Facultad de Ingeniería Electrónica y Mecatrónica
Dispositivos Electrónicos I-Separata de Ejercicios
Dispositivos Electrónicos I– Semiconductores
Temas:
Física de estado sólido
Semiconductores – calculo de
concentraciones de electrones y
huecos
Ley de Acción de las masas
Ley de Neutralidad de la carga
Niveles de energía de Fermi.
Termistores y Fotoresistencias
Difusión y Velocidad de corriente
eléctrica
1.-Un foton de rayos gamma emitidos
en cierta reacción nuclear tiene energía
de 1Mev .Hallar su frecuencia y su
longitud de onda así como la relación
de la longitud de onda y el tamaño
nuclear típico del orden de los 10-15m.
2.- Cual es el voltaje mínimo de
aceleración que se necesita en un tubo
de rayos X , a fin de producir rayos X
con una longitud de 1Ao .
3.- Un foton de 1400Ao de longitud de
onda es absorbido por vapor frió de
mercurio y son emitidos otros dos
fotones ,si uno de estos tiene un
longitud de onda de 1850Ao .
Calcular la energía del otro foton.
Profesor : Ing. Alberto Alvarado Rivera
FIEM-UTP
4.- En una muestra de silicio a
temperatura ambiente se introducen
impurezas de fósforo con una
concertación de 1016 átomos /cm3 .
¿Calcular la concentración de
electrones y huecos?
5.- Calcular la concentraciones de
equilibrio p y n del germanio a la
temperatura de 300K con una
contaminación en exceso de ND =
5x1016 átomos /cm3 .La concentración
intrínseca para dicha temperatura es de
2.5x1013 cm-3 .
5.- Un hilo de cobre de 120m y 10-2 cm
de diámetro se conecta a una pila de
2v.Calcular la intensidad de corriente
así como la velocidad de arrastre. Si
ncu =1022cm-3 y la conductividad es de
106 -1.cm-1 .
6.- Considerar al germanio intrínseco a
temperatura ambiente ( T=300K) en
que tanto por ciento varia la
conductividad cuando la temperatura
aumenta 1ok.
Periodo : 2011-III
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7.- Calcular la movilidad de electrones
libres en el aluminio para el que la
densidad es de 2.7g/cm3 y la
resistividad es de 3.44x10-6 -cm.
Suponer q el aluminio tiene tres
electrones de valencia por átomo.
8.- Si la masa efectiva de un electrón
es el doble de la de un hueco calcular
la distancia (en ev ) del nivel de Fermi
en un semiconductor intrínseco del
centro de la banda prohibida a la
temperatura ambiente.
9.- Calcular la resistividad del silicio
intrínseco a 300K si se añade una
impureza donadora de en una
proporción de 1 átomo por 108 átomos
de silicio .Hallar su resistividad.
10 .- En una muestra de silicio de tipo
N la concentración de donadores es de
un átomo por cada 2x108 de silicio.
Suponer que la masa efectiva del
electrón es igual a la masa real .A que
temperatura coincide el nivel de Fermi
con el borde de la barra de conducción.
Datos – Silicio densidad 2.33g/cm3
Peso Atómico 28.1g
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11.- A partir de su tabla de propiedades
para un semiconductor de silicio.
Determine cual será el ancho de la
banda prohibida a una temperatura de
500oC .
12.- Calcule la concentración de
huecos y electrones en un
semiconductor de Germanio si este
semiconductor esta a 450 oC .
13.- Como haría usted para diseñar un
termistor que tenga la siguiente función
de respuesta
Rth versus T , donde Rth esta en K y
T en oC .. ( ESTE ES UN PROBLEMA
DE DISEÑO , POR LO TANTO NO
TIENE RESPUESTA UNICA ).
Rth.-K
150K =Rth (0)
Caida Exponencial
0oCT ( oC )
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15.- Calcular la característica 16.- La concentración de huecos de

resistencia entre A y B versus
temperatura en la siguiente barra
semiconductora que tiene dos partes ,
la superior es de germanio y la inferior
es de silicio . El área de la sección
transversal es un cuadrado de 100 m
de lado.
b) .- Hacer el mismo calculo para la
resistencia que se forma entre los
puntos C y D.
A
A Silicio
una barra de silicio de una Área
Unitaria se muestra en la siguiente
figura. Si la Dp = 12cm2/seg dado que
la corriente que fluye a través de la
barra es 1mA . Determinara el valor de
la concentración de huecos en el borde
del lado izquierdo de la barra.
Desprecie la recombinación de
portadores. Área = 1cm2
10-1cm
Po

1000um 1000um Px
C D

C
100um 17.- Hallar la ley de variación de la
D concentración de huecos en un
1000um
semiconductor cuando esta no
depende del campo eléctrico aplicado
B ni de la distancia.
Utilizar la Ecuación de Continuidad
para huecos

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