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m-3; b) 3,29.
Problemas Tema 18
Materiales y dispositivos
semiconductores
Problema 1.- Calcular la resistividad elctrica del silicio a 300 K.
Datos: n i = 1016 m-3; e = 1,60 x 10-19 C; n = 0,135 m2/(Vs), y
p = 0,048 m2/(Vs).
Solucin: 3,415 x 103 .m.
Problema 2.- La resistividad elctrica del silicio puro a temperatura
ambiente (300 K) es 3,415 x 103 m. Calcular la conductividad
elctrica a 200 C (473 K).
Datos: E g del Si= 1,1 eV ; k = 8,62 x 10-5 eV/K.
Solucin: 0,698 (.m)-1.
Problema 3.- A travs de un cubo de Germanio de 10 mm de longitud
de arista, pasa una corriente de 5,6 mA cuando se aplica una diferencia
de potencial de 8,5 mV entre dos de sus caras paralelas. Suponiendo
que los portadores de carga son electrones con una movilidad de 0,41
m2 V-1s-1: a) Calcular la densidad de portadores. b) Calcular el tiempo de
relajacin si la masa efectiva del electrn en germanio es 012 m o ,
siendo m o la masa del electrn libre (m o =9,11x 10-28 g).
Datos: e = 1,60 x 10-19 C
Solucin: a) 1021 m-3; b) 2,8 x 10-13 s.
Problema 4.- La conductividad elctrica de un semiconductor es de
0,66 -1m-1. Si la relacin entre las movilidades de electrones y huecos
es de 20, siendo el nmero de electrones igual a 1019 m-3 y el de huecos
igual a 1020 m-3, calcular las respectivas movilidades de huecos y
electrones.
Dato: e = 1,60 x 10-19 C;
Solucin: n = 0,275 m2/(Vs); p = 0,0137 m2/(Vs).
4,7x10-8 m
- 2,5x10-10 m3C-1
210 nm
971 Kgm-3
Calcular:
a) La densidad de electrones.
b) El tiempo de relajacin.
c) El nmero de electrones por tomo disponibles para la conduccin.
Datos: e = 1,60 x 10-19 C; m e = m o =9,11x 10-28 g; Pat Na = 23
Solucin: a) 2,5 x 1028 m-3 ; b) 1,07 x 10-9 s; c) 1.
Problema 6.- Un disco de silicio es dopado con 1021 tomos de
fsforo/m3. Suponga la total ionizacin de los tomos dopantes.
Calcular:
a) La concentracin de portadores mayoritarios.
b) La concentracin de portadores minoritarios.
c) La resistividad elctrica del silicio dopado a temperatura ambiente
(300 K).
Datos: e = 1,60 x 10-19 C; n i (Si)=1,5 x 1016 m-3 ; n = 0,135 m2/(Vs);
p = 0,048 m2/(Vs)
Solucin: a) 1021 m-3 ; b) 2,25 x 1011 m-3 ; c) 0,0463 .m.
Problema 7.- Una oblea de silicio dopada con fsforo tiene una
resistividad elctrica de 8,33 x 10-5 m a 27 C. Suponga que las
movilidades de los portadores de carga tienen valores constantes de
0,135 m2/(Vs) para los electrones y de 0,048 m2/(Vs) para los huecos.
a) Cul es la concentracin de portadores mayoritarios (portadores por
m3) si se supone que la ionizacin es completa?.
b) Cul es la relacin de tomos de fsforo a silicio en este material?.
Datos: e = 1,60 x 10-19 C; Pat Si = 28,08 g/mol; densidad Si= 2,33
g/cm3; N A = 6,023 x 1023 .
Solucin: a) 5,56 x 1023 m-3 ; b) 1,11 x 10-5.
Solucin: 33 m.cm
Problema 15.- Calcular la resistividad a 350 K de un semiconductor
extrnseco tipo-n dopado con 10 16 at/cm3.
Dato: n = 868 cm2/V.s
Solucin: 720 m.cm
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cm-3; SE tipo-p.
Problemas Tema 19
Problemas Tema 20
Materiales magnticos
Problema 1.- Calcular el valor terico para la M s (A/m) y la B s (T) para
el hierro puro, suponiendo que todos los momentos magnticos debidos
a los 4 electrones desapareados 3d del hierro, estn alineados en
presencia de un campo magntico.
Utilizar B s = o M s , asumiendo que o H es despreciable. El hierro tiene
una celdilla unidad cbica centrada en el cuerpo con una constante de
red a = 0287 nm.
Datos: 0 =4 x 10-7 T m/A; 1 MB = 9,27 x 10-24 A.m2
Solucin: a) 3,15. 106 A/m; b) 3,96 T.
Problema 2.- El Fe (bcc) tiene una magnetizacin de saturacin Ms=
3,15 x 106 A/m. Cul es el nmero promedio de MB/at (magnetones de
Bhr por tomo) que contribuye a esa magnetizacin?.
Datos: a = 0,287 nm; 1 MB = 9,27 x 10-24 A.m2
Solucin: 4.
Problema 3.- Calcular el valor numrico del magnetn de Bhr
utilizando la relacin: 1 MB = eh/4m.
Datos: e=1,6 x 10-19 C; m = 9,11 x 10-31 Kg;
Solucin: 9,27 x 10 -24 A.m2
h = 6,63 x 1034 J s