7 30 % pagina 139-146.

Tema 2 Exposición ilustrada 30 min. Trabajo práctico de la 30min.

Configuración participativa sobre curva característica de
Colector configuración de las configuraciones de
Común. colector común emisor común con la
anterior.
Análisis de casos en la Usando como referencia
pizarra y en grupos de el libro:
tres personas sobre la BOYLESTAD -
configuración de NASHELSKE
colector Común “Electrónica:
teoría y circuitos”
Printece Hall 1996,
pagina 139-146.

2.3.6 BIBLIOGRAFIA

1. DONALD L. SCHILLING - CHARLES BELOVE “Circuitos Electrónicos

discretos e integrados” 5ta. Edición. Marcombo 1992 (*).
2. BOYLESTAD - NASHELSKE “Electrónica: teoría y circuitos” Printece Hall 1996
3. SAVANT-RODEN-CARPENTER “Diseño Electrónico”, Addison-Wesley
Iberoamericana, 1999 (*)
4. MALVINO: “Principios de electrónica” Grupo Alfa y Omega 1994 (*)

(*) Libro que se encuentra en la biblioteca de la UEB.

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SEGUNDA UNIDAD

“TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR”

Introducción.-

El transistor semiconductor se introdujo el 23 de diciembre de 1947. Las ventajas que

presenta en relación al tubo de vació es:
Era mas pequeño y ligero, no tenia requerimientos de filamentos o perdidas térmicas,
ofrecía una construcción de mayor resistencia y resultaba mas eficiente porque el
propio dispositivo. Absorbía menos potencia, instantáneamente estaba listo para
utilizarse, sin requerir un periodo de calentamiento, además eran posibles voltajes de
operación mas bajos.

2.2 Construcción del transistor.-

El transistor es un dispositivo semiconductor de 3 capas, compuesto ya sea de dos

capas de material tipo N y una de tipo P o dos capas de material tipo P y una de tipo N.
el primero se denomina “transistor NPN“. En tanto que el último recibe el nombre de
“transistor PNP” ambos se muestran en la Fig.: 3.1, con la polarización de c.d.
adecuada.

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(a) (b)

Fig.: 3.1 tipos de transistores: (a) PNP (b) NPN

Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores con altos niveles de
dopado, y que tiene ancho mucho mayores que los correspondiente al material
emparedado de tipo P o N. en los transistores de la fig. La relación entre el ancho total y
el de la capa central es de 0.150/0,001 = 150; 1, el dopado de la capa emparedada es
también considerablemente menor que el de las capas exteriores (por lo general de
10:1 o menos). Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la
resistencia) de este material al limitar el numero de portadores “libre”.
En la polarización que se muestra en la fig. 3.1, las terminales se han indicado mediante
letras mayúsculas, E para el emisor, C para el colector y B para la base.
El término bipolar refleja el hecho de que los electrones y los huecos participan en el
proceso de inyección en el material polarizado opuesto. Si solo uno de los portadores
se emplea (electrón o hueco), se considera que el dispositivo es unipolar “diodo
schottky”.

2.3 operación del transistor.-

La operación básica del transistor se explicara, empleando el transistor PNP de la Fig.:

3.1a. La operación del transistor NPN es exactamente igual si se intercambia los
papeles que desempeñan los electrones y lo huecos. En la Fig.: 3.2 se ha redibujado el
transistor PNP, sin la polarización base a colector. Note las similitudes entre esta
situación y la del diodo polarizado directamente. El ancho de la región de acotamiento
un denso flujo de portadores mayoritarios del material tipo P el tipo N.

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Fig. 3.2 unión polarizada de un transistor PNP

Si ahora se elimina la polarización de base a emisor del transistor PNP de la fig: 3.1a,
como se indica en la sgte Fig.: 3.3. Considere ahora la similitud que tiene entre esta
situación y la del diodo polarizado inversamente. Es necesario que recuerde que el flujo
de portadores mayoritario es cero, por lo que solo se presenta un flujo de portadores
minoritarios, como se ilustra en la siguiente fig. Por lo tanto en resumen.

“una unión P-N de un transistor esta polarizado inversamente, mientras que la

otra presenta polarización directa”

Fig. 3.3 unión polarizada inversamente de un transistor PNP

En la Fig.: 3.4 ambos potenciales de polarización se han aplicado a un transistor PNP,

con un flujo de portadores mayoritarios que se indica. En la Fig.: 3.4 los ancho de las
regiones de agotamiento, que indican claramente cual unión esta polarizada
directamente y cual inversamente, como se indica en la Fig.: 3.4 un gran numero de
portadores mayoritarios se difundieron a través de la unión P-N polarizada directamente
dentro del material tipo N. la pregunta es entonces, si estos portadores contribuirán en
forma directa a la corriente de base IB o pasaran directamente hacia el material tipo P.
puesto que el material tipo N emparedado es sumamente delgado y tiene una baja
conductividad, un numero muy pequeño de estos portadores, seguirá la trayectoria de
alta resistencia hacia la Terminal de base. La magnitud de la corriente de base es por lo
general del orden de micro amperes, en comparación con los mil amperes de las
corrientes del emisor y del colector. El mayor número de estos portadores mayoritarios
se difundieron a través de la unión polarizada inversamente dentro del material tipo P
conectado a la Terminal del colector, como se indica en la Fig.: 3.4. la causa de la

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relativa facilidad con la que los portadores mayoritarios pueden cruzar la unión
polarizada inversamente pueden comprenderse si consideramos que para el diodo
polarizado en forma inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como
portadores minoritarios al interior del material tipo N, en otras palabras, han habitado
una inyección de portadores minoritarios al interior del material de la región base de tipo
N. combinando esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la región
de agotamiento cruzaran la unión polarizada inversamente, se explica el flujo que se
indica en la Fig.: 3.4.

Fig.: 3.4 flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor PNP

Aplicando la ley de corriente de kirchoff al transistor, como si fuera un solo nodo,

obtenemos

IE = IC + IB Ec (3.1)

Y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en la colector

y la base. Sin embargo la corriente en el colector esta formada por dos componentes:
los portadores mayoritarios y minoritarios la componente de corriente minoritaria se
denomina “corriente de fuga” y se simboliza mediante Ico (corriente Ic con la Terminal
del emisor abierta = open). Por lo tanto la corriente en el colector se determina
completamente mediante la sgte Ec.

Ic = Icmayoritaria + Ico Ec (3.2)

Para el caso de transistores de uso general(propósito general), Ic se mide en mil

amperes, en tanto que Ico se mide en micro amperes o nano amperes, Ico como Is para
un diodo polarizado inversamente, es sensible a la temperatura y debe examinarse con
cuidado, cuando se consideren
Aplicaciones de intervalos amplios de temperatura. Las mejores en las técnicas de
construcción han producido niveles bastante menores de Ico, al grado que su efecto
puede a menudo ignorarse.

2.4 configuración de base común.-

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(a) (b)

Fig.: 3.5 notación y símbolo que se emplean en la configuración de base común (a) transistor PNP: (b)
transistor NPN

La notación y símbolos se muestran en la Fig.: 3.5, para la configuración de base

común con transistor PNP y NPN. La terminología relativa a base común se desprende
del hecho de que la base es común a los lados de entrada y de salida de la
configuración. Además la base es usualmente la Terminal más cercana o en un
potencial de tierra. (Flujo de huecos) en su diodo, la flecha en el símbolo del diodo
define la dirección de conducción para la corriente convencional. Para el transistor para
el transistor.

La flecha del símbolo grafico define la dirección del a corriente de emisor (flujo
convencional) a través del dispositivo.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en la Fig.: 3.5, son las direcciones
reales, como se define con base en la elección del flujo convencional. Nótese en cada
caso que IE = Ic + IB. También que la polarización aplicada (fuentes de voltaje) Es de
modo, que se establezca la corriente en la dirección indicada para cada rama. Es decir
compárese la dirección de IE con la polaridad de VEE para cada configuración y la
dirección de Ic con la polaridad de Vcc.
Para describir por completo el comportamiento del transistor (de 3 terminales), tales
como los amplificadores de base común, Fig.: 3.5, se requiere de 2 conjuntos de
característica, uno para los paral os parámetro de entrada o punto de manejo y el otro
para el amplificador de base común, como se muestran en la Fig.: 3.6, relaciona una

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corriente de entrada (IE), con un voltaje de entrad (VBE), para varios niveles de voltaje
de salida (VcB)

Fig.: 3.6 característica del punto de excitación o entrada para un transistor amplificador
de silicio de base común

El conjunto de salida relacionara una corriente de salida (Ic), con un voltaje de salida
VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE) como se muestran en la Fig.: 3.7.
El conjunto de características de salida o colector tiene 3 regiones básicas de interés,
como se indican en la Fig.: 3.7.

Fig. 3.7

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Las regiones activan de corte u de saturación. La región activa es la región empleada

normalmente para amplificadores lineales (sin distorsión). En particular:

“en la región activa la unión colector – base esta inversamente polarizada,

mientras que la unión base-emisor se encuentra polarizada en forma directa”

La región activa.-

Se define por los arreglos de polarización de la Fig.: 3.5, en el extremo mas bajo de la
región activa la corriente de emisor (IE) es cero, la corriente de colector es simplemente
la debida a la corriente inversa de saturación Ico, como se indica en la Fig.: 3.7, la
corriente Ico están pequeña (del orden de micro amperes), que aparece virtualmente
sobre la misma línea horizontal que Ic = 0. Las condiciones del circuito que existen
cuando IE = 0 para Ico, en hojas de datos y de especificaciones es ICBO, como se
muestra en la Fig.: 3.8

Fig.: 3.8 Saturación De Corriente Inversa

En las hojas de datos, para los transistores de potencia de bajo nivel e medio están
pequeño que se la puede ignora. Sin embargo para unidades de mayor potencia ICBO
aun aparecerá en el ínter siclo de los micro ampres. Además recuérdese que ICBO, al
igual que Is, para el diodo (ambas corrientes inversa de fuga) es sensible a la
temperatura. A mayor temperatura el efecto de ICBO puede llegar a ser un factor
importante ya que se incrementa muy rápidamente con la temperatura

Nota.- según la Fig.: 3.7, conforma aumente la corriente de emisor sobre cero, la
corriente del colector aumentara a una magnitud esencialmente igual a la corriente del
emisor determinada por las relaciones básicas del transistor – corriente. Es importante
notar también el efecto casi desdeñable del efecto de VCB, sobre la corriente del
colector para la región activa. Las curvas indican que una primera aproximación a la
relación entre IE e IC en la región activa la da.

Ic = IE Ec (3.3)

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La región de corte.-

Se define como aquella región donde la corriente de colector es de 0A, como se

muestra en la Fig.:3.7, en suma.

“en la región de corte ambas uniones colector - base y base emisor, de un

transistor están inversamente polarizados”

La región de saturación.-

Es la región a la izquierda de VCE = 0v. la escala horizontal en esta región se amplio,

para mostrar claramente el gran cambio en las característica de esta región , en ella se
nota el crecimiento exponencial, en la corriente de colector, a medida que el voltaje V CB
se incremente mas allá de los 0v.

“en la región de saturación las uniones colector y base – emisor están polarizas
directamente”

Similitudes con el comportamiento del diodo (VBE)

las características de entrad de la Fig.: 3.6 se muestran que para valores fijos de
voltaje de colector (VCB), a medición que el voltaje de base a emisor aumenta, la
corriente de emisor se incrementa de una manera que se asemejan mucho a las
características del diodo, de hecho los niveles de aumento de VCB tiene un efectos tan
insignificante sobre las características que, como una primera aproximación, la
variación debida a los cambios en VCB puede ignorarse y se dibujan las características
como se ilustran en la Fig.: 3.9a. Ahora bien se aplica el método del modelo de
segmentos lineales del diodo, se obtendrán las características de la Fig.: 3.19b.
Adelantando un paso más con la unión. Directamente polarizada, se obtendrán las
características de la Fig.: 3.9c. Para los analistas en CD, se empleara la aproximación
de la Fig.: 3.9c. Es decir, una vez que el transistor esta en el estado “encendido” o de
conducción, se supondrá que el voltaje de base emisor será el siguiente:

VBE = 0,7 v (ec: 3.4)

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(a) (b) (c)

Fig. 3.9) desarrollo del modelo equivalente que se emplea para la región base emisor.

En otras palabras el efecto de las variaciones debidas a VCB y la pendiente de las

características de entrada se ignoran a medida que nos esforcemos por analizar redes
de transistores, en forma tal que proporciona una buena aproximación a la respuesta
real sin involucrarse demasiado con variaciones de parámetro de menor importancia.
“esta proposición especifica que cuando el transistor este en estado de conducción o
“encendido”, el voltaje de la base al emisor será de 0.7v a cualquier nivel de la corriente
de emisor, en tanto se controla por la red externa.

Ejemplos 3.1

(a) utilizando las característica de la Fig.: 3.7, determine la corriente de colector

resultante si IE = 4mA y VCE = 10v
(b) empleando la características de la Fig.: 3.7, determine la corriente de colector
resultante si IE permanece en 4 mA pero para VCB se reduce a 2v.
(c) usando las características de la fin: 3.6 y 3.7, determine VBE si Ic = 4 mA y VCB =
20v.
(d) repita el inciso (c) utilizando las características de la Fig.: 3.7 y 3.9c.

Solución.-

a) Ic = IE = 4 mA
b) El efecto de cambiar VCB es despreciable e Ic continúa siendo de 4 mA
c) De la Fig.: 3.7, IE = Ic = 4 mA. en la Fig.: 3.6 el nivel resultante de VBE esta
alrededor de 0.74v.
d) Según la Fig.: 3.7, IE = Ic = 4 mA sin embargó, en la fig. 3.9c, VBE = 0.7 v para
cualquier nivel de la corriente de emisor.

Alfa ( α ) en el modo de CD los niveles de Ic y IE debido a los portadores mayoritarios

están relacionadas por una cantidad alfa y que se define por medio de la siguiente
ecuación:

αcd = Ic (ec. 3.5)

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IE

Donde Ic e IE son los niveles de corriente al punto de operación. Aun cuando los
características de la Fig.: 3.7 parecen seguir que =1, para dispositivos prácticos, el nivel
de alfa se extiende típicamente de 0.90 a 0.998, aproximándose la mayor parte al
extremo superior del intervalo ya que alfa se define únicamente por los portadores
mayoritarios, la (ec. 3.2) se convierte en:

Ic = αIE + IcBO (ec. 3.6)

Para las características de la fig. 3.7 cuando IE = 0, Ic es por lo tanto igual a ICBO, este
valor por lo general están pequeño, que se virtualmente indetectable en la grafica de la
Fig.: 3.7, en otras palabras, cuando IE = 0 mA, en la Fig.: 3.7, Ic aparece también con 0
mA, para el intervalo de valores de VCB.

Para las sustituciones de c.a., en donde el punto de operación se mueve sobre la curva
de características, un alfa de c.a. se define por:

(ec. 3.7)
El alfa de c.a. se denomina formalmente el “factor de amplificación de base común en
corto circuito”. Se admite por el momento que la ecuación 3.7, especifique un cambio
relativamente pequeño en la corriente de colector, se divide, por el cambio
correspondiente en IE, manteniendo constante el voltaje colector a base. Para la
mayoría de las situaciones las magnitudes de c.a. y CD se encuentran bastante
cercanas, permitiendo usar las magnitud de una por otra.

Polarización.-

La polarización adecuada de la base común puede determinarse rápidamente

empleando la aproximación Ic = IE y suponiendo por el momento que IB = o μA, el
resultado es la configuración de la fig. 3.10 para el transistor PNP. La flecha del
símbolo definen la dirección del flujo convencional para IE = Ic, las alimentaciones de
CD. Se insertan entonces con una polaridad que sostendrá la dirección de la corriente
resultante. En el transistor NPN. Las polaridades estarán invertidas

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Fig.: 3.10

2.5) acción amplificadora del transistor.-

Una vez establecida la relación entre Ic e IE, la acción básica de amplificación del
transistor se puede introducir en un nivel superficial utilizando la red de la Fig.: 3.11. La
polarización de CD no aparece en la Fig., ya que nuestro interés se limitara a la
respuesta de c.a. para la configuración de base común. La resistencia de entrada de
c.a. determinada por la Fig.: 3.6, es bastante pequeña, y varia típicamente de 10 a
100Ω.
La resistencia de salida determinada por las curvas de la Fig.: 3.7, es bastante alta y
varia normalmente de 50 kΩ a 1mΩ .la diferencia en resistencia se debe a la unión
polarizada directamente en la entrada (base a emisor) y la unión polarizada
inversamente en la salida(base a colector).
Usando un valor común de 20Ω, para la resistencia de entrada se encuentra que:

Ii = Vi = 200 mv
Ri 20Ω

Si se supone por el momento que c.a. = 1 (Ic = Ie)

IL = Ii = 10 mA

VL = IL – R

= (10 mA) * (5kΩ)

VL = 50v

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Fig.: 3.11

La amplificación de voltaje es:

Los valores típicos de amplificación de voltaje para la configuración de base común

varia de 50 a 300. la amplificación de corriente (Ic / IE) siempre es menor que 1, para la
configuración de base común. Esta característica. Debe ser evidente ya que Ic = αIE y
α siempre es menor que 1.

La acción básica de amplificación se produjo transfiriendo una corriente I de un

circuito de baja resistencia a una alta. La combinación de los dos términos en cursivas
produce el nombre de transistor, es decir:

Transferencia + resistor = transistor

2.6 configuración de emisor común.-

La configuración de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se muestran

en la Fig.: 3.12, para los transistores PNP y NPN. Se denomina “configuración de
emisor común”, porque el emisor es común, tanto a las terminales de entrada como a
los de salida (en este caso, es también común a los terminales de la base y del
colector).

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Fig.: 3.12

Para describir el comportamiento de la configuración en emisor común en forma

completa, se necesitan, dos conjuntos de características: uno para la entrada o circuito
de base y uno para la salida o circuito del colector, están se muestran en la Fig.: 3.13

(a) (b)
Fig.: 3.13.- característica de un transistor de silicios en la configuración emisor común:
(a) características de colector (b) características de base.
Las corrientes del emisor, colector y basé, se muestran en la dirección de corriente
convencional real. Aun cuando la configuración del transistor a cambiado, sigue siendo
aplicables las relaciones de corriente aplicadas para la configuración de base común.
Esto es.
(IE = Ic + IB e Ic = IE)

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 En la configuración de “emisor común” las características de salida serán una

grafica de la corriente de salida (Ic), versus el voltaje de salida (V CE), para un rango
de valores de corriente de entrada (IB). Las características de la entrada son una
grafica de la corriente de entrada (IB), versus el voltaje de entrada (VBE), para un
rango de valores del voltaje de salida (VCE).

Es importante observar que en las características de la Fig.: 3.13, la magnitud

de IB es del orden de micro amperes comparada con los mili amperes de IC.
Nótese también que las curvas de IB no son tan horizontales como las que se
obtuvieron para IE en la configuración de base común, la que indica que el
voltaje de colector a emisor afectara la magnitud de la corriente de colector.

La región activa.-

En la configuración de emisor común es aquella parte del cuadrante superior derecho,

que tiene la linealidad mayor, esto es, la región en la que las curvas correspondientes a
IB son casi líneas rectas, y se encuentran igualmente espaciadas, en la Fig. 3.13 a esta
región se la localiza a la derecha de la región sombreada vertical en V CEsat y por
encima de la curva para IB igual a cero. La región a la izquierda de VCEsat se denomina
región de saturación.

“en la región activa de un amplificador emisor común la unión colector - base esta
polarizada inversamente, en tanto que la unión base- emisor esta polarizada
directamente”.

Es importante recordar, que estas fueron las condiciones que existieron en la región
activa de la configuración de base común.”La región activa de la configuración de
emisor común puede emplearse en la amplificación de voltaje, corriente o potencia”

Región de corte.-

La región de corte la configuración de emisor común no esta también definida como en

la configuración de base común. No tese, en las características de colector de la Fig.:
3.13, que Ic no es igual a cero cuando IB = 0μA. En la Configuración de base común,
cuando la corriente de entrada IE = 0, la corriente de colector fue solo igual a la corriente
de saturación inversa ICO, por lo que la curva IE = 0 y al eje de voltaje fueron (para todos
los propósitos gráficos) uno.

La razón de esta diferencia en las características del colector, puede obtenerse

mediante la manipulación adecuada de las ecuaciones (3.3) y (3.6). Es decir:

(ec 3.6): Ic = IE + IcBO

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La sustitución da ec. (3.3): Ic = (Ic + IB) + IcBO

(IE = Ic + IB)
Reordenado obtenemos

(ecu. 3.8)

Si convertimos el caso discutido anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos valor

tipico de , tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la siguiente:

Ic = 250 IcBO

Si ICBO fuera de 1μA, la corriente de colector resultante con IB = 0μA seria = 205 (1μA)
= 0.25 ma, como se refleja en las características de la Fig.: 3.13.

Como referencia, para futuro análisis, la corriente de colector definida por la condición I B
= 0μA se la asignara la notación indicada por la (ec.3.9).

(ec.
3.9)

En la siguiente fig. (3.14), las condiciones que envuelven a esta corriente definida
nuevamente, se muestran con su dirección de referencia asignada.

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Fig.: 3.14. Condiciones de circuito relacionadas con ICEO

“para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión) el corte para la
configuración de emisor común se determinara mediante IC = ICEO”

En otras palabras, la región por debajo de IB = 0 μA deberá evitarse si se requiere una

señal de salida sin distorsión.

En la circuiteria digital.-

Cuando se emplea como interruptor en la lógica de una computadora, un transistor

tendrá dos puntos de interés: uno en el corte y el otro en la región de saturación. La
región de corte en el caso ideal, seria Ic = 0 mA para el voltaje VCE elegido. Puesto que
ICEO es por lo general de pequeña magnitud para los materiales de silito, el corte existirá
para propósitos de conmutación cuando IB = 0 μA o IC = ICBO. Únicamente en los
transistores de silicio.

 Es importante recordar que para la configuración de base común el conjunto de

característica de entrada se aproximo por una línea recta equivalente que resulto en
VBE = 0.7v, para cualquier nivel de IE mayor de 0 mA, para la configuración de
“emisor común”, puede tomarse la misma aproximación, resultado en el equivalente
aproximado de la Fig.: 3.15. el resultado apoya nuestra anterior conclusión de que
para un transistor en la región “activa” o de “conducción” el “voltaje de base a
emisor” es de 0.7v, en este caso el voltaje se ajusta para cualquier nivel de la
corriente de base.

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Fig.: 3.15 modelo de segmentos lineales, equivalentes para las características del diodo
de la Fig.:3.13b.

Ejemplo:

(a) empleando las características de las Fig.: 3.13, determine IC para IB = 30 μA y

VCE = 10v.
(b) empleando la característica de la Fig.:3.13, determine Ic para V BE = 0.7v y VCE =
15V.

Solución.-

(a) en la intersección de IB = 30 μA y VCE = 10v, Ic = 3.4 mA

(b) utilizando la Fig.: 3.13, IB = 20μA para VBE = 0.7v. de la Fig.: 3.13a se
encuentran que Ic =2.5 MA, en la intersección de IB 0 20μA y VCE 0 15v.

Beta (β).-

En el modelo de corriente directa (cd), los niveles de Ic e IB se relacionan por una

cantidad denominada y es definida por la siguiente ecuación.-

βcd = Ic
IB (ec.3.10)

Donde Ic e IB se determinan por un punto de operación particular sobre las

características. Para dispositivos prácticos el nivel de B fluctúa típicamente desde cerca
de 50 hasta más de 400, con la mayor parte localizada en la mitad del intervalo. Al igual
que para α y β de muestra sin duda la magnitud relativa de una B de 200 la corriente
de colector es 200 veces la magnitud de la corriente de base.

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En las hojas de especificaciones Bcd se incluye por lo general como hfe con la h
derivada de un circuito equivalente hibrido de c.a. los subíndices FE se derivan de los
términos en ingles amplificación con polarización directa (forward - curremt) y
configuración de emisor comun (common - emiter), respectivamente.

Para situaciones de c.a. se ha definido una beta de c.a. como se muestra a

continuación:

βc.a = Δ Ic
Δ IB VCE = cte
(ec. 3.11)

El nombre formal para βc.a es “factor de amplificación de corriente directa de emisor

común”

La ecuación 3.11, es similar en formato a la ecuación para αca, en la sección para el

transistor en base común.

 En las hojas de especificaciones generalmente se hace referencia a βc.a. como hfe.

Adviertase que la única diferencia entre la notación empleado para la beta de cd,
especificadamente, βcd = hFE, es el tipo de letra para cada subíndice de cantidad.
La letra hibrido, y la FE, a la ganancia de corriente directa en la configuración de
emisor común (forward/emitter).

El uso de la ecuación (3.11) se describe mejor con un ejemplo numérico

empleando un conjunto real de características, tal y como aparece en la
Fig.: 3.13a y se repite en la Fig.: 3.16.

Ejemplo.

Determínese βc.a. Para una región de las características definida por un punto de
operaciones de IB 0 25 μA Y VCE = 7.5v, como se indica en la Fig.: 3.16. La restricción
de VCE = constante, requiere que se trace una línea vertical a través del punto de
operación en VCE = 7.5v. , una constante, el cambio en IB (ΔIB) como aparece en la ec.
3.11, se define entonces al elegir dos puntos en cualquier lado del punto Q a lo largo
del eje vertical o a distancias iguales, sobre cualquiera de los lados del punto Q.

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Para esta situación las curvas para IB = 20 μA y 30 μA, cumplen los requisitos sin
extenderse demasiado lejos del punto Q. también definen los niveles de IB, que defines
con facilidad en lugar de tener que interpolar el nivel de IB entre las curvas. Es
importante tener muy es cuenta que la mejor determinación se hace usualmente
manteniendo la ΔIB tan pequeña como sea posible.

 En las dos intersecciones de IB con el eje vertical, los 2 niveles de Ic pueden

determinarse al trazan una línea horizontales de Ic. La βc.a. resultante para la region
se determina por.

βa.c = 100
La solución anterior muestra que para una entrada de c.a. en la base, la corriente de
colector será de 100 veces la magnitud de la corriente de base.

Si se determina la beta de cd eb el punto Q

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β cd = Ic = 2.7mA = 108
IB 25 μA

Aunque no son exactamente iguales, los niveles de βc.a. y βcd. Están por lo general
razonablemente cercanos y con frecuencia se utilizan en forma intercambiable.

Nota.-

Es importante tomar en cuenta, que es un mismo lose, de transistores, el valor de βa.c

variara en alguna medida de un transistor al siguiente, aun cuando cada transistor tiene
el mismo numero de código. La variación puede no ser significativo, pero para la
mayoría de las aplicaciones, es sin duda suficiente para variar el anterior enfoque
aproximado.

Si los características tuvieron el aspecto de la fig: 3.18, las magnitudes de βc.a. y βcd.
Serán las mismas en cada punto de las características. En particular se nota que ICEO =
0 μA.
 Para el análisis siguiente no se incluirá con β el subíndice cd o c.a. en el caso
necesario se reconocerán con su subíndice.

Relación entre β y α.-

La relación entre β y α puede encontrarse, empleándose las relaciones básicas ya

estudiadas.
Utilizando:

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β = Ic / IB obteniendo IB = IC / β , y α = Ic / IE
Tenemos que IE = Ic / α

Sustituyendo en:

IE = Ic + IB
Se obtiene:

Ic = Ic + Ic
α β

y dividiendo ambos lados de la ec: por Ic resultara en:

o β = α β + α = α (β + 1)

de modo que

α = β
β+1 (ec: 3.12a)

β = α
1–α (ec: 3.12b)

Además recuerde que:

IcEO = IcBO
1 -α

Pero utilizando la equivalencia de

1 = β +1
1-α

Obtenida de las ecuaciones anteriores, se encuentra que

IcEO = (β+1) * IcBO

IcEO = β IcBO (ec: 3.13)

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Como se indica en la Fig.: 3.13a, la beta es un parámetro particularmente importante

porque proporciona un enlace directo entre niveles de corriente de los circuitos de
entrada y salida para que configuración de emisor común. Es decir:

Ic = β . IB (ec: 3.14)

Y puesto que IE = Ic + IB
= β . IB + IB

Obtenemos IE = ( β+1) IB

Polarización.-

La polarización adecuada de un amplificador de emisor común puede determinarse

de manera similar a la configuración de base común. Supóngase que se tiene un
transistor NPN, como el que se tiene en la Fig.: 3.18a, y necesitamos polarizarlo
adecuadamente, para ponerlo en la región activa.
El primer paso es indicar la dirección de IE como la estabilidad por la flecha en el
símbolo del transistor, como se muestra en la Fig.: 3.18b. En seguida se introducen
las otras corrientes, como se muestran, tomando en cuenta la ley de corriente de
kirchoff: Ic + IB = IE. Seguidamente o finalmente, se introducen las fuentes con las
polaridades que mantendrán las direcciones resultantes tanto de Ic, (Fig.: 3.18c). El
mismo primario o enfoque se puede aplicar a los transistores PNP. Si el transistor de
la fig. 3.18. Fuera un transistor PNP, todas las corrientes y polaridades de la
Fig.:3.18c. Se dividen.

(a) (b) (c)

Fig. 3.18 determinar del arreglo de polarización apropiada, para configuración de

transistor NPN de emisor común.

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2.7.- configuración de colector común.-

La tercera y última configuración de transistor es la de colector común, mostrada en

la fig. 3.20, con las direcciones apropiadas de corriente y la notación de voltaje. La
configuración de colector común se emplea fundamentalmente para propósitos de
acoplamiento de impedancia, ya que tiene una elevada importancia de entrada y
una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las configuraciones de base y de
emisor común.

Fig.3.20) Notación y símbolos empleados en la configuración de colector común

A) Transistor PNP B) Transistor NPN

Configuración del circuito de colector común

Fig. 3.21) configuración de colector común, empleada para propósitos de acoplamiento de impedancia

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La configuración de colector común, se muestra en la fig. 3.21 con la resistencia de

carga del emisor a tierra. Es importante notar que el colector está conectado de
manera similar a la configuración de emisor común. Desde el punto de vista de diseño, no
es necesario elegir para un conjunto de características de colector común. Los parámetros
del circuito de la fig. 3.21 pueden diseñarse empleando las características de emisor
común de la sección 3.6. Para todos los propósitos prácticos, las características de salida,
de la configuración de colector común son los mismos que los de la configuración de
emisor común. En la configuración de colector común las características de salida son una
grafica de IE versus VCE para un intervalo de valores de IB. Por ello, la corriente dc entrada
es la misma tanto para las características de emisor común como para las de colector
común. El eje de voltaje para la configuración de colector común se obtiene cambiando
simplemente, el signo de voltaje de dc de la configuración de colector a emisor de las
características de emisor común. Por ultimo hay un cambio casi imperceptible en la escala
vertical de Ic, de las características de emisor común.
Si Ic de las características de emisor común, si Ic se reemplaza por en las características
de colector común (puesto que   1). En el circuito de entrada de la configuración de
colector común, las características de la base de emisor común son suficientes, para
obtener la información de que requiera.

2.8) limites de operación

Para cada transistor existe una región de operación sobre las características, la cual
asegurará que los valores nominales máximos no sean excedidos y la señal de salida
exhibe una distorsión mínima. Una región de este tipo se define para las características
del transistor de la fig. 3.22

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 El nivel de VCEsat esta regularmente en la vecindad de los 0.3 V, especificada para

este transistor.
 El máximo nivel de disipación se define por la siguiente ecuación

(Ec. 3.16)

Pc máx. = VCE*Ic

Para el dispositivo de la fig. 3.22, la disipación de potencia de colector se especifico como

300 mW. Surge por lo tanto la pregunta de cómo graficar la curva de disipación de
potencia de colector especificada por el hecho de que:

Pcmax = VcE* Ic = 300 mW

O bien:

VcE. Ic = 300 mW

En cualquier punto sobre las características el producto de V cE e Ic, debe ser igual a 300
mW, por lo tanto si se elige Ic máximo de 50 mA, se obtiene:

VcE = Ic = 300 mW

VcE = 300 mW = 6v
50 mA

Como resultado se tiene que si Ic = 50mA, entonces VcE = 6V, sobre la curva de disipación
de potencia, tal como se tal como se muestra en la fig. 3.22. Si ahora se elige para V cE, su
valor máximo de VcE =20V, el nivel de Ic es el siguiente:

(20V).Ic = 300 mW

Ic = 300 mW = 15 mA
20 v

Definiendo su segundo punto sobre la curvatura de potencia. Si ahora escogemos un nivel

de Ic a la mitad del intervalo como 25 mA, resolvemos para el nivel resultante de VCE,
obtenemos

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VCE(25mA) = 300 mW

VCE = 300mW = 12 V
25 mA

Tal como se muestra en la fig. 3.22

Una estimación aproximada de la curva real puede dibujarse por lo general empleando los
3 puntos definidos. Por supuesto que mientras mas puntos tenga, mas precisa será la
curva.

La región de corte

Esta se define como la región bajo Ic = ICEO, esta región tiene que evitarse también si la
señal de salida debe tener una distorsión mínima.

 en algunas hojas de especificaciones se proporciona solamente ICBO entonces uno

tiene que utilizar la ecuación.

ICEO =  ICBO

Para establecer alguna idea del nivel de corte, si la curva de característica no esta
disponible.
La operación en la región resultante de la fig. 3.22, asegurara una mínima distorsión de la
señal de salida y niveles de voltaje y corriente que no dañaran el dispositivo.
Si las curvas de características no se encuentran disponibles o no aparecen en la hoja de
especificaciones, uno debe simplemente asegurar que Ic, VCE y su producto VCE*Ic caigan
dentro del siguiente intervalo.

ICEO  Ic  Icmax

VCEsat  VCE  VCEmax (Ec. 3-17)

VCE*Ic  Pcmax

Para las características de Base común la curva de potencia máxima se define por el
siguiente producto de cantidades de salida;

Pcmax = VCB*Ic (Ec.3-18)

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2.9) Polarización de CD: BJT, introducción

El análisis o diseño de un amplificador de transistor requiere del conocimiento de la

respuesta del sistema, tanto de cd como de ca.
Afortunadamente el teorema de superposición es aplicable y la investigación de las
condiciones de cd, puede separarse por completo de la respuesta de ca.
Sin embargo hay que tener presente que durante el diseño o etapa de síntesis, la
selección de los parámetros para los niveles de cd, requeridos afectaran las respuestas
de ca y viceversa.
Cada diseño determinara la estabilidad de sistema, es decir, que tan sensible es el
sistema a las variaciones de temperatura.
Aunque se analizan diversas redes en este capitulo, existe una similitud fundamental en el
análisis de cada configuración, debida al uso de recurrente de las siguientes relaciones
básicas importantes para un transistor.

VBE = 0.7v (Ec. 3-19)

IE = (  +1)IB  Ic (Ec.3-20)

Ic =  IB (Ec.3-21)

En la mayoría de los casos la corriente de base (IB), es la primera cantidad que se

determine, en base a esta, se determinaran las cantidades restantes a través de las
ecuaciones Ec. 3-19 a Ec. 3-21.

2.10) Punto de operación de un transistor BJT

Que es el termino polarización?

“Es un vocablo que incluye todo lo referente a la ampliación de voltaje de cd, para
establecer un nivel fijo de corriente y voltaje”.
Para los amplificadores de transistor, el voltaje y la corriente de cd, resultantes establecen
“un punto de operación”, sobre las características, el cual se define como la región que
se empleara para la amplificación de la señal aplicada.

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Punto Q

Ya que el punto de operación es un punto fijo, sobre las características, se le conoce

también como “punto quiescente” (abreviado Q). Por definición, quiesciente significa
quieto, inmóvil, inactivo. La fig. 3.23 muestra una característica general de salida de un
dispositivo con 4 puntos de operación indicados.

Fig. 3.23) diversos puntos de operación dentro de los límites de operación de un transistor.

Puntos limites máximos

 La máxima potencia de operación máxima se define por la curva Pcmax.

 En el extremo inferior de las escalas se localizan por la región de corte definida por IB  0.
 La región se saturación, definida por VCE  VCEsat

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El dispositivo BJT podría polarizarse para operar fuera de estos puntos limites
máximos, pero el resultado de tal operación causaría ya sea el acortamiento de la
vida del dispositivo, o bien su destrucción.

Trabajando en la región activa

Concentrándose en la región Activa es posible elegir muchas áreas o puntos de operación

diferentes. El punto Q depende a menudo del uso que se dará al circuito.

Punto A

Este punto se representa cuando no se utiliza la polarizacion, el dispositivo estaría al

principio totalmente cortado (desactivado), esto es corriente cero, a través del dispositivo
(y el voltaje cero a través del mismo). Es necesario polarizar el dispositivo de modo que
pueda responder o cambiar sus valores de corriente y voltaje, en todo el intervalo de una
señal de entrada. Por lo tanto el punto A no resultara apropiado.

Punto B

En punto B proporcionara esta operación deseada. Si se aplica una señal al circuito,

además del nivel de operación, el dispositivo variara sus valores de corriente y voltaje, a
partir del punto de operación B, lo que permite que el dispositivo reaccione ( y
posiblemente amplifique), tanto la parte positiva como negativa de la señal de entrada.

Punto C

El punto C permitirá cierta variación positiva y negativa de la señal de salida, pero el valor
pico a pico seria limitado, por la proximidad de VCE = 0v / Ic = 0 mA.
El punto C también tiene que ver con las linealidades introducidas, por el hecho de que el
espacio, entre las curvas IB cambia rápidamente, en esta región.

Punto D

El punto D fija el punto de operación del dispositivo cerca del valor del voltaje y potencia
máxima. La excursión de voltaje de salida en la dirección positiva esta de este modo
limitada, si no se excede el voltaje máximo.

Conclusión

Como resultado, el punto B aparece como el mejor punto de operación, en término de

ganancia lineal o de la excursión de voltaje y corriente mas grande posible. Esta es la
condición que se desea siempre en los amplificadores de pequeña señal, pero no
necesariamente en los amplificadores de potencia.

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Objetivo

El objetivo de esta sección es fundamentalmente la polarizacion del transistor, para la

operación de amplificación del transistor para la operación de amplificación de señales
pequeñas.

El factor de temperatura en la polarización

En la polarización de un BJT debe tomarse en cuenta el efecto de la temperatura. La

temperatura provoca cambios en las características del dispositivo, tales como la ganancia
de corriente (  ac) y la de fuga del transistor (ICEO). Las altas temperaturas conducen a un
incremento de corriente de fuga en el dispositivo, por lo que cambian la condición de
operación establecida por la polarización de la red. El resultado es que el diseño de la red
también debe proporcionar un grado de estabilidad de temperatura de modo que los
cambios de temperatura resulten en cambios mínimos en el punto de operación.

 Para el BJT que se polarizara en una región de operación lineal o activa debe
cumplirse.

1.- la unión base – emisor debe estar polarizada directamente ( la región P mas positiva),
con un voltaje resultante de polarización directa entre base y el emisor de
aproximadamente 0.6 - 0.7v.

2.- La unión base – colector debe estar polarizadamente inversamente (región N mas
positiva), estando el voltaje de polarización inversa en cualquier valor dentro de los limites
máximos del dispositivo.

 La operación en las regiones de corte, de saturación y lineal de la características del

BJT se obtienen de acuerdo con lo siguiente.

1.- Operación en la región lineal

Unión base – emisor con polarización directa
Unión base – colector con polarización inversa

2.- Operación en la región de corte

Unión base – emisor con polarización inversa
Unión base – colector con polarización inversa

3.- Operación en la región de saturación

Unión base – emisor con polarización directa
Unión base – colector con polarización directa

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2.11 Circuito de polarización fija

fig.3.24) circuito de polarización fija Fig.3.25) Equivalente de cd de la fig. 3.24

El circuito de la fig. 3.24, proporciona una introducción relativamente directa y simple al

análisis de polarización de cd, la red puede aislarse de los niveles de ca, indicados,
reemplazando los capacitares por un circuito abierto equivalente. Además, la fuente de
cd, Vcc, puede dividirse en un par de fuentes (solo para propósitos de análisis), como se
ilustra en la fig. 3.25, para permitir una separación de los circuitos de entrada y de salida.

Polarización directa de base – emisor

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Fig.3.26) Malla de Base – Emisor

En la fig. 3.26 nos muestra la malla del circuito base – emisor. Para esta malla la ecuación
de voltaje de Kirchhoff es:

+ Vcc – IB*RB – VBE = 0

IB = Vcc – VCE (Ec. 3.23)

RB

Además puesto que la fuente de voltaje Vcc y el voltaje de base a emisor VBE son
constantes.

La selección de un resistor de base, RB, establece el nivel de la corriente de base para el

punto de operación.

Malla de colector – emisor

Fig. 3.26) Malla de colector - emisor

La magnitud de la corriente de colector se relaciona directamente con IB por medio de

Ic =  *IB (Ec. 3-23)

Es importante notar que, en vista de que la corriente de base se controla por el nivel de
RB e IC se relaciona con IB por una constante

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La magnitud de Ic no es una función de Rc (resistencia de colector).

El cambio de Rc a cualquier nivel no afectara el nivel de IB o Ic en tanto se
permanezca en la región activa del dispositivo. Sin embargo el valor de Rc determinara la
magnitud de VCE, el cual es un parámetro importante.

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj, a lo

largo de la malla de la fig. 3.27, se obtiene.

VCE +Ic*Rc – Vcc = 0

VCE = Vcc – Ic*Rc (Ec. 2-24)

Es decir que el voltaje a través de la región de colector – emisor de un transistor, en la

configuración de polarizacion fija es = la fuente de voltaje menos la caída a través de Rc.

Notación de subíndice y doble subíndice

VCE = Vc – VE (Ec. 3-25)

Donde:
VCE es el voltaje de colector a emisor y Vc y VE son los voltajes de colector y emisor a
tierra, respectivamente pero para este caso, ya que VE = 0v, se tiene.

VCE = Vc (Ec. 3-26)

Además, puesto que:

VBE = VB - VE (Ec. 3-27)

Y VE = 0v, entonces:
VBE = VB (Ec. 3-28)

Ejemplo: Determine las

siguientes cantidades, para la
configuración de
polarizacion fija de la fig. 3.28

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a) IBQ e ICQ
b) VCEQ
c) VB y Vc
d) VBC

Solución

a) IBQ = Vcc – VBE = 14v – 0.7v = 13.3 v = 55.41 uA

RB 240 K  240 K 

ICQ =  IBQ = 50 * 55.41uA = 2.77 mA

b) VCEQ = Vcc – Ic * Rc
= 14v - 2.77 * (2.2 K  )
= 14v – 6.0958 v
VCEQ = 7.904 v

c) VB = VBE = 0.7 v
VC = VCE = 7.904 v

d) usando la notación doble se tiene:

VBC = VB – VC = 0.7v – 7.904v

= - 7.2v

El signo negativo nos indica, que la unión esta inversamente polarizada (caso de
amplificación lineal).

Saturación del transistor

El termino saturación se aplica a cualquier sistema donde los niveles han alcanzado sus
valores máximos. Para el caso en si de un transistor que opera en la región de saturación,
la corriente es un valor máximo para el diseño particular. El mayor nivel de saturación se
define por la máxima corriente de colector tal como se proporciona en las hojas de
especificaciones.
Las condiciones de saturación su evidencian por lo general debido a que la unión de base
a colector ya no esta inversamente polarizada y la señal de salida amplificada estará
distorsionada.

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Fig. 3.29 Región de saturación a) real b) aproximada

Un punto de operación en la región de saturación se muestra en la fig. 3.29 a. Nótese que

se encuentra en una región donde se unen las curvas de características y el voltaje de
colector a emisor se halla en orden sobre Vcsat.
Además la corriente de colector es relativamente alta sobre las características.
Si se juntan las curvas de la fig. 3.29 a, con las que aparecen en la fig. 3.29 b, se llegara a
un método rápido y directo para determinar el nivel de saturación. En la fig. 3.29 b, la
corriente es relativamente alta y se supone que el voltaje VCE es de cero voltios. Al
aplicar la ley de Ohm, la resistencia entre las terminales de colector y emisor se puede
determinar como sigue.

RCE = VCE = 0v = 0
Ic Ic sat

Aplicando los resultados al esquema de la red resultaría el de la fig. 3.30

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Fig. 3.30 determinación de Icsat.

Para futuros cálculos, cuando se desee conocer la corriente máxima de colector

aproximada (nivel de saturación), simplemente se inserta un corto circuito equivalente
entre el colector y el emisor del transistor y se calcula, la corriente de colector resultante:
En resumen se hace VCE = 0v, por lo que la corriente de saturación resultante para la
configuración de polarización fija es:

Ic sat = Vcc
Rc (Ec. 3-29)

Fig. 3.31) determinación de Icsat, para la configuración de polarización fija

Una vez que se conoce Icsat, se tiene una idea de la máxima corriente de colector posible,
para el diseño elegido y del nivel bajo el cual permanece si se espera una ampliación
ideal.

Ejemplo
Determine el nivel de saturación para la red de la fig. 3.28

Solución:
Icsat = Vcc = 14v = 6.36 mA
Rc 2.2 k 

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El diseño del ejemplo anterior (fig. 3.28) dio como resultado ICQ = 2.77 mA, el cual
esta lejos del nivel de saturación y alrededor de la mitad del valor máximo para el
diseño.

Análisis por recta de carga

Hasta aquí, el análisis se ha realizado haciendo uso de un nivel de  correspondiente con

el punto Q resultante. Ahora se investigara como los parámetros de la red definen el
posible rango de puntos Q y como se determínale punto Q real. La red de la fig. 3.32,
establece una ecuación para la salida que relaciona las variables Ic y VCE:

Fig. 3.32) Análisis de la recta de carga (a) la red (b) la característica del dispositivo

VCE = Vcc - Ic*Rc (Ec.3-30)

Las características de salida del transistor también relacionan las mismas 2 variables Ic y
VCE, tal como se aprecia en la fig. 3.32b.

Por tanto, tenemos en esencia, una ecuación de red, y un conjunto de característica que
utilizan las mismas variables. La solución común de 2 ocurre donde las restricciones
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establecidas por cada una se satisfacen simultáneamente. En otras palabras, esto es

similar a encontrar la solución de 2 ecuaciones simultáneas: Una establecida por la
red (circuito) y otra por las características del dispositivo.
Las características del dispositivo de Ic, contra VCE, se muestran en la fig. 3.32b. Ahora
se debe sobreponer la línea recta definida por la Ec. 3-30, sobre las características. La
línea definida por la Ec. se obtiene basada en el hecho de que una recta se traza gracias
a 2 puntos. Si elegimos a Ic, con un valor de 0 mA, estaremos especificando el eje
horizontal, como la línea sobre la cual se localizara un punto. Al sustituir Ic = 0 mA, en la
(Ec.3-30), se encuentra que:

VCE = Vcc – (0)* Rc

VCE = Vcc / Ic=0mA (Ec. 3-31)

Definiendo un punto para la línea recta, tal como se muestra en la fig. 3.33

Fig. 3.33) Recta de carga de polarización fija

Si ahora se escoge el valor de 0v para VCE, con el que se establece el eje vertical como la
línea sobre la cual se definirá el segundo punto, por lo que Ic, es dada por la siguiente
ecuación:

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0 = Vcc – Ic*Rc

Ic = Vcc / VCE=0v (Ec. 3-32)

Rc

Al unir los puntos definidos por las ecuaciones (3-31) y (3-32), puede dibujarse la línea
recta establecida por la ecuación (3-30).

“La línea resultante sobre la grafica de la fig. 3-33 se denomina Recta de Carga,
puesto que esta definida por la recta de carga Rc”
Al resolver par el nivel resultante de IB, el punto Q real se puede establecer como se
muestra en la fig. 3.33
 Si el nivel de IB, se modifica al variar RB, el punto Q se mueve hacia arriba o hacia
abajo de la recta de carga, como se muestra en la fig. 3.34

 Si Vcc, se mantiene fijo y Rc cambia, la recta de carga subirá como se muestra en la

fig. 3.35.

 Si IB se mantiene constante, el punto Q se trasladara como se ilustra en la misma fig.

3.35.

 Si Rc se fija y Vcc varia, la recta de carga se desplazara como se muestra en la fig.

3.36.

Fig. 3.34) Movimiento del punto Q con respecto Fig.3.35) Efectos del incremento en al incremento
en los niveles de IB los niveles de Rc sobre la recta de Carga Q

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Fig.3.36) Efecto de la disminución en los valores de Vcc sobre la recta de carga y el punto.

Ejemplo

Dada la recta de carga de la fig. 3.37 y el punto Q definido, determine los valores
requeridos de Vcc, Rc y RB para una configuración de polarizacion fija.

Fig. 3.37) Ejemplo

Solución:
VCE = Vcc = 20v, cuando Ic = 0v

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Ic = Vcc = cuando VCE = 0v

Rc

Rc = Vcc = 20v = 2K 
Ic 10mA

IB = Vcc – VBE
RB

RB = Vcc – VBE = 20v - 0.7v = 772 K 

IB 25uA

2.12) Circuito de polarización estabilizada de Emisor

La red de la polarización de cd de la fig. 3.38 contiene un resistor en el emisor para,
mejorar el nivel de estabilidad, sobre el de la configuración fija.

Fig. 3.38 Circuito de polarización BJT con resistor de emisor

Malla de Base – Emisor

La malla de base – emisor se puede volver a dibujar, como se muestra en la Fig. 3.39.

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Fig. 3.39 Malla de base – emisor

Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al rededor de la malla, en dirección de las

manecillas del reloj, se obtiene la siguiente ecuación:

+Vcc – IB*RB – VBE – IE*RE = 0 (Ec. 3-33)

Como IE = (  +1) IB (Ec. 3-34)

Sustituyendo en la (Ec.3-33) IE se tiene como resultado:

Vcc – IB*RB – VBE – RE (  +1) IB

Agrupando términos, se tiene:

- IB (RB + RC) + Vcc – VBE = 0 *(- 1)

IB (RB - (  +1) RE) - Vcc + VBE = 0

IB = Vcc – VBE
RB + (  +1) RE) (Ec. 3-35)

Nota.- Nótese que la única diferencia entre esta ecuación para IB y la obtenida para la
configuración de polarización fija es el termino (  +1)RE.

Hay un resultado interesante que puede derivarse de la ecuación 3-35, si la ecuación se

utiliza para trazar una red en serie que resultara en la misma ecuación. Tal es el caso para
la red de la fig. 3.40. Resolviendo para la corriente IB, se obtiene la misma ecuación
obtenida anteriormente.

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Fig.3.40) Red derivada de la ec. 3.35 Fig.3.41) Nivel de impedancia reflejada de Re

Nota importante
El resistor RE es reflejado a la entrada del circuito de base por un factor (  +1).en otras
palabras, el resistor de emisor, el cual es parte de la malla Colector – Emisor, “aparece
como” (  +1)RE, en la malla de Base – Emisor.
Puesto que  es por lo general 50 o más, el resistor de emisor parece ser mucho más
grande en el circuito de base; tal como se muestra en la fig.4.41

Ri = (  +1)RE (Ec.3-35)

Malla de Colector - Emisor

Fig. 3.41) La malla de colector – emisor

La malla de Colector – Emisor correspondiente es el de la fig.3.41.

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff, en la dirección de las manecillas del reloj, se
obtiene:

+ IE*RE + VCE + Ic*Rc – Vcc = 0

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Sustituyendo IE  Ic y agrupando términos, se obtiene:

VCE – Vcc – Ic (Rc + RE) = 0

VCE = Vcc – Ic (Rc + RE) (Ec. 3-36)

 El voltaje con subíndice sencillo VE, es el voltaje de emisor a tierra y se determina por.

VE = IE*RE (Ec.3-37)

 Mientras que el voltaje de colector a tierra pude determinarse a partir de:

VCE = Vc – VE

Vc = VCE + VE (Ec. 3-38)

Vc = Vcc – Ic*Rc (Ec.3-39)

 El voltaje en la base con respecto a tierra puede determinarse a partir de:

VB = Vcc – IB*RB (Ec.3-40)

VB = VBE + VE (Ec.3-41)

Ejemplo

Para la red polarizada de emisor de la fig. 3.42 determine: IB, Ic,VCE,Vc, VE, VB,VBC.

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Solución:
IB = Vcc – VBE = 20v – 0.7v _
RB + (  +1) RE) 430 K  +(51)(1 K  )

= 19.3v = 40.1 mA
481 K 

b) Ic =  *IB
= (50)* 40.1  A ) = 2.01 mA

c) VCE = Vcc – Ic (Rc + RE)

= 20v – (2.01mA)(2 K  +1 K  )
= 20v – 6.03v
= 13.97v

d) Vc = Vcc – Ic*Rc
= 20v – (2.01mA*2 K  )
= 15.98v

e) V E = Vc - VCE
= 15.98v – 13.97v
= 2.01v

f) VB = VBE + VE
= 0.7v + 2.01v
= 2.71v

g) VBC = VB - Vc
= 2.71v – 15.98v
= -13.72
(polarizado inversamente como se require)

Estabilidad de polarización mejorada

La adición de la resistencia de emisor a la polarización de cd, del BJT, proporciona una

mejor estabilidad, esto es; las corrientes y voltajes de polarización de corriente cd se
mantienen mas cerca de los puntos donde fueron fijados por el circuito, aun cuando

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cambien las condiciones externas como el voltaje de alimentación, la temperatura e

incluso la Beta del transistor.

Ejemplo
Elabore una tabla en la que se comparen el voltaje y las corrientes de polarización de las
figs. 3.38 y 3.42, para el valor de  = 50 y para un nuevo valor de  = 100. Compare los
cambios en Ic para el mismo incremento de  .

Solución:

Empleando los resultados obtenidos en el ejemplo para el circuito 3.38 (para Vcc = 12v), y
repitiendo después para un valor de  =100, se produce lo siguiente.

 IB Ic (mA) VCE (v)

50 47.08 2.35 6.83
100 47.08 4.71 1.64

Resultados
Se observa que la corriente de colector de BJT cambia en un 100% debido a un cambio
de 100% en el valor de  . IB es igual y VCE se decremento en un 76%.
 Para el circuito con RE

Utilizando los resultados que se calcularon en el circuito de la fig. 3.42 y repitiendo

después para el valor  =100, obtenemos lo siguiente.

 IB Ic (mA) VCE (v)

50 40.1 2.01 13.97
100 36.3 3.63 9.11

Resultados
La corriente del colector del BJT aumenta a cerca del 81% debido al cambio del 100% en
 . Nótese que el incremento de IB ayuda a mantener el valor de Ic o al menos a reducir
el cambio total en Ic debido al cambio en  .

Estabilización de la polarización

La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de una red a las variaciones

en sus parámetros. En cualquier amplificador que hace uso de un transistor, la corriente
de colector Ic es sensible a los parámetros siguientes:

 : aumenta con la temperatura (incremento de la temperatura) / VBE / disminuye

alrededor de 7.5 mV por grado centígrado (ºc) de incremento en la temperatura.

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Ico (corriente de saturación inversa): duplica su valor para cada 10ºc de incremento
de temperatura.

Alguno de o todos los factores ya mencionados pueden provocar que el punto de

polarización varíe del punto de operación diseñado originalmente.
La tabla 3.1 muestra como cambian los niveles de Ico y VBE con el incrementote la
temperatura para un transistor particular.
A temperatura ambiente (alrededor de 25ºC), Ico = 0.1mA, mientras que a 100ºC (punto
de ebullición del agua) Ico es alrededor de 200 veces mayor a 20mA. Para la misma
variación  se incrementa de 50 a 80 y VBE, decae de 0.65v a 0.48v. Recuérdese que IB
es bastante sensible al nivel del VBE, en especial para los niveles más allá del valor de
umbral.

Tabla 3.1) variación de los parámetros del transistor de silicio con la temperatura.

T (ºC) Ico (mA)  VBE (v)

-65 0.2x10 exp.(-3) 20 0.85
25 0.1 50 0.65
100 20 80 0.48
175 3.3x10 exp.(3) 120 0.3

El efecto de los cambios en la corriente de fuga (Ico) y la ganancia de corriente (  ) sobre

el punto de polarización de cd, se demuestra por las características de colector de emisor
común de la fig. 3.43a y 3.43b

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Fig. 3.43) Corriente del punto de polarización de cd (punto Q) debido al cambio de temperatura a) 25ºC; b)
100ºC.

La fig. 3.43 ilustra como las características de colector de transistor cambian de una
temperatura de 25ºC a una de 100ºC. Nótese que el aumento significativo n la corriente de
fuga no solo hace que la curva ascienda, si no que existe también un ascenso en  .
Como demuestra por los espacios mas grandes entre curvas.

Practico nº 3
1) Estabilización de la polarización
Factores de estabilidad, s (Ico) y s(  )
2) configuración con polarización de emisor
3) configuración con polarización fija
4) configuración de polarización con divisor de voltaje
5) configuración de polarización con retroalimentación (RE = 0v)
6) impacto físico

Nivel de saturación

El nivel de saturación del colector a la corriente del colector máxima para un diseño
polarizado de emisor puede determinarse mediante el mismo enfoque empleado en la
configuración de polarizacion fija:
Aplicar un corto circuito entre las terminales colector – emisor, como se muestra en la fig.
3.43, y calcular la corriente del colector resultante.

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Fig.3.43) determinación de Icsat, para el circuito de polarización con estabilización de emisor.

La corriente de colector resultante:

Icsat = Vcc
Rc+RE (Ec. 3-42)

La adición del resistor de emisor reduce el nivel de saturación del emisor debajo del nivel
que se obtiene con una configuración de polarización fija por medio del mismo resistor del
colector.

Ejemplo

Determine la corriente de la saturación para la red.

Solución

Icsat = Vcc = 20V = 6.67mA

Rc+RE 2 K  +1 K 

Que es más de dos veces nivel de ICQ para el ejemplo.

Análisis de recta de carga

El análisis de recta de carga de la red de polarización de emisor es ligeramente diferente

de la encontrada para la configuración de polarización fija. El nivel de IB, sobre como se
determina por la ecuación 3-35, define el nivel de IB sobre las características de la fig.3.43
(denominada IBQ).

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Fig. 3.44) Recta de carga para la configuración polarización de emisor

La Ecuación de la malla de colector – emisor que define la recta de carga es:

VCE = Vcc – Ic (Rc+RE)

Eligiendo Ic = 0mA, se obtiene

VCE = Vcc / Ic=0mA (Ec. 3-44)

Como se obtuvo para la configuración de polarización fija.

Al seleccionar VCE = 0v, da por resultado:

Ic = Vcc / VCE = 0v
Rc+RE (Ec.3-44)

Como se obtuvo para la configuración

Como se ilustra en la fig.3.44. Por supuesto, niveles distintos de IBQ desplazaran el punto
Q hacia arriba o hacia debajo de la recta de carga.

2.13 ) Polarizacion con divisor de voltaje

En las configuraciones polarizadas precedentes, la corriente de polarizacion ICE y del

voltaje VCEQ eran una función de la ganancia de corriente (  ) del transistor. Sin embargo,
ya que  es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio y el
valor real de Beta no esta definido, seria deseable desarrollar un circuito de polarizacion
menos dependiente, de hecho independiente de la Beta del transistor.

La configuración de polarizacion con divisor de voltaje, fig. 3.45, es una red de este tipo. Si
se analiza sobre una base exacta, la sensibilidad a los cambios en Beta es bastante
pequeña. Si los parámetros del circuito, se escogen apropiadamente, los niveles
resultantes de ICQ y VCEQ, pueden ser casi totalmente independiente de Beta.

Recuerde de las discusiones anteriores, que un punto Q se define por un nivel fijo
de ICQ y VCEQ, como se ilustra en la fig. 3.45. El nivel de I BQ se modificara con el
cambio en Beta, pero el punto de operación sobre las características, definido por
ICQ y VCEQ, pueden permanecer fijo si se utilizan los parámetros apropiados del
circuito.

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Fig.2.45) Config. De polarizacion con divisor de voltaje Fig3.46) definición del punto Q

Método de análisis

Existen dos métodos de análisis que se pueden aplicar al análisis de la configuración con
divisor de voltaje, la elección o la razón en la elección de los nombres para esta
configuración se hará evidente, mas adelante.
El primero que se demostrara es el “método exacto”, que puede aplicarse a cualquier
configuración con divisor de voltaje.
El segundo se denominara como “método aproximado”, y puede aplicarse solo si se
satisfacen ciertas condiciones especificas. El enfoque aproximado permite un análisis más
directo con un ahorro en tiempo y energía.

Análisis exacto.-

La parte de entrada de la red de la fig. 3.45, puede volverse a dibujadar, como se

muestra en la fig.3.47, para el análisis de cd. La red de thevenin equivalente para la red
a la izquierda de la Terminal de base puede hallarse entonces de la siguiente manera:

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Fig.3.47) detalle del extremo fig. 4.48) determinación de Rth

de entrada para la red de la fig.3.45.

Rth: la fuente de voltaje se reemplaza por un cortocircuito equivalente, como se ilustra

en la fig.4.48.

Rth = R1 ll RL (ec.3.45)

Eth: la fuente de voltaje Vcc se reintegra a la red y el voltaje thevenin del circuito abierto
de la fig.4.49, se determina como sigue:

(EC.3.46)

 la red de thevenin se vuelve a dibujar, como se ilustra en la fig.3.50, e IB se puede

aplicarse la primera ley de voltaje de kirchhoff. En la dirección de las manecillas del
reloj para la malla indicada:

Eth – IB. Rth – VBE – IE . RE = 0

Sustituyendo IE = (β + 1)IB, llegamos a:

(ec.3.47)

 aunque inicialmente la ecuación 3.47, parece distinta de las desarrolladas con

anterioridad, nótese que el numerador es de nueva cuenta una diferencia de 2
niveles de voltaje.
Mientras que el denominador es la resistencia de base mas el resistor de emisor
reflejado por (β + 1), en verdad muy parecido a la ecuación (3.35).

Una ves que se conoce IB, las cantidades restantes de la red, puede encontrarse del
mismo modo que se hizo para la configuración polarizada de emisor. Esto es:

VcE = Vcc – Ic (Rc + RE) (ec.3.48)

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Que es exactamente igual que la ecuación (3-36). Las ecuaciones restantes para VE,
VC Y VB, son también las mismas que se obtuvieron para la configuración polarizada
de emisor.

 Ejemplo (polarización con divisor de voltaje)

Determine el voltaje polarizado de cd. VCE y la corriente Ic, para la configuración con
divisor de voltaje. Fig.3.51.

Análisis aproximado.-

La sección de entrada de la configuración con divisor de voltaje puede representarse

por medio de la red de la fig. 3.52, la resistencia Ri es la resistencia equivalente entre
base y tierra para el transistor con un resistor de emisor RE. No se olvide que la
resistencia reflejada entre la base y el emisor se define por Ri = (β+1).RE. si Ri es
mucho mayor que la resistencia R2, La corriente IB, será mucho menor que IZ (la
corriente siempre busca la trayectoria de menor resistencia), e IZ será
aproximadamente igual a I1. si aceptamos la aproximación de que IB es de 0 amperios
compara con I1 o I2, entonces I1 = I2 y R1 y R2, pueden considerarse elementos en
serie. El voltaje a través de R2, que es en realidad el voltaje de base, puede
determinarse por medio de la regla del divisor de voltaje ( y de aquí proviene el nombre
para la configuración). Es decir:

Condiciones de saturación.-

Utilizando la aproximación I’c=Ic, la ecuación para la corriente de saturación es la

misma que la obtenida para la configuración de la de emisor y la configuración con
divisor de voltaje. Es decir;
(Ec. 3-59)

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Análisis con Recta de carga.-

Continuando con la aproximación I’c=Ic, dará como resultado la misma recta de carga
definida para la configuración de polarización de Emisor y la configuración con divisor
de voltaje. El nivel de IBQ se define por la configuración seleccionada.

3.13) DIVERSAS CONFIGURACIONES DE POLARIZACION

Hay un número de configuraciones de polarización BJT que no coinciden con el molde

básico de las que se han analizado en las secciones precedentes. Lo que se busca a lo
lago de esta sección es enfatizar en aquellas características del dispositivo que
permitan un análisis de cd de las configuraciones y establecer un procedimiento general
para encontrar la solución deseada. Para cada configuración discutida hasta aquí:

 El primer paso ha sido la derivación de una expresión para la corriente de

base, una vez conocida la corriente de base, la corriente de colector y los
niveles de voltaje del circuito de salida se pueden determinar ya directamente.
Esto no implica que todas las soluciones tomen este rumbo, pero se sugiere
una posible ruta por seguir si llega a encontrarse una nueva configuración.

Nota.- El primer Ej. Es simplemente uno donde el resistor de E. se ha retirado de la

configuración de retroalimentación de voltaje de la fig. 3.54. El análisis es bastante
similar, pero requiere eliminar RE de la Ec, Aplicada.

Ejemplo
Para la red de la fig. 3-59:
(a)Determine ICQ y VCEQ.
(b)Encuentre VB, vC, vE y
VBE

Solución.-
(a) La ausencia de RE
reduce la reflexión
de los niveles
resistores a simplemente el nivel de R C y la ecuación para IB se reduce a :

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Determine VC y VB para la red de la fig. 3-60

Solución.-

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Al amplificar la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj. A la

malla de base a emisor, el resultado es:

2.14) Operación de Diseños.-

Hasta este punto las discusiones se han enfocado en el análisis de las redes existentes.
Todos los elementos están en su lugar y es simplemente asunto de resolver para los
niveles de voltaje y corriente de la configuración.

Proceso de diseño
El proceso de diseño es donde puede especificarse una corriente y/o un voltaje y donde
deben determinarse los elementos requeridos para establecer los niveles deseados.
Este proceso de síntesis supone un claro entendimiento de las características del
dispositivo, las ecuaciones básicas para la red y un firme conocimiento de las leyes
básicas del análisis de circuito, la ley de Ohm, las leyes de voltaje de Kirchhoff, etc.

La secuencia de diseño es obviamente sensible a los componentes que ya se han

especificado y a los elementos que van a determinarse.

Si se especifican el transistor y la fuente

El diseño simplemente determinara los resistores requeridos para un diseño particular,
una vez determinado el valor teórico de los resistores, se elige por lo general el valor
comercial estándar mas cercano y esta variación se acopla como parte del diseño. Esto

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es ciertamente una aproximación valida si se toma en cuenta las tolerancias

normalmente asociadas con los elementos resistivos y los parámetros del transistor.

Una de las ecuaciones básicas y más poderosas es sencillamente la ley de Ohm:

R desconocido= VR
IR

Ejemplo: Dadas las características del dispositivo de la (fig. 3-61a)

Determine VCC, RB y RC para la configuración de polarización fija de la Fig.
3-61b.

Solución.-
De la recta de carga se puede obtener.-

Valores de Resistores estándar:

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Con los Resistores de valores estándar, se obtiene:

Lo que esta bien dentro del 5% de valor especifico:

Ejemplo:
Dados ICQ= 2mA y VVEQ= 10V, determine R1 y RC, para la red de la fig. 3-62.

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Los valores comerciales estándar mas próximos para R1= 82KΩ, resulta en un valor
muy cercano al nivel diseñado

Ejemplo:
La configuración con polarización de emisor de la fig. 3-63 tiene las siguientes
especificaciones: ICQ= 1 ICSAT, ICSAT= 8Ma, Vc=18V y β=110
2
Determine RC, RE Y RB

Para valores estándar

RC=2,4KΩ
RE=1KΩ
RB=620KΩ

Nota.- El análisis del siguiente presenta una técnica para diseñar un circuito completo,
para operar en un punto de polarización específico.
Con frecuencia los hojas de especificaciones de los fabricantes brindan información q
establece un punto de operación apropiado (origen de operación), para un transistor
particular. Además otros factores del circuito realizado con la etapa del amplificador
dado pueden definir también algunas condiciones de la excursión de voltaje, al voltaje
de alimentación común, etc., los cuales pueden utilizarse para la determinación del
punto Q en un diseño.

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-Diseño de un circuito de polarización con resistencia de retroalimentación en emisor

Fig. (3-64) circuito de polarización con estabilización de emisor para consideraciones de diseño

El voltaje de alimentación y el punto de operación se seleccionaron a partir de la

información del fabricante sobre el transistor utilizado en el amplificador.

La selección de la RC y RE no puede desprenderse directamente de las

especificaciones, la EC que relaciona los voltajes alrededor de la malla colector –
emisor, tiene 2 cantidades desconocidas:
Los valores de RC=? y RE=?
En este punto debe hacerse alguna evaluación de ingeniería, como la del nivel del
voltaje de Emisor comparado, con el voltaje de la fuente Aplicada

Nota.- La Indusion de la resistencia de emisor permitió brindar un medio de

estabilización de la polarización de cd de manera que el cambio de la corriente de
colector debido a las corrientes de fuga en el transistor y la β del mismo no
ocasionarían, un gran corrimiento (si lo hay) en el punto de operación.
La resistencia del Emisor no puede ser irrazonablemente grande, porque el voltaje que
se genera en él limita al nivel de la excursión del voltaje del colector al emisor

El voltaje, Emisor a tierra esta por lo regular alrededor de una cuarta o una décima parte
de la fuente de voltaje. Seleccionaremos la décima parte.

Ejemplo.-

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Determine los valores de los resistores para la red de la fig. 3-64, para la fuente de
voltaje y el punto de operación indicado.

Diseño de un circuito de ganancia en corriente estabilizada (independiente de β).

El circuito de la fig. 3-64, brinda estabilización tanto para la corriente de fuga como para
los cambios en la ganancia de corriente β. El valor de las 4 resistencias que se
muestran debe obtenerse para un punto de operación especificado.

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Fig. (3-65) Circuito con estabilización de ganancia de corriente para consideraciones de diseño

Ejemplo
Determine los niveles de RC, RE, R1, R2 para la red de la Fig. 3-65 para el punto de
operación indicado

Las ecuaciones para los calculo de los resistores de base R1 y R2 requerirán de un poco
de consideración. Usando el valor del voltaje de base calculado anteriormente y el valor
de la fuente de voltaje se obtendrá una ecuación, pero existen dos incógnitas, R 1 y R2.
Se puede tener una ecuación adicional mediante el conocimiento de la operación de
estos dos resistores al proveer el voltaje de base necesario. Para que el circuito opere
con eficiencia, se supone que la corriente a través de R1 y R2 debe ser
aproximadamente igual y mucho mayor que la corriente base (al menos en proporción
de 10:1). Este hecho y la ecuación de divisor de voltaje para el voltaje de base
proporcionan las 2 relaciones necesarias, para determinar los resistores de base. Es
decir,

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2.15) REDES DE CONMUTACION CON TRANSISTOR

La aplicación de los transistores no se limita solamente a la amplificación de señales.

Por medio de un diseño adecuado pueden utilizarse como interruptores para
aplicaciones de control y computadoras. El circuito de la fig. 3-66a puede emplearse
como un INVERSOR en circuitos lógicos de computadoras. Nótese que el voltaje de
salida VC es opuesto al que se aplica a la base o Terminal de entrada. Algo que debe
tomarse muy en cuenta, es la ausencia de una fuente de cd conectada al circuito de
base. La única fuente cd esta conectada al extremo del colector o salida, y para las
aplicaciones de computadores es típicamente igual a la magnitud del flanco de la subida
de la señal de salida, en este caso de 5V.

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(a)

Fig.3.66) Inversor de transistor (b)

El diseño adecuado para el procesa de inversión requiere que el punto de operación
cambie desde el estado de corte hasta el de saturación, a lo largo de la recta de carga
trazada en la fig. 3.66b. para nuestro caso supondremos que IC=ICEO=0mA cuando
IB=0uA (una excelente aproximación a la luz de las técnicas mejoradas de
construcción), como en lugar del nivel típico de 0,1 a 0,3V.

Cuando Vi=5V, el transistor estará en estado “Encendido” y el diseño debe asegurarse

que la red esta completamente saturada con un nivel de IB mayor que el asociado con
la curva de IB que aparece cerca del nivel de saturación. En la fig. 3.66b esto requiere
que IB>50uA. El nivel de saturación para la corriente de colector del circuito de la fig.
3.66ª, se define como:

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El nivel de corriente IB en la corriente región activa, justo antes de que se presente la

saturación, puede aproximarse mediante la siguiente EC:

Por lo tanto, para el nivel de saturación, debemos asegurar, que se satisfaga la

condición siguiente:

Para la red de la fig. 3-66b, cuando Vi=5V, el nivel resultante de IB es el siguiente:

Lo cual es un resultado satisfactorio. Ciertamente, cualquier nivel de IB mayor que 60uA

pasara a través del punto Q sobre la recta de carga que esta más cercana al eje
vertical.

Para Vi=0V, IB=0uA, y ya que hemos supuesto que IC=ICEO=0mA, el voltaje a través de
RC, como se determina para VRC=ICRC, resultando en que VC= +5V.

Utilidades
Además de su contribución a la lógica de computadora, el transistor puede emplearse
también como interruptor que utiliza los mismos extremos de la recta de carga. En el
nivel de saturación la corriente IC es bastante Alto, mientras que el VCE es muy bajo. El
resultado es un nivel de resistencia entre los dos extremos o terminales o terminales,
determinado por:

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Y se muestra en al fig. 3.67

Utilizando un voltaje de VCESAT como 1,5V, obtenemos

Lo que es un calor relativamente bajo y =0Ω cuando se coloca en serie con resistores
en el rango de los kilohmios.

Como se muestra en la fig. 3.68, para V=0V, la condición de corte resultara en un nivel
de resistencia de la siguiente magnitud:

Lo que resulta en la equivalencia de circuito abierto. Para valor típico de ICEQ=10uA, la

magnitud de la resistencia de corte es

Lo que naturalmente aproxima una equivalencia de circuito abierto para muchas

situaciones

Ejemplo.- Determine RB y RC para el inversor a transistor de la Fig. 3-69 si ICSAT=10mA

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Escogiendo IB= 60uA para asegurar la saturación y utilización

Escojamos RB=150KΩ, que es un valor estándar. Entonces

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2.16) Transistores PNP

Hasta este punto el análisis se ha limitado exclusivamente a los transistores NPN, para
asegurar que el análisis inicial de las configuraciones básicas fueron lo más claro
posible y sin complicaciones al intercambiar entre diferentes tipos de transistores
afortunadamente el análisis de los transistores PNP sigue el mismo patrón establecido
para los transistores NPN.
En primer lugar se determina el nivel de transistor apropiado, para determinar la lista, de
cantidades desconocidas.
Única diferencia.- la única diferencia entre las ecuaciones que se obtienen para una red
en la que se ha reemplazado un transistor NPN por un PNP es el signo asociado a
cantidades particulares.

En la fig. 3-70 se puede advertir que la notación

de subíndice doble continua como fue definida
normalmente. Sin embargo las direcciones de la
corriente se han invertido para reflejar las
direcciones de conducción reales. Empleando
las polaridades de la fig. 3-70 tanto el VBE como VCE
serán cantidades negativas.

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Aplicando la luz de voltaje de Kirchhoff a la malla de base a emisor obtendremos la

siguiente ecuación para la red de la fig. 3-70:

Sustituyendo IE= (β+1)IB y resolviendo para IB, llegamos a:

La ecuación resultante es la misma que la ecuación 3-35, a excepción del signo para
VBE
Sin embargo en este caso VBE= -0.7V, la sustitución de los valores resultara en el
mismo signo para cada termino de la ecuación 3-61, como la Ec. 3-35. Recuérdese que
la dirección de IB se define ahora como opuesta a la de un transistor PNP.

Para VCE, la ley de voltaje de kirchhoff se aplica a la malla de colector de emisor, la que
da por resultado la siguiente ecuación:

La ecuación resultante tiene el mismo formato que la ecuación 3-37, pero el signo
enfrene de cada termino a la derecha del signo de igualdad ha cambiado. Puesto que
VCC será mayor que la magnitud del término siguiente, el voltaje tendrá un signo
negativo.

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UNIDAD # 3: MODELAJE Y ANÁLISIS DE LOS

TRANSISTORES BIPOLARES

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3.1 Introducción.-

E
n la anterior unidad se presentaron aspectos como la construcción básica, la apariencia y
las características del transistor. También se examinó con detalle la polarización de DC.
En esta unidad se examinará la respuesta de AC en pequeña señal del amplificador a
BJT mediante la revisión de los modelos que se utilizan con más frecuencia para representar al
transistor en el dominio senoidal en AC.

Uno de los primeros intereses en el análisis senoidal en AC de las redes de transistores

es la magnitud de la señal de entrada, porque ésta determinará si deben aplicarse las técnicas
de pequeña señal o de gran señal. No existe una línea divisoria entre ambas, pero la aplicación
y la magnitud de las variables de interés relacionadas con las escalas de las características del
dispositivo, por lo general, establecen con claridad cuál método es el adecuado.

Existen dos modelos que se utilizan con frecuencia en el análisis en AC de pequeña

señal de redes de transistores: el modelo re y el equivalente híbrido. Esta unidad presenta no
sólo ambos modelos, sino que define el papel de cada uno y la relación que hay entre ambos.

3.2 Objetivos.-

PROFESIONAL:

Mediante los conocimientos adquiridos en la cuarta unidad, El alumno podrá analizar

y comprender el comportamiento de los transistores en función a la frecuencia.

PRODUCTIVO:

Logra comprender apropiadamente el comportamiento de los transistores BJT en

función a la frecuencia.

PERSONAL:

Desarrolla con honestidad y responsabilidad los trabajos proporcionados por el

docente.

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

3.3. Conceptos Básicos.-

Respuesta
infrecuencia
modelos

Modelaje y
Análisis en análisis de los Análisis
Alta transistores básico de
frecuencia bipolares respuesta en
frecuencia

Método de las
constantes de
tiempo en
cortocircuito

Actividades de Profundización e Integración.-

Principio bíblico.-

ORDEN DIVINO

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Debemos intentar practicar este principio para lograr una buena organización significativa en
nuestras vidas, mucho dice de nosotros mismos la práctica del Principio del Orden, ningún
cliente va tener la seguridad de entrar a una institución al ver en una oficina donde la secretaria
mantiene un completo desorden del escritorio y los papeles.

3.4 IMPORTANCIA PRÁCTICA DE LA UNIDAD

Caso Problematizador

Fabricio es un técnico en computadoras y ha recibido un pedido en la mañana para arreglar una

máquina, dos en la tarde y una en la noche. La misma necesidad lo obligó a aceptar todos estos
pedidos, por las muchas responsabilidades que cargo en su espalda, no se dio cuenta que se
comprometió a entregarlos en dos días.

¿Estará correcta la manera de actuar de Fabricio?

¿Se esta poniendo en práctica este principio?

¿Qué consecuencias negativas podrían traerle a Fabricio?

¿Qué haría Ud. en lugar de Fabricio teniendo en cuenta su necesidad financiera?

¿Qué significa el principio de ORDEN DIVINO?

A continuación explicamos un poco más qué significa el principio de ORDEN DIVINO.

Luego, en los temas, presentamos casos relacionados con este principio. Participe en uno de
ellos.

1.- El manejar una agenda que sirva de guía ayudará a realizar los objetivos previstos durante
el transcurso del día, semana o mes. Se lleva un trabajo más organizado y medido, se hará
mucho más fácil cumplir con todas las tareas planteadas sin obviar ninguna de ellas.
2.- Un buen ingeniero electrónico es aquel que mantiene un orden divino en su vida espiritual,
familiar y laboral, tomando como prioridad a Jehová y sus mandamientos. Se debe respetar la
organización de las jerarquías de prioridades que fue dado por Dios.
3.- Cuando uno enamora, primeramente debe de sentir algo por esa persona, pedir permiso
para poder enamorar a sus padres y entrar en una etapa de noviazgo que bien pueden llegar a
inducir al matrimonio. Hasta para llegar a enamorar o los prematrimoniales tienen un orden
divino para llegar al matrimonio, todos los que respetan este orden llegan a tener una relación
fortalecida y bendecida por Dios.
4.- La naturaleza respeta el Orden Divino, primeramente la semilla es la que germina de la tierra
para poder crecer y convertirse en un hermoso árbol frondoso que da sombra y protección
solar para los hombres.
5.- El reconocido y famoso Bill Gates tuvo presente el Principio de Orden y se puede notar
porque antes de crear el Microsoft tuvo que tener una idea, un prototipo que fue mejorando su
tecnología con el tiempo para el uso de las personas.
6.- El alimento espiritual respeta un orden, primeramente conocer la palabra de Dios, el aceptar
a Cristo como Señor y Salvador en nuestros corazones y apartarnos del pecado. Entramos en
conflicto espiritual si solo escuchamos su palabra pero no aceptamos de corazón sus
enseñanzas para aplicarlo en nuestra vida.

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

7.- En los nacimientos múltiples se puede observar que aunque todos nacen el mismo día, las
diferencias son por minutos o segundos, al nacer se respeta el Orden de nacimiento hasta la
muerte, ninguno puede ocupar el lugar del otro aunque hubieran nacido el mismo día.

3.5 EL PRINCIPIO DE ORDEN DIVINO EN LA PRÁCTICA

Instrucciones.-

Bajo el principio de ORDEN DIVINO.

La importancia de este principio ORDEN DIVINO es una necesidad indispensable para una vida
organizada, tal es el caso de Fabricio, si lo hubiera aplicado desde un comienzo se habría
evitado este incidente.

“En aquellos días cayó enfermo de muerte, Y vino a él el profeta Isaías hijo de Amoz, y le dijo:
Jehová dice así: Ordena tu casa, porque morirás y no vivirás. Entonces él volvió su rostro a la
pared, y oró a Jehová y dijo: Te ruego, oh Jehová, te ruego que hagas memoria de que he
andado delante de ti en verdad y con íntegro corazón y que he hecho las cosas que te agradan.
Y lloró Ezequías con gran lloro. Y antes que Isaías saliese hasta la mitad del patio, vino palabra
de Jehová a Isaías, diciendo: Vuelve y día a Ezequías, príncipe de mi pueblo: Así dice Jehová,
el Dios de David tu padre: yo he oído tu oración, y he visto tus lágrimas; he aquí que yo te sano;
al tercer día subirás a la casa de Jehová”.

– 2DA de Reyes 20:1-5 –

Este pasaje bíblico es una muestra clara del amor de Dios para con sus siervos, Jehová
escucha las oraciones y pedidos de sus hijos, sin embargo, espera que mantengamos un orden
en nuestras vidas, si respetamos sus órdenes del Altísimo entonces obtendremos su
bendiciones, el enemigo constantemente espera que no obtengamos la misericordia de Dios,
por eso es necesario poner en práctica el Orden Divino.

¿Qué opinas del versículo mencionado?

¿Crees que Jehová escucha tus oraciones?
¿Mantienes un Orden Divino en tu vida espiritual?

CASO DILEMÁTICO (Al caso anterior)

Fabricio se encuentra en un dilema, tiene que devolver al menos dos trabajos para poder
terminar, pero uno de ellos es de su cuñado quien la relación no está bien afianzada y puede
que la postergación genere susceptibilidades, el segundo es de su jefe, el tercero de una Iglesia
que necesita para las proyectivas de la escuela dominical y el último de la hermana de su novia
cuyo planes de matrimonio está planteada para tres meses.

a) ¿Qué soluciones opiniones serían las más aconsejables?

b) ¿De qué manera se podría ayudar a resolver el caso de Fabricio?

c) ¿Cómo saldría de esta situación si estuviera en lugar de Fabricio?

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

d) ¿Será necesario postergar uno de los arreglos de la PC? ¿Por qué?

e) ¿Qué consecuencias traerían si postergara dos trabajos? ¿Cuál escogería usted en lugar de
Fabricio?

3.6 ACTIVIDADES PRESENCIALES Y NO PRESENCIALES

ACTIVIDAD ACTIVIDAD NO
TEMA TIEMPO TIEMPO
PRESENCIAL PRESENCIAL
Tema 1 Exposición ilustrada 50 min. Ejercicios prácticos de
Circuitos de participativa sobre amplificadores con
Polarización Fija. circuitos de: transistores BJT, en
Polarización fija. POLARIZACION FIJA.
del libro:
Análisis de casos BOYLESTAD -
sobre e NASHELSKE
implementacion en “Electrónica:
laboratorio. teoría y circuitos”
LABORATORIO 7 (
Printece Hall 1996,
60 %)
pagina 234-235.
Ejercicios 1-5.

Tema 2 Exposición ilustrada 50 min. Ejercicios prácticos de

Circuito de participativa sobre amplificadores con
Polarización circuitos de: transistores BJT, en
Estabilizado en Polarización fija POLARIZACIÓN
Emisor estabilizada en ESTABILIZADA EN
emisor. EMISOR.
Usando como el libro:
Análisis de casos BOYLESTAD -
sobre e NASHELSKE
implementacion en “Electrónica:
laboratorio. teoría y circuitos”
LABORATORIO 7 (
Printece Hall 1996,
100 %)
pagina 236-237.
Ejercicios 6-11.
Presentación de un
informe individual de
laboratorio escrito a
mano con base en el
formato otorgado por el
docente.
LABORATORIO 7,
“AMPLIFICADORES
CON TRANSISTORES
BJT” . GUIA DE
LABORATORIO DE

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ELECTRONICA
ANALOGICA I ing
HERMAN L. PATIÑO
ANDIA, PAG. 74-108.
Tema 3 Exposición ilustrada 50 min. Ejercicios prácticos de 60min.
Polarización por participativa sobre amplificadores con
Divisor de Voltaje. Polarización por transistores BJT, en
divisor de voltaje. Polarización por Divisor
de voltaje.
Análisis de casos Establecido en el libro:
sobre e BOYLESTAD -
implementacion en NASHELSKE
laboratorio. “Electrónica:
LABORATORIO 8 teoría y circuitos”
Printece Hall 1996,
pagina 237-238.
Ejercicios 12-21.
Tema 4 Exposición ilustrada 50 min. Presentación de un 60 min.
Polarización de participativa sobre informe individual de
DC por Polarización de DC laboratorio escrito a
Retroalimentación por retroalimentación mano con base en el
de Voltaje. de voltaje. formato otorgado por el
docente.
Análisis de casos LABORATORIO 8,
sobre e “AMPLIFICADORES
implementacion en COMPLEMENTARIOS”
laboratorio. . GUIA DE
LABORATORIO 9 LABORATORIO DE
ELECTRONICA
ANALOGICA I ing
HERMAN L. PATIÑO
ANDIA, PAG. 109-121.

Ejercicios prácticos de
amplificadores con
transistores BJT, en
Polarización por Divisor
de voltaje.

Contenido en el libro:
BOYLESTAD -
NASHELSKE
“Electrónica:
teoría y circuitos”
Printece Hall 1996,
pagina 238-239.
Ejercicios 22-26.
Tema 5 Exposición ilustrada 50min Ejercicios prácticos de 60 min.
Diversas participativa sobre amplificadores con

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Configuraciones circuitos de: transistores BJT, para

de Polarización. Polarizaciones de diversas
diversas configuraciones de
configuraciones. Polarización.

Contenido en el libro:
Análisis de casos BOYLESTAD -
sobre e NASHELSKE
implementacion en “Electrónica:
laboratorio. teoría y circuitos”
LABORATORIO 10
Printece Hall 1996,
“compuertas lógicas
con transistores” pagina 239-240.
Ejercicios 27-35.

2.2.6 BIBLIOGRAFIA

1. DONALD L. SCHILLING - CHARLES BELOVE “Circuitos Electrónicos

discretos e integrados” 5ta. Edición. Marcombo 1992 (*).
2. BOYLESTAD - NASHELSKE “Electrónica: teoría y circuitos” Printece Hall 1996
3. SAVANT-RODEN-CARPENTER “Diseño Electrónico”, Addison-Wesley
Iberoamericana, 1999 (*)
4. MALVINO: “Principios de electrónica” Grupo Alfa y Omega 1994 (*)
5. Savat, C., Roden, M., 1992. Diseño Electrónico. Addison-Wesley
6. Malik, R. 1996. Circuitos Electrónicos. Análisis, Diseño y Simulación. Prentice-
Hall.

(*) Libro que se encuentra en la biblioteca de la UEB.

3.2 Desarrollo del tema.-
Los temas que se llevarán a cabo dentro de la tercera unidad son:

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Tema # 1: “Respuesta infrecuencia modelos”

Tema # 2: “Análisis básico de respuesta en frecuencia”
Tema # 3: “Análisis en Alta frecuencia”
Tema # 4: “Método de las constantes de tiempo en cortocircuito”

La respuesta en frecuencia en los amplificadores establece el rango en el cual trabajará el

sistema sin distorsionar la señal. Este se conoce como ancho de banda (BW) y determina las
frecuencias para las cuales se produce el proceso de amplificación. El valor de este parámetro
depende de los dispositivos y de la configuración amplificadora. En esta sección, se describen
las zonas de trabajo de un amplificador, se analiza la respuesta en frecuencia de
configuraciones básicas y se plantea una metodología que permite determinar el ancho de
banda para un amplificador multietapa.
3.1 Respuesta en frecuencia y modelos.

La respuesta en frecuencia de un amplificador tiene tres áreas:

• La región de baja frecuencia, descrita por la respuesta de un pasa alto
• Una región independiente de la frecuencia (área central de la curva)
• La región de alta frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro pasa bajos

Fig. 1. Respuesta en frecuencia de un amplificador.

La región de baja frecuencia se caracteriza por una frecuencia de corte inferior f L (ó ωL ), la
región de alta frecuencia se describe a través de la frecuencia de corte superior, fH (ó ωH ). Se
define ancho de banda como

BW = fH − fL

En la práctica, si los circuitos son acoplados directamente, BW = fH .

Para determinar la respuesta en frecuencia de un amplificador monoetapa, se consideran
tanto los efectos producidos por los condensadores de acoplo, como los efectos capacitivos
del dispositivo activo. Para el BJT se debe usar un modelo que describa los efectos de
alta frecuencia, éste se conoce como modelo híbrido π.
A. Modelo híbrido π
La red de la Fig. 2, corresponde al modelo de alta frecuencia del BJT, donde Cπ , es la
suma de la capacitancia de difusión en el emisor y la capacitancia de la unión en el
emisor, debido a que el primero es mayor se considera casi igual a la capacitancia de
difusión. Cμ , es la capacidad de unión del colector, rx (ó rb ) representa un efecto resistivo

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

parásito de contacto (llamada resistencia de difusión de la base), rπ , equivale a la

resistencia de la base.

Fig. 2. Modelo híbrido π.

El parámetro gm , se conoce como transconductancia y se define en términos de los

parámetros de polarización como gm = VC y en términos de hfe se tiene que gm = hfe
B. Modelo de alta frecuencia del FET
El modelo de alta frecuencia del FET se indica en la Fig. 3, éste describe tanto el JFET
como el MOSFET canal n. Por lo general, las capacidades indicadas tienen un valor
bajo en pF.

Fig. 3. Modelo del FET para alta frecuencia.

Las capacidades Cgs y Cgd , representan las capacidades distribuidas que atraviesan el
óxido entre la puerta y el canal. En el JFET representan las capacidades de deflexión.
El modelo se mejora agregando un resistor ro en la salida (rds ).

3.2 Análisis básico de respuesta en frecuencia

Sea el circuito de la Fig. 4, luego para ca, reemplazando el modelo híbrido, de

acuerdo a la Fig. 5.

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Fig. 4. Amplificador básico Multietapa.

La respuesta en frecuencia se encuentra obteniendo la función de transferencia H (s),

luego haciendo s = jω, se determina el módulo y la fase.

Fig. 5. Reemplazo del modelo hibrido π.

La determinación de H (s) puede ser compleja, por lo tanto el análisis se puede dividir en
dos partes, la zona de baja y la zona de alta frecuencia.

A. Análisis en baja frecuencia

Para el análisis a baja frecuencia los capacitores Cπ y Cμ , se reemplazan por un circuito

abierto, quedando sólo el efecto de los capacitores de baja frecuencia, de acuerdo a la Fig.
6.

Como fL depende de Cci , Cco y CE , la función de transferencia será de orden superior. Esto
se podría simplificar suponiendo que fL sólo depende de una sola de las capacidades,
considerando la otra mucha mayor, luego:

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yC
fL dependerá sólo de CE , haciendo CCi Co un cortocircuito (CCo , CCi >> C
E ).

• fL dependerá sólo de CCi y CCo si CE se reemplaza por un cortocircuito (CE >> CCo ,
CCi ).

Así, la función de transferencia será de la forma

Fig. 6. Circuito de baja frecuencia

(2)

Donde Sp, establece la frecuencia de corte, wL = Sp o fL =

Fig. 7. Frecuencia de corte inferior .

A.1 Análisis del efecto de CE

→ →
Sea ahora CCi ∞ y CCo ∞ se tiene el circuito de la Fig. 8.

Vo (s) = −gmV · (RC ||RL ) (3)

Por LVK en la entrada se tiene

(4)

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Despejando V de (4) y reemplazando en (3), se tiene

(5)

Desarrollando el paralelo se tiene que

Fig. 8. Efecto de CE .

Fig. 9. Efecto de CC.

(6)

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En forma canónica

(7)

A.2 Análisis del efecto de CCi y CCo

Haciendo CE → ∞ en el circuito de la Fig. 6, se obtiene el circuito de la Fig. 9, planteando
la LVK

(8)

Por otro lado

(9)
(10)

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Haciendo Req = R1 ||R2 || (rπ + rx ), reemplazando (10) en (9) y luego en (8), se llega a

11)

Note que (11) es una función de 2o orden. Para simplificar el análisis y tener una
función de acuerdo a (2), se considera el capacitor de salida CCo >> CCi , luego se tiene

(12)

De la cual se desprende que ωL =

Otra opción seria hacer CCi >> CCo luego se tiene que

(13)

(14)

De esta forma se obtiene

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A.3 Análisis determinando la función de

transferencia
Para el análisis completo se puede encontrar H (s) del circuito de la Fig. 6. Por LCK en RC
, se encuentra Vo será

(15)

Haciendo transformación de fuentes en la entrada y luego planteando la LCK, se tiene

Fig. 10. Modificación del circuito.

Por LVK, se tiene

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Así reemplazando () en () se tiene

Como se observa, es una función de orden superior, la cual se hace bastante engorrosa su
desarrollo. El siguiente paso es dibujar el diagrama de bode para determinar el ωL .

3.3 Análisis en Alta frecuencia

Sea el circuito en alta frecuencia de la Fig. 11. correspondiente al circuito de la Fig. 4

Fig. 11. Circuito de alta frecuencia.

Sea R´L = RL ||RC , planteando la LCK en el dominio s, se tiene

Reordenando

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Reemplazando V , se tiene

Finalmente

(18)

Donde (18) corresponde a una función de la forma

(19)

El último término del denominador representa ωH , de esta forma se tiene

(20)

Si se cumple que |sCπ | << gm y |sCμ | << gm , entonces, ¯ s2 CμCπ ¯ << gm , la función será
de primer orden

(21)

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Donde

La respuesta en frecuencia exacta estará dada por la función de transferencia (18) de

segundo orden. La aproximación mostrada permitirá obtener un valor cercano a la
frecuencia real de corte superior.

V. Respuesta en frecuencia para amplificadores multietapa

Cuando la cantidad de transistores aumenta, aumenta la cantidad de capacitores,

haciendo que la determinación de la función de transferencia se torne inmanejable. Un
método sencillo basado en aproximaciones permitirá encontrar la respuesta en
frecuencia.

Fig. 12. Respuesta de primer orden.

A. Método de la constante de tiempo en circuito abierto

Para estimar la frecuencia de corte superior, ωH , en un circuito equivalente en alta

frecuencia con k capacitores, se determinan las k constantes de tiempo de acuerdo a
(22).

Donde Cj es el capacitor del circuito equivalente y Rj es la resistencia

equivalente que ve Cj cuando los demás capacitores están en circuito abierto.
Así, la frecuencia de corte superior se estima como

(23)

Cj , será Cπ o Cμ de la etapa bajo análisis.

3.4 Método de las constantes de tiempo en cortocircuito

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Para estimar la frecuencia de corte inferior ωL , de un circuito equivalente en baja

frecuencia que contenga n capacitores, se calculan

Donde Rj es la resistencia de salida vista por Cj , cuando los demás

capacitores están en cortocircuito.

(24)

3.5 Problema desarrollado

Sea el siguiente circuito

Fig. 13. Circuito en base común.

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Considerando que

Determinar la respuesta en frecuencia de circuito.

Fig. 14. Reemplazo del Modelo.

Reemplazando el modelo híbrido π del transistor, en el circuito de la Fig. 13, se obtiene

la red de la Fig. 14.

Se observa que el capacitor de 5 [pF ] es comparable a los capacitores del modelo del
transistor por lo tanto, dicho capacitor será tratado como de alta frecuencia.

En baja frecuencia, se anula la fuente de excitación, se reemplaza el capacitor por una

fuente de prueba.

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Fig. 15. Circuito de baja frecuencia.

Se determina un Req visto desde el condensador

Luego

Finalmente

En alta frecuencia Considerando el capacitor Cμ , éste se reemplaza por una fuente de

prueba y se determina la resistencia equivalente.

Luego

Finalmente

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En alta frecuencia
Considerando el capacitor Cμ , éste se reemplaza por una
fuente de prueba y se determina la resistencia equivalente.

Luego

RL , por lo tanto

Fig. 16. Calculando el efecto de Cμ .

Considerando Cπ

Fig. 17. Efecto de Cπ .

Luego

Finalmente

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Considerando 5 [pF ]

Así

Luego

De acuerdo a la ecuación (23), se tiene que

3.6 Conclusiones

La determinación de la respuesta en frecuencia de un amplificador se describe a través

del BW, ωL y ωH . La determinación exacta de dicha respuesta se realiza reemplazando
el modelo de los dispositivos activos que consideran el efecto de la variación de la
frecuencia, luego, mediante la función de transferencia se obtiene el diagrama de bode.
Este método puede resultar inmanejable cuando se tienen más de dos capacitores.

Se recomienda para amplificadores multietapas, determinar las constantes de tiempo

introducidas por cada capacitor, luego el inverso de la sumatoria de dichas constantes
determinará la frecuencia superior del amplificador. Para determinar la frecuencia inferior,
se calculan los inversos de cada cantante de tiempo con los capacitores en corto circuito,
las que se suman para obtener la frecuencia de corte inferior.

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UNIDAD # 4: EL TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO Y SU

POLARIZACIÓN

4.1 Introducción.-

E
l transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza
para aplicaciones diversas que se asemejan, en una gran proporción, a las del transistor
BJT descrito en las unidades anteriores. Aunque existen importantes diferencias entre los
dos tipos de dispositivos, también es cierto que tienen muchas similitudes que se presentarán a
continuación.

La diferencia básica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor
BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un dispositivo
controlado por voltaje. En otras palabras, la corriente Ic es una función directa del nivel de Ib.
Para el FET la corriente ID será en función del voltaje VGS aplicando al circuito de entrada. En
cada caso, la corriente del circuito de salida está controlado por un parámetro del circuito de
entrada, en un caso se trata de un nivel de corriente y en el otro de un voltaje aplicado.

De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp, hay transistores de
efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante considerar que el transistor
BJT es un dispositivo bipolar; el prefijo bi indica que el nivel de conducción es una función de
dos portadores de carga, los electrones y los huecos. El FET es un dispositivo unipolar que
depende únicamente de la conducción o bien, de los electrones (canal-n) o de huecos (canal-p).

El termino “efecto de campo” en el nombre seleccionado merece cierta explicación. Toda

la gente conoce la capacidad de un imán permanente para atraer limaduras de metal hacia el
imán sin la necesidad de un contacto real. El campo magnético del imán permanente envuelve
las limaduras y las atrae al imán por medio de un esfuerzo por parte de las líneas de flujo
magnético con objeto de que sean lo mas cortas posibles. Para el FET un campo eléctrico se
establece mediante las cargas presentes que controlarán la trayectoria de conducción del
circuito de salida, sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras y
controladas.

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4.2 Objetivos.-

2.4.2.1 PROFESIONAL:

Mediante los conocimientos adquiridos en la cuarta unidad y con las aplicaciones

expuestas en clase el estudiante podrá tener una base sólida en cuanto a
transistores FET.

2.4.2.2 PRODUCTIVO:

Logra familiarizarse con los transistores FET comparando ventajas y desventajas

con relación al BJT.

2.4.2.3 PERSONAL:

Desarrolla con honestidad y responsabilidad los trabajos proporcionados por el

docente.

4.3 Desarrollo del tema.-

Los temas que se llevarán a cabo dentro de la cuarta unidad son:

Tema # 1: “Construcción y características de transferencia de los JFET”

Tema # 2: “Relaciones importantes”
Tema # 3: “MOSFET de tipo decremental e incremental”
Tema # 4: “VMOS y CMOS”
Tema # 5: “Configuración de polarización fija y autopolarización”
Tema # 6: “Redes combinadas, diseño y localización de fallas”
Tema # 7: “FET de canal p y curva universal de polarización para JFET”

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2.4.4 Conceptos Básicos.-

Construcción y
características de
transferencia de
los JFET

FET de canal p y Relaciones

curva universal importantes
de polarización
para JFET

El transistor
efecto de campo
y su
Redes
polarización
combinadas, MOSFET de tipo
diseño y decremental e
localización de incremental
fallas

Configuración de VMOS y CMOS

polarización fija
y
autopolarización

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

Objetivos.-

1. Analizar la configuración de polarización fija de los transistores

JFET.
2. Analizar la configuración de autopolarización.
3. Analizar las diferentes polarizaciones del amplificador BJT.
4. Determinar las posibles fallas en los transistores JFET.

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Propuesta Educativa de la Asignatura

COMPETENCIA
Lograr la implementación de circuitos electrónicos
por medio del trabajo individual y en grupo, sin
dejar de lado el orden, la precisión, la eficiencia y la
eficacia en los circuitos electrónicos, según el
principio del INDIVIDUALIDAD.

48 HORAS 48 HORAS NO
PRESENCIALES PRESENCIALES

PRODUCTOS

PRODUCTO 1 PRODUCTO 2
Diseño e implementación de
Diseño e implementación de un amplificador de potencia,
un regulador de voltaje. con una potencia de salida
determinada por el
estudiante.

INDICADORES INDICADORES
Contiene: Contiene:
 Configuración de los transistores.  Configuración de los transistores.
 Puentes rectificadores.  Tipo de amplificador a utilizar.
 Diseño del circuito electrónico  Reducir lo más posible el ruido en
su entrada.
 Diseño del circuito electrónico

Principio bíblico.-

INDIVIDUALIDAD

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

Cada instrumento de medición tiene su propósito por el cual fue creado, ningún otro artefacto
puede reemplazar a otro o realizar la misma función, todo profesional se desarrolla en el área
que sienta más inclinación, por ende, no puede ocupar el cargo o profesión de otra persona si
no tiene la vocación ni el interés para llevarlo a cabo. Se mantiene la individualidad en la
elección de carreras y campo laboral.

IMPORTANCIA PRÁCTICA DE LA UNIDAD

Caso problematizador

Clotilde y Neira se sienten desmotivadas para participar en las actividades de su curso, por otro
lado sus compañeros siempre están prestos a seguir las instrucciones del docente. Un grupo de
compañeros han notado esta diferencia; Ambas estudiantes empiezan a contagiar su desgano a
los demás niños del aula siendo dificultoso para la maestra explicar los conceptos básicos de
las expresiones lógicas.

Por un lado Clotilde siente rivalidad por Neira y en otro sentido Neira no manifiesta el
sentimiento de competitividad con su compañera; Cada una de ellas tiene una cualidad muy
diferente pero su actitud comienza a ser incómoda para su docente.

¿Cómo se podría aplicar el principio de Individualismo?

¿Es aplicable este principio en el caso problematizador?

¿Cómo se puede enseñar el adquirir conductas aceptables?

¿Qué recomendaciones se pueden proporcionar en esta situación?

¿Qué significa el principio de Individualidad?

A continuación explicamos un poco más qué significa el principio de Individualidad.

Luego, en los temas, presentamos casos relacionados con este principio. Participe en uno de
ellos.

1.- A pesar de ser creados a la imagen de Dios, somos seres distintos que marcamos
diferencias; Un ejemplo es David y Goliat (Creación de Dios pero diferencias individuales) No
importa cuantas armas tenga el poderoso rival, Dios es quien decide quien será el vencedor.
2.- En el mundo vamos a encontrar distintas personas con procederes diferentes, así también
en los hermanos tienen gustos y mentalidades diferentes por más similitudes que posean.
3.- Cuando encontremos el verdadero propósito de nuestras vidas los cuales fuimos creados,
conoceremos y entenderemos nuestras diferencias individuales con los demás seres humanos.
4.- Cada Estado, aunque tengamos la similitud de vivir en el mismo planeta tierra, mantiene su
individualidad como ser diferencias de culturas, raza, color, sexo, etc.
5.- El señor es un Dios creo al hombre y a la mujer, para ser una sola carne; Cada uno tiene su
propósito como esposo, como padre, como hijo de Dios… al igual que la mujer, como esposa,
madre e hija de Dios.
6.- Si cada persona conoce las cualidades que posee y las explota sanamente, haría un buen
uso del don que Dios nos dio. Tenemos que ser agradecidos por los diferentes dones que
Jehová nos proporcionó y aplicar este principio de un modo agradable a los ojos del Señor.

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.7.- Fuimos creados por un propósito, debemos de descubrir y explotar a beneficio y

agradecimiento a Jehová, todos somos llamados en el ministerio de Dios, los dones dados por
él mantiene nuestra individualidad con los demás. Es nuestro deber agradecer al creador por
darnos la oportunidad de otorgarnos la vida y más aún la vida eterna.

EL PRINCIPIO DE ORDEN DIVINO EN LA PRÁCTICA

Instrucciones.-
Se deben de respetar las diferencias individuales, las que nos hace diferentes a los demás a
pesar de ser creados a la imagen de Dios.

Bajo el principio de INDIVIDUALIDAD.

“Y como el Filisteo miró y vió á David túvole en poco; porque era mancebo, y rubio, y de
hermoso parecer. Y dijo el Filisteo á David: ¿Soy yo perro para que vengas á mí con palos? Y
maldijo á David por sus dioses. Dijo luego el Filisteo á David: Ven á mí, y daré tu carne á las
aves del cielo, y á las bestias del campo.

Entonces dijo David al Filisteo: Tú vienes á mí con espada y lanza y escudo; mas yo vengo á ti
en el nombre de Jehová de los ejércitos, el Dios de los escuadrones de Israel, que tú has
provocado. Jehová te entregará hoy en mi mano, y yo te venceré, y quitaré tu cabeza de ti: y
daré hoy los cuerpos de los Filisteos á las aves del cielo y á las bestias de la tierra: y sabrá la
tierra toda que hay Dios en Israel. Y sabrá toda esta congregación que Jehová no salva con
espada y lanza; porque de Jehová es la guerra, y él os entregará en nuestras manos”.

– 1RA de Samuel 17:42-47 –

Este pasaje bíblico es una muestra clara del principio de Individualidad, cada quien tiene sus
características muy diferentes el uno del otro; Son los que nos hacen personas únicas y no
semejantes a los demás. A pesar de ser creaciones divinas nuestras características personales,
creencias, fe, posturas, son las que nos diferencian de los demás. El mundo sabrá que hay un
Dios en Israel; y todos los aquí reunidos deben saber que ni con espadas ni con lanzas salva el
Señor. La batalla es del Señor.

CASO DILEMÁTICO (Continuación al caso)

La docente se ha dado cuenta que su actitud perjudica al resto de sus compañeros y el avance
en su horario de clases. Decidió darles una oportunidad y cada una de ellas pueda exponer un
tema diferente utilizando los materiales de apoyo necesarios. A las dos se les dio la orden de
saber los dos temas pero Neira se evocó en su tema y Clotilde en lo suyo.
A la hora de la presentación la docente decide cambiar todo y darles las instrucciones que cada
una expondría el tema de su compañera. Clotilde es buena exponiendo con proyectiva, pero
Neira con papelógrafos y escribiendo en la pizarra, esta individualidad de ambas es reconocida
por el docente y sus compañeros.

¿Qué opina sobre este caso?

¿Qué haría Ud. Si estuviera en el lugar de Clotilde?

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

¿En qué manera se manifiesta el Principio de “Individualidad” en este caso?

¿Será necesario cambiar su forma de exposición de ambas?

¿De qué manera le ayudaría poner en práctica el principio “Individualidad”?

ACTIVIDADES PRESENCIALES Y NO PRESENCIALES

ACTIVIDAD ACTIVIDAD NO
TEMA TIEMPO TIEMPO
PRESENCIAL PRESENCIAL
Tema 1 Exposición ilustrada 30min. Presentación de un 60 min.
Construcción y participativa por grupos informe individual de
Características sobre Construcción y laboratorio escrito a
de los JFET. Características de los mano con base en el
JFET. formato otorgado por el
docente.
Defensa ante el LABORATORIO 10,
docente y compañeros “COMPUERTAS
del tema expuesto. LOGICAS CON
TRANSISTORES”.
GUIA DE
LABORATORIO DE
ELECTRONICA
ANALOGICA I ing
HERMAN L. PATIÑO
ANDIA, PAG. 133-146.

Presentación de
informe escrito en
computadora de la
exposición sobre la :
CONSTRUCCION Y
CARACTERISTICAS
DE LOS JFET.
Usando como
referencia el libro:
BOYLESTAD -
NASHELSKE
“Electrónica:
teoría y circuitos”
Printece Hall 1996,
capitulo 5, pagina 245-
259.

Tema 2 Exposición ilustrada 30 min. Presentación de 60 min.

MOSFET de Tipo participativa por grupos informe escrito en
Decremental. sobre el computadora de la
funcionamiento de un exposición sobre el:

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transistor MOSFET de funcionamiento de un

tipo decremental. TRANSISTOR
MOSFET DE TIPO
Defensa ante el DECREMENTAL. .
docente y compañeros Usando como
del tema expuesto. referencia el libro:
BOYLESTAD -
NASHELSKE
“Electrónica:
teoría y circuitos”
Printece Hall 1996,
capitulo 5, pagina 263-
268.

Tema 3 Exposición ilustrada 30 min. Presentación de 60 min.

MOSFET de Tipo participativa por grupos informe escrito en
Incremental. sobre el transistor computadora de la
MOSFET de tipo exposición sobre el:
incremental con el funcionamiento de un
incremental. TRANSISTOR
MOSFET DE TIPO
Defensa ante el INCREMENTAL.
docente y compañeros Usando como
del tema expuesto. referencia el libro:
BOYLESTAD -
NASHELSKE
“Electrónica:
teoría y circuitos”
Printece Hall 1996,
capitulo 5, pagina 269-
276.

Tema 4 Exposición ilustrada 30 min. Presentación de 60 min.

VMOS. participativa por grupos informe escrito en
sobre el VMOS. computadora de la
exposición sobre el:
Defensa ante el VMOS. .
docente y compañeros Usando como
del tema expuesto. referencia el libro:
BOYLESTAD -
NASHELSKE
“Electrónica:
teoría y circuitos”
Printece Hall 1996,
capitulo 5, pagina 269-
276.

Tema 5 El estudiante conocerá 30min. Presentación de 60 min.

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CMOS. el transistor CMOS y informe escrito en

las características que computadora de la
tiene el mismo. exposición sobre el:
VMOS. .
Defensa ante el Usando como
docente y compañeros referencia el libro:
del tema expuesto. BOYLESTAD -
NASHELSKE
“Electrónica:
teoría y circuitos”
Printece Hall 1996,
capitulo 5, pagina 278-
282.

RECURSOS DISPONIBLES

1. DONALD L. SCHILLING - CHARLES BELOVE “Circuitos Electrónicos

discretos e integrados” 5ta. Edición. Marcombo 1992 (*).
2. BOYLESTAD - NASHELSKE “Electrónica: teoría y circuitos” Printece Hall 1996
3. SAVANT-RODEN-CARPENTER “Diseño Electrónico”, Addison-Wesley
Iberoamericana, 1999 (*)
4. MALVINO: “Principios de electrónica” Grupo Alfa y Omega 1994 (*)

(*) Libro que se encuentra en la biblioteca de la UEB.

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UNIDAD # 5: CONFIGURACIONES COMPUESTAS

Introducción.-

E
n la presente unidad presentaremos varias conexiones de circuitos que, aunque no son
los estándares de emisor común, colector común o base común, son muy importantes,
porque todavía se usa mucho tanto en circuitos discretos como integrados. La conexión
en cascada proporciona etapas en serie, pero en cambio, la conexión cascode pone un
transistor sobre otro. Estas formas de conexión se localizan en circuitos prácticos. La conexión
Darlington y la conexión de par retroalimentado proporcionan varios transistores conectados
para operar como un solo transistor para un mejor funcionamiento, por lo general con mucha
mayor ganancia de corriente.

Si se usa la conexión CMOS, junto con transistores MOSFET incrementales, tanto tipo p
como tipo n, resulta un circuito que opera con muy poca potencia, mismos que también se
presenta en esta unidad. Muchos de los más recientes circuitos digitales utilizan circuitos CMOS
para permitir operaciones portátiles con muy poca potencia de baterías, o para permitir una
densidad muy alta en circuitos integrados con la más baja disipación de potencia en el pequeño
espacio usado por un circuito integrado.

Los circuitos discretos y los integrados utilizan la conexión de fuente de corriente. La

conexión de espejo de corriente proporciona corriente constante a otros diversos circuitos, y es
muy importante en circuitos integrados lineales.

El amplificador diferencial es la parte básica de los circuitos de los amplificadores

operacionales. En este apartado se presenta la conexión del circuito diferencial básico y su

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

operación. Un circuito bipolar-JFET usado en los IC es la conexión BiFET, y a la conexión

bipolar-MOSFET se le denomina una conexión BiMOS. Ambas se utilizan en circuitos
integrados lineales.

Objetivos.-

1. Analizar las conexiones en Cascada, Cascode y Darlington.

2. Conocer el funcionamiento del par retroalimentado.
3. Analizar los circuitos de amplificadores diferenciales.

Los temas que se llevarán a cabo dentro de la primera unidad son:

Tema # 1: “Conexión en Cascada, Cascode y Darlington”

Tema # 2: “Par retroalimentado”
Tema # 3: “Circuito CMOS”
Tema # 4: “Circuitos de fuente de corriente”
Tema # 5: “Espejo de corriente”
Tema # 6: “Circuito de amplificador diferencial, BiFET, BiMOS y CMOS”

PROFESIONALES:

Mediante los conocimientos adquiridos en la primera unidad y con las

aplicaciones expuestas en clase el estudiante podrá tener una base sólida
de los diodos semiconductores.

PRODUCTIVO:

Logra familiarizarse con los diferentes diodos semiconductores, por medio

del funcionamiento y la composición de los mismos.

PERSONAL:

Desarrolla con honestidad y responsabilidad los trabajos proporcionados por

el docente.

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Propuesta Educativa de la Asignatura

COMPETENCIA
Lograr la implementación de circuitos electrónicos
por medio del trabajo individual y en grupo, sin
dejar de lado el orden, la precisión, la eficiencia y la
eficacia en los circuitos electrónicos, según el
principio de SEPARACIÓN.

48 HORAS 48 HORAS NO
PRESENCIALES PRESENCIALES

PRODUCTOS

PRODUCTO 1 PRODUCTO 2
Diseño e implementación de Diseño e implementación de
un regulador de voltaje. un amplificador de potencia,
con una potencia de salida
determinada por el
estudiante.

INDICADORES INDICADORES
Contiene: Contiene:
 Configuración de los transistores.  Configuración de los transistores.
 Puentes rectificadores.  Tipo de amplificador a utilizar.
 Diseño del circuito electrónico  Reducir lo más posible el ruido en
su entrada.
 Diseño del circuito electrónico

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Principio bíblico.-

SEPARACIÓN
Desde el principio se puede observar su aplicación cuando Dios separo la luz de las tinieblas
creando así el día y la noche. En las enseñanzas de Jesús este principio se dio a conocer en la
elección de los 12 discípulos que fueron separados entre tanta gente de ese tiempo. Se debe
separar lo bueno de lo malo, lo justo de lo injusto.
CONCEPTOS BÁSICOS.-

Conexión en
Cascada,
Cascode y
Darlington

Circuito de Par
amplificador retroalimentado
diferencial,
BiFET, BiMOS y
CMOS

Configuraciones
compuestas

Circuito CMOS
Espejo de
corriente

Circuitos de
fuentes de
corriente

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IMPORTANCIA PRÁCTICA DEL MÓDULO

Caso problematizador

El ayudante del docente Diego se llama Pomelo y debe de dar un tema de ayudantía donde
explicará la ventaja de los usos de circuitos CMOS, en esa clase se encuentra un ex amigo,
Juan, que le quito su enamorada hace dos semanas y siente un grado de resentimiento por lo
ocurrido.

Durante el semestre estará como su alumno, si por él fuera lo aplazaría sin embargo será algo
complicado, puesto que Juan siente inclinación por la carrera y demuestra interés por la materia
y no por quien la dicta.

¿Tendrá solución la situación de conflicto que se encuentra Pomelo?

¿Qué actitudes tendría que empezar a cambiar Pomelo y cuales dejarlas?
¿De qué manera se podría aplicar el Principio de Separación en este caso problematizador?
¿Qué haría Ud. frente a esta situación del ayudante del docente Diego?

¿Qué significa el principio de Separación?

A continuación explicamos un poco más qué significa el principio de Separación.

Luego, en los temas, presentamos casos relacionados con este principio. Participe en uno de
ellos.

1.- Todo buen padre desea que su hijo este apartado de todo mal y por ello realiza la
separación y elección de sus amistades, la Biblia misma lo dice en los Proverbios del Rey
Salomón, júntate con necios y necios te harás, júntate con sabios y sabio te harás.
2.- La comunidad separa a las personas delincuentes y que se han dedicado a la mala vida en
lugares aislados y separados del resto de la comunidad ciudadana (cárceles, lugares de
rehabilitación, etc.).
3.- Los mandamientos que Dios dio a Moisés fue para que el ser humano rija su conducta y
separe las malas costumbres, que vuelvan como un hábito las conductas aceptables a los ojos
de Dios y las personas, la práctica de estas costumbres le ayudará para separar acciones como
mentir a decir la verdad, cometer una injusticia y ser justo con los demás.
4.- La humanidad está llena de pecado, Jesucristo no desea que vivamos una vida llena de
calvario y sufrimiento, por eso nos dio la oportunidad del camino lleno de bendiciones de su
padre celestial, debemos saber separar definitivamente de nuestras vidas el pecado e
inclinarnos a una vida íntegra, con amor y corazón humilde a Dios.
5.- Un Ingeniero debe de separar los circuitos inservibles con aquellos que pueden serle de
utilidad, si empleara los mismos materiales, sin aplicar el principio de Separación, el trabajo que
realizaría y su funcionamiento sería deficiente.

GUÍA DIDÁCTICA - ELECTRONICA ANALOGICA I - Santa Cruz, enero 2019

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 Universidad Evangélica Boliviana – Electrónica Analógica I

6.- Los encargados y superiores de todo trabajo e institución desea tener empleados/obreros
que le generen productividad a su empresa, por eso aplican este principio para separar
aquellos que solo generan egresos y no ingresos a la institución.
7.- Un buen pastor debe elegir bien a sus maestros y directores de las escuelas dominicales,
aún cuando uno de ellos cometiera un acto de indisciplina deberá aplicar la justicia poniéndolo
en disciplina, así aplica el principio, separándolo del grupo por un tiempo determinado y/o
definitivo.

EL PRINCIPIO DEL SEPARACIÓN EN LA PRÁCTICA.-

Instrucciones.-

Bajo el principio de SEPARACIÓN.

“El impío toma prestado, y no paga; Mas el justo tiene misericordia, y da. Porque los benditos
de él heredarán la tierra; Y los malditos de él serán destruidos.”
– Salmos 37:21-22 –

Podemos observar en el versículo mencionado la misericordia de Dios con el justo y las

consecuencias de las personas que no siguen a Dios y prefieren vivir en el pecado.
Piensa y responde:
¿Qué opinión tienes del pasaje Bíblico?
¿Te parece que es dada la justicia?
¿En que lado te gustaría estar?
¿En cuál de los dos lados te encuentras hoy en día?

“Así andarás por el camino de los buenos, Y seguirás las veredas de los justos; porque los
rectos habitarán la tierra, y los perfectos permanecerán en ella, mas los impíos serán cortados
de la tierra, y los prevaricadores serán de ella desarraigados”
– Proverbios 2:20-22 –

En el pasaje bíblico de los proverbios del Rey Salomón vemos los dos caminos y sus
consecuencias, se hace una separación de ambos y la elección depende de la forma que quiera
vivir en ser humano.
Piensa y responde:
¿Se podrá vivir en el pecado e intentando estar bien con Dios?
¿Te parece bien la justicia de Dios?
¿Cuál de los dos caminos consideras que es el mejor?

CASO DILEMÁTICO (Continuación caso anterior)

Pomelo intenta que Juan repita la materia y da trabajos complicados para toda la clase, mas la
explicación dentro de clase la hace fácil cuando Juan falta a clases por motivos personales
como ser salud o alguna actividad. A tantas quejas de los alumnos, el docente Diego decide
entablar un diálogo con Pomelo para saber la razón por el cual ha tomado esta actitud, a la vez
le advierte que su método debe de cambiar y ser un poco más flexible con los estudiantes.
En el tiempo de los exámenes las respuestas de Juan parecen lógicas e intenta ver de otro
medio el bajar sus puntos; a la segunda llamada de atención de Pomelo por parte del docente
Diego se siente frustrado, desea continuar la clase pero no le agrada la presencia de Juan.

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a) ¿Qué haría Ud. en esta circunstancia?

b) ¿Se estará aplicando el Principio de Separación? ¿En qué manera se puede aplicar?

c) ¿Qué soluciones inmediatas serán las aconsejables en estas circunstancias?

d) ¿Deberá dejar la materia Pomelo? ¿Parece correcta la actitud de Pomelo?

CRONOGRAMA DE LA 5TA UNIDAD

Cronograma de sesiones presenciales y cronograma de estudio No presencial en base

a horas por unidad y semanas por unidad:

ACTIVIDAD ACTIVIDAD NO
TEMA TIEMPO TIEMPO
PRESENCIAL PRESENCIAL
Tema 1 El estudiante conocerá 15 min. El estudiante tendrá un 60 min.
Conexión en la importancia del trabajo de
Cascada, transistor efecto de investigación para
Cascode y campo y su diferencia conocer más acerca de
Darlington. con el transistor dicho transistor.
bipolar.
Tema 2 En esta segunda etapa 15 min. El estudiante tendrá un 60 min.
Par del tema el estudiante trabajo de
retrolamentado. conocerá el investigación para
funcionamiento de un conocer más acerca de
transistor MOSFET de dicho transistor.
tipo decremental.
Tema 3 El estudiante podrá 20 min. El estudiante tendrá un 60min.
Circuito CMOS. conocer el trabajo de
funcionamiento de los investigación para
circuitos CMOS. conocer más acerca de
dicho transistor.
Tema 4 El estudiante en esta 20 min. El estudiante tendrá un
Circuito de etapa estará acto para trabajo de
fuente de implementar circuitos investigación para
corriente. de fuentes de corriente. conocer más acerca de
dicho transistor.
Tema 5 El estudiante 20 min. El estudiante tendrá un 60 min.
Espejo de implementar circuitos trabajo de
corriente. espejos de corriente y investigación para
analizar el conocer más acerca de
funcionamiento de los dicho transistor.
mismos.
Tema 6 El estudiante podrá 20 min. El estudiante tendrá un 60 min.
Circuito de implementar circuitos trabajo de
amplificador amplificadores investigación para

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diferencial, diferenciales en esta conocer más acerca de

BiFET, BiMOS y ultima etapa de la dicho transistor.
CMOS. unidad.

RECURSOS DISPONIBLES

1. DONALD L. SCHILLING - CHARLES BELOVE “Circuitos Electrónicos

discretos e integrados” 5ta. Edición. Marcombo 1992 (*).
2. BOYLESTAD - NASHELSKE “Electrónica: teoría y circuitos” Printece Hall 1996
3. SAVANT-RODEN-CARPENTER “Diseño Electrónico”, Addison-Wesley
Iberoamericana, 1999 (*)
4. MALVINO: “Principios de electrónica” Grupo Alfa y Omega 1994 (*)

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(*) Libro que se encuentra en la biblioteca de la UEB.

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