Problema 1: a) Calcular la concentración intrínseca del germanio en m -3 a una temperatura

de 320 oK dado que la energía de ionización es 0,75 eV y KB = 1.37 x I0 -23 J / oK. También
calcular la resistividad intrínseca dado que las movilidades of electrones y huecos en
germanio puro son 0,36 y 0,17 m2 / volt-seg, respectivamente. Considerar:
ni= AT3/2 e –e Ego/2KT, A=9.64x1021.

b) En el semiconductor de silicio tipo n, la concentración de los donantes es de

2.5x1014 cm-3. Suponiendo que la masa efectiva del electrón es igual a masa real, encontrar
el valor de la temperatura a la cual, el nivel de Fermi coincidirá con el borde de la banda de
conducción.

Problema 2: a) Calcular el número de electrones, huecos, y ni en el semiconductor

desconocido con EF, 0.25eV debajo de Ec.

Problema 3: En el siguiente gráfico, muestra la variación de la concentración de

portadores mayoritarios en función de la temperatura. Se ha dividido a la misma en
tres zonas definidas para temperaturas diferentes. Explique

Problema 4:
 a) Un semiconductor intrínseco contiene 1020 pares electrón-hueco por m3.
Calcular la resistividad, sabiendo que las movilidades son µn= 0.2 m2/v.s y µp=
0.06 m2/v.s., dato; q=1.6 x 10 -19 c.

b) A una barra de germanio de 2 cm2 de sección y longitud 10 cm se le aplica una

diferencia de potencial de 10 Voltios entre sus extremos. Datos: µn= 0.182
m2/v.s y µp= 0.39 m2/v.s., q=1.6 x 10 -19 c, n=p=2.36 x 1019 m-3.
Con estos datos y las propiedades del germanio. Calcular a 300 oK:

a) Resistividad del germanio.

b) Resistencia de la barra.
c) Velocidad de arrastre de electrones y huecos.
d) Intensidad de corriente.
Problema 5:
a) Estime la carga total almacenada en una capa de agotamiento de 0.1 µm en un
lado de una unión de 10 µm x 10 µm. La concentración de impurezas en ese
lado de la unión es de 1016 cm-3.

b) Un semiconductor intrínseco contiene 1020 pares electrón-hueco por m3.

Calcular la resistividad, sabiendo que las movilidades son µn= 0.2 m2/v.s y µp=
0.06 m2/v.s., dato; q=1.6 x 10 -19 c.