�..

�
.-. . . >-1
,.
1 • ,• • •

--� :.:fJ_�::::.- :�·

..

31689
�-

321.382
�f\J 479
 1, t
•
'

. ' ..

"

l ) l . l

1 l
TEMAS SELECTOS DE INGENIERÍA

El diodo PN de unión
Segunda edición

'

GEROLD W. N'EUDECK
..

Purdite University
.
•

'

••

•
•

Versión en español de
Bartolomé Fabian-Frankel
Universidad Tecnológica Nacional
Bue11os .Jlires, Argentina

Con la colaboración de
Juan l\.1iguel Lópcz
Universidad Politécnica ele Cata!uíia
Barcelona, E::i¡Ja11a

0)1
00
e.o
.

'f/¿'Y ADDISON-WESLEY IBEROAMERICANA

Argentina • Brasil • Chile • Colombia • Ecuador • España
Estados Unidos • México • Perú • Puerto Rico • Venezuela
Versión en espaíiol de la obra The PN Junction Diode, Seco11d Edition, de Gerold \V. Neudeck, publicada originalmente en inglé�
por Addison-Wesley Publishing Co., E.U.A. © 1989 por Addi�on-Weslcy Publishing Co.

Esca edición en español es la ún i ca autorizada

' '

ADDCSON-WESLEY IBEROAMERICANA

Malabia 2363-2° G, Buenos Aires 1425, Argentina

Ave. Brigadeiro Luis Antonio 2344, Conjunto 114,
Siio Paulo 01402, Sao Paulo, Brasil
Casilla 70060, Santiago 7, Chile
Apanado Aéreo 241-943, Santa Fé de Bogota Colombia,

Espaltcr 3 bajo, Madrid 28014, España

7 Jacob Way, Reading, Massachuseus 01867, E.U.A.
Apartado Postal 22-012, i'vléxico D.F. 14000, l\1éxico
Apartado Postal 29353, Río Piedras, Puerio Rico 00929
Apanado Postal 51454, Caracas 1050-A, Venezuela

© 1993 por Addison-\Vesley lberoan1ericana, S.A.

Wilmíngton, Delaware, E.U.A.

Impreso en Estados Unidos. Printed in U.S.A.

ISBN 0-201-60142-7

1 2 3 4 5 6 7 8 9-CRS-98 97 96 95 94 93
Prefacio

Los dispos itivos de estado sólido han alcanzado un nivel de perfeccionamiento e

imp ortancia económica que excedió las más altas expectativas de sus inventores.
Al ofrecer permanentemente dispositivos de mejor compo rtamie nto a un costo uni­
tario decreciente, Ja industria electrónica ha penetrado en n1ercados nunca antes
considerados . Como requisito para man lene r esta iniciativa de crecimiento, es ne­
cesaria una amplia comprensi ón del funcionamiento interno de los d ispo s itivo s de
estado sólido por parte de los diseñadores modernos de circuitos electróni cos y sis­
temas. Esto es ese ncial, pues tanto el sist ema como el circuito y los procesos de
diseño del circu ito integrado se fusionan en una f unc ión única. Teniendo en consi­
deración los requerimientos actuales y proyectados, hemos escri to una serie de
te xtos* que brindan una fundamentación intuitiva y analítica firme para tratar Jos
dispositivos de estado sólido.
Nuestros libros están dest inados a estudiantes de los últimos años de los cursos
básicos o del p r imero del superior, que hayan tenido al menos una e xp osición in­
troductoria a l a teoría del campo eléctrico. Se pone énfasis en el desarrollo de una
comprensión fundamental sobre el funcionamiento interno de la mayoría de las
estructuras básicas de los dispositivos de estado sólido. Quitando a lgu n os temas,
el n1aterial de estos libros se utiriza en cursos de ingeniería eléctrica y electrónica
e11 la Purdue University.
Los diversos libros son relativamente independien t es entre sí, aunque algunas
fórmulas necesariamente se repiten y se hacen referencias cruzadas. Esta flexibili­
dad permite utilizar Jos libros de acuerdo con las necesidades esp ecíficas de cada
currículo universitario, ya sean como textos de un curso completo o como material
complementario. También se espera que estudiantes, i11genieros y científicos en­

cuent re n útiles e�tos libros par a su in s tru cció n personal ,sea como ref eren�ia,repaso
o estu dio en casa.
Muchos de los textos estándar sobre dispositivos se han escrito con10 enciclope­
dias, atiborrados de información, pero con poca visión sobre cómo el estudiante
apren de o razona. Los libros que son de naturale z a enciclopédica f recue n temente
resultan difíciles de leer para los es tudiantes , y pueden hasta presentar barreras a
la comprensión. Al fragmentar el material en unidades de información más peque-
.
ñas, y al escribir para estudiantes, esperan1os haber logrado libros realmente legi-

*La versión en español de las obras de los profesores Pierret y Neudeck fonna parle de Ja serie "Te­
mas selectos de ingeniería.", publicada por Addison·Wesley lberoarnericana. (N. del E.)
 bles y comprensibles. Tan1bién hemos buscado obtener un balance equilibrado entre
presentación de conceptos básicos e información práctica.
Los problemas que aparecen al final de cada capítulo constituyen componentes
imp ortant es del program a de aprendizaje. Algunos de esos problemas amplían la
teoría expuesta en el texto, o están elaborados para reforzar temas de n1ucha im­
portancia; otros son problemas numéricos que proveen al lector una sensación in­
tuitiva sobre la dimensión típica de los parámetros clave. Entonces, cuando se
establezcan o presupongan aproximaciones, el est udiante podrá confiar en que unas
cantidades citadas serán efectivamente más pequeñas que ot r as e11 varios órdenes
de 1nagnitu d Estos problemas de final de capítulo varían en dificultad, desde ser
.

muy sencillos hasta llegar a constituir verdaderos desafíos. En la segunda edición

de este título se han agregado problemas resueltos o ejercicios, que aparecen reco­
pilados en el apéndice A, y se hace referencia a ellos en el texto. Los ejercicios son
de na turaleza sin1ilar a los problemas de final de capítulo. Fina11nente, el apéndice
B contiene grupos de problemas con soluciones de revisión que abarcan todo el
volumen. Esios conjuntos presenlan consultas de respuesta breve, del tipo utiliza­
do en exámenes o evaluaciones, y pueden servir de revisión o para autoevaluación.
Reiteramos que en nuestros libros se pone énfasis en el desarrollo de una com­
prensión definida sobre el funcionamiento intrínseco de la mayor parte de las es­
tructuras de los dispositivos de estado sólido. No obstante tenemos la esperanza
,

de que ayudarán (y quizás n1otivarán) al lector para extender sus conocimientos

.al aprendizaj e sobre muchos otros dispositivos ya en uso, y aun a buscar informa­
ción sobre los que están en etapa de desarrollo en laboratorios.

Gerold W. Neudeck
Roberl F. Pierret
Purdue University

VJ
Nota al lector de la versión en español

La presente obra fue publ icada en inglés dmtro de Ja serie "!v!odular Series on Solid
State Devices" de Addison-Wesley Publishilg Company. De esa serie, se encuentran
disponibles e n español los siguientes títulos:
1. Pierret, R.F., Fundatnentos de se11iico1dt.1ctores, Segunda edición
2. Neudeck, G.W., El diodo PN de unió1. Segunda edición.
3. Neudeck, G.W., El transistor bipolarde unión. Segunda edición
4. Pierret, R.P., Dispositivos de.efecto d1 campo. Segunda edición
Todos son parte de la serie Temas Sele;tos d e Inge niería de Addiso n-Wesley
Iberoamericana.
Se sugiere al lector estudiar los libro� en el orden arriba indicado, ya que así
fueron concebidos originahnente.
,

Indice general

Introducción Xl
•

1 Introducción al diodo 1

1.1 Técnicas de fabricación de la unión p-n 1

1.1. l Uniones de aleación l
1.1 .2 Crecimiento epitaxial 2
I :1.3 Difusió11 térmica 3
1.1.4 Implantación iórúca 8
1.2 Fotolitografía para control geométrico 10
1.3 Símbolos y definiciones del diodo 1'1
1.4 Resumen 12
Problemas 13

2 Estática de la uni ó n P-N 19

2.1 Electrostática de equilibrio, análisis cualitativo 19

2.2 Potencial interno Vbi 26
2.3 La aproximación de vacian1iento 28
2.3.1 Aproximación por vaciamiento 29
2.3.2 Anchura de la región de vaciamiento 33
2.4 Electrostática de la polarización directa e inversa 35
2.4. l La región de vacia1 �1iento n, O < x < x11 36
2.4.2 La región de vaciamiento p, -:<p � x < O 37
2.4.3 Polarización directa, VA > O; VA < vbi 37
2.4.4 Polarización inversa, VA < O 39
2.5 Uniones graduadas linealmente 39
2.6 Resumen 43
Problemas 43

3 Característica volt-ampere del diodo ideal 47

3. l Equilibrio térmico 47
3.2 Características V-1 cualitativas 50
3 .2.1 Polarización directa, VA > O 51
3.2.2 Polarización inversa, VA < O 53
3.2.3 El circuito completo 55
 3 .3 La ecuación del diodo ideal: ded ucció n del plan de trabajo 57
3.3. J Consideraciones generales 57
3.3.2 Condiciones de frontera en x11 y -xP 60
3.4 La ecuación del diodo ideal: deducción 63
3.4.1 Regió11 masiva n, x � xn o x' � O' 64
"
3.4.2 Región masiva p, x < -x
P
o x s O 65
3.4.3 Ecuación del diodo ideal 67
3.5 I n t erp retación de los r es u ltados 67
3.5.1 Característica V-! 67
3.5.2 Componentes de la corrienLe 69
3.5.3 Concentraciones de portadores 69
3.6 Resumen 70
Problemas 71

4 Desviaciones respecto al diodo ideal 79

4.1 Desviaciones respecto al ideal, en polarización inve rsa 79

4. J .1 Ruptura de avalancha 80
4.1.2 Ruptura Zener 83
4.1.3 G ene ra ci ón en W (regió n de vacian1iento) 85
4.2 Desviaciones respecto al ideal, en polarización di recta 87
4.2. J Reco m binación en W (región de vaciamiento) 88
4.2.2 I nyecci ón de alto nivel 89
4.2.3 Efectos en la región masiva 90
4.3 Resumen 91
Problemas 92

5 Admitancht de la unión P-1V 97

5.1 Adn1itancia de la un ión en polarización inversa 97

5.1. 1 Capacidad de vaciamiento en polarización inversa 98
5.1.2 Conductancia 102
5.2 Adm ita ncia de la unión en polarización directa 104
5.3 Casos extremos 109
5.3.1 A.dmitancia del diodo p 1 -n 109
5.3.2 Diodop+-n, wTP �I 111
5. 3. 3 Resistencia serie 111
5.3.4 Diodo p-n+ 112
5.4 Rcsu1nen 112
Problen1as 113

6 Respuesta a la conmutación 115

6.1 El transitorio de desconexión 115

6.2 Análisis del tiempo de almacenamiento 120

X
 6.3 El transitorio de conexión J 25
6.4 Resurnen 128
Problen1as 128

7 Contactos metal-semiconductor 131

7.1 Introducción 131

7 .2 Díagramas de bandas de energía en equilibrio tér1nico de la
unión metal-semiconductor 131
7 .3 Electrostática del diodo de barrera Schottky ideal 133
7 .3 . 1 En polarización 137
7 .4 Características !-V del diodo de barrera Schottky ideal 138
7 .4.1 Equili brío térmico 139
7 .4.2 Polarización directa, VA > O 141
7.4.3 Polarización inversa, VA < O 143
7.5 Capacidad de vaciamiento 144
7.6 Desviaciones de los diodos de barrera Schotlky, respecto
al ideal 146
7.7 Contactos óhrnicos entre un metal y el silicio 147
7.7.1 Contacto túnel 148
7. 7.2 Contacto con potencial Vbi negativo 149
7.8 Resumen 151
Problemas 151

Bibliografía recomendada 155

Apéndice A. Ejercicios 157

Apéndice B. Conjuntos de problen1as d e revisión y soluciones 167

Conjunto de problemas A 167

Conjunto de problemas B 168
Soluciones a los problemas de revisión del conjunto A 171
Respuestas a los problemas de revisión clel conjunto B 173

Apéndice C. Lista de símbolos l 77

Apéndice D. Tablas 181

Constan tes físicas 181
Factores de conversión 18 l
Propiedades del silicio 182

Índice de materias 183

XL
 1 Introducción al diodo

Para producir un diodo de unión p-n se forma un único cristal semiconductor, de

nlanera tal que una parte del cristal está dopada tipo p y la otra parte lo está tipo
n. * Las uniones se clasifican según la transición desarrollada entre el tipo p y el
tipo n dentro del cristal único. Cuando la transición es extremadamente angosta,
se dice que la unión es abrupta; en cambio, la unión gradual es aquella en la que
la región de transición se "extiende" a una distancia mayor. En capítulos posterio­
res s e indicará cómo la naturaleza de lo abrupto de la unión, afecta las característi­
cas eléctricas.

1.1 TÉCNICAS DE FABRICACJÓN DE I,A UNIÓN p-n

Para formar las uniones p-n abruptas, se liga en aleación u11a impll'reza sólida (1ne­
tal) con el semico11ductor, o se efectúa un crecimiento epitaxial de silicio directa­
mente sobre un sustrato de silicio. Para producir las uniones graduales, se utiliza
la difusión gaseosa o la implantación iónica de impurezas en el sustrato semicon­
ductor.

1.1.1 Uniones de aleación

Las uniones p-n n1ás idealmente abruptas resultan de un proceso de fabricación de­
nominado aleación. En este proceso, se forma una unión p+ -n partiendo de una
oblea de material semiconductor tipo n, sobre la que se coloca una impureza do­
pante (frecuente1nente un 1netal), y se calienta hasta que la impureza reacciona co11
el semiconductor. En la figura 1.1 se ilustra este proceso para silicio tipo n y la in1-
pureza dopante de aluminio (Al) o indio (In). Debe recordarse que el aluminio y
el indio actúan como impurezas aceptoras en el silicio. Cuando se las calienta a una
temperatura de aleación de unos 580 ºC, el Al se ablanda, y "muerde'' parte del sili­
cio que s e encuentra bajo el Al fundido; es decir, se forma una solLtción de áton1os
de Al y Si. Si entonces se reduce cuidadosamente la te1nperatura, sobreviene una
recristalización del silicio en los emplazamientos atón1icos _de la oblea de silicio tipo

*Se puede encontrar una descripción más detallada sobre la fabricación ele la unión p-il en el libro
de R .C. Jaeger, lntroduction 10 Microelectro11ic Fabricu1io11, Reading, Mass Addison-\)v'esley, 1983 .
. .

•
 .
Gránulo de aluminio Granulo de ;;iluminio

� ·!(: i'?t<' :; : :, .
.�¡:: ¡¡¡¡fJ���f.� ¡ f�¡ ¡�¡��Jt.���JJ¡�::.

\
Silicio tipo n \
Silicio tipo n

(a) (b)

Aluminio ....

--...
Silicio tipo n

(e)

Figura l. l (a) 1-\leación de Al sobre silicio-n; (b) sección Lransversal de (a) tras la Tusión; (e)
sección transversal (a) tras la fusión y el enfriamiento.

n, que actúa como sustrato. Sin embargo, la cantidad ele áto1nos de Al presentes
en l a solución Al-Si, es n1ucho n1ayor que la ele las impurezas de tipo r1, y entonces
la región de recristalización se convierte en una regióri fuertemente dopada d e tipo
p. De hecho, se trata ele una de tipo p degenerada, o p+. La cantidad máxima de
áto1nos de /\.l posible en el silicio, e11 condiciones normales, se denornina límite de
solubilidad sólida ( ::::: 3 x 1018/co13 de Al en Si a 580 ºC). El resultado neto del
proceso de aleación es una unión p+ -n con transición rnuy aguda (abrupta} entre
las i1npurezas tipo p y tipo n. Como se puede ver en la figura 1.1, el resto de Al,
que no se ha incorporado al silicio, queda en la superficie, y constituye un adecua­
do co11tacto e lé.ctrico con la región p+. Convie11e notar tarnbién que el Al h a for­
mado selectivamente la geometría superficial (área) ele la unión p+ -11.

1.1.2 Crecimiento epitaxial

Ot.ro método por el cual se puede forinar una unión abrLlpta es el crecimiento epi­
taxial de una capa de se1niconductor sobre el sustrato de un cristal sen1iconductor
único. Esta técnica es de uso n1uy común en los circuitos integrados bipolares. Al
crecirniento epitaxial se le acompaña de un calentan1iento de la oblea receptora,
por ejemplo, silicio tipo n, y sobre la superficie se hace circular un gas que contiene
tetracloruro de silicio (SíC14) con hidrógeno (H) en un flujo controlaclo. Los ga­
ses reaccionan, y producen un depósito de átomos de silicio sobre la superficie del
sustrato. Como la terr1peratura excede, por lo general, los 1000 ºC, los áton1os de Si

2
 d ep ositados tienen suficiente energía y rn ov ilid acl con10 para ali n earse adecuada­
mente en Ja red cristalina de la oblea receptora. Esto constituye una exte nsión de
la red, re s pect o a la superficie original. Las tasas de crecimiento de la capa epita­
xial son del orden de ::::: 1 micr a por minuto.
Se pueden agregar áto1nos de impureza en forn1 a de con1puestos gaseosos, al
gas p or tador durante el p roceso de crecjmienlo epitaxial, para formar capas ya
,

sean de tip o no de tipo p. C omo ele1nentos dopantes típic os se ut iliza e l dibo ran o
(B2H6) para capas ti po p o fosfina (PH3) para capas de silicio tipo 11. Se parte de
un sus trato tipo n y el crecin1iento de una ca pa epitaxial (epi) tipo p, prod uce una
unión p-n bastante abrupta. Por supuesto, también son posibles otras cornbinacio­
nes, c o mo hacer que de pos ite una capa epitaxial tipo n sobre u n sustrato tipo p.
Se utiliza extensa1ncnte el proceso e pitaxial para realizar circuitos in t e g r ados (IC;
integrated circuifs) bipola res y CMOS (cornplementa1y metal-oxide-serniconduc­
tor). El diodo de u n ió n p-n formado duran t e e l proceso ''epi" se mantiene polari­
zado en forn1a inversa , lo qu e brinda aisl a m iento del dispositivo circuital respecto
al s ust rato . Tarnbién se ha utilizado la epitaxia en la formación de estructuras SOS
(siíicon-on-sapphire; silicio sobre zafiro, o sific.:on-on-s¡Jinel; sil icio sobre espine-.
la). l .as espinelas s on diversas niezclas de Mgü (óxido de magnesio) y Al203 {óxi­
do de alu m i n io), y e s tán íntimamente ligadas a l zafiro. Para abre via r , se deposita
cpitaxialmenle silicio dopado sobr e sustratos de zafiro o espinela. El a li cient e de
este procedin1iento lo consti c uye J a excepcional cualidad aislante de los sustratos
de zafiro o de espi ne la en circuitos aislantes y en dis e ño s de c ircuit os integrados
,

que requieren dispositivos de alta vel oc idad , esp ecialm e nte en c i rcu it o s de aila in­
tegración (L SI ; /arge sea/e integration). Actual111ente se encuentran en desarr ol lo
otras técnicas, como SOI (silicon-over-insu/ator; silicio sobre a islante).

1.1.3 Difusión térmica

Las uniones en las que la transición de silicio del tipo pal tipo n se produce en m u­
chos espacios atómicos, se denominan uniones graduales. Hay un p r ocedimiento
que es n1uy i1nportantc en la industria de fabricación de sen1iconductores, que con­
siste en la difusión gaseosa (térn1ica) de imp ure zas directamente en el s ustrato. Se
in troduce n las impurezas en un gas portador inerte, y se las hace circular sobre la
superficie de la oblea de silicio. Debido a la alta temperatura y a Ja gran cantidad
de i1n p u rezas en la su perficie los átornos de irnpureza migran (se di funden) pene­
,

tr a n do en el cristal. Como es de esperar, la distribución de i1npurez as (concentra­

ción) es may or cerca de la superficie, y d isminuye progresivamente al pen etrar dentro
en el cristal. las imp u reza s se distribuyen típicamente en una función d e e rror com­
plementaria o en una función g a uss ia n a (lo cual se trat a n1ás adelante).
El silicio tiene una propiedad imporlante que es la capa cidad de su óxido natu­
ral, el dióxido de silicio (Si02 ) de formarse en una atmósfera oxiclante. El Si· 02
,

es un vidrio y, con10 tal, insensible a la hurnedad y a o tros conta1ninantes. Tam­

bién sirve con10 barrera a la difusión de las impu re z as deseadas y, por Jo tanto,
per n1 ic e ·un control geométrico preciso del área de unión /J-n. En la figur a 1.2 se

3
 Ventana

Si Silicio tipo n

:ZL//c...2�2'-'-2LJíl
..t.. ____ ..ifZ 7¿
22L
u./.42LÜ'. t..2u.'.L.
'/,
t... %�2'.':-- Dióxido de silicio
c..
Silicio tipo n

(a)

(b)

�Z?222?/Zqí1�L---
-VZI22;7ZZZ2/ 2ZZ77ZZ'.L/2ZZ7ZZZi'!�- Dióxido de silicio
_Sili cio tipo p
\__
_/ Silício tipo n

(e)

Figura 1.2 (a) Venrana en Si02; (b) corre transversal anees de la difusión; (e) corte transveral eras
la difusión de in1purezas p.

puede ver cómo se utiliza el Óxido para defiñir Ja geometría superficial de un diodo
de unión por difusión, (gradual).
Tan importantes son las propiedades del Si-Si02 que, sin ellas, toda la i n dt1s­
tria de computadores no podría ni existir, en l a forma en que la conocemos hoy
día. El dióxido de silicio nos ha permitido constr uir cir cuitos i ntegrados en grandes
volúmenes, y económicarnente, si n él, los sisten1as estarían lin1itados en fiabilidad •

y c o mplejidad, y su costo sería prohibitivo. En los próximos capítulos se ahondará

más sobre este tema, al tratar cada dispositivo.
Durante la difusión, Ja concent ració n de impurezas en la superficie, impon� una
condición de frontera al proceso de difusión. Si se n1antiene constante la concen­
tración de i1npurezas én la superficie, en N0 impurezas/cm3, la distribución de im­
purezas puede ser aproximada por una función de error complementaria, como
se ve en Ja figu ra l .3(a). En l a superficie hay una fuente ilitnitada de i mpu rezas.
Comenzando en la superficie, la concentración de impurezas disminuye al ir pene­
trando hacia el interior del semic onductor. La función de error complementaria
es otra de esas funciones i10 usuales, cuyo valor se obtiene frecuenteme11te de gráfi­
cas, integración n u mérica o tablas. Nótese que erfc(,\') = (1 - erf(x)]. La ecuación
(1.1) expresa la forma matemática de la fu nción.

N(x, t) = N0 erfc , (1.1)

2 '\/Di

4
 �
'' � '
- -

\ .... -.....
' \. " -......
\ " ......
\l ""' "
"" elle [ 2-JDIJ
\ ' 1\ '
' '
1 "
" ""
\ - "•
"
\ "\.
\ �VDt=3µ
í\''
' '
" "
'
" '"
\ '\"
\\ 1\.
1
5

\ '\
' •
' 1

\
\
\
' \
\
o. 2µ 0.5.u 1 ¡t
\2 µ 1
•
'
\
\
\\
'

t, 1
2 1
3
t·1\
1 2 3 4 5 6 7

x (11) micras

(a)

Figura 1.3 (a) Función de error comple1ncn1aria.

5
 .
Dióxido de silicio

Silicio tipo n

(b)

Figura 1.3 (b) Eje de coordenadas x para las impurezas.

donde

D es la constante de difusión, que es fltnción de la ten1peratura y el tipo de do­

pante (cn12/s),

t es el tiempo que dura la difusión (s),

N
0 es la concentración superficial(#/cm3).

La constante de di fusión para las in1purezas crece exponencialmente con la tempe­

ratura. En la figura 1.3(a) se puede ver que a n1edida que el tiempo de difusión
y la temperatura crecen, las impurezas se desplazan penetrando en el interior del
sustrato. Además, tambjén aumenta la cantidad total de impurezas en la muestra.
Debe resultar obvio que cuando las impurezas difundidas exceden a las del sus­
trato(cantidad de fondo), se produce una "compensación'', y el semiconductor
de base en esa zona se convierte al otro tipo. La uniónp-n se forma bajo la superfi­
cie, una distancia donde NA= N0, como se indica en la figura 1.3(b). Ésta se
a

denon1ina unión n1etalúrgica n(,"(¡).

Cuando la cantidad total de in1purezas está li1nitada a una cantidad fija (fuente
Umitada), su distribución es aproximada por una función gaussiana descrita por
la ecuación (1.2), e ilustrada por l a figura 1.4 ..

N (x , t) Q e -x2f(4D1) ' (1.2)

A -v:;¡:j)t
=

donde

Q es la cantidad total de impurezas deposiLadas inicialrnente cerca de la superfi­

cie(#),
A es el área(cn12),
D es la constante de djfusión, una función de la temperatura y del tipo de dopan-
te (crn2/s), ,

t es el tiempo de difusión (s).

Debe notarse que la concentración en la superficie (donde ,1; = 0) no es constante

y decrece cuando crece el tie1npo de difusión. A cierta distancia de la superficie,

6
 105

...

�l\
O/A :; COOSlante

'104

' --
'
'\
\

\ .......
\
'
\
�"'-
\ .....
'
\ '
N(x, t) \ "
Q/A \ "'
""
""'K
3µ = 2J(5í
1 02 '
'
'
'
'\
'\
r�
\
•

'
o.2µ 0.5µ lµ
101

r, 12 13

100
o 1 2 3 4 5 6 7

x (µ) micras

Figura 1.4 Distribución gaussiana normalizada de impurezas.

7
 •

--- Unión escalón

• • • •• •• • • • • • • º • • . :-.
•....,.
...._,
.,. •-No ·

(a) (b)

r:igura 1.5 Perfiles de i1npurezas: (a) impurezás p difundídas en un sustrato n unifon11e; (b)
unión p-n a/Jrup1a · · · · · · · , unión escalón.

la distribución de impurezas tiende <\ una exponencial, lo que se hace patente

por la porción de línea casi recta hacia abajo en la figura 1.4
En la unión, las impurezas varían en funciór1 de la distancia; de ahí el nombre
de unión gradual. La figura l .S(a) ilustra el perfil de in1purezas de la unión gradual
ideal, para impttrezas tipo p difundidas en u n sustrato tipo n. Se puede contrastar
coIJ la unión abrupta de la figura l .5(b). También aparece ilustrada la u.nió11 abrupta
ideal, misn1a que, a partir de ahora, se denominará unión escalón. La unión esca­
lón es una buena aproximación matemática a la unión abrupta (real).

VÉASE EL EJEI�CICIO 1.1. APÉNDICE A

l.1.4 Implantación iónica

La irnplantación iónica es una técnica para introclucir impurezas en un sustrato mo­

nocristalino, por bombardeo directo. Se ionizan átomos de impureza, luego se ace­
leran en un ca1npo eléctrico elevado, a energías en el intervalo de 1 a.300 keV, y
se implantan directamente en el cristal. El potencíal de aceleración controla la pro­
fundidad a la que se implantan los iones de impureza, y el producto de corriente
por tiempo, determina la cantidad total de áton1os de impureza. Por supuesto que
el cristal result� dañado J)Or la colisión de los iones, pero con u11 recocido térmico
(calentarniento del semiconductor) se puede reparar este deterioro, lo que deja las
impurezas activadas y la red cristalina generalmente intacta.
Las ventajas de la implantación iónica consisten en un control d:e hnpurezas muy
preciso, un proceso de baja temperatura, y que para algunos sen1iconductores III-·
V y II-VI aquélla es el único método de dopado razonable. La implantación iónica
tiene también un gran potencial de aplicación para el desarrollo de futuros disposi­
tivos, ya que, en principio, se puede implantar casi cualquier átomo en cualquier
sustrato dado. La figura 1.6.muestra varios perfiles de implantación con un inter­
valo de voltajes de aceleración.

8
 1020

1 Q19

1018

? 1Q17
E
o

¿¡¡
1:)
1016
·¡¡;
e
Q)
o 1015
100 keV

1014

25 keV 50 keV

10 1 2 --�-�-�-�--...._ _ __...
_ . _...
_ __.
......_
_ ..__
_ _.
o 400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200 3600 4000

Recorrido de los iones (angstrom)

Figura 1.6 Perfil de i1nplan1ación iónica del fósforo en silicio con una dosis constante de
1 Q14/cm2.

Se utilizan perfiles de implantación muy poco profundos, como una "dosis'1

precisa par a una posterior difusión térmica en el cristal. Se aproxima la fuente cons­
tante de difusión, utilizando la función gaussiana de l a ecu ación (1.3). Ésta es una
práctica muy común en la fabricación actual de transistores bipolares pequeños
(unión superficial) y IvIOS.

(1.3)

donde

<f> es la dosis (#/c1n2),

t:.RP es la desviación estándar del perfil de impurezas (cm),
RP es la posición del do pado 1náxirno (cn1).

Conviene notar que, en l a fig ura 1.6, la desviación estándar (D.RP) y la posición
de.I dopad o máximo (RP) son funciones del voltaje de aceleración (energía de los
iones), y del tipo de ion que se implanta. También, la orientación del cristal y el
material del sust ra to afectan estos parán1etros.

"
1.2 FOTOLffOGRAFÍA PARA CONTROL GEOMÉTRICO

En la sección anterior se presentaron n1étodos por los que se podía controlar Ja

geon1et ría de la superficie de la unión p-n. El método más universal es el de utilizar
una n1áscara que actúa como barrera para los átomos de i mpureza, mientras que
se hacen aberturas o ventanas donde se desea que haya penetración de impurezas.
Por ejemplo, en la figura 1.2 se mosLró la difusión térmica de impurezas en silicio,
a t ravés de una ven tana en el Si02. Uno pod ría preguntarse, "¿cómo se puede rea­
lizar una ver1tana de 2.54 µ1n de lado en el Si02?" Una diezmilésima de pulgada
es, precisamente, 2.54 10-4 cm
x = 2.54 µm. La respuesta es: utilizando un pro­
ceso d eno min ado fotolitografía.
La fotolitografía utiliza un vie jo procedimiento conocido como ''fotograbado",
que se desarrolló para posibilitar la fabricación de piezas de máquina diminutas.
Ahora, con una escala mucho más reduc id a, y destinada a cortar ventanas para
la fabricación de c ircuitos integrados, el proceso se ha vuelto sumamente elabora­
do. En la figura 1. 7 se n1uestran los pasos utilizados para la producción de ventanas
en Si02, Jo cual sirve sólo de ej en1plo de los n1uchos caminos posibles en usó ac­
tualmente.
Se coloca u11a oblea de se micon duc tor en un horno de oxidación a1Jroximada­
me nte entre 1000 y 1200 ºC, en un flujo o atmósfera de oxígeno, para dar l ugar
•

al c recimi ento de unos pocos de miles de angs trom ( ::-: 5000 A) de dióxido de silicio

Fotorresina de revelado
1

Silicio Silicio

(a) (b)

Fotorresina de revelado

Silicio
Silicio

(e) (d)

Figura 1.7 Fotoli1ografía: (a) exposición de la fotorrcsina; (b) fotorresina de revelado; (e)
dióxido de silicio grabado; (d) vent an a en el dióxido de silicio.

10
 (Si02) en Ja superficie. Los gases proveen la componente de oxígeno y la oblea de
silicio aporta los áLon1os de silicio. Corno r esultado, el Si02 utiliza algo del silicio
de la superficie de la oblea. Una vez finalizado, la superficie del silicio, anteriormente
color gris metálico, presenta una varieclad de colores que dependen del espesor de
la capa de dióxido ele silicio. Por esta razón, las imágenes de los circuitos integrados
son polícromas, con 7.0nas en az u l, verde, rosa, etcétera.
I,uego se cubre el Si02 con una capa de n1aterial líquido fotorresistente, deno­
minadofotorresina, que es ünpern1cable al ataque del ácido de grabado, pero sen­
sible a ciertos tipos de ilun1inación, generalrnenre la luz ultravioleta. Típicamente,
la fotorresina liquida se aplica gjr ando la oblea a alta velocidad, pa ra lograr una
capa delgada muy uniforme. Tras calentar para su endureci1niento, Ja fotorresina
está lista para la exposición. La fotorresina endurecida es similar a una en1ulsión
fotográfic a. En la fig ura 1. 7(a) se ve el próxin10 paso, el de la colocación de una
foton1ásc a ra (si111ilar a la irr1agen revelada de un negaLivo fotográfico) sobre la oblea
y Ja exposición con lu7. ulcravi o leta del material fotorresistente, en a quellas áreas
en las que debe q11edar el Si02. La ilun1inación hace que polim ericen (se endurez­
can más) esas áreas de la fotorresina. A continuación se revela la fotorresina, en
forma 1nuy simi la r a una p laca fo tográfica ordinaria. La superficie no expuesta
a la luz ultravioleta, es lavada y des aparece, lo que deja el Si02 desnudo solamente
en las áreas no expuestas de la figura l. 7(a), lo que se puede ver en l a figu ra 1 . 7 (b).
Ahora se utiliza un ácido de base fluorhídrica, que no ataca a la fotorrcsina nj
al silicio puro, para atacar y corroer la ventana en el Si02, como se ve en la figura
1. 7(c). Finalinente, se arra nca la folorresina del Si02, con lo cual queda una ven­
tana en el Si02 abierta a la superficie del silicio. La oblea está ahora li st a para la
difusión térmica de áton1os de in1purcza a través de la v entana en el Si02, con10
se ve en la figura l.7(d).
El proceso básico de f orolitografía s e aplica en rn u chas cornbinaciones diferen­
tes, de las que aquí se ha presentado solamente una. Por ejemplo , l a focorresina
podría ser del tipo opuesto que, con exposición a la luz, se hace so luble al revela­
dor; por tanto, las zonas expuestas a la luz ultravioleta desaparecerían. Prescin­
diendo de los detalles específicos, se u t ilizan la fotornáscara, la fot.orresina, la luz
y el grabado con ácido, para abrir superficies específicas en el Si02.
En la nueva era de los VLSI, es decir los circuitos integrados de n1uy alta escala
de incegrac_ión, que ya se van e xtendien d o a los ULSI, que son d e ultra alta es­
cala, la longitud de onda de la iluminación es demasiado elevada para los detalles
geométricos requeridos. Entonces, la difracción comienza a convertirse en un pro­
blen1a, y se recurre a la fotolitografía de rayos X o de haz de electrones para la
exposición de fotorresinas especiales. En Ja irnplantaci6n iónica, la fotolitografía se
uliliza para abrir ventanas en Si02, fotorresina, o metales que sjrven para enmas­
carar la superficie del silicio. El requisito es que el espe�or sea suficientemente grande
para impedir que los iones implantad os alcan cen el silicio.

1.3 SÍMBOLOS Y DEFl1�ICIONES DEL DIODO

El diodo de unión ¡J-11 estándar tiene como sín1 bolo una flecha que indica la direc­
ción del flujo de co rriente principal. En la figura 1.8 se puede ver e l sí1nbolo y la

11
 definición para voltaje y corriente positivas. Cuando se aplica voltaje positi v o a
la regiónp, y negativo a la región n se dice que el diodo está polarizado en sentido
directo, y la corrienle crece rápidamente con pequeños aumentos del voltaje. Éste
'

es el s entid o fácil de ci rc ula ción de la corriente. l-Iay polarización inversa cuando

la región pes negativa respecto a la región n; es decir, VA es un nú1nero negativo
y fluye muy poca corriente en sentido contrario a la flecha de acuerdo con el sím­
'
bolo. En los dos capítulos siguientes se trata del des ar r ollo y explicación del por­
qué el diodo no se coinporta de forma simétrica; es decir, por qué la c orr ien te fluye
de manera mucho más fácil en una dirección que en Ja otra. Esta propiedad de te­
ner un flujo de cargas no simétrico es la que permite al diodo tener aplicaciones
de enorme importancia.

1 '
1.4 Rcsu1nen

En este ca pí tu lo se expuso la forrna como se puede fabricar un diodo de unión p-n

por difusión, aleación o implantación iónica de impurezas en u n sustrato. El resul­
tado e s una transición abrupta de impurezas de tipo p a tipo n o viceversa. La dis­
tribución abrupta de impurezas puede ser aproxiinada por la función n1ate1nática
escalón, y s e denomina unión escalón. Los diodos del tipo aleación o epitaxial son
buenos ejemplos.
Las difusión térn1ica de impurezas constituye un ejemplo de distrib ución de im­
purezas gradual que, en las cercanías de la unión metalúrgica, puede ser a pr oxi n1a­
da r11aten1áticamente por una función line al .

La fotolitografía y el dióxido de silicio, actuando como barrera para las impure­

zas, permiten crear un área específica sobre el sustrato en la que se pueden introdu­
cir impurezas. La ubicación de la unión m etalúrgica bajo la superficie es una función
del tipo de dopante, del tiempo y de la temperatura del proceso. Se ap roximaron
las distribuciones de impurezas con las funciones gaussiana o de error complementaria.

+
VA
-
I

I
..

Polarización'

directa
+
VA

, __ __ p N

Polarización

Inversa

Figura 1.8 La polaridad del diodo de unión p-n.

12
 Una fuente ilimitada de impurezas en la superficie nos da una distribución del tipo
función de error complementaria, mientras que la i mplantació n de iones y difusión
térmica de una fuente limitada d e impurezas dan como resultado una dlstribución
gaussiana. La unión metalúrgica se produce a una profu ndidad en que la distri bu­
ción d e impurezas es igual al dopado del sustrato.

P['oblcinas

1.1 La co ncentrac i ór1 superficial está fijada en N0 = 1.8 x 10+20/cm 3 , al difundir

boro en un sustrato tipo n uniformemente dopado. La constante de di­
fusión atón1ica para el boro en Si, a temperatura de 950 ºC, es de 3.0 x

10- 15cm2/s. Calcule las profundidades de la unión metalúrgica para las condi­
ciones s iguientes :

(a) N0 = L.5 x 10+ 16/cm3; durante 30

min;
(b) N0 =1.0 x I0+15/cm3; durante 30 min;
'(e) difusión a 950 ºC dura nte 1 h 30 min; (i) N0 = 1.5 x lO�·l6/cm3 (ii) N0
= 1.0 X 10+ 15/cm3;
(d) generalice en una fórmula los resultados obtenidos.

Puede utilizar la tabla P1.1 o la figura P1.1 para evaluar la func ión erfc(x).

Tabla Pl.1

X erfc(.x-)

0.70711 3.1731 X 10-1

1.0758 1.2816 X 10-1

•
1.1633 1.0000 X lQ-I
1.4142 4.5500 X 10-2
1.8217 1.0000 X 1o-2
2.151:] 2.3427 X ]Q-J
2.3269 1.0000 X 10-3
2.7511 1.0000 X 10-4
2.7822 8.3333 x lo-s
2.8284 6.3372 x lo-s
3.1233 1.0000 X 10-s
3.2120 5.5600 X 1o-6
3.2277 5.0000 X 10-6
3.4587 1.0000 X 1o-6

!3
 100

10-2
.

10-3 �

10-•

10-s "
l

.
10-6

1
'

0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 1.7 1.9 2.1 2.3 2.5 2.7 2.9 3.1 3.3 3.5

Fig_ura P. 1.1 Datos de la función "crfc (x)".

14.
1.2 Se deposita f ósforo en la superficie de silicio a una temperatura entre 950 ºC
y 1300 ºC, con lo que se obtiene una concentración superficial casi constante
de aproximadamente l0+21/cm3, la solubilidad sólida del fósforo en silicio. Si
el sustrato es tipop y está dopado uniforrnemente a NA= 5.0 I0+15/cm3; yx

es difundido a partir de u11a concentración superficial constante, calcule:

(a) la p r ofundidad de la unió n, si l a difusión es a 950 ºC por (i) 30 min, y (ii)

90 rnin;
(b) repita (a) para 1050 ºC;
(c) el tiernpo necesario para colocar la unión a 1.2 micrones, con 1050 ºC.

Utilice la fórmula que aparece abajo para obtener la constante de difusión a

diversas te1n peraturas:

D 3.85 x e--[EalkTl don de E 3.66 eV y T está en K

=
=
a

J3
. Se difun den áton1os de boro en silicio, partiendo de una fuente limitada, que
corrlienza con una ''dosis'' de �
O/A = 5 x 1O + 14 /cm2 Tras Ja difusión a 1050
•

5 X 10-14 cm2/s), calcule:

ºC (Dboro =

(a) la concentración s u perficial tras (i) 30 n1in, (ii) 90 rnin;

(b) la concentración dopante tras 30 y 9Ó mio a (i) x = 0.1 µ,m, (ii) x = 0.5 µ,in;
(e) las profundidades ele unión si el sustrato es ti po n dopado a N0 = 5.0 x

10+ 15/cm3 tras (i) 30 min, (ii) 90 n1in.

1.4 La difusión de fósforo desde una fue11te li1nitad�, con una dosis de Q/A de
8 x 1ü+14/cm2en un sustrato dopado uniformen1ente a3.0 x 10·11s1cn13, se
realiza a diversas temperaturas. Calcule la profundidad de la unión si

(a) se difundió a 950 ºC durante 1 h;

(b) se difundió a 1050 ºC duran.te 1 h.

Utilice la fórmula del problema 1.2 para determinar la consta nte de difusión
.
atom1ca.
'

1.5 Se aplica dif usió n térrnica a un sustrato tipo n uniformemente el opado con ND
= 3 x 10-1· l5/cm3 de in1purezas tipo JJ desde una fuente limitada a una tempe­
ratura a Ja que D = 5.0 x io-14 cm2 /s . Si Q/A = 2 x 10+ 14/cm2, ca lcule:

(a) el tiempo de difusión requerido para xi = io-4 cm. ¿Cuál será entonces
la concentración superficial?;
b) el tiempo en (a) para xj = 2 µ,m. ¿Cuál es·la concentració11 superficial?

1.6 Por implantación iónica se introduce boro en un sustrato tipo n dopado unif or­
n1emente a N0 = 5.0 x to+ 15/cn13. La energía de implantación es de 60 keV a

15
 una dosis de 3 x io+ 14/cm2• Si la posición de dopado n1áximo es de 0.20 µm,
y la desviación estándar del perfil de impurezas es de 0.054 µm, calcule:

(a) la concentración máxima de boro;

(b) la concentración superficial;
(c) la profundidad de la unión, ,\'.j.

1.7 Para producir un "esquema de 1.netalización" en un circuito integrado VLSI,

se cubre la oblea con alum inio y luego se graba con los hilos conductores. Co­
,

mo la mayor parte del n1etal es retirada, se aplica una fotorresina del tipo opues­
to al d e la figura 1. 7. Dibuje las secciones transversales y la vista por elevación,
similares a las de la figura 1.7, para una metalización por fotolitografía; es
decir, para que se obtenga un cuadrado cte metal tras el proceso de grabado.
1.8 El perfil de dopado de la figura Pl .8 ilustra cómo por cornpensación del dopa­
do del material, se puede cambiar al otro tipo. En este caso se muestra córno
en un sustrato tipo n dopado uniformen1ente se difunden con impurezas tipo
p, y posteriormente tipo para crear una capa de material n-p-n. Sea N02
n =

3.0 x 10+ 15/cm3 y que NA tenga Q IA 2 x io+ 14/cm2 con D

= 5.0 x io- 14
=

cn12/s durante 8 h (tiempo total). La superficie JV01 tiene Q/A 8 x =

10+ 14/cm2 y D 10- 14 cm2/s durante 2 h (tiempo total). Suponga una super­
=

posición pe r fecta ele las impurezas y calcule:

(a) la profundidad de la uníón xi be;

(b) la profundidad de la unió11 xj eb;
(e) el espesor ele la capa p.

In

Figura Pl.8.

16
 1.9 Para demostrar la validez de la aproximación gaussiana, en el caso de una unión
de graduación lin eal de un sustrato dopado uniformemente, trace el diagrama
de NA - N0 en escala lineal desde 2.8 /lm hasta 3.2 µ.m, y co m párelo con una
línea recta. Trabaje con los puntos separados 0.05 /lm (8 datos), y aplique un
análisis de mínimos cuadrados para hallar la mejor aproximación a una línea
recta ¿Qué pendiente tiene 1.a
. r ec ta? Tome N0 = lü+15/cm3, D = 10-13
c1n2/s, Q/A =10+ 14/cm2 y t == 9.064 h.

'

17
 2 Estática de la unión p-n

En este capítulo se enfoca la atención sobre Ja región de transición entre las regio­
nes p y n del diodo en condiciones estáticas de polariLación (en corriente continua),
y se examinan, a la vez, el equilibrio térmico ( JIA = 0), la polarización directa (VA
> O) y la polarización inversa (VA < 0). La región cercana a la unión metalúrgi­
ca, la región de transición, frecuentemente recibe el nombre de región de vacia-
111iento pues, como se trata en Ja sección 2.1, son pocos los portadores n1óviles en
esta región, es decir, su población es pequeña en comparación con las regiones ma­
sivas alejadas de la Ünión. Para co1nenzar, se considera cualitativamente la unión
en condiciones de equilibrio, para establecer la densidad ele cargas, e l campo eléc­
trico y el potencial en la región de vaciamiento. Una vez establecidas estas n1agni­
tu de s, se introduce el concepto de potencial interno (po1encial cleforn1ació11 de la
unión) (Vb¡). A continuación se traca la aproxÍlnación de vaciamiento, para resol­
ver la ecuación de Poisson para <&(x) y V(x), suponiendo un perfil de dopado tipo
unión escalón, y VA = O. Posteriormente se extiende el análisis de tinión escalón

a las polarizaciones directa e inversa. La última sección bosq u eja el análisis de la

unión graduada linealmente y da los resultados para el campo eléctrico y el potencial.

2.1 ELECTROSTÁTICA DE EQUILIBRI01 ANÁLISIS CUALITATIVO

Antes de tratar sobre las propiedades estáticas de la unión, pasemos a especificar

claramente la configuración del dispositivo que abordaremos durante casi todo el
capítulo. La figura 2. l (a) ilustra la unión p-n abrupta tal como se fabrica; la parte
(b) de la figura es una aproximación unidimensional de lo que claramente e s un
dispositivo tridimensional. La aproximación unidimensional simplifica las "ecua­
ciones de estado'' a tina variable espacial, y facili ta la solución analítica de las ecua­
ciones diferenciales . Tal presunción se justifica si la mayor parte de la s variables
varían significativa1nente en una sola dirección. Esta suposición establece tam bié n
rnuchos conceptos i inportantes, que finalmente se aprox i m an excepcionalmente bien
a los datos experimentales de un diodo real. La lista cornpleta ele la mayor parte
de estas suposiciones incluye:

1. un dispositivo unidimensional;
2. una unión metalúrgica en x = O [véase la figura 2. 1 (b)] ;
3. una unión escalón desde NA hasta N0 con regiones p Y n dopadas uniforme­
mente [véase la figura 2.2(a)];
4. contactos óhn1icos perfectos muy alejados de la unión metalúrgica.

19
 - loJ
------- + VA - -----�

I
/
I

=*·
. ·�=-
p N ;: ·Área (cm2)
X

X¡= 0
X

(a} (b)

Figura 2.1 (a) Diodo de unión p-n abrupto; (b) unión escalón uniclin1ensional.

L,o tratado en el libro de Pierret, F1.tndatnentos de semiconductores (de esta se­

rie), suponía sobre todo sen1iconductores dopados de manera homogénea (unifor­
me). E11 el diodo de unión escalón, las secciones del sen1iconductor están
uniformemente dopadas, pero el dopado es diferente a an1bos lados de la unión
metalúrgica. El objetivo inicial será determinar y cuantificar los efectos de esta dis­
contil1uidad en el dopado. Para ello, se comienza por u n examen cualitativo de la
estructura, en condiciones de equilibrio.
En este caso particular, "equilibrio" significa sin tensión aplicada (VA = O),
sin iluminación que incida sobre el dispositivo, sin gradientes térmicos (temperatu­
ra uniforme), y sin aplicación de can1pos eléctricos o magnéticos. Las circunstan­
cias externas del dispositivo carecen, obvian1ente, de interés. En cambio, el punto
•

de vista interno del misrn.o resulta n1uy interesante. Con el propósito de determinar
la situación interna, comenzaremos por suponer que existe neutraliclad de carg a
en todo el dispositivo. Si fuera ésta la situación para la unión escalón de la figura
2.2(a), las concentraciones de portadores móviles sería11 las de las figuras 2.2(b)
y (c). Sin en1bargo, nótese que los huecos del lado p (p )* serían, por ejemplo,
P
I016/cn13, mientras que los del lado n (pn) serían 105/cm3 (si NA I016/c 1n3 y N0 :::.-:

= 1015 /cm3 en Si a temperatura ambiente). Por lo tanto, es de esperar que los hue­
cos .se difundan tendiendo a que su distribución sea homogénea en todo el mate­
rial. Para los electrones es válido un razonamiento similar. De manera específica,
las figuras 2.2(d) y (e) indican que los !1uecos se han de difundir desde. el lado p
hacia el lado n, n1ientras que los electrones se difunden desde el lado n hacia el
lado p. Idealmente, el proceso ele difusión continuaría hasta que las concentracio­
nes ele portadores se hiciesen iguales a a1nbos lados de la unión. Sin embargo, el

*Se han incluido los subíndices para identificar los portador.es rnayorítarios y tninoritarios: Pp sig­
nifica huecos en el rnarerial tipo p, p11 significa huecos en el n1acerial tipo n, etcétera.

20
 p N

p 11

p = Pp =NA Unión escalón

110161 (a)
---- ¡101S] 1.----- n -· n
n
= N0

P = Pn = n ¡ /No
[105] i-----
n = 11 = n2 /N
� • A.

p N p N

(b) (e)

p n

t
Pp ---.., O

\ \
'
\
\

p N p N

(d) (e)

---- Región masiva p -- l---- Regió n d e ·-

�
-t
• .. _ _,.,
_,_¡ ,.___ Región masiva n ------
vaciamiento

(f)

Figura 2.2 (a) Unión escalón; (b) y (c) concentraciones hipotéticas de portadores "iniciales"; (d) y
(e) representación aproximada de las concentraciones de portadores en equilibrio; (f) dia­
gramas (d) y (e) cornbinados. Los números encerrados entre corchetes, [ J, indican valores
típicos. El eje vertical está en escala logarít1nica natural (In).

21
 proceso de difusió11 no puede continuar de manera indefinida, porque destruiría
el equilibrio de cargas entre -qNA y qp del lado p de la unión, y e11trc qN0 y -qn11
P
del lado n de la unión. Cuando los huecos se difunden alejándose del lado p, dejan
detrás Jos átomos aceptores ionizados (N;), que están enclavados en su lugar den­
tro ele la estructu ra del cristal. Del lado n, los electrones que se alejan por difusión,
.' dejan detrás los átomos donadores ionizados (Nó), y una densidad de carga de
qN0. Es obvio que debe crearse una densidad de carga neta similar a la de Ja figu­
ra 2.3(b) n1ediante la reducción de las concentraciones de portadores mayorita­
,

rios. Por la ley de Gauss, una densidad ele carga neta Ílnplica a su vez la existencia
de un campo eléctrico y, por lo tanto, una di fere11cia de potencial. Como la carga
es positiva hacia el lado derecho de la unión y negativa hacia el lado izquierdo,
el campo eléctrico estará dirigido a lo largo del eje.negativo x; es decir, el campo
eléctrico es negativo. Por tanto, el campo eléctrico se opone a la difusión de huecos
desde el lado p y a la de electrones desde e) lado n. Dicho de otro modo, actúa como
para fijar los portadores en sus lugares de origen, inhibiendo una difusión ulterior
de los portadores mayoritarios .

Se puede establecer la forina general del campo eléctrico utilizando la ecuación

(2.1), donde la densidad neta de car ga p (C/cm3), es igual al desequilibrio entre
,

los portador es de carga y los iones.

'&(x) =
1 .{J p(x) cl'C (V/cm) (2.1)
Ksso _,.

d o nd e

K5 = constante dieléctrica relativa

del semiconductor (para Si, Ks = 1 1 8),
.

e0 - 8.854 x io-1414 (farad/c1n),

(C/cm3). (2.2)

Realizando una rápida integración gráfica de la figura 2.3(b), se obtiene el campo

eléctrico que está dibujado en la figura 2.3(c).
El p unt o inás i n1 po rtante de esta se cción es que la diferencia en la concentración
de portadores entre las regiones n y p hace que los portadores se difundan. Sin e1n­
bargo, la dif u sión tiende a producir un desequilibrio en las cargas. Este desequili­
brio de cargas, a su vez, produce un campo eléctrico, que se opone a la difusión,
de manera que en equilibrio térmico, el flujo neto de portadores es nulo. La re­
gión de carga espacial en las cercanías de la unión 1netalúrgica, en la que las concen-'

22
 Región
Región masiva p ¡- de vaciamiénto --¡Región masiva n

1 .
!
1 1
.

p N
1
•

1 .
\

. i 1 ' X
o
p
-x

X·
1
(a)

Densidad de cargas, p

--qNA
-xo
' +
1 X

x,,

(b)

Campo eléctrico i
,

-xp

(e)

V(x)

-xp x,,

(d)

Figura 2.3 Elecirostática de la región de vaciamiento.

23
 traciones de portadores móviles se ha reducido por debajo de sus valores de equili­
brio térmico, se denomina región de vaciamiento, lo que quiere decir que se h a va­
ciado la concentración de portadores mayoritarios.
Para continuar el análisis de los aspectos cualitativos de la unión p-n, se consi­
dera ahora el potencial V(x'), dentro de la región de vaciamiento, y a lo largo de
todo el dispositivo. Debido a la densidad de cargas y campo eléctrico resultante,
presentes dentro de la estructura, debe haber también un gradiente de potencial.
De la teoría del campo electromagnético,

rg = - V V (x ) (2.3a)

� = -dV/a:x, para problemas unidinlinsionales (2.3b)

y después, in1egrando la ecuación (2.3b),

V(x) = -J:,., 'g(x)d.x (2.4)

.
donde se ha elegido arbitrariamente V(-oo) = O, como punto de referencia.* Si
se efectúa una integración gráfica del campo eléctrico de la figura 2.3(c), se obtiene
la función potencial que aparece en la figura 2.3(d). Obsérvese que hay un voltaje
(Vb¡), deno1ninado potencial interno que aparece sobre la región de vaciamiento
del dispositivo, aun en equilibrio térmico. Se puede imaginar este potencial interno
como algo similar al potencial de contacto entre dos n1etales diferentes. En la sec- '
ción siguiente se deduce una relación para Vbi·
En este mon1ento, el lector p9dría muy bien preguntarse: "¿Se puede aplicar
el modelo d e bandas de energía a la unión p-n, y obtener la misma información
sobre p, X, V(x) y Vbi que hemos visto?" Para que sea· un modelo consistente,
Ja respuesta a la segunda parte de la pregunta, debe ser: ''Sí". Para aplicar el mo­
delo de bandas de energía, co11viene recordar que para que haya equilibrio térrni­
co, el nivel de energía de Fermi debe ser una constante, independiente de la posición.
Por lo tanto, para trazar el diagrama de bandas de energía, hay que dibujar una
línea recta para Er: a ambos lados de la unión. A continuación, se trazan líneas
para Ec, Ev y E¡. paralelarnente a EF para l a región p, a una gran distancia
de la unión. Se repite este procedimiento para la región n, a una distancia grande de

*El potencial es arbitrario salvo una constante, de manera que se puede elegir, por ejemplo, V(00)
= O o V(O) = O.

24
 (/)
Ql
p N
e
e
-

<.>
.,
QI
Ql
1::>
ro

!?
·-

<l>
e
UJ
f, Er
•

E¡
. . . . . . ............
-
.
•
.
• •'

f. :F
'• •
••
• •
• •
• •'' •'
• •
•
1

(/)

8 qVi.
C>
:J
..e:
Q)
u _._
¡_____....__ .__ _ E.,
�
!?
.

<1l región masiva p

¡ Región de ¡Reg1on
.. .. masiva..n¡ .. ..

e vac1arn 1ento
. . ·

UJ

Figura 2.4 Diagrama de bandas de energía d e una unión p-n en equilibrio térmico.
•

la unión. Para completar el diagrama es preciso conectar los bordes de Las bandas
de conducción y de valencia a ambos lados de la unión, de modo que Ec se man­
tenga constante. El modelo completo de bandas de energía es el de la figura 2.4
Se pueden deducir diversos hechos del diagrama de bandas de e n e rgía. Con10
se indica en el libro ele Pierret citado, el campo eléctrico es proporcional a la pen­
diente del diagrama. Por tanto, de la pendiente negativa de Ec, Ev o E¡, se llega
a la conclusión de que hay un campo eléctrico negativo en la región de vaciamien­
to. La pendiente es nula en los bordes de la región de vaciamiento, lo que indica
un campo eléctrico nulo en las regiones masivas. La pendiente negativa máxima
está cerca del centro, en concordancia con la ubicación del campo eléctrico negati­
vo n1áximo, como se ilustró previamente en la figura 2.3(c). Del mismo modo, la
diferencia de energía q Vbi en la figura 2.4, indica una diferencia de potencial in­
terno ( Vbi) entre los extremos del dispositivo (las regiones masivas). Finalmente,
se debe tomar i1ota de que también es posible deducir la densidad de cargas a partir
del diagrama de bandas de energía. Como

d'?i
(2.5)
dx

1 dE
'?, = -
1

(2.6)
q dx

p= (2.7)

25
 Se puede presentar una deducción equivalente de Vbi basada en el equilibrio tér­
mico (VA = O), lo que significa que no hay flujo neto de corriente. Dicho en for­
ma má� explícita, JN O, JP = O y J
= O. Con la corriente neta de electrones igual
=

a cero, se puede utilizar la ecuación de corriente para obtener el campo eléctrico.

Haciendo la corriente neta de electrones igual a cero, nos da

(2.9)

Puede verse que la corriente de desplazamiento (arrastre) debe ser igual y opuesta
a la corriente de difusión, para que la ecuación (2 .9) valga cero. Resol viendo, para
despejar el can1po eléctrico, nos da

-q
dn 1 d11 kT 1 -
dn
dx dx
DN D,v
'& = =- - - -

µ,,, n q 11 dx

La última forma de la ecuación utiliza la relación ele Eil1stein ("de sobre mu, igual
a caté sobre cu"). Si se hace uso de la ecuación (2.4), la definición de potencial;
el voltaje entre extremos d e la un ión p-n puede escribirse como

kT f"' ( dn 1 kT f dn
J"' -
"{+ "')
vbi = c¡g cL" =- -
-dx=- (2. 10)
-
_,, q _,, n dx q n(-"') TI

Integrando, se obtiene

n(-r:o}
kT
Vb. =1
- In n (2 .11)
q n(-oo)

Puesto que, lejos de la unión, en el lado p

(2.12a)

y lejos de la unión, en el lado n

n,, = n( +co) = No (2.l2b)

se puede escribir

kT[ kT n,,
V0; = - In 1111 - ln n J = -In (2 .13)
q p q 11 ,,

27
 Entonces la curvatura (d2E¡ld,'C2) del diagra1na de bandas de energía es propor­
cional a la densidad de cargas. Está claro que el lado izquierdo de la región de va­
ciamiento, corl su curvatura negativa, implica una densidad de cargas negativa,
mienLras que una curvatura positiva, signifiea la existe11cia de una densidad de car­
gas positiva en el material n. Se debe llegar a la conclusión de que el rnodelo de
diagrama de bandas de energía puede ser aplicado a la unión p-n, y que provee
información consistente respecto al campo eléctrico, potencial y densidad de car­
gas dentro del diodo.

2.2 POTENCJAL INTERNO Vbi

En la sección anterior se estableció cualitativa1ne11te la existencia de un potencial

interno (Vbi) entre extreinos del diodo de unión p-n, desde dos puntos de vista. El
primer punto de vista fue la difusión de portadores que producen una densidad
de cargas que, a su vez, produjo un campo eléctrico y, por tanto, la diferencia de
potencial. El segundo y equivalente pun.to de vista se basó en el diagrama de ban­
das de energía y en la uniformidad de EF. Expresado de manera sencilla, la ener­
gía Ec EF es diferente en las regiones dopadas p y n, y da una diferencia de energía
-

q Vbi· En esta sección establecimos una expresión destinada a deducir una ecuación
para Vbi• que relacione cuantitativamente Vbi con la diferencia de dopado entre la
región p (1VA) y la región n (N0). .
Se puede deducir fácilmente una ecuación para Vbi utilizando las ecuaciones pa­
ra las concentraciones de portadores en un semiconductor no degenerado, que se
presentan en el libro de PierreL antes citado; aquí, por comodidad, se repite la ecua­
ción (2.37)

[EF - E¡]tipo 11
kT In del lado n

PP
fEr- E¡] tipo p = -kT Jn del lado p
-

11¡

Si se inspecciona la figura 2.4, se ve que la diferencia de potencial total, que se ob­

tiene de E¡. es

.
-

kT n,.pp
Vbi = - In (2.8)
q -
n�1 -

26
 o sustituyendo las ecuaciones (2.12a) y (2.12b) en la ecu ación (2.13),

(2.14)

Ejemplo: Para silicio a temperatura arnbiente (kT = 0.026 eV), dopado NA =

IOl5 /cm3 en el lado p y 1Y0 = !015/cm3 en el lado n, donde n¡ = 101º/cm3, cn-­

tonces

0.599 V

Si está dopado con N,\ = 1017 / cm3 y N0 1015 / cm3, entonces el valor de Vbi
=

resulta ser de 0.718 volt. Cuanto rnayc}r es el dopado en cualquiera de los lados,
n1ayor es Vbi· El lector puede establecer este hecho a partir de la ecuación (2.14),
o del diagra111a de bandas de energía de la figura 2.4. Si el dopado del lado p aumenta,
entonces Ev debe acercarse a EF y q Vbi debe aumentar. Si se aumenta el grado de
dopado del lado n desplaza a Ec acercándolo a E F, lo que igualmente incre1nenta
q vbj·
El silício tiene un salto de banda ele 1.12 e V o, en términos de unidades kT a
temperatura ambiente, EG 43.08 kT. Para mantener al semiconductor fuera del
=

estado de degeneración, EF debe ser igual o mayor a 3 kT desde el borde de la ban­

da de conducción o desde el borde de la banda de valencia. Si la unión escalón estu­
viera dopada de rnodo tal que EF estuviera a 3 kT de los bordes de la banda e n
cada lado del dispositivo, entonces, con ayuda de la figura 2.4,

q vbi = 43.08 kT - 6 kT = 0.964 1 eV

y, por tanto

vbi = o.9641 v

es el máximo valor de Vbi a ten1peratura ambie11te sin que el silicio esté degenerado.

VÉASE El, EJERCICIO 2.1. APÉNDICE A

2.3 LA APROXIMACIÓN DE VACIAMIENTO

Las soluciones cuantitativas de Ja densidad de cargas, de'& y de V(,'<) a Jo largo de

la unión p-n en condiciones de equilibrio térmico, están centradas en la solución
de la ecuación de Poisson, repetida aquí para conveniencia del lector

28
 d<& q
- =
(p (2. l Sa)
dx K5s0

? (2.15b)
dx"

En general, cg, V, p, n, 1Y0 y NA son funciones ele x, excepto en el caso ele dopado
unifor1ne, donde N0 y N son constantes. La ecuación de Poisson en su forma exac­
ta no es de fácil solución para la mayor parte de los dispositivos, p o rque p y n son,
a su vez, funciones ele V y <&, las incógnitas. Para .resolver la ecuación
.

analítican1ente*, es necesario establecer varias simplificaciones. U ria solución en

forrna cerrada (analítica) consiste en una ecuación que expresa V como función
explícita de x. Hay un conjunto de simplificaciones que resulta ser útil en forrr1a
especial })ara lograr la solución de la ecuación de Poisson de rnanera explícita: se
denomina colectivamente aproximación de vaciarniento. Esta aproxin1ación esta­
rá justificada, si la solución J)Uede explicar los elatos experilnentales obtenidos de
un diodo real, lo que efectivamente sucede, y muy bien.
En la figura 2.5(b) se ve la densidad de cargas para la uniór1 escalón que s e desa­
rrolló en la sección previa. La aproxin1ació11 de vaciarniento, supo11e que los porta­
dores móviles (n y p) son pocos en cantidad, en con1paración con las concentraciones
de iones donadores y aceptares en la región de vaciamiento, y que en las demás
partes del dispositivo se cumple el principio de neutraljdad de carga. En Ja subsec­
ción siguiente, se plantea n1ate1náticarner1te la aproximación por v aciamier1to, en
especial para la unión p-n escalón uni forme.mente dopada.

2.3.l Aproximación por vaciamiento

1. NA � nP para p = -qN; por tanto -xP :::s x < O.

2. N0 � nn o p,., para p = qN; por tanto Ü :::S X :::S Xn •

3. La densidad de cargas es cero en las regiones 1nasivas; es decir, para x > x11 Y
.x- < -x .
P

La regió11 de vaciamiento está limitada por -x y x11, mientras que las regiones fue­
P
ra de la zona de vaciamiento, se deno1ninan regiones masivas n y p, respectivamente.

*Se puede resolver numéricamente la ecuación en un co1nputador digital grande, utilizando diferen­
tes funciones de prueba hasta que s e obtenga una solución iterativa en cada pu1�to a lo largo de todo
el dispositivo.

29
 ----- P __ _,
,...¡___ ___ N--- - ...
--<

Región
Región masiva p de vaciamiento Región masiva n
.. ·f· ..
I.. ..

-x o
p

(a)

Densidad de carga

.'�--.J

(b)

Campo eléctrico

-x
p

(e)

V(x)
•

1 • X
-x
p

(d)

Figura 2.5 Aproxin1ación por vaciarniento a la unión escalón (• • • • •).

o
 La aproximación por vaciamiento, con la adecuada distribución de densidad de
cargas, como aparece en la figura 2.5, reduce Ja ecuación de Poisson (ecuación 2.15)
a

d<t,
para O $ x $ xn (2.l 6a)
dx

para xP ::; x :::; O {2.16b)

dx
-

donde

<& = O en las regiones masivas y en los bordes de Ja región de vaciamiento.

Solución JJara <&. Se puede obtener el can1po eléctrico para la unión escalón uni­
di1ncnsional simplemente integrando las ecuaciones (2. l 6a) o (2. l 6b), con lo que
se obtiene el campo eléctrico (en xn y-xP) en tín pu11to arbitrario dentro de la re­
gión de vaciamiento. Considere la región de vaciamiento del lado p, y Ja ecuación
(2.16b), recordando que'&(-xp) = O,

d� =
(2.17)

i(x) f"
'"&(x) =

J
o
d<$, =

-x
p
(2.18)

(2.19)

Se hace notar que el campo eléctrico es negativo, de acuerdo con nuestros análisis
cualitativos. También se puede ver que '&(x) es la ecuación de una recta con pen­
diente negativa.
Para obte11er la región de vaciamiento n, se integra Ja ecuación (2. 16a) con �(x11)
O. Se co1nienza en algún valor de_.., n1ayor que cero, y se integra hasta x11,

<"¡g(x) = 1º dW, fx" qND

'i(.r)
=

x Kseo
dx (2.20)

(2.21)

31
 (2.22)

Aquí puede verse que la ecuación (2.22) es una recta con pendiente positiva. Las
ecuaciones (2.19) y (2.22) están trazadas en la figura 2.5(c) como línea punteada.
Como se indicó en la figura 2.5(c), el campo eléctrico debe ser continuo en x
= O, pues no hay carga superficial en esa posición. Así, de las ecuaciones (2.19)
y (2.22), calculadas en x ::= O,

: (2.23)

(2.24)

La ecuación (2.24) multiplicada por qA (donde A es el área del diodo), establece

que la carga negativa lolal debe ser igual a la carga positiva total. La igualdad tam­
bién se hace patente en la figura 2.5(b), donde e l área del diagrama xpNA debe ser
igual al área de x11N0. En la figura 2.5, NA > N0; por tanto, x < x11: un método
P
simple para relacionar el dopado con los anchos de vaciamiento, x11 yx .
P

Solución de V(,t"). Se puede deducir la función potencial V(x) dentro de la región

de vaciamiento, partiendo de la definición de potencial; es decir,

dV
- = -� (2.25)
dx

Combinando la ecuación (2.25) con la expresión del campo eléctrico en el lado p

de Ja región de vaciamiento, de la ecuación (2.19), da

(2.26)

Separando variables e integrando, se tiene

VCt) N
1 Jx
V(x)=
J o
· dV= A
seo -xP
(xP+x)dx (2.27)

donde se ha elegido arbitrariamente el potencial de referencia como cero en l a re­

gión masiva p; es decir, V(-xP) = O. Se podría haber elegido V(O) = Oo V(x11)
= O. Completando la integración de la ecuación (2.27), da

32
 ( ) qNA ( 2
Vx - 2K xP + x) , para -xP s x s O (2.28)
_

sBo

Se hace notar que V(,\'.') es una parábola de curvatura positiva, y está trasladada
a lo largo del eje negativo de x en x unidades.
P
Para la r egión de vac iamiento n,

dV
(2.29)
dx

Como se cligjó que la región masiva p estuviera a potencial cero, la región masiva
n debe estar a Vbi; o sea, V(,'<,,) = Vbi· Integrando,

f Vb; qN ;rn
v<r>
dV = vbi - . V(x) =

KsE:o
D
J
x
(xn - x) dx

x2
Xn

XX
,, - - (2.30)
2 X

-qNo 2
V(x) = 2K (x,. - x) + vbl• para o s X s x,, (2.31)
sBo

La figura 2.5(d) ilustra la función potencial V(x) para la unión p-n escalón . Si se
comparan las figuras 2.5(d) y 2.4, se puede ver que la función potencial es la ima­
gen espejo horizontal del diagrama de bandas de energía Ec, Ev o E¡.

1 VÉASE EL EJERCICIO 2.2. APÉNDICE A

2.3.2 Anchura de la región de vacia1niento

Las funciones %(x) y V(x) de Ja unión p-n, están expresadas en términos de los pa­
rám etros NA, N0, y x . Aquí, los valores de N0 y NA son conocidos por medi­
,'<11
ciones de resistividad. Ef lector debería plantearse la siguiente pregunta:" ¿Cómo
están relacionadas las distancias de vaciamiento x11 y xP con los pa rán1et ros de los
1nateriales, en especial aquellos parámetros que pueden ser medidos?'' Para dedu­
cir esas relaciones, el punto de partida 1nás p ro1netedor es la ecuación (2.31), ya
que lodos los parámetros, excepto x,, se conocen. Hay que r e cordar que Vbi se ex­
presa en función de 1
VA y N0 en la ecuación (2. 14). Como no hay cambio en la po ­
laridad del mate ria l en x = O, la función poter1cial debe ser continua; es decir,

33
 V(O-) = V(O + ). Con ayuda de las ecuaciones (2.28) y (2.31 ), calculadas para x =

O, se concluye

(2.32)

Las ecuaciones (2.32) y (2.24) constituyen un sisten1a de dos ecuaciones y dos

incógnitas. Resolviendo .'KP de la ecuación (2.24)

(2.33)

y sustituyendo en la ecuación (2.32),

(2.34)

Ahora se pu ede resolver para hallar x7,,

2 2K5e0 l
[Vb¡] (N�/NA) (2.35)
_

N0]
-
x" q [ +

1/2
2K5e0Vbi 1VA
Xn = (2.36)
q N0(N,, + No)

Se hace notar que a medida que N0 aumenta, x11 disminuye para un valor fijo de
NA. De manera si1nilar, para xµ,

1/2
2K5e0Vbi No
(2.37)
q NA(NA +N o)

En este caso, x disminuye cuando NA aumenta. Partiendo de x11 y .">C,,, se puede

P
determinar la anchura total de la región de vaciatniento ( 1-V):

w = x,, - ( -xp ) = Xn +Xµ (2.38)

1/2 1V0
2KseoVbi NA
w - •
(2.39)
No
-r

q(NA + No) /VA

Con alguna operación algebraica, se puede presentar la ecuación (2.39) de manera

algo niás conveniente:

112
2K5s0Vbi (NA + N0)
W= (2.40)
q NANO

34
 Eje111plo:

kT = 0.026 eV,

kT 10161015
NA = 10 16/cm3 •' NI) = I015/cm3, V.bi q In ( 0 2 - O. 659 V ,
101 )
-
-

+5 112
2 X 11.8 X 8.854 X 10-14 X 0.659 (10 16 101 )
�V= x ----- '
1.6 X 10 19 1016 X 1015

iv = 0.9730 x 10-4 cm o O. 973 n1icras

12
1
Xn =

x. = 0.88455 x 10-4 cm or 0.88455 1nicras

En forma simil ar , de la ecuación (2.37),

XP = 0.08845 X I o-4 cm o 0.08845 micras

H accn1os notar que, con10 el lado p está dopaJo rnás fucrternente, x11 > xP; es de­
cir, la región de vaciamiento se extiencle n1ás en el .'na/erial rr1ás débif1?1ente dopado.
Recordamos al lector que el análisis y deducció n de ecuaciones realizados hasta
ahora en el capítulo, son válidos para equilibrio ténnico. La próxin1 a sección pre­
senta el caso de pola rización directa VA > O, y luego el de pol arización inver sa ,

VA< o.

2.4 ELECTROSTÁTICA DE LA POLARIZACIÓN DIRECTA E INVERSA

Se p ueden deducir y determinar los valores del campo eléctrico, de las densidades
de carga y las funciones de potencial para el caso de potencia l aplicado positivo
(VA > 0), de f orrna paralela a como se realizó en las dos secciones previas. Sin
embargo, hay un p rocedimiento más fácil . Sea la figura 2.6(a), en la que el diodo
está en equilibrio tér mico. No fluye corriente y no hay caída de voltaje o campo
eléctrico en las regiones masivas p y n. Los contactos óhn1icos de las uniones de
metal-semiconductor, tienen potenciales ele contacto VP y VN que son de valor fi­
jo, y solamente dependen de los n1aleriaJes utilizados para hacer el dispositivo. El
voltaje de unión ( "j) aparece entre los bordes de la r egió n de vaciarniento. Cuan­
do hay equilibrio térn1ico, "j =
Vbi' Como VA = O, si se escribe una ecu ación de
n1alla para la figura 2.6(a), da

(2.41)

y
(2.42)

es un valor fijo que depende solamente del dopado del semiconduccor.

35
 El diodo está polarizado en forma directa cuando Ja tensión aplicada (VA) tie­
ne un potencial posjtivo e11 la región p, y un potencial negativo en la región n, co­
mo se indica en la figura 2.6(b). Como VA es de polaridad opuesta respecto a Vj,
debe reducir la tensión sobre la región de vaciamiento. Si escribimos la ecuación
de l a rnalla en la figura 2.6(b), nos da

(2 .43)

y sustituyendo Vbí de Ja ecuación (2.42),

(2.44)

suponiendo que no existe caída de voltaje o ésta es n1uy pequeña en las regiones
masivas p y n, cuando 1 ::/: O.
En las secciones preyias se tenía equilibrio térmico cuando el potencial de la unión
era Vbi• y se utilizaba esta condición con10 de contorno para la solución de la ecua­
ción de Poisson. Lo que hay que hacer, para obtener una solución en el caso de
un voltaje aplicado, es ree1nplazar le voltaje Vbi por ( Vbi - VA) en las ecuaciones
(2.36), (2.37) y (2.40).

2.4.1 L a región de vacian1iento nt O :;:; x < .t11

112

(2.45)

Región de vaciamiento

- V ·+ +VN -
¡·

p N p N

1 >O
--- I O
.¡- V11 -
=

_________, '----+ VA------�

(a) Equilibr io térmico V1 = Vbi (b) Polarización directa VA > º· V¡ = · vbi - VA

Figura 2.6 Potencial en la unión: (a) equilibrio ténnico, Vi = Vb¡; (b) polarización directa
V/\> 0, YJ Vb¡- VA.
=

36
 qll/D
VA)
2
V(x) (Vb; - (x11 - x) (2.46)
2K580
= -
,

-qN
�(x) 0 (x11 - x) (2.47)
Kseo
== ·

2.4.2 La región de vaciamiento p, -xP < x :5 O

(2.48)

(2.49)

-q1V
<g(x) A (xP + x) (2.50)
Kseo
=

(2.51)

2.4.3 Polarización directa, VA> O; VA < vbi

Se analizan los resultados de la polarización directa e11 cornparación con los del
equilib rio térmico. Corno ( Vbi - VA) es menor que Vbi para tener equilibrio tér1ni­
co, se reducen xn y x ' como se ve en la figura 2. 7. También se ven los efectos de
P
VA > O en el potencial, en el campo eléctrico, y en el ancho de la densidad de car­
gas; todos son más pequeños. Esto se puede ded ucir de las ecuaciones (2.45) a (2. 51 ) ,

que se reducen a las relaciones de equilibrio térmico, cuando VA = O. Un pun to

importante respecto a la polarización directa es que, para que estas ecuaciones sean
válidas,

De no ser así, se violarían las leyes de Kirchhoff. La única forma de quilar esta
restric ción es ad1nitir caídas de voltaje en las zonas masivas.

37
 •
•
•
•
•

: 1
•

1:
•

•
•
N

1: •
: 1
•

·�·--'-����--'L- _... x
•

--'c...a. �.J....
•

'-���� � �� � --' �

-
x o Xn

f-- v11 >

p

ºI
-
1 - Región de --j
vaciamiento

(a)

Densidad de cargas
.
qN
.
- •
o
x + •
P
•
X

xn
•

•
•
-
•

-q
•

NA

(b}

Campo eléctrico

VA> O xn
-x

���--1.--.--�-+-----lr\�-.-�����- x
p

(e)

Potencial

Vbi
• • •
• • • • • • •
• • • ,
• • •
• •
•

(d}

Figura 2.7 Efect.o de la polarización directa en la electrostática del diodo (Vi\ > O, líneas
punteadas; Vi\ = O, líneas continuas).

38
2.4.4 Polarización i nver sa , 11A < O

El caso de polarización inversa requiere que el voltaje aplicado sea in feriar acero,

es decir, de signo opuesto a la polarización directa. Inspeccionando la ecuación

(2.44), se ve que el voltaje aplicado se "suma'' a Vbi y, por lo tanto, incrementa
VJ· Como VA e sun número negativo, es, por lo tanto, siempre inferior a Vbi• un
resultado muy conveniente, que permite el uso directo de las ecuac i o nes (2.45) a
(2.51) sin que sea preciso ocuparse de la magnitud de VA respecto a Vbi ·
El incremento en el voltaje de unión, debido a polarización inversa, requiere
una mayor a11chura de laregión de vaciamiento para lograr una carga fija más gran­
de, lo que, a su vez, produceun campo eléctrico de mayor magnitud. En lafigura
2.8 se muestra el efecto de la polarización inversa en iv, p, '�y V(x). Una inspec­
ción a las ecuaciones (2.45), (2.48) y (2.51), también apunta a un incremento de
x y x l para v alore s n1ás negativosde VA; es decir, la anchura de l a región de va­
11 f
ciamiento rVse hace niayor para polarización inversa. Estos p un to s los il ustra la
figura 2.9, para un valor fijo de NA y un intervalo de valores de N0.

VÉASE EL EJEf{CICIO 2.3. APÉNDICE A

2.5 UNIONES GRADUADAS LINEALMENTE

La unión graduacla lineallnente e icleal es una aproximación de la d istribución de

impurezas pordifusión térmica o bien porimplanlación iónica en un sen1iconduc­
tor, para formar una unión p-n. En lafigura l .5(a) se mostró el caso de a um ent ar
elnúmero de impurezas tipo pen un sustrato n,donde cerca de la unión metalúrgi­
ca, NA -N0en función dex, constituye aproximadamente una línea recta (lineal).
El proble1na l .8 calcula la veracidad de esta aproximación. •

Sea el caso de impurezas pdifundidas lérmicamenre en un sustrato n, c om o se

puede ver en la figura 2.IO(a). Si la recta tiene una pendienlede -a, sepuede des­
cribir la cli stribución de impurezas con

(2.52)

donde atiene launidad de #/cm4 yse denomina cons1a111e ele graduación. Nótese
que la unión metalúrgica (xj) está en x = O.
En la figura 2. J O(b) se puede ver la aproxi1nación por vaciamiento, apil cada a
l a unión graduada. En parti cu lar, para Ja densidad de cargas

p = qx
a , para -:<¡; s x s ,-r11

(2. 53)
p =o, en otra parle

Los procedimientos utilizados para hallar el campo eléctrico, el potencial, la an­

chura W y Vbi• son similares a los de la solución del caso de la unión abrupta, y
aquí solamente se resumen los resultados.

39
 h.VA "' O� Región _

rl� vAci3mie nto

1
1 1
1
•

p : 1
1 •
1
1 N

: 1
1
1
•

r-; 1

-x o x,.
p

v.. < o
Región de
vaciamiento

(a)

Densidad de cargas
-----
q No
�- - ., .....
-x
--

p
·• 1
����- .¡..._
��4--���� ....L
� 1 �����
:L.- x
.-..
...-
, -
1 x,,

'
'
L---,
-qNA__.,/
-1

(b)

Campo eléotrico

-X x,.
p

Equilibrio térmico

Potencial

-x
p VA . o

(d)

Figura 2.8 Efecio d e la polarización en la elcc1ros1á1ica de la región de vaciamicn10 (VA < O,

línea\ quebradas; VA = O. lineas coniinuas).

40
 10

• " o v.., = o

.¡..:i +Ht--+--1--l-H-+Hl o VA = 0.4

á--+-+' '"�
.. !'.. • VA -3.0
...... =

...... ��

"
......
......
-
·­ ' ....
e:
Q)
!'... I"
2 '....
e:
Q)

E
·-

.!!!
(J
<O
>
><e

o1 l---f-·-i-1-1

1014 101s 1011

N0, dopado tipo n (#/cm3)

Figura. 2.9 Región de vaciamiento 11, para V" "' O, 0.4, y -3.0 volis.

La simetría de la densidad de cargas graduada linealmente si.rnplifica la solución

porque, por inspección, se debe tener x,, = xP, o sea que la anchura de la región
de vacian1ier1to debe ser simétrica respecto a ,x-/ Entonces

w
2
x,, =
(2.54a)
y

w
x = - (2.54b)
P
2

41
 Densidad de cargas, p
NA-No
•
•
•

p N
•

•
• •
• •
• •

Pendiente .. - a -W/2
������� �������...... �

/ --NA - N0 = - ax W/2

X·
1
X¡
•
•
• •
• •
•
• • • •

(a) (b)

Figura 2.10 Unión p-11 graduada li11cal111cnte.

Las relaciones respecto a las variables electrostáticas son:

<°¡g(x) = para -W/2 :s; ,'( :::; �V/2

(2.55)
cg =O, en otra parte

Conviene observar que el campo eléctrico es una parábola en el caso de la unión

graduada, en comparación con una línea recta, para el caso de la unión escalón.
La función potencial es una ecuación cúbica, de la siguiente forma:

V(x) = 6
qa
2
w)3 (w)2
- + 3 - x - x3 , (2.56)
K5e0 2 2

No debe sorprender que la anchura de la región de vaciamiento sea una ecuación

de raíz cúbica.

W= (2.57)

La expresión para el potencial interno requiere conocer W en VA O; pero para

calcular W se necesita el uso de V¡,¡;

2kT a�V
vbi = q ln o (2.58)
2n-1 '

por Jo tanto, se requiere una solución iterativa.

Los casos de polarización di recta y polarización inversa se aplican para estas
ecuaciones (le! mismo niodo que para la unión escalón. Se hace notar
. que Wau1nenta
o disminuye segt.'111 la potencia un tercio para la unión graduada linealmeJ1te, a
diferencia de la potencia un medio para el caso de la unión 'escalón.

42
2.6 Resumen

Se estudió la región de vaciamiento de Ja unión p-n escalón, en condiciones de equi­

librio térmico (V = 0), polarizacíón directa ( Vbi > O)ypolarización inversa ( Vbi
< 0),yse hallaron la densidad de carga (p), el campo eléctrico (%) y el potencial
(V). Se produjo una diferencia de potencial sobre la región de vaciamiento (Vbi),
con10 consecuencia del diferente dopadoyconcentración a cada lado de la unión.
Se efectuó la' 'aproxin1ación por vaciarniento'' al diodo, de modo que se pudie­
ra lograr una sol11ción (ecuación) de for1na cerrada, para desarrollar diversos con­
ceptos. Uno de ellos co. nsiste en que el ancho de la región de vaciarniento ( Jf') varía
con la tensión aplicada (VA). Un segundo consiste en que Ja regió11 de vaciamien­
tos.e extiende más en el n1aterial menos dopado. Otro más es que el campo eléctri­
co rnáximo se produce er1 la unión metalúrgica. Para una unión escalón, W varía
según la raíz cuadrada, n1ientras que en la unión graduada linealrnente, W varía
siguiendo la raíz cúbica del voltaje aplicado.

Problemas

2.1 Una unión abrupta de silicio, aproxiinacla por una unión escalón, tiene un
dopado deNA ::;: 5 x 10+15/crn3,N0 = 10+15/cm3yunasección transver­
sal (A) de 10-4 cm2• Suponga una aproximación por vaciamiento, VA = O
yn¡ = io+ 1º/cm 3, y:

(a) Calcule Vbi·

(b) Calcule x , xPyla anchura total de la región de vaciarniento.
11
(c) ¿Cuál es la carga iónica positiva total en la región de vaciamiento?
(d) Calcule el can1po eléctrico en ,'< = O.
(e) Trace el diagran1a de densidad de cargas y campo eléctrico respecto al eje
x desplazado.
(f) Calcule los valores de n yp11 en las regiones n1asivas.
P
(g) Dibuje el diagrama de bandas de energía de los electrones del dispositivo.
·
(h) ¿Qué porcentaje de 1-Ves la región de vaciamiento p,ycuál la región de
vaciamiento n?

2.2 Una unión escalón de silicio con NA = 4 x l0+18/cm3 (suponiendo que no

esté degenerado), lv0 = 10+ 16/cn13yn¡ = 10+ 1º/cm3 está a temperatura am­
biente (/(T = 0.026 eV) .. Calcule, a VA = O, los valores siguientes, suponien­
do válida la aproximación de vaciamiento:

(a) vbi'
(b) xn xpy w.
'·
(c) El campo eléctrjco en )( = O.
(d) Dibuje la densidad de cargas yel campo eléctrico a escala en el eje x.
(e) np Y Pn·

43
 (f) Dibuje el diagrama de bandas de energía para el diodo p-n.
(g) ¿Qué porcentaje de W es la región de vaciamiento p, y cuál la de vacia­
miento n?

2.3 Un diodo de unión escalón p+-n tiene un dopado de NA :::: !O+ 17/c1n3 y N0
= JO+l5/cn13. Si kT = 0.026 eV y n¡ = 10+101c1n3, calcule:

(a) vbi'
(b) x n, xP, W y el campo eléctrico en x = O.
(c) Si VA = 0.4 V, los i1uevos valores de x , xP,
11
W y el ca1npo eléctrico en
X= O.
(d) Si VA = -3 V, los nuevos valores de x , ,'(P'
n
W y el campo eléctrico en
X = 0.
(e) De los resultados del' punto (d), calcule el cambio en porcentaje en x11 y
W del caso VA = O.
(f) ¿Qué concepto intenta ilustrar este problema?

2.4 En el caso de un díodo de unión escalón de silicio, mantenido a temperatura

ambiente, éste es dopado de modo tal que EF = Ev - 2kT del lado p y EF
= Ec - E0!4 del lado n; la sección transversal A = 10-3 cm2.

(a) Trace el diagrama de bandas de energía en equilibrio para este diodo.

(b) Determine la tensión interna Vbi' como resultado simbólico y numérico.
Haga kT = 0.026 eV.

2.5 Se tiene una unión escalón de silicio, dopada como p1 y p2, según se puede
ver en la figura P2.5, en la cual NA1 < NA2. Este tipo de unión se denomina
unión "isotipo'', porque tiene el n1isn10 tipo d e dopado en ambos lados.

(a) Trace el cliagrama de bandas de energía con el material de dopado más

débil, hacia el lado izquierdo.
(b) Deduzca una expresión para la Vbi del diagrama de bandas de energía.
(c) Basado e n el diagrama de bandas de energía, trace la densidad de cargas
aproximada, el campo eléctrico y el potencial.
(d) Explique d e dónde proviene la densidad de cargas y dónde está ubicada.

Pigura P2.5

�4
 2.6 Si NA = 10+17/cm3, haga una tabla y represente x11 (en micras) en función
de l n(1V0) desde 10+14 hasta 10+111cm3, a

(a) VA = O,
(b) VA = 0.4 V,
(c) vA -3. Sean¡ = 10+1º/cm3 y kT 0.026 eV. l,os ¡)untos escogidos
.
::::: =

deben estar a l, 5 y 10 para cada década. Ubique los puntos (a), (b) y(c)
en la n1isma gráfica.

2.7 Unaunión e scalónp+n

- tieneNA = 10+17/cm3yN0 = 5 x 10+15/crn3. Si
kT = 0.026 eV y n¡ = 10+ 1º/cn13.

(a) Calcule y trace x11 en función de VA, para VA = . + 0.4, -0.4, -0.8, -1,
-2 y -4 V.

(b) En el límite de valores negativos elevados, ¿cuál es la pendiente de la curva?

. 2.8 Para el caso de la unión graduada linealrr1ente, suponga Vbi conocido, y de­
duzca y verifique las ecuaciones siguientes:

(a) campo eléctrico, ecuación (2.55);

(b) V(,'(), ecuación (2.56), y
(e) W, ecuación (2 .57).

2.9 En el caso de la uniónp-n graduada linealm.ente, con a = 5 x I0+19/cm4,

nl. = 10+ IO/cm3 y kT = 0.026 eV, calcule W y J!'.b.
. 1 para:

(a) VA - o,
(b) VA = -2,
(e) VA - -8 V.
(d) S i ''a" fuera aumentado, a11alice cualitativamente el efecto que tendría
en �V y Vbi'

45
 3 Característica volt-ampere
del diodo ideal

Pri rneramente se amplía la electrostátic.:a de la región de vaciamjento tratada en

el capítulo 2, para incluir una descripción del flujo de portadores (íl ujo de partícu­
las), que tiene Jugar dentro del dispositivo en condiciones de equilibrio. Con los
modelos básicos de flujo de corriente firmemente establecidos, se deduce la forma
cualitativa de la característica vol t-ampcre ( V-J), partiendo de la co nsideración de
Jos diagran1as de bandas de energía, y fluj os de portadores, bajo polarizaciones
directa e inversa. Luego, se deduce una relación cuantitativa de prilner orden, par a
Ja dependencia de V-1, la ecuación del diodo ideal, tras establecer un ''plan de tra-
,

bajo'', para resolver las ''ecuaciones de estado" de las regiones masivas p y n. ,;.\1
tratar sobre el ''plan de trabajo", se da especial consideración a las densidades de
portadores en los bordes de la región de vaciamiento. Esas densidades son necesa­
rias como condiciones de contorno en Ja derivación analítica. La derivación analí­
tica en sí, brinda las concentraciones de portadores rninori tarios, las corrientes de
portadores y la corriente total del diodo, en función de la tensión externa aplicada
(VA). Una buena parte del análisis en este capítulo utiliza la aproximación por va­
ciamiento, y supone un dispositivo de unión escalón.

3.1 EQUlLIBRJO TÉRMJCO

El diodo en equilibrio térmico sirve como base sobre la cual construir los concep­
tos de flujo de portadores y barreras de potencial. De hecho, cuando se aplica po­
larización directa o inversa, los cambios en barrera ele potencial y en flujos de
portadores determinan la dirección de la corriente y su magnitud relativa.
En la figur� 3 .1 se puede ver el diagrama de bandas de energía en condiciones
de equilibrio. Corno EF es una constante en caso de equilibrio tér1nico, los bordes de
las bandas (Ec y Ev) deben cambiar su posición en relación con Ere uando se hace
una transición de material pan. Con10 se vio antes en el capítulo 2, la pendiente
de los bordes de las bandas de energía, e s proporcional al carnpo eléctrico; en este
caso, una pendiente negativa revela un campo eléctrico negativo en la región de
vaciamiento. Las pirámides de portadores en las regiones masivas de la figura, re­
presentan grosso modo la distribución d e energía de las densidades de portadores,
como resulta del producto de las funciones de densidad de estados y de Fermi. Los
portadores mayoritarios y minoritarios están representados por una cantidad apro­
piada de símbolos de auerdo con su número. Hay que tener en cuenta que las

47
 p N

(1)
Q)

(desplazamiento)
-

JN (desplazamiento}
e
o
-
JP
ti

�
Q)
a;
Q)
.. :,. -- -( - - - --�-
4m:::
. :. - -----¡-
·'°
-
O>

,[ __,.,_.....
Q)
e • • •• qvbi
w ....
._ .. • •
•••••et•
c::••••••••

00000000 �
º ºº ºº
ººqv -
.. .
,.._ - �
b1 •

ºººººº1---
-- ��� --
- - -- -- - -

º
º�+J J
P (difusión) N (dlfusión)(a�

Región masiva p Región de vaciamiento Región mas i va n

'

Figura 3.1 Equilibrio térmico: diagran1a de bandas de energía y flujo de portadores.

concentraciones de portadores en realidad decrecen exponencialmente con el creci­

miento de la energía y que la figura es solamenteun rnoclelo. \' éase el libro d e semi­
conductores (de esta serie) en donde se hace una exposición más detallada de las
distribuciones de portadores respecto a la energía.
El lector podrá quizá preguntarse: "¿Son desplazados los portadores ubi cados
dentro o cerca de los bordes de Ja región de vaciamiento, hacia abajo por la 'cresta
de potencial'?" Es decir, ¿los electrones minoritarios del material ¡J van hacia aba­
jo en el diagrama ele bandas de energía de izquierda a derecha, y los huecos en el
rnalerial n van de derecha a izquierda para buscar una energía inferior? Esto in1pli­
caría un flujo de corriente que no es correcto para el equilibrio tér11iico. La clave
para resolver este dilema, está en que la corriente (oflujo de portadores) neta, debe
ser cero ¡Jara cada tipo de portador. ¡Los huecos no pueden concentrarse en un
extremo del dispositivo! Ni tampoco los elecrrones.
Los dos modos en los que puede circular corriente, son: desplazamiento en un

c a m po eléctrico y difusión debida aun gradiente de concentración, Aquí se repiten

las ecuaciones de corriente, para comodidad del lector

JP = J Pldespl + J Pldifusión (3. l)

dp
-qD
p dx
-

48
 JN =
JNldespl + J NJdifusión (3. 2)

<::ltl
l,v = qµ,,,n(!)C{? + qD,y-;¡;
) = Jp + JN (3. 3)

Para el equilibrio térmico, J = JP == JN = O. Una mirada rápida a las ecuaciones

(3.1) y (3.2), indica de inmediato l a necesidad de que

JNldcspl
y
-JPjdifusión

En consecuencia, en respuesta a nuestra interrogante, l a corriente neta nula (o flu­

jo de portadores) para cada tipo de por tador en condiclones de equilibrio, se logra
a través de una cancelación del componente de desplazamiento, por un con1ponen­
te de difusión en dirección opuesta, y de igual magnitud.
Si nos extendemos ahora en la conclusión precedente, exan1inamos las concen­
traciones de portadores a an1bos lados de la uniór1. El portador mayoritario Pp pue­
de ser, por ejemplo, 10 16/cm3, en comparación con Pn' que p uede ser 1Q5/cm3. Al
pasar del lado pal lado n, la concentración de huecos ha variado en ¡once órdenes
de magnitud! .Algo similar sucede con Jos electrones (véase la figura 3.2). Como,
según se vio en el capítulo 2, una anchura de la región de vaciamiento típica puede
ser de -10-4 cm, resulta que clp!dx: e s muy grande, lo que produce difusión de
huecos de izquierda a dere cha en la figura 3.1. Sin en1bargo, los huecos deben tre­
par la " cr esta de potencial" q Vbi• para poder entrar en la región masiva n. El cam­
po eléctrico (y por lo tanto, el potencial) trata de ''pegarlos hacia atrás''. En la
figura 3.1 se puede ver esto, cuando Jos huecos son reflejados hacia la región p.
Solan1ent e aquellos huecos que tengan energía superior a q Vbi pueden difundirse
dentro de la región n, y constituir la componente de difusión de la corriente de hue-
cos, una corriente pos1t1va.
• • •

Considere Jos huecos portadores minoritarios generados en l a región n, cerca

del borde de l a región de vaciamiento. Estos huecos puede11 "caer" por la cresta
de potencial, ya que los huecos parecen "ílotar" en los diagramas de bandas de
energía; es decir, se desplazan en el campo eléctrico de derecha a izquierda. Esto
constituy e una componente negativa de la corriente de huecos.
En resumen, al haber equilibrio térmico en la región ele vacia111iento, las compo­
nentes de Ja corriente de hL1ecos no so n individuahnente cero, es decir

JPides pi * O Y JPI difusión =/= O

pero Jp = O p o r q u e las com ponentes son de igual magnitud, pero de sentidos

opuestos.
Argumentos similares son válidos para los electrones, como se indica en la figura
3 .1. El flujo de portadores debidos a desplazamiento es igual y opuesto al de difu-

49
 Pp0
1016 1 1
1

-·--·-·�•• 1 n,,0

J /¡-·-·-·-
: �. ,/¡
: ·�.. :¡
·7
1
1
1 ..
1 1
e: 1012 1 1
1 1
ct
"' 1 1
Q)
�
1 1
p 1
�t'.
1
1
1
N
o 1
a. 1
(]) 1
:
•
"O
1
e: 1
·o 1
ál
�
1 ºª
1
\ "·• 1:
•
-
1
\"'
e

1
•
•

Q)
,

•
.
o

' t .-.
e:

. / , \
•

1
•

: .. /� (x,,)
o
(.)

•¡ ". •
- Pn

'L • •., • •••

1
nP (-xp) .....__ 1:
••
- Pn

•••
1
Equilibrio
....
•
. .-
.
-....., �

p
•
n ---<-.-·

•: • V •
t
I •

, térmico

f
·-·--·- Pno

104 • '• '

1
•
np0--...
1

-x
p

Re g ión de
R!=!gión masiva p Región masiva n
vaciamiento

Figura 3.2 Concentración de portadores en equilibrio ténnico (-·---)y en polarización directo

(· · · · ) . No se muestra Ja disminución de Ja anch1;ra úe Ja región de vaciarniento.
·
1
sión, lo que da un flujo de electrones ne10 igual a cero. Entonces, la co rrie n te neta
¡
de e lectr o n es es igual a cero, con las componentes de las corrientes de desplaza­
n1 ien to y difusión iguales en 1nagnitud, pero opuestas en sentido.

J,v¡desrl * O JNldi l'usión ;f. O 1Nldespl + 1,v¡difusión = O

En la figura 3.1 se pueden ver los rJujos de partículas de huecos y electrones que
son iguales y opu estos.
I
Finalmente, en las zonas masivas de dopado uniforme, Ec - EF es una constan­
te y, por lo tanto, el c ampo eléctrico es cero. Sin embargo, como n = N0 = cons­
'
tant e y p = NA = constante, dpldx y dnldx son cero. Entonces, las corrientes
(o flujos de partículas) de desplazan1iento y de di fusi ón de e l ectrones y de h uecos
son cero, y la corriente total es nula.

3.2 CARACTERÍSTICAS V-1 CLALITA1"1VAS

EsLa sección extiende el análisis con el diagrama de bandas de energía del flujo de
•

portadores de la sección previa, a la descripción de Ja naluraleza cualitativa de la

50
 carac.:terística volt-an1pere del diodo. En parti c u lar , explica por qué el fluj o de co­
rriente es grande en una di rección pero muy pequeño en la dire cción opuesta.
,

3.2.1 Polarización directa , VA > O

En l a figura 3 .3(a) se muestra, el efecto de aplicar un potencial negativo a la región

n (con respecto a la región p) en el diagrama de ba11das de energía. Se eligió arbitra­
riamente el lado p como fijo en su posición, miencras que la región masiva n queda
desplazada hacia arriba en energía de electrones, en un valor q VA. Hay que notar
que la pendiente de los bordes de las bandas en la región de vaciamiento se reduce
en cornparación con la que se tenía en equilibrio térmico. Esto significa que la mag­
nitud del campo eléctrico se ha reducido juntamente con la diferencia de potencial
entre los extremos del diodo. De hecho, la barrera de energía o cres ta de potencial
para huecos en la región p, s e ha red u ci do de q Vbi a

(3.4)

En la figura 3.3(a) se ilustra también urra r e duc c i(> n similar de la altura ele la barre­
ra, para los electrones portadores mayoritarios en el l ado n.

La barrera reducida para la difusión de huecos del lado p h acia el lado n, para
aproximadamente el mismo gradiente de concenlración de portadores, produce un
aun1ento en la cornponenEe de la corrien1e de dijL1sión ele huecos, sobre el valor
en equilibrio térmico. Una gran cantidad de huecos (pP) tienen energías superio­
res a la altura de la barrera, q(Vb1 - JIA), como s e puede ver en la figura 3.3(a) y,
por lo tanto, pueden difundirse más huecos en el material 11, lo que resulta en una
componente de corriente de difusión de huecos n1ayor, como aparece en la figura
3.3(b). La componente de corriente de desplazamiento de huecos queda igual que
el valor de equilibrio térmico (pequeño), pues un cambio en la altura de l a barrera
no tiene efecto en la cantidad de huecos (p11) o en s u capacidad de deslizarse hacia
abajo en la cresta de pote ncial.
El flujo neto de huecos de izquierda a derecha del diagrama representa una co­
rriente de huecos positiva, porque los huecos capaces de clifundirse son n1ás nume­
rosos que los que son desplazados a través de In unión. Los huecos que pueden
di/'u nclirse desde la región p hacia la región n, se denon1inan huecos inyectados una
vez que alcanzan la región rn asi v a n, y reciben el no111bre de' 'portadores n1inorita­
ri o s inyectados" (acerca de los cuales nos extendcrcn1os n1ás larcle).
Para los electrones son válidos argumentos similares a los de l os huecos. La ba­
rrera para la difusión de electrones d e Ja región na la región p, es reducida, como
se puede ver en l a figura 3 . 3(a), y se pueden difundir a través de la unión gran canti­
dad de electrones, provocando una corriente positiva. Los electrones portadores
mayoritarios que alcanzan el n1aterial p, se denominan ''electrones portadores mi­
noritarios inyectados" al entrar en la región masiva p.
Los electrones de la región p pueden ser desplazados hacia abajo por la cresca
de potencial, pero esta componente de la corriente se mantiene igual a s u valor de

51
 J

p
...
N
¡
Región masiva p ---1
JN (difusión) :
.
1
•at
... •••
--

•• �N (despi) ••••

-----------.....�-
.: �� · · · · · · ··· · ..····�·:.•.$.;, ···· ·q(Vbi
-
� ------ -
�
� r ---
- VA)
'
Ee
-

Equilibrio térmico

Polarización direc1a

ºººººº --

----
0000 -w:A. o E,
v
q(Vbi VA) .. o0 --
-

ooo � JP (desplazamiento)
•

qV1>.
..
00

0 J (difusión)
P
Equilibrio termico

Región masiva p Región de Región masiva n

vaciamiento
(a)

p N
o Difusión

-
:�: :::;; :;�;::$:::::::::: ::::�:;::... Desplazamiento
; :::�:.-x:�:: :
:·� ::�::.:;��� -

(b)

Figura 3.3 (a) Diagrama de bandas de energía para polarización directa(-----) y en equilibrio tér-
niico ( ); (b) flujo de portadores con polarización directa, VA > O.

eq u ilibri o térmico (pequeño), ya que la provisión de portadores está lim i tad a por
la generación tér.mica y no por la magnilud de la cresta de potencial.
El efecto neto de la polarización directa es un gran incremento del co1nponente
de difusión de Ja corriente, n1ienlras que las componentes de desplazamiento per­
manecen fijas, cerca de sus valores de equilibrio térmico. Como la función de Fer­
mi dist rib uye los portadores casi exponencialmente con Ja energía c recie n t e es ele ,

esperar que la cantidad de JJOrtadores que pueden difundirse, i ncr e mente exponen­
cialmente con la reducción de las barreras de potencial. Siendo ésle el c as o la co- ,

52
 rriente neta de polarización directa debe aumentar exponencialmente con VA,
como se verá más adelante, en este ca p ít ulo.

�.2.2 Polarización inversa, VA < O

La po lari zación inversa tiene VA < O; es decir, VA es un número negativo, y la

polaridad del voltaje aplicado es "positiva" en la región de contacto n. La figLtra
3.4( a) muestra el efecto en el diagran1a de bandas de energía, en comparación con
el equilibrio tér1nico. La región 1nasiva n* es desplazada hacia abajo en -qV . La A
pendiente de los bordes de banda en Ja región de vacianuento ha aumentado, lo
que refleja el aumento de campo eléctrico, como se trató en el capítulo 2 para pola­
rización inversa. Se ha ce notar ta1nbié11el aumento en diferencia de potencial entre
los extremos del dispositivo, q(Vbi - VA), cuando VA < O. El voltaje aplicado se
''suma'' al potencial interno.
En la figura 3 .4(a) se puede ver el áumento en la altura de barrera hallado por
los huecos en Ja región p, que tratan de pasar por difusión al lado n. Dado el redu­
cido número de huecos (pP) que tienen suficiente energía para pasar sobre la b a ­

rrera de potencial a la región n1asiva n, debe res ullar obvio que la corriente de
difusión de huecos es reducida a un valor menor que su valor equivalente de equili­
brio tér1nico. No obstante, la con1pc>nente de desplazamiento ele huecos de la re­
gión n hacia la región p descendiendo por la cresta de po t enc ial, se mantiene en
su valor de equilibrio térmico (pequeño), pues queda limitada por la cantidad de
hu ecos generados térmicamente. Está claro que la corriente neta de huecos circula
de de recl1a a izquierda, y es de pequeña ma gnitud Es una peq ueñ a corriente nega­
.

c iv u . Esto se puede ver ta1nbién en la figura 3.4(b). Como la componente de despla·

zamiento es esencialmente independiente ele la altura de la barrera, y como la
prov i�ión de p ortado re s es limitada, la corriente se convierte en una constante, una
vez alcanzadas algunas décimas e.le volL de polarización inversa.
En la figura 3.4(a) también se observan las componentes de desplazamiento y di­
fusión d e la corriente ele electrones. Los electrones ele la región n, qt1e intentan
difundir hacia la región p, tienen un potencial de barrera rnayor que en equili brio
térmico. Por lo tanto, menos electrones pueden efectuar el recorrid o , y es de esperar
una corriente de difusión de electrones inferio r en comparación con el valor de equili­
brio térmico. La componente de desplazamiento se conserva en su valor de equilibrio
térmico, li1nitada por la provisión de electrones portadores minoritarios (np) en la re­
gión p. Por lo tanto, la corriente de electrones neta es pequeña en magnitud y de direc­
ción negativa, co1no se ve en la figura 3 .4(b).
Para resumir, la corriente inversa es pequeña, negativa, limitada primariamente
por la fuente de portadores n1inoritarios generados térmicamente, e independiente

"'Esta elección de la región masiva nes arbitraria; se pudo haber desplazado la región masivap hacia
arriba en (-q V"), manteniendo fija la región 01asiva nen el n ivel de equilibrio térmico.

53
 p N

_ JN (difusión)
"'
---j
- �:· ···························r··········��··
+ • ····
Ql
e --- Región masiva p � JN (desplazamiento)
o
�

o
·�
Ql
<11
Ql
1:1
qVb,
.�
e' ••• �

Q) '::><
e
w Equil ibrio térmico Ec 1
•••• .;o
�

••••• o-
Polarización inversa/"-.

""' ·---. ......

E'
e

�
•

1/) ºººººº
o
u
Ql •

�
::J
.e ººººº
Equilibrio térmico

·-
Ql
1:1
•

)�
ns

t
O> ºººº
�

<11 .

tD 000
Polarización invers qV
•
A

............�.� . . . . . . . ..... .....

-
..... ....
�
..... ..... �.:.�.--1. __ "' '
Cv
o i+ J0 (difusión) JP (despl) oo

�
(a)

o Dllus1ón
N l
•

(b)

Figura 3.4 (a) Diagrama de bandas de energía para polarización inversa

( ); (b) VA < O ílujo de portadores.
(--·-)y en equilibrio térmico

54
 de VA tras unas pocas décimas de volt de polarización inversa. Ulteriores incre­
mentos de magnitud del voltaje de polarización inversa no tienen efecto en Ja pro­
visión de port ado res minoritarios. El v o ltaje de pol arización inversa tambié n reduce
el componente de corriente de difusión a un valor insignificante. El re sult a do neto
es una corriente inversa constante (-/0). No obstante, /0 es 1nuy sensible a varia­
ciones de temperatura, aumenta con la provisión de portadores minoritarios gene­
rados ténnicamente que, a su vez, son proporcionales a n�, la concentr a ción
intrínseca de portadores, que aumenta en forn.1a expon enci al con el aumento de
la temperatura.

3.2.3 El circuito completo

La figura 3. 5 es una representación cua ti tativa de los con1ponentes de c o rri en te en

un diodo bajo polarizaciones directa e inversa. Debe observarse el incremento
exponencial ele corriehte para pol ariz ac ió n directa, VA > O, y el valor negativo casi
constante <le c o rrien te inversa para Vi\ < O, en la figura 3.5(a). En la figura 3.5(b)
se puede ver el pr o pós i to de los c o ntactos 1nctálicos con los materiales tipo p y tipo
n. Los conta c to s n1etal-semiconduclor proveen un me c anis mo d� inlcrcan1bio de
po rtad o r es mayorilarios en el semiconductor, para electrones que pue den viajar
por el circuito externo (cableado metálico). En particular, se analiza la fuente de
huecos en el contacto entre metal y 1nate rial p. Para crear un hueco, debe saltar
un electrón al circuito externo. Entonces el hueco se desplaza a la derecha, hacia
la unión, eventualmente se difunde a t ra vé s de la región de v aci a1nien to y es ,

inyectado a la r egión n como portador minoritario. Como portador n1inoritario

el hueco tiene un tiempo de vida 111uy lin1itado, y pronto se reco1nbina <.:on un e lect rón
portador mayoritario. Esta recombinación, a su vez, llama a un electrón a partic ipar
del flujo desde el contacto de la región n, como se puede ver en la figura J.S(b).
Se hace notar el flujo continuo de p ortadores hacia el sen1iconductor y desde ésce,
a través de los contactos.
El ma1erial n ti e ne electrones como portadores mayoritarios, que se d ifun den
sobre la región de vaciamiento, y son inyectados en el n1ate rial p, y luego se recom­
binan con huecos po rtadores n1ayoritarios. En el contacto de 1netal-semiconductor
p, se pr o v een huecos de reen1plazo por n1 ed io de ele c tron es que se van hacia el cir­
cuito e xt erior , con lo que se generan huecos p or tad ores mayoritarios. Se co1npleta
la continuidad de corrien te en el co11tncto entre meta l y n1ateriul n, que brinda los

electrones para inyección.

En la figura 3.5(c), adecuada para polari7.ttciones i nv ers as , se r nues t ra la genera­
ción térmica de co1nponentes de corriente de dcsplazan1iento, cerc a de los bo rdes
de la región de vacia n1iento. Por ejemplo, la generación de huecos portadores mi­
noritarios en la región n, se des plaza a través de la regió n de vacian1iento h acia
Ja región p, donde se convierten en portadores n1ayoritarios y, event ualinence, emi·
gran al contacto de metal con n1ateria l p. Los electrones del mc1al aniquilan los
huecos excedentes, haciendo que fluya un circuito de electro nes externo. Sin1ultá­
nea rnente, los electrones portadores n1ayori tarios ge ne r ados ténn ican1ente, mi-

55
 Io J

(a) Característica volt-ampere

Recombinación
r-·
•

.
r--.-. . .... ------. -o
o---
-
�
o o-,� --- ----
--
1 ,---· p- o- ..._ - -
--•-,,.....
,

-o 1
.... __

11 -
___

1 1
¡- N
1 1 (
't •O- --o--t-. ·-------
--- 1 1
' 1 1 1
--

1 1

VA> o

(b} Flujos principales de difusión de particulas, para polarización directa, VA

Generación térmica
r- ·
•

---\

1
1 1
t �

(e) Flujos principales de desplazamiento de partículas, para polarización inversa, VA < O

Figura 3.5 Co1nponen1es de difusión y de la corriente: (a) característica volt-amrere; (b) flujos prin­
cipales de difusión de partículas, para polarización di r ec¡ a, VA; (e) flujos pri nci pales de
desplazamiento de panículas, para la polarización inversa, V!\ < O.
·

gran al contacto entre metal y reg ión n, y luego hacia el circuito externo, comple­
tando el lazo de corriente.
Los pares electrón-hueco generados térmicamente cerca del borde de la región
p en Ja región de vaciamiento contribuyen a la corriente inversa 1nediante el clespla­
zamiento de electrones a través de la región de v ac iam ie nt o al m aterial n y, cOIT\O -

portador mayoritario, se traslada hacia el circuito externo. Al mismo tiempo, el

hueco generado térinicamente s it uado cerca de la región ele vaciamiento del lado

56
 p viaja hasta el contacto de l a región p para ser intercambiado por un circu ito externo

de electrones, completando el lazo de corriente.

Hay que señalar que en la figura 3.5(b), las c ompone n tes de cor riente de
despl aza n1 icn to no están indicadas, porque son inuy p equ e ñas. Las componentes
de difusión en la figura 3.5(c) no ap arecen tampoco, por la 1nisma razón.

3.3 LA ECUACIÓN DEL DIODO lDEAJ_,: DEDUCCIÓN DEL PLAN DE TRABAJO

En esta sección se desarrolla un "plan de trabajo", para l a solución cuantitativa

de las ecuaciones básicas del semiconductor,en tanto que aplicadas al caso de la
u nió n p-n abrupta E l objetivo consiste en deducir una relación de primer o rden
.

para l en función de VA en la un i ón p-n, conocida como la eci1ación del diodo

ideal. En las secciones que siguen se incluyen los detal les matemáticos de la solución
bosquejada en esta sección.
Al lector se le recuerda nuevamente la relación explícita entre e l diodo de unión
p-n y la n1iríada de otros dispositivos de estado sólido, a la vez que una profunda
comprensión del diodo resulta esencial para entender los otros dispositivos. Muchos
de los (i e sa rro llo s maten1áticos que se presentan para el diodo se usan clirectan1ente
para 1nodelar los transistores bipolares , MOSFET (111etal oxide serrziconductorjlefd
effecl transistor; transistor de efecto de carnpo, n1etal óxido, sem iconductor), y
de efecto de campo, de unión. Así, el tien1po y el esfuerzo de alguna manera excesivos
que se han dedicado a la unión p-n, resultarán ampliamente compensados al analizar
otros dispositivos. De igual modo, muchas reglas sobre diseño de estructuras de
circuitos integrados, para CfVlOS y otras tecnologías VLSI, utilizan estos conceptos.

3.3.1 Consideraciones generales

En el c apítulo 3 del libro de Pierret, Funcla111entos de se111iconductores (de esta serie),

sección 3.4, se listan las "ecuaciones d e estado" para todos los dispositivos
se mico nduct o res : las ecuaciones d e continuidad, la ecuación de Poisson y las
ecuaciones de fluj o de corriente. Estas ecuaciones deben ser resuel tas en cada una
de las tres regiones de l a unió n p-n; la región masiva p, la región de vac iamien to

y Ja región masiva n. En el capítulo 2 de mi libro El diodo PN de unión (también

de es la serie), se trató en detalle sobre la s olución electrostática para la región de
vaciamiento. Hay que efectuar algunas suposiciones sobre el dispositivo, para que
la solución de /-VA sea viable. Están justificadas, porq ue los di s p osi ti vos reales
siguen a la teoría a lo largo de n 1uc has décadas de valor de la corriente.

l . No hay f uen res externas de generación de po rta d ores; por ej e mplo no hay
,

ilurninación.
2. Son aplicables las aproximaciones de vaciamiento y de unión escalón.
3. Lo que se busca es la solució n de corriente continua, en estado estacion ario;
es decir, todos Jos términos en didt en las ecuaciones de continuidad, son nulos.

57
 4. En Ja región de vaciamiento no hay generación ni recombinación (lo que eJ1tra,
debe salir).
5. Se mantiene inyección de bajo nivel en las regiones casi neutras (masivas) del
dispositivo; esto significa que la cantidad de portadores minoritarios es siem­
pre rnucho menor que la cantidad de portadores n1ayoritarios en las regiones
masivas.
•

6. El carnpo eléctrico para los portadores 111inoritarios es cero en las regiones

.
masivas.
7. Las regiones masivas están dopadas uniformen1ente; es decir, NA y N0 son
constantes.

Con estas hipótesis, las ecuaciones de estado para las regiones masivas tipo p
y tipo n, s e reducen a las ecuaciones siguientes de portadores minoritarios.

Semiconductor de tipo n:

(3.5)

dfl.pn
lp::: -qDp-­ (3 .6)
dx

p,, = P110 + tl.pn (x) (3.7)

Se1niconductor de tipo p:

(3.8)

(3.9)

(3 . 10)

Respecto al origen de las ecuaciones (3.5) a (3. l 0), el lector debe consultar la sección
3.4, de libro de Pierret antes citado.
El plan de ataque consiste en resolver prin1ero !J.p"(x) de la ecuación (3 .5), en
la región masiva n. Como la ecuación (3.5) es una ecuación diferencial lineal de
segundo orden, se necesitan dos condiciones de contorno, una en cada extren10 de la
región. tv"Iás tarde se volverá a una consideración sobre las condiciones de borde.
Una vez hallado Ap,/x), se utiliza la ecuación (3.6) para calcular Jp(x). Como el
dispositivo es de sólo dos terminales, la corriente total por el diodo debe ser una
constante en todo punto:

J == constante = J,....,(x) + Jp1(x) (3.11)

58
 Por Jo tanto, si se conoce la densidad de corriente ele portadores n1inoritarios .l (x)
en la región masiva n, también se conoce Ja densidad de corriente de portad res �
mayoritarios l,v(,-.:), de la ecuación (3.11), pt�es,

J,y(X) = J - Jp(X) (3.12)

l.as demostraciones sobre la región inasiva p y los electrones portadores

rninoritarios son complementarias a las de los huecos portadores minoritarios en
la región masiva n. Por con1plementarias queremos referirnos al intercarnhio de
p por n y n por p. Por eje1nplo, el cornplernento de la ecuación (3. 5) es la ecuación
Una solución de Ja ecuación (3.8), da 6.n 1(t),
(3.8). , y el uso de l a ecuación (3.9)
da JN(,'C), Ja corriente de portadores n ( en la región masiva JJ. De la
1i noritar f )S
ecuación (3 .11) se obtiene Ja corriente de portadores rnayoritarios, con10

(3 .13)

Un estudiante perspicaz podría preguntarse: "Se ha desarrol lado un plan de

ataque para las regiones masivas, pero ¿qué sucede con la corriente en la región
de vacian1iento?'' Se supuso que la región de vaciamiento no tenía ni generación
ni recombinación. Por lo tanto, l a corriente que fluye a través d e ella es una
cor1stante: "lo que entra, debe salir''. No se quitan ni se agregan portadores al flujo
de corriente. Esto aparece ilustrado en la figura 3 .6. Se hace notar c1t1e si se conoce
la corriente de difusión de portadores minoritarios en los borcles de la región de
vacia1niento, se la conoce a través d e toda la región de vacia1niento, y como
consecuencia, tan1bién en el otro borde de la región de vacian1iento. Específicamente,

dp"
jPlvm:iarn = Jp(x") - qD p- (3.14)
. lÍX

dn
= qD,v-lP (3 .15)
c.)(.

Finalrnente, con10 se ilustra en Ja figura 3.6, Ja corriente total es sin1plemente la

suma de las ecuaciones (3.14) y (3.15).

(3.16)

Ahora el lector podría preguntar: "¿En qué acto entra en escena el voltaje
aplicado (VA)? Se comenzó a deducir una relación de J en función de i1A; pero V,\
¡ni siquiera ha sido todavía n1encionacla!" J�esulta que VA. entra por vía de las
condiciones de contorno enp11(,-.:) y nP (x) en los bordes ele la región ele vaciamiento,
. en la solución ele las ecuaciones de difusión de portadores 1ninoritaríos.

59
 p N

J(total)

'
'

-x o
p
•..

Región masiva p
¡
.. Región de"" Región masiva n
vaciamiento

J ---1
- .. Masivo p Masivo n .. J

Figura 3.6 Componentes de corriente en los bordes de la región de vaciamiento.

3.3.2 Condiciones de frontera en x11 y -.-.:P

r
En el capítulo 2, cuando se aplicó VA entre los terminales del diodo, se igualó el �
potencial de unión ( Vj) con Vbi - VA , bajo la suposición de que el campo eléctrico
era esenciahnente cero en las regiones n1asivas. La hipótesis de "inyección de bajo
nivel" sugiere que, en la región de vaciamiento, las corrientes adicionales debidas
·
al voltaje aplicado, también son pequeñas. En la región de vacia1niento, <g ::/:O y
la corriente de electrones es la diferencia entre Jos grandes componentes de corriente,
1
JNJde�pJ Y JNlctir· Se supone que<& y n no han variado mucho bajo inyección de bajo j
nivel; e s decir,

(3 .17)

50
y despejando el valor del campo eléctrico, se o btiene la ecuación (3.18),

- qD,vdn/dx -D,v dn/dx

= _..;.;. -
-'--
-

(3 .18)
qµ,nn l'-11 n

Se aplica la relación de Einstein a la ecuación (3.18), con lo que se llega a los

rest1ltados de la ecuación (3 . 1 9),

<&= -kTcln/d:c
(3.19)
q n

De la definición de potencial, se puede despejar el voltaje de la unión con10

(3.20)

S u s ti tu yendo la ecuación (3. 19) en la ecuación (3.20), se tiene

= x,, kT dn/dx kT 11<x11>

Vj ;::= vbl - VA
·
-

J -
x
p
- -
q
dx
11
=
-

q
In n
11(-xpl
(3.21)

= nn(x")
vbi
t} - VA '!!. 1n (3. 22)
q nP( -xP)
Se ha agregado aquí un subíndice adicional, para ayudar al lector a llevar cuenta
de cuál es la región masiva en análisis. Hay que recordar que para que sea válida
la co ndición de "bajo nivel de inyección", para los po rtadore s en la región 1nasiva
n, debe cumplirse que t::..n11 ::: ó.pn <{ n110• Por l o tanto, n(x11) =
n110• Si se invierte
la ecu ac ió n (3.22) multiplicando en forn1a c r uzada y elevando ambos 111iembros
a la exponencial, se llega a la razó11 de concentración de electrones:

n,,(xn) eq(Vb;-VA)JkT e{qVbilkT]e(-qVA!kT]

= =
(3. 23)
nP(-xp)

Despejando n(-x ), se tiene la ecuación (3.24),

P

(3.24)

De la ecuación (2.14), para eq u ilibrio térmico ,

kT
Vb; = - In (3 .25)
q

que puede ser invertida para obtener la ecuación (3.26)

?
n �
---'-
e -q�b·ikT
' = - ' _

(3.26)
nn0Pp0
,

61
 Se combinan las ecuaciones (3.24) y (3.26) para obtener

(3 .27)

recordando que n11(x11) - n110• Como n[IPpo n o• se concluye que

p
=

n
p
(-x)
·p
= n
pfJ
eqvA1kr (3 .28)

y la concentración de electrones inyeclados en el borde -xP es

(3 2 )
.
9 l1
Se hace notar que las ecuaciones (3 .28) y (3.29) se reducen a sus valores de equilibrio
térmico, cuando Vf, O.
Se puede11 utilizar demoslraciones complementarjas para las concentraciones de
=

huecos en los bordes de las regiones de vacian1iento, lo que resulta en las ecuaciones
1
(3.30) y (3.31),

, (Xll) p eqV,,lkT
(3 .30)
:: ·� . .
..... .. . ..

P =

.
110
'

.. .. 11 "'
·' ''""'
.. l. ..

� .:�

••
..

(3.31)

VÉASE EL EJEI�ClCIO 3.1. APÉNDICE A

Diodo de base largn. Para obtener las condiciones de frontera finales en las con­
centraciones ele portadores en exceso, en las regiones masivas p y tz, se supone que
las regiones masivas son muy largas, aun infinitas en longitud. Co1no los portadores
minoritarios inyectados tienen un tiempo de vida finito (rP y rn), no pueden
sobrevivir por siempre sin 1·ecombinarse con un portador mayoritario; por lo tanto,

D.np(-oo) = O (3.32)
y
,
-·

(3.33)

Resurnen dcJ plan de trabajo

1. Se resuelven las ecuaciones de continuidad de portadores rninoritarios en las

regiones masivas para D.p11(x) y D.nP(:<), o pn(x) y nP(x) .
.

62
 2. Se aplican dos condiciones de contorno a cada solución, para determinar �p,,(x)
y t::..n (x) en función del voltaje aplicado VA.
P
3. Se determinan las corrientes lp(x11) y l1v(-x 1¡) partiendo de las pendientes de
L:lnv(,-.:) y t::..p11(,\) en -x1, y x11, respectivamente, utili2ando las ecuaciones
(3.14) y (3.15).
4. Entonces la corriente total es la suma de las corrien1es en los extremos de la re­
gión de vacian1iento, es decir,

(3.34)

3.4 l,A ECUACIÓN DEL DIODO IDEAL: DEDUCCIÓN

Para resolver las ecuaciones de di fusión de portadores 1ninoritarios, las ecuaciones

(3. 5) y (3 .8), se con1ienza por elegir los s istem as de coordenadas especiales x' y x",
c o 1n o se ve en Ja figura 3. 7. La traslación del sis terna de coordenadas de trabajo,
simplifica Ja forma analítica de las soluciones y evita complicaciones innecesarias
en el análisis.

·
.

..
nop
o
1 1
<
p,;>'{

� -··-i'.·1
'
1 1
,.._..

1 1 CJ
...
- .... ,
'°1· -�
_____.J

1 1 ·
f t -
r
...;

r::-·
: _,.._
..
p 1 1 N
......�- .;..
. '

(,... .. ,

1
" '.

1 " !
,l. - . J

l
-

----
1 1 ("
· .. .
-·

.
.
1 1
.
•

1 e
_. -- ' ' ··-

.
1 1
1 1
1 �
.1 ·
'�-
- -·

1 1 '
·�-L_
,

-.
1 1 r-=.
-..

�.,..,
._..
.
1 1 i::-.:� :·
·-:·
1 1 !�·� , ...
.�--
, i r�
, ....
... ,

l
- p,,O
r- - ·".· ·
-:t'
�
- - �: -
1
-
--
"'�
1 �G
· ·----· _,.-

,
. '

nPo- �-
,,

-l
tE
.

- - --
-
i��

1 �
X f -��
-x
p
o Xn

X"-------! L------
x'

O" O'

Figura J.7 Elección de ejes para las regiones masivas.

63
3.4.1 Región masiva n, x > .r11 o,\"' � O'

La ecuación (3.35) es la ecuación (3. 5), reescrita en función de la nueva variable

, cuyo origen esta en
' . ,

x x === x11•

d2 lip,,(x') b.p,,(x')
Dp
---
=O (3.35)
dx
12
Tp
.

Se divide entre Dp y se toma el segundo térn1ino tras el signo igual, lo que lleva.
a la ecuación (3 .36), donde Lp se define como Ja longitud de difusión de portado­
res minoritarios, huecos:

Ap,. (x')
-
(3 .36)
L�

(cm) (3. 37)

Co1no se analizó en el libro citado de Pierret, ésta es la distancia n1edia a la que

u11 hueco portador n1inoritario se puede di fu ndir antes de recombinarse con un elec­
trón portador mayoritario. La ecuació11 (3 .36) es una ecuación diferencial muy co­
mún, y puede ser resuelta en forma directa o por transf orn1adas de Laplace. La
solución es de la forn1a

(3 .38)

donde se necesitan dos condiciones de frontera, para evaluar las constantes A1 y

A2. De la ecuación (3.33) de la sección previa, la co11dición de frontera en el infi-
. .
nito, req u1ere

(3. 39)

La ecuación (3.39) solamente se satisface si A 1 = O. La segunda condición de fren­

tera, la ecuación (3.31), pide que

(3.40)
"

Por Jo tanto, la solución de t:.pn(x) es

(3 .41)

(3.42)

64
 nop
p N

¡>110 oxp (qV,.JkT)

1
1
1
�
1 •

np0 exp (qVAlkT) �¡ 1

l \. / (x') para V A> O
n

11 \. /
P

Pn (x") para VA > º\ A1 1 '· ..

/1
•
1 .. . _
t----,,. .. ------ Prt0
1 1 •• ••
-
,,,,,,,.
np0 -----=·..:.::.------r.-I
•

' ..
.

p0 (x ") para VA < O •.1 ... ---

-xp o
x" -------1 x'
o" o·

Figura 3.8 Concentraciones de portadores minoritarios en las regiones masivas para V,\ > O
(-·-·-·-)y para V/\ <O(·····), con NI\> Nn.

J\.I lado derecho de la figu ra 3. 8, se represen ta la ecuación (3 .42), pa ra VA > O y

VA < 0.
Se pros igue el plan de trabajo, para obtener a co n t inuación la corriente de hue­
cos, por aplicación de la ecuación (3.14) a la ecuación (3 .41 ):

-1
e -x'llp (3.43a)

(3.43b)

Calculando el valor en x = x
n
(o x' = O), se obliene la corriente de huecos en la
región de vaciamiento,

JPjvaciarn - - JP (O')
- JP (xn ) - = qe_Lpl'p,,o(e''VA!kT - 1) (3.44)

Se puede ver en la fig u ra 3.9 Ja corrient e de huecos en el borde y a lo largo ele las
regiones n1 as iv a n y de vaciamiento.

3.4.2 Región masiva ¡J, x s -xP o x" ;:: O

Para el caso de la región masiva p, se puede establecer la sol ució n complementaria

de la ecuación (3 .8) en forma directa, o se puede deducir paso a paso en forma

65
 p N

J(total)

�
N

�4l>
Q. J
E
(\)
-

-,

-xp o

Región masiva p Región de Región masiva n

.
va ciamiento

Figura 3 .9 Densidad de corriente en el caso de polarización dire<;ta, N/\ > 1V0•

sin1ilar a la deducción del c as o de la región masiva n. Tomando s impl e me nte el

complemento de las ecuaciones (3.41) y (3.42), se halla11 las ecuaciones (3.45) y (3.46),

(3 .45)

+ (eqv,,ikr - l)e -.�il,v

¡JfJ
· n'p (x") = n n
pO
(3 .46)

Se ha definido la longitud de difusión de portadores rnínoritarios, electrones,

con10

L,v= � (cm) (3 .47)

Ésta es la distancia media que un electrón portador minoritario se puede difundir

antes de reco1nbinarse con un hueco portador n1ayoritario. El lado izquierdo de
la figura 3. 8 muestra estos resultados para polarizaciones directa e inversa. Si se
apli ca el complemento de las ecuaciones (3.43) y (3.44), se pueden calcular fácil­
mente las corrie11tes de electrones l1v(x") y J¡/..O") JN(-," ), como
P
=

JN.(·'
r:") q D,v n (eqvAlkT 1)e-x"tl,v (3.48)
LN
=
_

pO
•

(3.49)

66
 En la figura 3.9 se muestran las componentes de la corriente electró11ica a través
del diodo. Hay que recordar que una corriente dirigida a lo largo del eje x', es opuesta
al flujo de corriente que hay a lo largo del eje x; por Jo tanto, se requiere un signo
negativo en Ja ecuación (3.15).

3.4.3 Ecuación del diodo ideal

La corriente total se obtiene sumando las ecuaciones (3 .44) y (3.49), co1no se indica
en el paso 4 del ''plan de trabajo". El resultado se denon1ina ecuación del diodo
ideal, u ocasionaln1ente, ecuación de Shockley del diodo

(3.50)

Multiplicando por el área de Ja unión (A) se obtiene la corriente total

(3 .51)

donde la corriente de saturación inversa ha qt1edado definida como

10 = qA (3.52)

3.5 JINTEl�PRETACIÓN DE LOS RESULTADOS

3.5.1 Característica V-/

Se logra un conocimiento más profundo sobre el funcionamiento de la unión p-n,

a través del examen 111ás detallado de Ja solución cuantitativa a la ecuación del dio­
do ideal. La figura 3. IO(a) es una representación lineal de la ecuación (3.5 l), que
muestra el incremento exponencial de corriente con polarización clirecta, y la pe­
queña y prácticamente constante corrie11te de polarización inversa. Si se analiza
el tér1nino exponencial de Ja ecuación (3.51) a te1nperatura an1biente, donde q/kT
= 38.46 v-1, indica que una polarización directa de 0.10 volt, lleva el térrr1ino ex­
ponencial a un valor casi 50 veces respecto al "uno" y, por lo tanto, ya la corriente
resulta exponencialn1ente dependiente de la tensión aplicada.

Si se too1an logaritmos naturales

qVA
In(/) = ln(/0) + kT
 I Jn 1

I
I

(a) (b)

Figura 3.10 Características volt-ampere de In unión p-n: (a) diagran1a lineal; (b) diagruma semiloga­
rít1nico.

que se representa como una recla en la figura 3.lO(b). Se hace notar Ja similitud
.

de forina de y = Ax + b al representarla en los ejes semilogarítmicos.

Con VA = -0.10 volts, el tér1nino expon encial vale aproximadamente 1/50, y,
por tanto, es rnuy pequeño comparado cor1 el "-1", lo que hace que prácticamen­
te I - -10, independiente del voltaj e inverso. La corriente inversa ya no ca111bia,
es decir, se ha saturado; de ahí su non1bre de ''corriente de saturación inversa".
[Véase la figura 3.lO(a).]
Resulta evidente de l a ecuación (3.52), y como se representa en la figura 3.4,
que la corriente de saturación inve rsa está determinada primariamente por los por­
tadores mi noritarios npo generados térmicame11te en la región masivap, y Pno ge­
nerados en la región masiva n. Se puede escribir la ecuación (3.52) en función de
las densidades de dopado NA y N0:

10 = qA =
qA (3.53a)

(3.53b)

Es irnportante considerar que n; aumenta exponencialmente con la temperatura y

que su valor a temperatura ambiente es n1uy dependiente de l a anchura de la banda
prohibida Ea del 1naterial. Para un valor más elevado de E0, se tiene un valor más
bajo den¡. Hay que tener en cuenta también que el lado más débilmente dopado
de la unión p-n ha de producir mayor cantidad de portadores minoritarios y, por
tanto, el mayor com ponen te de corriente. Por ejemplo, una unión p+-n tiene NA
� N0 y, de la ecuació11 (3.53),

10 ::::: qA = qA (3.54)

68
 De n1anera si1nilar, para una unión p-n·�,

=
qA (3.55)

La mayor parte de los diodos y n1uchas de las uniones p-n que se dan en otros dis­
positivos, son del tipo p +-n o n t -¡J; en los anál isis futuros se hará frecuente uso
de estas un iones asimétricas.

VÉASE EL EJERCICIO 3.2. APÉNDICE A

3.5.2 Componentes de la corriente

Las corrientes de electrones y huecos de polariz ación directa que se n1 uestran en

las figuras 3.8 y 3.9, son para el caso supuesto de 1VA N0, es clecir, p110 > n o ·
>
p
Al inspeccionar las ecuaciones (3.43) y (3.48), se ve que la corriente ele huecos in­
yectada en la región n es 1n<:1-yor que l a corriente de electrones inyectada a la región
p, cuando NA> 1V0. Éste es u n punto muy importante. La unión p+-n en parti­
cular, obtiene la mayor parte de su corriente de huecos inyectados en la región n.
De manera similar, la corriente de unión p-n- está compuesta principalmente por
electrones inyectados e11 la región p.

3.5.3 Concentraciones de portadores

En la figura 3.11 se representa la concentración de portadores m inoritarios para

polarización directa. El rayado pone énfasis en las ''conce ntraciones de portado­
res en exceso" inyectados; es dec ir, aquéllas mayores que su va lor en equili brio
térmico. De las ecuaciones (3.42) y (3 .46 ) , surge que las tasas de caída exponencial
ele portadores minoritarios inyectados, al reco m binarse con portadores mayorita­
rios, quedan controlad as por las longitudes L P y L,v de difusión de portadores n1i­
noritarios. La figura 3 .11 n1uestra L P y L,v como la dista ncia dentro de la región
m a si va en la cual los p ortadores en exceso han caído al 37º7o de su valor respec to
al del borde de la región de vacia1niento. Con10 Lp y L,'\/ son proporcionales a 7112
y 111/2, cuanto rnayor es la recombinación (T11 y Tn más pequeños), n1ás cortas son
las longitudes de di fusión. Otra interpretación es la de que en promedio, un porta­
,

dor minorit ario ha de clifundirse dentro de la región masiva una longitud de difu­
sión, antes ele recombinarse.
En la figura 3 .12 aparecen representadas las concentraciones de portadores de
polarización inversa. En este caso las concentraciones de p o rtadores en "exceso"
son negativas, es decir, vaciadas por debajo' de sus valores de equilibrio ténnico.
En promedio, los portadores minorit?rios ge nerados tér1nicamente dentro del
entorno de una longitud ele difusión del borde ele la regi ón de vacia1niento, son

69
 /

Pp0 1
1o16 1
� 1
•

•
1 nn0

\. r·
• · -

�.
I
•

¡
-

Q.
"' 1012
�
o

-g
-
�
o
c.
p
1 N
Q)
-o 1
e
·O
1
·o 1
-
!'! 1
fü
(.J 108 1
e

8 :1 ••... / •
Huecos
1
inyectados
•

n (-xP) 1 •:
Electrones
��·¡
P
1 •

inyectados
n�� .
n¡:¡o

104 -"""
��
--

Región de vaciamiento

Figura 3.11 Concentración de portadores en equilibrio térmico(-·-·-) y en polarización directa

C . ), VA >O. Nose 1nuestra la reducción de la anchura de la región de vacia1nicnto.
. . .

los impulsados a caer por la cresta de potencial y contribuyen a !0• Estos son los
portadores minoritarios representados en la figura 3 4 . .

VÉASE EL EJERCICIO 3.3. APÉNDICE A

3.6 Resumen

El equilibrio térmico y el diagrama de bandas de energía sirvieron como punto inicial

del flujo de portadores por difusión y desplaza111iento. Las dos componentes de co­
rriente de huecos se oponen entre sí, con nulo flujo neto de huecos. En forma similar,
la corriente de difusión de electrones era igual en magnitud, pero opuesta en dirección
a la de desplazamiento de electrones, con lo que resultaba nula la corriente nela. Las
corrientes ele desplazamiento eran controladas fundamentalrr1ente por la generación
térmica y por el flujo de portadores debido a la caída favorecida por la cresta de po­
tencial. Las corrientes de difusión consisten en portadores con suficiente energía para
trepar la cresta de polenciaJ, y tener una gran concentración de portadores a un lado
de la región de vaciamiento, en comparación con el del otro lado.

70
 .
' Equilibrio
térmico

\/""'

p N

Q)
"O
e
:2
..,
�
-

e 108
Q)
..,
e
o

\
..,
Q)
"O

�
�
;:¡ Pno
::?

Figura 3 .12 Concentraciones de portadores para equilibrio térmíco ( ) y polarización inversa

(-·-·-). VA< O. No se muestra el au1nento de la anchura de la región de vaciamiento.

La unión polarizada directamente per mit ió u n crecimiento exponencial de las

corrientes de difusión, mientras que los componentes de desplazamiento permane­
cen fijos cerca de sus valores de equilibrio térmico. Se inyectan huecos en la región
n y electr o nes en la regi ón p.

Problemas

3. J Trace el diagrama de bandas de energía para un diodo de un ión escalónp+ -

nen:
(a) equilibrio térmico;
(b) po larizac ión directa (mostrado respecto al equil ibri o térmico);
(e) polarización inversa (mostrado respecto al equilibrio té rm ico) ;
(d) en el punto (a), dibuje un diagrama nuevo que muestre el flujo de porta­
do res y l os cuatro componentes de corriente relacionados entre sí.

3.2 Parta de la ecuación de difusión de portadores minoritarios para deducir la

ecuación (3.45).

71
 3.3 Una uniónescalón de silicio tieneN A = 5 x lQ+l5/cm3yN0 = IQ+l5/cm3,
DN = 33.75 cm2/s, Dp = 12.4 cm2/s, n¡ = lQ+lOJcm3, kT = 0.026 eV, A
= io-4cm2, ,,.P = 0.4µs y rn = 0.1 µs. Calcule:

(a) la corriente de saturación inversa debida a huecos;

(b) la corriente de saturación inversa debida a electrones;
(c) la corriente de saturación inversa, 10•
(d) Si VA = Vb¡/2, calcule:
(i) la concentración de huecos y la concentración de huecos inyec tados
en xn.
'
(ii) la concentración de huecos en x = Lp/2.
(iii) la concentración de electrones y la concentración de electrones in­
yectados en -x .
P "
(iv) la concentración de electrones en x = LN/2.
(e) Si VA -Vb¡/2, calcule:
=

(i) la concentración de huecos y la concentración de huecos inyectados

en xn··
'
(ii) Ja concentración de huecos en x = L¡)2.
(iii) la concentración de electrones y la concentración d e electrones
inyectados en -x .
P "
. (iv) la concentración de electrones en x = LN/2 .
(f) La carga total de huecos inyectada (o vaciada) para
(i) el punto ( d)
(ii) el punto (e)
(g) ¿Para cuál valor de VA y en qué lugar del diodo se contraviene por pri­
mera vez la hipótesis de "inyección de bajo nivel''? Utilice como criterio
que los portadores minoritarios alcancen una concentración del lOOJo de
la de Jos mayoritarios.

3.4 Una uniónp-n abrupta con NA = io+ 17 /cm3 y N0 = 5 x 10+1s1cm3 tiene

TP = 0.1 µs y rn = 0.01 µs, con kT = 0.026 eV, A - io-4 cm2> n.1 =

I0+10/cm3, P..n = 801 crrí.2-/V-s y fkp = 438 cm2/V-s.

(a) Calcule la corriente de saturación inversa debida a huecos.

(b) Calcule la corriente de saturación inversa debida a electrones.
(c) Calcule la corriente de saturación inversa total.
(d) Si VA = Vb¡/2, calcule las corrientes de portadores minoritarios inyecta­
dos en los bordes de la región de vaciamiento. ¿Cuáles son las concentra­
ciones de portadores minoritarios inyectados en O y en 1 µm dentro de
las regiones masivas?
(e) Si VA = -Vb¡l2, ¿cuáles son las concentraciones de portadores minori·
tarios inyectados (o vaciados) en los bordes de las regiones n1asivas? Cal­
cule las corrientes de portadores minoritarios en los bordes de las regiones
de vaciamiento.
(f) ¿Para cuál valor de VA y en qué lugar del diodo será violada' por prime·
ra vez la hipótesis de ''inyección de bajo nivel"? Utilice como criterio que

72
 los porta dores minoritarios alcancen u11a c onc entració n del 1 OU/o de la
de los mayoritarios.
3.5 Dos diodos unión escalón p+ -n de silicio mante nidos a temperatura ambiente
son idénticos, excepto en N0 l0+15/cm3 y N02 J0+ 16/cm3. Trace am­
1
= =

bos diagramas sobre unos ejes coordenados, y cornpare las características/- V

de ambos diodos.

3.6 Un diodo de silicio de unión es c a lón con sección transversal A = 10-4 cm2,
tiene u n dopado· de NA = 10+ 17 /cm3 y N0 = 10+ 15/crn3. Sea µ.n = 801
c m2/V s y Tn 0.1 µ.s del lado p; y µ. = 477 crn2/V-s y r = 1 µs del lado n.
P P
- =

(a) Calcule l a corriente que atraviesa el diodo a tem pe ratura arnbiente (/(TIq
= 0.026 V), si
(i) VA = -50 V,
(ií) VA = -0.1 V y
(iii) VA = 0.2 V.
(b) Repita el punto (a) para T = 500 K, s uponi endo que las mov ili dades y
tiempos de vida no varían significativan1ente co11 la temperatura.
(e) Resuma con sus propias palabras lo que se ha expuesto e11 este problen1a.

3 .7 Si la unión escalón está polarizada en forma directa:

(a) Deduzca una ecuación que dé l a carga total Q ele por tadore s minorita­
P
rios inyectados en la región 1nasiva n.

(b) To1ne el "con1plemento'' del punto (a), para ha llar Qn para la región ma-
s1va p.
•

(c) Si cada "P segundos recombina QP' ¿cuál es la corriente de recoinbina­

ción de huecos?
(d) Repita e l pu11to (c) para Q11� que recon1bina cada "n segundos.
(e) Establezca un e nu nciad o sobre recombinación y corriente, como resul ta ­

do de los punto s (c) y (d), rec or dando que el tiempo de vida de u n porta­
dor minoritario e s el tiempo promedio de recombinación.
(f) ¿Cuál es la corriente de r ecomb inac i ón total inyectada (huecos más elec­
trones)? ¿Có1no compara esta ecuación con la ecuación del diodo ideal?

3 .8 En la fi gu ra P3. 8 se rnuestra tina idealización del diodo real cuando está pola­
rizado en forma inversa, la que 110 obstante, es muy útil para ilustrar diversos
conceptos de importancia.

(a) Deduzca una expresión que dé la cantidad de electrones generados por

s-cn13 (ritmo de generación) e n la región n = O d el lado p, en estado es­
tacionario.
(b) Si todos los electrones en la región limitada por LNson ren1ovidos y atra­
. viesan l a región de vaciamiento, ¿cuál es el flujo de corriente de electrones?
(c) Repita los puntos (a) y (b) para los huecos en la región p = O del lado n.

73
 (d) ¿Cuál es la corriente total de generación de electrones minoritarios y de
huecos?
(e) Compare la respue.sta a (d) con -10.
(f) Expliqu e el signi ficado y el concepto básico de este problema.

Ladop Lado n

n = O p;O

/1 s /1p0 : lP = Pno

• 1• w .t. . Lp
1- LN ..¡
-x
p xn

Figura P3:8

3.9 La fig ura P3.9 describe lo q ue se de11omina "diodo de base corta " .

')
(a) Deduzca una ecuacjón para obtener l1p11(x') y trace un diagrama ele p11(x
.
$1

(i) tiene p91arización directa,

(ii) tiene polarización inversa.
(b) Deduzca una ecuación para obtener J (x') en l a región n, y trace un dia-
P
grama para polarización direct a .
(c) Utilice los resultados del texto para obtener JN en la región p, y obtenga
una ecuación para Ja curva característica V-1 del diodo de base corta
.
'' i deal '' .
(d) Dibuje los diagramas para los puntos (a) y ( b) con polarización inversa.
(e) ¿Cuál es la relación entre la corriente de huecos y la corriente total?
(f) Si se hiciera X1v aün n1ás pequeña, explique cómo afectaría a la corriente
de huecos it1yectada en la región n.

p N

-1» --1

----x
XN<< Lp

r----,-.---x'
o'

Figura P3.9

74
.
3.1 O Para el diodo de base '' semicorta" de la figu ra 3 .1 O:

(a) Deduzca una ecuación para D.p,,(,'(') y trace su diagrama. (Sugerencia: use
funciones hiperbólicas.)
(b) Derive una ecuación para JP (x') y trace su diagrama.
(e) U tili ce las expresiones de l a región p del texto, y obtenga una ecuación
para la corriente total (J).
(d) Verifique su respuesta, haciendo X11.� 00; es decir, se debe co nvertir en
el diodo de base larga.

p N

-
oo
--1

----x
-xP -x O X
p n

Xp >> LN x'
.-------.--
O'

Figura P3. l O

3 .11 Si para el diodo de base ''semicorta" de la figLlra P3. 1 O, la condición de con­

torno en XN se convierte en tlp11(XN) :::: constante :::: K, deduzca y represen­
te la ecuación de t.p,/x'). Verifique que la solución esté en tér1ninos de
funciones hiperbólicas.
3 . 1 2 En la fabricación de los dispositivos modernos, se puede hacer que las regio­
nes angostas del semiconductor casi no tengan generación-recombinación. En
l a figura P3.12 se ilustra esto para un caso de unión escalón.

( a ) D ed uzca y re p re sente una ecuación para t.p11(,'(') cuando está polarizado

en forma directa.
(b) Deduzca y represente una ecuación para Jp(x').

p N

Tp = 0.1 ¡1S

F i�u
- ra P3.12.

75
 .
3.13 La célula solar es una unión escalón p+-n en que la luz que incide sobre el
dispositivo se abso rbe unifor1nemente en todo el n1edio. Suponga que aún
tiene valide?.. la aproximación de vaciamiento, de modo que la gene ración de­
bida a la iluminación puede ser ignorada en la región de vaciamiento. Dado
un ritmo de fotogeneración de GLpares electrón-hueco/cm3-s, y.ya que el lado
p está dopado en farma elevada de modo que sólo se debe considerar el lado
n y la inyección de bajo nivel:

(a) ¿Cuál es la concentración de portadores rrli11oritarios en e l lado n, a una

distancia grande (x � oo) de la unión metalürgica?
(b) Puesto que existen condiciones de inyección de bajo nivel, se puede utili­
zar la condición de borde de

.\ (
w.p" Xn) - Pno
[ qVAlkI
-
l]
e
_

Usando las condiciones de fron tera de l punto (a), deduzca una ecuación
pa ra J en función de VA en el dispositivo, con ilun.1 inación, en estado es­
tacionario.

(e) En un solo diagrama, trace las características de V-! con

(i) GL = O ; sin iluminación;

(ii) GL = GLO;
.
(iii) G L = 2GLO;
(iv) Gr. = 4GLo·

3 .14 Comercialmente se vende un diodo de silicio de polarización dir ec ta, como

sensor de ten1peratura. Para utilizarlo en la medición de temperaturas, está
polarizado directamente, con una fuente de corriente constante y un VA me­
dido e11 función de T, como se ve en la figura P3 .14.

(a) Deduzca una ecuación de VA(7), haciendo que DI L para los huecos y
electrones, sea independientes de T; se utiliza la dependencia del salto de
energía, de

(4.73 X 10-4)T2
EG = 1.17 - (eV)
(T + 636)
.

donde T está en ºK.

(b) Si n1 = 1.5 x 10+101cm3, kT = 0'.026 eV, 10
10-4 A = 10-1s A, e J =

a temperatura ambiente (300 K), calcule una fórmula de VA (7) y repr e·

séntelo en función de T desde 20 °C hasta 200 °C. Note que es casi lineal.
(e) Deduzca una fórm u la de el VA/ dT (m V/K ,que es igual que m V/ºC) y de·
.
termine la pendiente del diagrama para las condiciones del punto (b).

76
(d) Repita el punto (e), para í = 1 mA.
(e) ¿Qué le dicen al lector los resllltados de los puntos (b), (e) y (d)? ¿Hasta
qué punto iI1f1uirían en él si estuviera diseñando un circuito?

1 = constante

Figura P3. 14

77
 4 Desviaciones respecto
al diodo ideal
•

Los primeros tres capítulos de este volumen han desarrollado des cripc iones cuali­
tativas y cuantitativas del diodo de unión p-n i deal La ecuación del diodo ideal,
.

como fue deducida, describe de mane r a precisa ciertos dispositivos reales que se
extienden por muchas décadas de la corriente, y en un intervalo d e voltajes muy
amplio. Sin embargo, hay diversas condiciones de temperatura y voltaje aplica­
dos, en las cuales el di�do ideal no logra representar adecuada1nente a los disposi ti ­
vos físicos. Cuando se invierte la polarización, Ja c orr ient e pueclc hac erse más
negativa que -/0, como resultado de Ja ge n e ración de po r ta dores en la región de
vac iam iento, y a voltajes inversos n1ás el ev a do s, debido a la rotura ele la unión.
Esta roturase puede deber a una de dos caus as o renómenos: Ja avalancha o el pro­
ceso de Zener. También hay desviaciones respecto al comportamiento ideal ea el
caso de polarización directa, a valores muy pequeños de corriente, debido a recon1-
binación en la región de vaciamiento, y a valores muy elevados de corriente, debi­
do a dos efectos: la inyección de portadores de alto nivel y la caída óhmica de voltaje
en reg iones masivas y contactos.

4.1 DESVIACIONES RESPECTO AL lOEAL,

EN POLARIZACIÓN INVERSA

En la figura 4. J se iluscran las desviaciones respecto al ideal, para polarización in­

versa. Para valores elevados de polarización inversa, la magnitud de la corriente
aumenta en forma dramática. El voltaje para el cual la corriente tiende a -oo, se
denomina voltaje de ruptura (V8R). Si el di odo funcionara en esta zona, no sería
destruido, lo que sucedería en el caso ele un condensador, s ie mpr e que no se exce­
diera la máxima ten1peratura de l a unión. En una cantidad de aplicaciones el dio­ ,

do opera en la reg i ón de ruptura, donde se comporta como una fu ente de voltaje

fij o en un intervalo de corrientes muy amplio; de ahí el nombre que recibe de' 'dio­
do de referencia'' o "diodo regulador''. Cuando actúa en esa zona, como referen­
cia de voltaje en ruptura, el diodo reemplaza grandes y costosas baterías en muchos
circuitos del tipo regulador de voltaje.
Los mecanismos responsables de V8R son los procesos de avalancha, de Zener
o ambos. El más común es l a avalancha y, por lo tanto, será tratado primero.

79
 I

Diodo ideal

Diodo real

. ..
.......

. .

Figura 4. J Desviaciones respecto al ideal, en polarización inversa.

. . ' •.'!• •

4.1.l Rup tura de avalancha

Para entrar en el tema de análisis del fenómeno de ava lancha, consideremos el campo
eléctrico en la zona de vaciamiento, y los portadores minoritarios generados térmi­
camente y np0), que caen por la cresta de J)Otencial, lo que da lugar a la co­
(p110
rriente -!0. En el capít ul o 2 se trató sobre el efecto de voltajes inversos elevados
y sus elevados campos eléctricos resultantes en la región de vaciamiento, con el campo
eléctrico n1áxin10, que se produce en la unión metalúrgica. Se recuerda que cuanto
mayor sea el campo eléctrico, mayor será la velocidad de desplazamiento de los
portadores (véase el análisis sobre movilidad e n el libro de Pierret). Para un valor
crítico del campo eléctrico (�cR), los portadores, en promedio, aceleran a un va­
lor de ener gía suficienten1ente gra11de para que, cuando haya colisiones con un átomo
en una estructura cristalina, puedan ''liberar'' un par electrón-hueco. El portador
que produce l a colisión transmite a l átomo cristalino energía suficiente corno para
que un electrón en la banda de valencia, sea excitado a la banda de conducción,
dejando un hueco en la banda de valencia. Los tres portadores ahora están ''en
libertad'' de ser acelerados por el ca1npo eléctrico, adquirir energía cinética, y par­
ticipar e n colisio n es adicionales que, a su vez, producen creación de portadores;
es decir, tiene lugar una verdadera avalancha de portadóres. Un único portador,
sea éste un electrón o un hueco, crea dos portadores los que, a su vez, crean pares
electrón-hueco adicionales. En la figura 4.2(a) se ilustra el proceso en forma espa­
cial , y en la figur a 4.2(b) pueden observarse las bandas de energía.
Nótese que los huecos que entran en el borde de la región de vaciarniento se mu]­
tiplican por el fenórneno de avalancha hasta que alcanzan la región masjva p, y
el campo eléctrico cae por debajo del valor crítico . La relación entre la corriente
de huecos que salen de la región de vaciamiento y la corriente de huecos que entran,
se denomina factor de multiplicación de huecos, y hay una definición similar para
Jos electrones. El factor de multiplicación total está dado por la ecuación (4.1):

80
 p

,.

lt,• •
•
. "·
-·
s;
' . ..

'
�
'j
,· "...,.''J
'1· .
...
'I
i
J
•

·
-:;-t
1
1�
<
l
! .

... "'!
1 .......
(a)
. .¡
.• • f:,Q¡
..
:• ••
..
.
.. �; 1

(;:_·­'.
,. -
. ·.

p i-----W----� N
¡¡
'

� ���- -�·-�- , M 1 A
--- ----.... ·�'
··--·�'
·--
"'

'
Ev '
M - 1 .1
\
M 2
\
=

\ M = 3
M 4
\
=

\
\
'
'
---o '
'

�oo
....
E;
_ --
---

(b) (e)

Figura 4.2 El proceso de avalancha: (a) 1nultiplicación espacial de electrones y hu ecos; (b) multiplica­
ción de electrones y huecos; (e) voltaje de ruptura en función de la multiplicación.

M .
-
-
-
111 (4. 1)
lo

Aquí no se ha de realizar la deducción del valor del factor de multiplicación en fun·

ción del voltaje de ruptura; pero el resullado es:

1
M - -:=--=:-
- - (4.2)
l -
I VAI m

VeR

81
 do nde 1n está en el intervalo de 3 s m s 6, según el semiconductor empleado. l
Las figuras 4.1 y 4.2(b) 1nuestran que, cerca del codo de la curva V-/, se prodt1ce !
una multiplicación significativa antes de alcanzar el voltaje de ruptura.
A continuación se considera e l efecto del dopado en la tensión de ruptura. En
el capítulo 2, para la unión escalón, el campo eléctrico máximo se producía en la
unión m e talúrgica , x = O. Combinando las ecuaciones (2.45) y (2.47), el campo
eléctrico negativo máximo es

112

(4.3)

El valor crítico del campo eléctrico. (%cR) es una constante física para un sen1icon­
ductor dado, y resulta casi independiente del dopado. Sustituyendo VA por -V BR
en la ecuación (4.3), y elevando al cuadrado, se tiene

(4.4) '
•
Para el silicio, 'gcR :::: 2 x 105 V/cn1 a 8 X 105 V/cm, según el valor del dopado.
Típicamente V8R � Vbi• por lo que se concluye que

(4.5)

Si se examina la ecuación (4.5), se ve que cualquier aumento en el dopado, ya sea n

+
o p, produce una disminución de V8R. Para la unión p -n, donde NA � N0, se tiene

(4.6)

y para la unión p-n+, donde N � NA, es

0

(4.7)

El voltaje de ruptura en un diodo asin1étrico, debido al efecto de avalancha, resul­

ta controlado primariamente por el dopado de la región masiva, débilmente dopa­
da. En l a figura 4.3 se muestran Jos casos dados, más explícitan1ente para silicio.
Cualquier valor de V8R superior a 6.5 volts, es un resultado del efecto avalancha.
Todo este análisis está basado en una unión escalónp-n chata o plana. Las unio­
nes difusas tienen difusión tanto lateral como vertical, lo que hace que sea una unión '
no plana alrededor de los bordes. Como resultado, la ''curvatura" alrededor de
los extremos ha incrementado los campos eléctricos, y por lo tanto ha reducido ·
la V8R por debajo de la que se ve en la figura 4. 3.

82
 300ºK
Silicio

102
�

"'
-
-
o
>
�

ce
':;:.f!l

10
6
4
Inicia
2
Zener
1
1014 101s 1016 1011 1018

N0 (cm-3)

J7iguru 4.3 Voltaje de ruptura por avalancha para el diodo de silicio p 1• ·n.

La dependencia de te1nperatura de VBR para la avalancha es tal que aumenta

cuando lo hace la temperatura. Esto no resulta muy evidente de l a ecuación (4.5).
Aunque se puede intuir, pues hay más dispersión de portadores desde la estructu­
ra, a temperaturas más elevadas. Por l o tanto, se requiere un campo eléctrico más
elevado para acelerar los portadores a una energía suficientemente alta, para que
se produzca el efecto avalancha, y debe serlo a una distancia corta antes de que
se inicie la dispersión, y se pierda la energía en la red. El resultado es que se requie­
re un voltaje más alto sobre el dispositivo, para que se produzca la ruptura.

1 VÉASE EL EJERCICIO 4.1. APÉNDICE A 1

4.1.2 Ruptura Zener

Se produce ruptura Zener en las uniones p-n que están fuerten1cnte dopadas en am­
bos lados de la unión metalúrgica. Típican1cntc, los diodos de Si con V0R de 4.5
volts o menos, cumplen la condición para presentar e.fecto túnel, que es otro nom­
bre que se da al proceso Zener. La figura 4.4 muestra la idea básica d e un electrón
atravesando según el efecto túnel una barrera de potencial. En la física clásica, una
partícula debe tener una energía superior a la ele la barrera, para aparecer del otro
lado. Sin embargo, en mecánica cuántica, si la barrera es muy delgada, d < 100
A, el portador puede perforar la barrera atravesándola, co1no a través de un túnel.
Deben ciarse dos condiciones para que se pueda producir este efecto tí1nel:

1. Una barrera de potencial delgada; e s decir, cuanto más pequeño sea d, mayor
será Ja probabilidad de que se produzca el efecto túnel.

83
 Barrera de potencial

Electrón
Un electrón por efecto
..,
·-

0- ---- --i\/\1'11-._
O>
túnel atraviesa la barrera
�
Cll
e:
w

w
d Distancia

Figura 4.4 Efecto túnel para el electrón.

2. Gr a n cantidad de electrones disponibles para este efecto túnel, a un lado de la

barrera, y una gran cantidad de estados vacíos, al mismo nivel de energía, para
caer dentro de ellos por efecto túnel hacia el otro lado de la barrera.

En la figura 4.5 se puede ver un diodo de u nión p-n polar i zado en forma i nvers a .
Se cumplen las co n dic i ones para que haya efecto tún el como sucede con el diodo,,

si �Ves pequeño. La anchura de la región de vaciamiento es pequeña si los lados

p y n tienen valores elevados de NA y N0, respectivamente. Con pol arización
inversa, el borde de la banda de conducción del lado n (ECJ1) cae por debajo del
borde de la banda de valencia del lado p (Evp), lo que provee est ados vacíos en la
banda de conducción del material n, en el cual pueden penet rar los electrones por
efecto túnel. Ta1nbien se puede ver que los estados electrónicos llenos en la banda
de valencia del la do p, brind an una cantidad mayo r de electrones para el efecto
túnel. Una vez que este efecto comienza, cualquier aumento de Ja polarización
inversa, incrementa la diferencia (Ev - E..,,) y au1nenta la cantidad de electrones
,

p
disponibles p ar a el efecto túnel sobre n1ás estados vacío�, con lo cual aumentan
las corri entes de senti do inverso. En el efecto tún el VBR dis minu ye al au m entar
, ·

la temperatura.

p N
,,--
'

Ecp
\
Altura de
barrera Electo túnel

Estados vacíos
Evp -- -
Estados Ee,,
llenos

Figura 4.5 Ruptura Zencr de polarización inversa.

84
4.1.3 Generación en W (región de vaciamiento)

La corriente inversa que se muestra en la figura 4.1 no satura en el valor -!0 tras
pocos volts de polarización inversa, como predice la ecuación del diodo ideal. En
el desarrollo de la ecuación del diodo ideal, se supuso que la tasa neta de generación­
recombinación en la región de vacian1iento era cero. Al darse la polarización inversa,
la generación en la región de vaciamiento predomina sobre la recombinación, porque
las concentraciones de portadores son inferiores a las de sus v a l ores de equilibrio
térmico; es decir, pn < nr. Los pares electrón-hueco generados er1 W, caen por la
barrera de potencial, como se puede ver en la figura 4.6. Estos portadores gencr\idos
térmicamente contribuyen a la corriente en el circuito externo. Por lo tanto, por
el diodo fluye una corriente en exceso de -!0.
La velocidad de generación de pares electrón-hueco (G, # /cm3-s) puede servir
para calcular la corriente inversa adicional. La cantidad de portadores adicionales
creada por segundo es el producto del volumen por la velocidad de generación. La
corriente adicional producida es

lR-G == -qA Jx" G dx (4. 8)

-,tp

La tasa ele generación en la región de vaciamiento es aproximadan1ente una constante

en toda la región de vacian1iento,

(4.9)

p N

Ec ----- �
1 �
1
E,-------....._ 1
1
�
1
1'"
1 "-! 1 ��
' I'- 1 1
E. 1 1 "1 1 "'------ Ec

'O "bt l" l

.

1
• 1"1
'� !
'O 1
i'------4
\3 1
'o�----- Ey
----- W-----

Figura 4.6 Generación en la región de vaciamien10, bajo polarización inversa.

85
 donde To está definido como tiempo de vida efectivo*, de acuerdo con la ecuación
(4.10),

(4.10)

Entonces se obtiene la corriente de generación total, reemplazando la ecuación (4. 9)

1

e n la ecuación (4.8), e integrando a l o largo de W:

ll·
1R-G = -qA _.!.. W (4.lla)
· 2ro

Se recuerda que W ce 1VAl112 para una unión escalón, y por lo tanto l a corriente
de generación aurnenLa al hacerlo e l voltaje inverso adicional, como se puede ver
en la figura 4.1. La corriente total es

n· W
- qA ' - (para VA < O)
� (4.1 l b )
2r0

Co1no s e puede ver en la ecuación (3.53), la corriente de saturación inversa (-/0)

de la ecuación del diodo ideal, es proporcional a nr. La corrie11te de generación es
proporcional a n¡ y, para silicio a temperatura ambiente, n¡ vale aproximadamente
10101c1n3. Un diodop+"ntiene valores típicos de W = 10-4 cm, To= rP' Lp =
10-2 cm y N0 = 1014/cm3. Comparando las componentes de corriente inversa,

n· 101º ·X 10-4 5 X 105

=
-

fR-G O:: __.!.. W -

---

2To 2 X To To

Es evidente que para un diodo de silicio a temperatura ambiente la corriente de

generación es significativamente superior a Ja que se ve en la figura 4.1. Sin embargo,
para un diodo de germanio, donde n¡ vale aproximadamente 10l3/cm3, los valores
de corriente son de (5 x 108)/70 para generación y 101º/T para desplazamiento.
P
Un diodo de germanio, a temperatura ambiente bajo polarización inversa, aproxima
a la ecuación del diodo ideal mucho mejor que la manera e11 que lo hace un
dispositivo de silicio.

*Yease Pierret, Fu11da1nen1os de se111lconductores (de esta misma serie), sección 3.3.2.

86
4.2 DESVIACIONES RESPECTO AL IDEAL, EN POLARIZACIÓN DIRECTA

La ecuación del diodo ideal, deducida en el capítulo 3, aparece representada en

la figura 4.7, conjuntamente con Ja representación de un diodo real, para tensiones
de polarización directa, en escala scmilogaritmica, para ren1arcar la extensión del
intervalo de valores de corriente. Se hace notar que en la extensión de muchas décadas
de corriente, el disposjtivo ideal y el real están, en efecto, bastante próximos. El
parámetro ' n'' se denomina!actor de idealidad, y es una medida de la aproximación
'

respecto al ideal, según l a cual fue fabricado el dispositivo real. El factor de idealidad
es incorporado a la ecuación ideal, reemplazando qlkT por qlnl<T,

(4.12)

Con cualquier n1agrutud razonable de polarización directa, el término exponencial

es mucho mayor que -1 y

(4.13}

Ton1ando logaritmos naturales se obtiene la ecuación (4.14):

q 1,.,
\
In l = Jn /0 + (4.14)
nkT
-"-'­

In (f)

I
I
lde:i l ¡
I �- Inyección de alto nivel
Ir._
/ Pend1en1e a fil

e¡
111 kT

--...._ Ideal cuando n, - 1

Pend ien te = e¡
112J..r

In (/o)

Figura 4.7 Desviaciones respecto al ideal, en polarización directa.

87
 ::;, se representa la ecuación (4. 14) en escala sen1ilogarít1nica, con V" como abscisa,
se obtiene un resultado similar a la relación ,x-y de la ecuación (4.15), donde a es
la intersección con x == O, y bes la pendiente.

y= a+ bx (4.15)

Al corr1parar la ecuacjón (4.14) con la ecuación (4.15), se ve que el corte con el eje
es ln(J0), y la pendiente es q/nkT, como se ve en la figura 4.7. Por lo tanto, cuando
n= 1, los datos físicos coinciden con el d iodo ideal. Para la mayor parte de los
dispositivos de silicio actuales, 1.0 :$ n :$ 1.06, extendido a 5 o 6 décadas del valor
1
de la corriente.
En la figura 4.7 se pueden distinguir tres regiones de comportamiento no ideal.
Para corrientes n1uy bajas (cerca de la intersección extrapolada de VA == O), la
l
corrier1te rnedida es n1ayor que la predicha por la ecuación para J. Para corrientes
elevadas la pendiente disminuye, y eventualmente no se puede deter1ninar una
pendiente definida. En las subsecciones siguientes se explica cada feñOmeno.

4.2.1 Ilecombinación en W (regic'in de vacian1iento)

Se con1ie11za el análisis en la región no ideal para valores muy pequeños de corriente

directa. En esta zona de operación, las densidades de portadores inyectados son
relativamente pequeñas, y los l1uecos que salen de la región p atraviesan la región
de vaciamiento en su camino, hasta ser jnyectados cou10 portadores minoritarios
e n la región n. Simultáneamente, hay electrones que están viajando desde Ja región
n, a través de W, para ser inyectados en la región p. La ecuación del diodo ideal
suponía que no se proºducía recombinación o generación en la zona de vaciamiento.
Con una cantidad de portadores mayor qt1e los valores correspondientes al equilibrio
térmico, pn > nr, puede producirse recombinación en W. Cada. evento de
recombinación, extingue a un par electrón-hueco. En la figura 4.8 se muestra una
representación de este acontecimiento, cuando se produce la recombinación cerca
del centro de la región de vaciamiento. Recordemos que, para el caso del diodo
ideal, las corrientes inyectadas eran determinadas por los portadores inyectados en

I "' constan te

oo5=+========1i::::=
P0�-+-���--+--
0 -1
>--- -.
p
* Recombinación N

•en

--- w --

Figura 4.8 La recon1binación con10 corriente adicional al diodo ideal en la región de vaciamiento
b�jo polarización direcra.

QQ
l
 los bordes de la región de vaciamiento. Estos portadores quedaban determinac
por el voltaje aplicado VA. Por Jo tanto, para un valor determinado de voltaje ar
cado, los portadores qt1e atraviesan totalmente rV son los inyectados corno por:
dores minoritarios. En el caso actual, deben entrar a W más huecos desde el Ja1
p, porq ue algunos se pierden por recombinación. En forma similar, más electror,
deben entrar desde el lado n. El resultado es una corriente total más grande q
la predicha por la ecuación del diodo ideal, para un valor fijo de VA.
La corrien te total es constante a través de todo el diodo; por lo tanto, es tambi(
constante en la región de vaciamiento, aun cuando parte de la corriente de huec(
que entra a W desde la región p n un ca alcanza a la región n, y en forma simila.
algunos electrones que entran a W desde la región n, nunca alcanzan la región¡,
Los electrones se recon1binan con los huecos de la región p, como aparece ilustr<r
do en la figura 4.8, por lo cual forn1a una componente de corriente de recombina
ción de la corriente total. Esta componente se agrega a las corrientes de difusió;
del diodo ideal.
A niveles muy bajos de corriente, en los diodos de silicio, domi11an las con1po
nen tes de corriente de recombinación. Se hace notar que a niveles elevados de co·
rriehte, la corriente de recombinación también está presente, pero es tan sólo uné
pequeña fracción de la corriente total. La figura 4.7 muestra estos efectos para ur.

diodo de silicio típico. Se puede deducir la corriente de recon1binación; sin en1bar­

go, aquí se da solamente el resultado, expresado como una ecuación del diodo 1no­
dificado, ecuación (4.16)

(4.16)

Cuando la corriente de recombinación domina a niveles de corri ente bajos, el se­

gundo término de la ecuación (4. 16) es 1nayor que el pritnero, lo que da la pendien­
te qln2kT, c omo aparece en la figura 4.7, donde n2 > n1 � l. Se hace notar que
la ecuación (4.16) es válida también para polarización inversa. 1'ípica1nente, en mu­
chos dispositivos, n2 _,,. 2.

4.2.2 Inyección de alto nivel

El criterio de inyección de bajo nivel es que la concentración de portadores minori­

tarios total es siempre muy inferior a la concenlración de portadores mayoritarios
de equilibrio. Para la unión p-n bajo polarización djrecta, la rnayor concentra�ión de
portadores minoritarios se produce en los bordes de ta región de vaciamiento; por
ejemplo, véase la figura 4.9(a). En el caso de la inyección d e alto nivel, las con­
centraciones de portadores minoritarios en exceso se acerca a la c oncentración de
mayoritarios. Si en la región 1nasiva se ha de mantener la neutralidad de cargas,
la concentración de portadores mayoritarios también aumenta significativamente

89
 n o p n o p

--�---Pno -�·--
/
--
-

npO -----·--

-x -xp
p

(a) Inyección de bajo nivel (b) Inyección de alto nivel

Figura 4.9 Concentración de portadores: (a) inyección de bajo nivel; (b) inyección de alto nivel.

respecto a su valor de eqt1ilibrio, como se ve en la figura 4.9(b). La suposición ori­

ginal de inyección de bajo nivel, hizo que en la definición del tér1nino de recon1bi­
nación, se lo pudiera aproximar por !:...pi ;JJ y !:...n i;n. La inyección de alto nivel re­
quiere un térmiI10 de reco1nbinación diferente, con una redefinición de tiempos de
vida de portadores. La deducción de la relación correspondiente está fuera del pro­
pósito de este texto. Sin embargo, el resultado neto de la inyección de alto nivel,
e s que e l factor de idealidad cambia a un valor aproxi1nada1nente n = 2 para nive­
les elevados de corriente.

I· VÉASE EL EJERCICIO 4.2. : �

APÉNDI E A

4.2.3 Efectos en Ja región masiva

En l a determinación de Ja ecuación del diodo ideal se supuso que el campo eléctrico

e n las regio11es inasivas n y pera aproximadamente cero para los portadores n1.ino­
ritarios y que no había caída de voltaje en los. contactos óhmicos. Para la mayor
parte de los dispositivos modernos, éstas son buenas suposiciones a los niveles d�
corriente bajos. Sin embargo, a 11iveles de corriente elevados, la resistencia en las
regiones n1asivas, puede producir una caída de voltaje significativa, y el voltaje apli­
cado (VA) es mayor que la caída de voltaje en la región de vaciamiento. También
los contactos entre metal y silicio pueden comportarse como pequeñas resistencias,_
que aun1entan la caída de potencial. Generalmente, estos dos efectos se suelen pre­
sentar mediante una resistencia Rs, la resistencia serie. En la figura 4. 7 aparece su ·
efecto en la característic;1 volt-ampere del di·oc!o.
Como se puede ver en la figura 4.10, un método utilizado para medir R5 con­
siste en representar la caída de voltaje respecto a la ideal (6. V), en función de la
corriente e11 un diagra1na lineal. Si todos los datos caen sobre una línea recta, en­
tonces se pt1ede d.eterminar R5 to1nando la pendiente. Aquí conviene tomar pre­
caución. En general, los efectos debidos a R5 pueden producirse a niveles de co-

90
 In(/)

• t:.V
•... 11'
•
ldea1---.•
•

Pendiente "' Rs

Oesviación respecto al ideal Para determinar R,

(a) (b)

Figura 4.1 O Para detenninar R, Se debe obtener (a) la desviación .!l Ven !, (b) la representación .1 V
en función de l.

rriente inferiores a los de inyección de alto nivel, o viceversa. Rutinariamente, se

obtienen los diagramas del en funció11 ele VA' co1no los de la figura 4. 7, mediante
pulsos de corriente para evitar en los resultados los efectos del autocalentamiento.

4.3 Resumen

Primeramente se analizaron las desviaciones en corriente y voltaje d e un diodo físi­

co, respecto a las de un diodo ideal con polarización inversa y luego con polariza­
ción directa. Cuando se trataba de polarización inversa, se atribuyeron las
desviaciones a la ruptura por.avalancha o por efecto Zener, y a l a generación de
pares electrón-hueco en la región de vaciamiento. Las desviaciones en polarización
directa eran debidas a recombinaciones e n l a zopa de vaciamiento, inyección de
alto nivel, y a las resistencias óhmicas de las regiones masivas y los contactos me­
tálicos.
Se producía ruptura por avalancha, a voltajes inversos suficientemente eleva�
dos para que el campo eléctrico en la región de vaciamiento excediera su valor críti­
co. Al llegar al valor crítico del campo eléctrico, los portadores ganan suficiente
energía como para que al tener colisiones con un átomo de cristal, generen u n par
electrón-hueco. Los portadores recién generados también adquieren energía y pro­
ducen una generación por avalancha adicional, hasta crearse grandes corrientes.
Se produce ruptura Zener en uniones p+ -n + fuertemente dopadas, donde los
electrones por efecto túnel pasan directamente de la banda de valencia a la banda
de conducción. Pequeños cambios en el voltaje producen mayor cantidad de por­
tadores que pueden pasar de una banda a otra por efecto túnel.

91
 La generación térrnica de electrones y huecos en la región de vaciamiento del
diodo e n polarización inversa, da lugar a una con1ponente de corriente que se suma
-10• La magnitud de la generación controla la dimensión de la corriente; es decir,
lR -O es controlada por r0, n¡ y W.
La reco1nbinación de elect rones con huecos cuando atraviesan la región ·de va­
ciamiento en un diodo de polarización directa, produce componentes de corriente
rnayores que las que se podrían esperar por. la ecuación del diodo ideal. Solamente
en el caso de valores pequeños de corriente total, la componente de recombinación
e n la región de vaciamiento es significativa.
Cuando la densidad de corriente es inuy grande, se hacen notables la inyección
de alto nivel, la resistencia serie del dispositivo, o ambas. La inyección de alto nivel
tiene el efecto de modificar el factor d e idealidad, llevándolo aproxjmadan1 ente
a dos. l,a resistencia serie incrementa la caída de voltaje a través del diodo, para
una corriente d�da.

Problemas

4.1 lJna unión escalón p·•--n de silicio está dopada NA = I0+18/cm3 y N0 =

J0+16/cm3, donde XcR;;:;: 4 x 10+5 V/cm con n¡ ·

= 10+10/cm3 (kT = 0.026

eV). Calcule:

(a ) VBR;
·

(b) la anchura de la región de vaciamie11to en V8R.

(c) Si N0 = 10+ 17/cm3, repita el punto (a).

4.2 Trace el diagrama del can1po eléctrico en la región de vaciamiento de una unión
escalón en avalancha, representando Xc R• e indique dó11de se produce la ava­
lancha. Repita el diagrama anterior para un voltaje inverso más elevado.

4.3 Se tiene una unión escalón de silicio con un área de io-4 crn2, dopado con
NA = 5 x 10+ 15/cm3 v N0
,
= 10+ l3/cm3 Suponga que n-1 = 10+101c1n3' kT
'

= 0.026 eV, D,v = 33.75 cm2/s, y Dp == 12.4 c1n2/s. Si rP :::;: 0.4 µs y Tn =

0.1 µs, calcule:

(a) el ritmo de generación en la regió11 de vaciamiento W;

(b) la corriente de generación cuando VA = -0.1 y -1 O V;

(c) la relación IR-G/10 para VA = -10 V;

(d) la corriente de recombinación para VA = +0.1 V y la razón !Rcc/Idit;

(e) el valor de VA cua11do una mitad de la corriente es recombinación y la

otra es difusión.

92
4.4 Frecuentemente, en programas de CAD (con1puter aided design; diseño asis­
tido por computador) se modela en paralelo la generación de corriente no ideal,
en el diodo en polarización directa. Si !0 1=10-15 A, n1 = 1.00e102 10-13
=

A, n2 = 2.00,

(a) calcule e l valor de VA cuando las corrientes de los dos diodos son iguales.

(b) Represente en papel semilogarítmico la característica de 1- VA desde 1O fA

hasta I mA.

4.5 Un diodo tiene las mismas especificaciones que las dadas en el problema 4.3.
Represente l a ecuación (4.16) en papel semilogarítmicó, desde 350 mV hasta
600 mV; indique las componentes de recon1binación, difusión y corriente to­
tal. ¿Es la representación de ta recombinación una línea recta? Explíquele.

4.6 Sea !0 = 10-14 A y n = 1.00 para u11a unión escalón y R5 = 20 íl; calcule
la corriente a la cual el voltaje aplicado difiere del ideal en

(a) IOOJo.

(b) Si R5 = 2 íl, repita el punto (a).

4.7 Explique dónde se produce por primera vez inyección en alto r1ivel en un dio­
do p+-n, y cómo afecta al diagrama de ln[/] en función de VA. ¿Cuál es la
relación entre ND del dispositivo y la corriente al establecers� l a inyección de
alto nivel?

4.8 Se tiene un diodo p-n con los datos medidos de J- VA de la tabla P4.8, que
aparecen representados en la figura P4.8. Se sabe que A = 10-4 c1n2, n¡ =
10+ IO/c1n3 y kT = 0.026 e V, y se pide que calcule lo siguiente (Sugerencia:
utilice un ajuste por mínimos cuadrados aplicado a algunos valores seleccio­
nados, para obtener la mejor aproximación):

(a) 10 y n 1, para la corriente de difusión;

1
(b) 102 y n2, para la corriente de recombinación .
.

(c) Para corrientes elevadas, ¿la desviación es causada por la resistencia ideal
o por la inyección de alto nivel? Si es Rs, ¿cuál es su valor?

(d) Calcule el tie1npo de vida efectivo en Ja región de vaciamiento, si W =

0.8 µm.

4.9 Para los datos del diodo que aparecen listados en la tabla P4.9, que corres-
•

ponde a valores elevados de corriente, deter1nine si la desviación respecto al

ideal está producida por inyección de alto nivel o por R5• Si es Rs, ¿cuál es
su valor? Suponga que el dispositivo ideal tienen = 1.00 y 10 = 10-15 A.

93
 Tabla P4.8

VA I V

0:001 5.0972E-12 1.0000E-03

0.05 1.3079E-11 5.0000E-02

0.1 2.9214E- l l l .OOOOE-01

0.15 8.4512E- l l l .5000E-Ól

0.2 2.2925E-10 2.0000E-01

0.25 6.0849E-10 2.5000E- Ol

0.3 l.6046E-09 3.0000E-01

0.35 4.2379E-09 3.5000E-Ol

0.4 l.I307E-08 4.0000E-01 -

0.45 3.0996E-08 4.5000E-Ol

0.5 9.0382E-08 5.0000E-01

0.55 2.9768E-07 5.5000E-01

0.6 J.1823E-06 6.000lE-01

0.65 5.7520E-06 6.5005E-01

0.7 3.2568E-05 7.0026E-Ol

'

0.75 2.0064E-04 7.516JE-01

0.8 l .2855E-03 8.1028E-01

0.81 l.8684E-03 8.2495E-Ol

0.82 2.7l70E-03 8.4174E-Ol

0.83 3.9527E-03 8.6162E-01

0.84 5.7526E-03 8.8602E-01

0.85 8.3746E-03 9.1700E-Ol

Tabla P4.9

I V

5.000 X 10-4 0.71840

1.000 X 10-3 0.75445

5.000 X 10-3 0.83814

-
1.000 X 10 2 0.87418

5.000 X 10-2 0.95787

94
 lf

li'.
=

ill

•
.

'

..

•
•

O.O 0.2 0.4 0.6 o.a 1.0

Figura P4.8

4.1 O (a) Deduzca una fórmula que dé ti V de la región de inyección de alto nivel
para la figura P4.10. (b) Si n 1.00 y 10 10-15 A, calcule n3 e 103 para
1 1
= =

los datos de la tabla P4. 9.

1 n(/}

áV

Figura P4. IO

95
 5 Admitancia de la unión P-N

En los dos capítulos anteriores se ha descrito la respuesta de la unión p-n a un vol­

taje de corriente continua. En este capítulo se investigará la respuesta del diodo
a un voltaje de pequeña señal (onda sinusoidal), superpuesto al voltaje de ce. Ha­
bitualmente se describe la señal de respuesta en función de la admitancia de peque­
ña señal (Y), que tiene una parte real, denominada conductancia, y u11a parte
imaginaria, llamada susceptancia. La expresión "pequeña señal'' implica que los
valores máximos del voltaje y de la corriente de señal, son mucho más pequeños
que los' valores de ce. Típicamente, esto significa un voltaje de señal de algunos
milivolts o menos.

5.1 ADMITANCIA DE LA UNIÓN EN POLARIZACIÓN INVERSA

Para fines del modelado, se representa la admilancia de pequeña señal en la unión

p-n de polarización inversa, mediante una conductancia y una susceptancia capa­
citiva en paralelo, como se puede ver en la figura 5.1. Cuando se aplica al diodo
una pequeña señal, un voltaje sinusoidal uª agregado al voltaje de ce en polariza.
ción inversa (VA) y que se indica como uA = uª + VA en la figura 5.2, l a admitan­
cia se puede expresar como aparece en la ecuación (5.1),

Y= G + JwC (5.1)

+ "A

CJ

Figura 5.1 Circuilo equivalente de pequeña sei\al para el diodo en polarización inversa; VA < O.

97
 VA = Va + VA
+

�
I + i ..
p N

I�
v
•
= V sen wt
+ -

------1 �----1 11------'

-

Figura 5.2 Voltaje de ca de pequeña señal sumado al voltaje de polarización de ce.

Para frecuencias suficientemente bajas, cuando el tiempo de respuesta de los porta­

dores es rnucho más br eve que el periodo de la señal, la ecuación (5 .1) se simplifica
a Ja ec uac ión (5.2):

Y = G0 = jwC.1 (5 .2)

Aquí, G0 es la conductancia de baja frecuencia, que es indepen dient� de w, pero

como se deducirá, depende de las variables operativas de ce VA e l. La capacidad
de la capa de vaciamiento o, como se denomina frecuentemente capacidad de unión
C1, también depende de las variables de corriente continua y es independiente d e
l a frecuencia. El resto de esta sección está destinado a obtener una comprensión
de sde el punto de vista de la física de cómo responde la unión ante la señal, y a
lograr expresiones para G0 y C1.

5.1.1 Capacidad de vaciamiento en polarización inversa

A diferencia de la capacidad de la placa n1etálica pa ralela que es constante, Ja ca­ ,

pacidad de vaciamiento de la unión varía con el voltaje de ce aplicado (inverso),

como se puede ver en la figura 5.3. La capacidad disminuye cuando VA se hace
.
mas negativa.
'
,
·

Para explicar este fenón1eno, tomemos la región de vaciamiento a algú n valor

.
fijo de voltaj e inverso. La ecuación (2. 51 ) , re p et id a aquí para conveniencia del lec-
tor y represer1lada en la figura 5 .4(a), permite determinar la anchura de la región
de vaciamiento ( W), en el caso ele una unión escalón.

•
(5.3)

Con la señal superpuesta, VA es r eemp la zada por (VA + uª) en la ecuación (5.3),
y W aumenta o disminuye en un incremen to de ti.�V. Para pequeñas señales, lual
� 1 VAl y, por lo tanto, li:i WI � W. Sin embargo, en respuesta a u3, se agregan
o se quitan cargas de los bordes de Ja re gión de vaciamiento. Cuando uª > O, W

98
 ,,. .....
'
-

I
I ,
I
I

Figura 5.3 Capacidad de vaciamiento.

disminuye agregando h uecos a la región p, y electrones a la región n, como se ve

en la figura 5.4(b). Al ir disminuyendo W, debe hacerlo. cubriendo l o s -qN0 iones
con huecos, los portadores mayoritarios, desde la regió11 p. En forma similar, se
cubre (o se neutraliza) la carga + qN0 con electrones portadores mayoritarios de
la región n. En la figura 5.4(c) se muestran los increment')S de carga netos para
va > O.
Cuando v3 < O, W debe tornarse progresivamente nlayor, vaciando huecos por­
tadores mayoritarios desde la región p y electrones po:\áaores mayoritarios desde
la región n, como se ve en las figuras 5.4(a) y (b). En est� caso, los incrementos
de carga son los que aparecen en la figura 5.4(d). Hay qu� poner énfasis en dos
observaciones importantes. En primer lugar, la carga q9e ·se mueve es siempre una
carga de portadores mayoritarios. Éstos responden ante u11a variación de voltaje
en un tiempo que es, aproximadamente, el de la relajació:i. dieléctrica del material.
En silicio, a niveles normales de dopado, e l tiempo de respuesta de los portadores
mayoritarios, es de alrededor de entre 10-10 y 10-12 s. Con tan cortos tien1pos de
respuesta, los fenómenos serán independientes de la frecuencia de uª hasta frecuen­
cias muy altas. La segunda observación es que los diagramas de carga incremental
de las figuras 5.4(c) y (d) son similares a las fluctuaciones de carga un condensador
plano con área (A) y con separación entre las placas ( W). Debido a la similitud
entre el diodo de polarización inversa y el condensador metálico, s e obtiene la ca­
pacidad de vaciamiento (CJ) de la fórmula de Ja capacidad entre las placas de un

condensador plano, según la ecuación (5.4). La ecuación (5.4) es válida siempre

que W sea esencialmente fija; es decir, 16. Wf debe ser m11y pequeña en compara­
ción con W.

(5 .4)

Para pequeñas señales, lval � IV Af, y cuando va = VA + uª se reemplaza en la

ecuación (5.3) por VA, entonces 16.WI es � W. Reemplazando la ecuación (5.3)

99
 N

(a)

(b}

.'
,

. l:J.p
'

!l
a > o

"
X

�.
1'; 1
¡��
'
•

•J

(e)

'

(d)

í-igura 5.4 lncren1entos de carga para C1, capacidad de vaciamienLo.

100
en la ecuación (5.4), y si se recuerda que VA < O, se obtiene la ecuación (5.5) para
la capacidad de vaciamiento.

(5.5)

Un examen de la ecuación (5 .5) revela los hechos siguientes:

l. Como se indica en la figura 5.3, C1 disminuye cuando VA se hace m.ás negativa

debido a que \V aumenta, como ya hemos visto en el capítulo 2; esto es,

e' 1
J e<: 1V,�.l112 '
2. Si N 0 N0 se incrementan, W disminuye, aumentando así C1.
3. Para'\i na uniónp+-rz, C1 N/f2 en el lado n1ás débiln1e11te dopado. De mane­
o::

ra similar, para una unión p-n +, C1 N1J.2• o::

4. Si la unión fuera una unión graduada linealmente, en lugar de ser una unión
abrupta, entonces para J VAi �· Vbi• Wvariaría segtín una potencia lln tercio.de
VA, en lugar de u n medio; es decir,

(Para más detalles, véase la ecuación (2.57), capítulo 2.)

Frecuentemente, se generaliza la ecuación (5.5) y se expresa en función de la capa­

cidad de vacian1iento de polarización cero ( C10). Si se hace VA = O en l a ecuación
(5.5), la definición de C10 es como sigue:

(5.6)

Se factoriza C10 de Ja ecuación (5.5), y nos da la ecuación (5.7):

111
(5.7)
V
1 - _!J.
vbi

Finalmente, si se reernplaza la potencia un medio en Ja ecuación (5. 7) por m, se

tiene la ecuación (5.8). La razón funclamental para introducir el valor generalizado
m, es poder manejar datos experimentales en uniones p-n cuya característica, en
cuanto al carácter ele abrupto, es generalmente desconocida. ,

1o l
 j
1/3 < m :5 l/2; VA :5 O (5.8)

Sabemos que para una unión graduada lineal1nente, 1n = 113; para una unión es­
calón, rn "" 1/2. En Ja rr1ayor parte de las uniones reales, fabricadas por procedi­
n1ientos estándar, se encuentra que 1n está entre 1/3 y 1 /2.
Debe observarse que la ecuación (5. 8) es aplicable a voltajes pequeños en polari­
zación directa de menos de unos Vb¡/2 volts. La figura 5.3 n1uestra que cuando
el diodo está polarizado en forma directa, C3 aumenta muy rápidamente y luego
disminuye [lo que no aparece en la ecuación (5.8)].
Las aplicaciones de los condensadores de unión son muy amplias. En circuitos
integrados bipolares, se utiliza la unión p-n polarizada inversamente para aislar
transistores y resistores entre sí. Casi todos los sintonizadores de los equipos de
FM y TV utilizan el condensador variable con el voltaje de ce, en circuitos de sinto­
nía auton1ática, pues no tiene partes móviles, y la capacidad ,varía en respuesta al
nivel de corriente continua.

5.1.2 Conducta11cia

Se deduce la concluctancia de pequeña señal en la unión de polarización inversa,

bajo la suposición de que los portadores pueden responder casi estáticamente a la
señal; es decir, los portadores retorna11 a un estado casi estacionario er1 mucho me­
nos tie1npo que el que utiliza el período de la señal. En el caso de polarización in­
versa, esto significa que las frecuencias de señal son menores de 100 MHz,
aproximadamente, en la n1ayor parte de los dispositivos, pues los portadores que
responden son los portadores mayoritarios.
En la suposición de que los portadores mayoritarios respo11den casi estáticamente,
el diodo reacciona ele manera instantánea ante una señal superpuesta a las varia­
bles operativas ele ce. Se puede representar el comportamiento del diodo por la ecua­
ción del diodo ideal; es decir, si l a corriente del diodo es una función del voltaje
VA de ce, que está perturbado por una pequeña señal va, la ecuación (5.9) es mo­
dificada como se indica en la (5.1 O).

(5.9)

(5.1 O)

y la corriente de señal, i, está definida por la ecuación (5.11),

(5.11)

102
Se puede realizar a l a ecuación (5 .1 O) un desarrollo en serie de Taylor tal como que
aparece en la ecuación (5 .12) y, dado que 1 val � VA• solamente deben tenerse en
cuenta Jos dos primeros términos, l o que da la ecuación (5, 13),

f(x + h) dfº +
f(h) + x-
= · · ·
(5.12)
dh

(5.13)

Por tanto, se obtiene la corriente de señal de la ecuación (5.11) y ecuación (5.13),

como

dí
(5.14)

Se define la conductanciade baja frecuencia (w-+ O), a partir de la ect1ación (5.14),

como

..!:.. = di
(mho)
G0 = (5 .15)
V3 dVA

Diferenciando la ecuación (5.9) del diodo ideal, se obtiene Ja conductancia de baja

frecuencia, según la ecuación (5.16}

(5.16)

Esta última forma de Ja ecuación (5.16) se obtuvo agregando 10 a ambos miem­

bros de Ja ecuación (5.9). La resistencia dinámica es un elemento habitual del mo­

delo, y que s e define como la recíproca de 00,

1 kT
r - (5 .17)
-
---

Go q(I + 10)

Conviene notar que durante varias décimas de volt de polarización inversa, J-+
-lo Y r _. co .

Para el caso de un diodo de silicio a temperatura ambiente en polarización ir1-

versa, tratado en el capítulo 4, la corriente de generación en la región ele vacia1nien­
to domina a la de conducción. Al aplicar la ecuación (5 .15) a este caso, se obtiene

q qA dliV
Go = kr (! + lo) (5.18)
-
21"o n; dVA

103
 Difere11ciando la ecu ac ión (2.51), se obtiene la ecuación (5.19),

112 (1/2)(-1)
2K5e0 (NA+ N0)
(V,. 112 (5 .19)
q NAND b1
-
V)
A

Entonces, la conducta n c i a de baja frecue11c ia en polarización inversa está dada por

l a ecuación (5.20),

112
qAn¡ 2Kse0 (NA + N0) l
Go _ !f_ (! + Jo) + --' (5.20)
kT q NAND (Vbi VA)
- -"----

4r0 -

Nótese que el diodo de silicio no ideal tiene una conductañcia finita que d epe n de
de la co rri ent e de generación que se origina en l a región de vaciamiento. lJas ecua­
ciones (5.16) y (5.20) de G0 también se interpretan com o la pendiente de la curva
!- VA. C ualq ui er fenórneno que inc remen te Ja pendien te , aume11ta la con ductan­
cia. Co mo observación final, en la sección siguie11te se ha de demostrar que la ecua­
c ión (5 .16) es váli da para p olariz ación directa. Sin embargo, esa validez sólo se
cu1nple para frecuencias c onsid erable1nent e inferiores a las del caso de polariza-
.
c1on inversa.
' .

VÉASE EL EJERCICIO 5.1. APEÑDICE A

5.2 ADMITANCJA DE LA lJNIÓN EN POLARIZACIÓN DIRE.CTA

El diodo de unión en cond icion es de po l arizac ión directa (VA > O) y perturbado
por una señal sinusoidal de pequeña magnitud, tarnbién puede ser representado por
tin a admitancia. Aden1ás de la c ap acid ad C3 de la región de vaciarniento (que es
u n resultado de la respuesta de los portadores mayoritarios), la resp ue sta de los
portado r es minoritarios produce una capacidad de difusión C0. Los portadores
n1ínoritarios tan1bién contribuyen a la conductancia (G) de l a admitancia de la unión.
La figura 5.5 i lustra el circuito equivalente de señal, donde R5 es la resis-tencia se­
rie del diodo, debida a las regiones masivas, a los contactos óh1nicos o a an1bos.
En general, la con ductancia y la capacidad de difusión son una función de la fre­
.

cuencia de la señal y de las variables del punto de operaci ón de ce, co1no se verá
claramente en la s ig uie nt e deducción. Consideremos Ja respuesta de los portadores
min orita r ios .
En la figura 5.6, se ilustran las concentraciones de p ort ado res minoritarios para
una uni ón p-r1 de polarizac ión directa con un voltaje de co rriente continua VA >
O, y per tu rbad a por una pequeña señal sinusoidal. La concentración rn edia de porta ­

dores minoritarios es un resultado del "voltaj.e VA sobre la región de vaciamiento.

Los incren1entos por enci1na y por debajo del pro m edi o, se deben a la señal va apli - ·

cada a l os bordes de la región de vaciamiento. Al tornar se uª positiva y negativa,

 + Va

Co

Figura 5.5 l\lfodelo del diodo 'para pequeña señal.

las distribuciones de portadores en '"n y -xP varían. Como la difusión es un proceso

relativamente lento en comparación con l a frecuencia de l a señal, e l incremento de
distribución de cargas se propaga en la región masiva, fluctuando por encima y por
debajo del valor medio (de ce) de la distribución de portadores. E11 la figura 5.6 se
ve la fluctuación de electrones y huecos en un instante de tiempo.
Se puede vislumbrar una imagen dinámica de la figura 5 .6, suponiendo que se
sostiene el extre1no de una larga cuerda atada al sttelo. Cuando ésta se sostiene en
posición fija, cae desde la mano al suelo en forma similar a la distribución de porta­
dores minoritarios para ce en estado estacionario. Si el extremo de la cuerda se mue­
ve rápidan1ente y en forma oscilante, la sacudida o vibración se propaga a lo largo
de ésta, hasta que la vibración acaba por extinguirse en e l suelo.
La distribución de portadores minoritarios del diodo propaga una señal, en res­
puesta al voltaje aplicado. Cabría, por lo tanto, esperar una admitancia de la unión
asociada, y que tenga una conductancia y una susceptancia, siendo ambas funciones
del punto de operación de corriente continua y de la frecuencia de l a señal. La figura
5.6 ilustr� cómo las distribuciones de portadores minoritarios son una función del
tiempo y del espacio; es decir, p11(x, 1).
Para determinar Ja admitancia de difusió11 de una unión (la respuesta de los por­
tadores n1inoritarios), suponemos una unión p+ -n y, por tanto, nos ocuparemos so­
lamente de p11(x, t). Igualn1ente se deduce para nP(x, t). El punto de partida es la
ecuación de continuidad de portadores minoritarios para una región n dopada de
n1anera uniforme, reproducida aquí para comodidad del lector, del capítulo 3
del libro de Pierret:

at::,. p.(x, t) o2lip11(x1 t) Áp11(x, t)

Dp
=

(5.21)
_

Jt ax2 TP

La figura 5.6 muestra que la señal hace oscilar en una magnitud igual Ja distribución
de huecos, alrededor de su valor promedio en reposo (de ce). Esto permite descom­
poner la solución en una para la corriente continua, y otra para la componente de
señal, como se muestra en la ecuación (5.22)

105
 n¡;;er,1.VA+u,)lkT -- .i
1
- - -- - - --�---- Pno
npo ------

Figura 5.6 Carga ahnaccnada en un diodop+-n, en alta frecuencia, en un ins1antc de tiempo deter­
minado.

!::.p,,(x, t) = KJ.i,,(x) + p,v(:c, t) (5 .22)

Sustituyendo la ecuación (5.22) en la ecuación (5.21), se obtiene la ecuación (5.23),

'p

(5.23)

Como ó.pn(x) no es función del tiempo, el primer término de la ecuación (5 .23)

es igual a cero. Igualando por separado los coeficientes de los Lérrninos promedio
y los términos de señal, se obtienen las ecuaciones (5.24) y (5.25)

(5.24)

(5.25)

La ecuación (5.24) fue resuelta en el capítulo 3, y los resultados ele la solución de

ce obtenidos en ese capítulo, llevaron a la relación de I en función de VA, conoci­
da con10 la ecuación del diodo ideal. Volva1nos ahora nuestra atención hacia la
solución de la ecuación (5.25), que nos conducirá a la ad1nítancia de pequeña se­
ñal, que es nuestro objetivo final.
El examen de la ecuación (5.25) nos revela que se trata de un tipo de ecuación
diferencial que puede resolverse como una solución producto (similar a la ecua­
ción de onda en la teoría del campo electromagnético). La solución se descompone
en una parte de señal que es solamente función de x, y en otra parle de señal que
es solamente función del tiempo.

¡5,y(X, t) = p¡y(x)j(t) (5.26)

106
Si se supone que la señal responsable es una función seno o coseno, entonces/(/)
= e1w', similar al concepto de fasor de la teoría de circuitos,

�(x, t )-
PN •()j"'r
- PN xe (5.27)

Por lo tanto, si la ecuación (5 .27) es una supuesta solución, debe satisf ac c r la ecua­
ción (5.25); es decir, realizando las derivadas de la ecuación (5.25), y utilizando
la ecuación (5.27), debe dar

(5 .28)

a2p,v(X, t) d2p,v(X) eiwt

=
(5.29)
ox2 clx2

Se sustituye ahora en la ecuación (5.25), lo que da la ecuación (5.30), y si se cancelan

los términos en efe.>t antes de agrupar los términos en p,,(x) llevan a la ecuación (5.31),

) jM<
( }0>1 [r) d2A
YN(X) jwt - PN(X e
.•

JWPN X) e --
• A

/p ,J . 2 e (5.30)
et...
'( Tp

(5.31)

Si se divide ahora entre DP• se llega a una ec u ación muy si1nilar a la ecuación dife­
rencial para la solución de ce, de las concentraciones de portadores minoritarios,

(5.32)

Para que la ecu ación (5.32) tenga la n1isma for1na que el caso de ce, definimos .la
longitud de difusión compleja para huecos en la ecu ación (5.33),

[L/)2 Dp�e L;
=
(5.33)
l + JW'Tp

Entonces se puede escribir la ecuación (5.32) como la ecuación (5 .34),

(5.34)
cix2

La solución de Ja ecu ación (5 .34), por analogía con la solución de ce de la ecuación

(5.24) [o ecuación (3.36)], es

(5.35)

107
 Como condición de frontera sabe1nos que jp¡y(x)I no puede crecer sin límite; o sea,
cuando x � ro [p,v(x)I � O, y por lo tanto, B1 debe ser cero. E11 el borde de la re­
gión de vacian1iento, la cornponente ele señal de la distribución de huecos, es con­
trolada por el voltaje de la señal aplicada. Para evaluar la constante B,,,
- se necesita
conocer el valor de j)N(O). La distribución total de portadores se deterrnina por el
voltaje total aplicado, según da la ec.uación (5 .36), que es igual a la ecuación (3 .30),
con VA � V,, -f- va (t) y el eje ,'(' que comienza en x11,

q(VA + va(!))
p,.(O, t) ::::: p,.0 exp - (5.36)
kT

La señal es pequeña; es decir, 1 va (t)I � VA, Y se puede aplicar �a expansión en se­

rie de la· exponencial, a la ecuación (5. 36), con10 sigue

ex = 1 + )( + . -
.

' para x � 1 (5.37)

(5.38)

Nótese que la parte de señal es el último tér1nino de la ecuación (5.38), y por lo tanto

(5 .39)

donde para evaluar la cor1stante B2 se l1a utilizado la ecuación (5.35).

Para obtener la corrie11te de señal, se recurre a la fór1nula ele la corriente de difu­
sión de la ecuación (5_40),

. AD dfiN(x)
P
l = -q dx (5.40)
x=O

Entonces la adrnitancia de Ja unión es

(5.41)

De la ecuación (5.33)

L* Lp
= -= ==== (5 42)
P VI + jwTP
.

y se reescribe la ecuació11 (5 4 1 ) , como Ja ecuación (5 .43),

.

qA
yP = (5.43)
kT

108
 Obsérvese que la raíz cuadrada de un número cümplejo es otro nún1ero complejo,
y la ecuación (5 .43) tendrá una parte real que es la c onducta nc ia O y una parte ima­
ginaria, que será la susccptancia capacitiva wC0. Entonces, se define la capacidad
de difusión como

e Parte imaginaria de Y
(5.44)
_

D - w

Se puede extender fácilmente la ecuación (5.43) para incluir la contribución de elec­

Lrones portadores minoritarios, utilizando la idea de "complementos" introduci­
da anteriormente. La deducción completa para electrones es idéntica a la de los
huecos. Por lo tanto, la admitancia toLaJ de difusión es, en una unión p-n,

qA e qVAikT
·!· 1. W'T" (5. 45)
.Y = kT

clo1idc la parte real de la ecuación (5.45) es la conductancia de la unión debida a

huecos en la región n y a electrones en la región p. l)e manera sin1ilar, se obtiene

la capacidad de difusión, debida a huecos y elec trones ele la parte imaginaria de la
,

ecuación (5.45), dividida entre e¿,

VÉASE EL EJERCICIO 5.2. APÉNDICE A

5.3 CASOS EXTREMOS

5.3.1 Aclmitancia del diodo p+-11

Para desarrollar una cantida d de conceptos i1nporta nles y resultados prácticos, vol­
van1os ahora a un caso más simple: el del disposit i v o p+-n. Debido a la asimetría
de dopado, se tiene que n 0 � p110, y el segundo término, encerrado entre corche­
P
tes en la ecuación (5.45), se torna insignificante.
Si w-+ O, la ecuación (5.43) se co nv ier te en la definición de la concluctancia a
baja frecuencia, 00,

DP P,,o qV"'*r
qA e _
-
Go (5.46)
Lp

Ahora se puede simplificar la ecuación (5.43), lo que da la ecuación (5.47),

(5.47)
•

109
 Para evaluar la ecuación (5.47), es necesario obtener la raíz cuadrada de u11 nú1ne­
ro complejo. Esto significa convertir 1 + jwrµ a coordenadas polares, tomando
la raíz cuadrada de su 111agnitud y la mitad de su ángulo, tras lo cual se debe recon­
vertir a coordenadas rectangulares, con lo que se obtienen una parte real y una ima-
. .
g1nar1a.
Es fácil observar la dependencia d.e G y C0 de la frecuencia, trazando la gráfi­
ca de la ecuacil)n (5.47) para valores específicos de wrP. En la figura 5.7 se ve qt1e
la conductancia co1nienza a crecer con la frecuencia, por encima del valor de baja
frecuencia, cuando wr es de aproximadamente 0.5, 1nientras que la capacidad de
difusión disminuye para las altas frecuencias.
Para obtener muy fácilmente la cl�pendencia de la conductancia y de la capaci­
dad de difusión, respecto al punto de operación de ce como variable, se puede re­
currir a l a ecuación del diodo ideal y la ecuación (5 .4/). Para cualquier grado
razonable de polarización directa

(5 .48)

(5 .49)

100.0 '
• '
'
- 1
- - -
.
- ·

'
- '

;
1 -

10.0 .
. �. +
•
- --
' 1
-
-·· -- -
¡ 1 1

G
1
- .�
.,r
-

'
- Go -
;
1 � 11
.....�,,.
1.0 i---1 .. . .Co •
'
-- '
' ' 1
�· ' Coo ·;
� -
1 ! 1 / -
! . """"- 1
1 1 l--
.... ...
r-... -
... �

0.1
0.01 O. 1
1 l 1 10
1
1
'
..._

100

Figura 5. 7 Dependencia de la fre.cuencia, de G y C0 para una unión p+-n.

11 o
 Para obtener la conductancia G0 de ba ja frecuencia de la ecuación (5.46), se pro­
cede como s igue . Nótese que el término encerrado entre corchetes en la ecuación
(5.46) cont i e ne 10 de la ecuación del diodo ideal para un dispositivo p+-n,

(5 .50)

por tanto

q cll
G0 = - (1 + 10) = - (5. 5 1)
k1' dV"

De la figura 5.7, esto significa que la ecuación (5.45) se aplica para wr,, < 0.5, pa­
ra polarizaciones ta nto directa como inversa.

5.3 .2 ()iodo¡;+ -n, CJJr11 � 1

Si se desarrolla la ecuación. (5.47) en una serie de Taylor según la ecuación (5.12), si

wrµ .:g l, el resultado es la ecuación (5.52),

Gor
Y== Gu 1 = Go + .¡·w e (5. 52)
2 >

y la capacidad de difusión a baja frecuencia se convjerte e11

(5 .53a)

(5.53b)

que es independiente de la frecuencia, como se ve en la figura 5.7. Nótese también

la dependencia de C0 respec to a G0 o:/. Igualmente, cuanto mayor sea 1,,, más se­
rán también los fenón1enos de almacenamiento d e cargas debido a portadores mi­
noritarios, es decir, mayor C0.

S.3.3 Resistencia serie

La n1ayor parte de los dispositivos reales tienen, debido a sus regio_nes masivas,
una resistencia, pequeña pero finica. Esta resistencia está en serie con el

111
 dispositivo. También los contactos óh1nicos (de n1etal a silicio) agregan resisten­
cia. En la figura 5.5 se mt1estra la su1na de éstas dos, con10 R5. Debe notarse que
Rs es fundamentalmente la misma resistencia que se trató en el capítulo 4, a nive­
les altos de corriente, donde el comportamiento del dispositivo real se desvía del ideal.

5.3.4 Diodo p-n +

La idea de co111plementos indica que la ad1nitancia ele la unión p-n + es

(5.54)

donde se puede utilizar la figura 5.7 reen1plazando w1 con wr .

,,
De manera simlar,
P
i

!!.... qJ 'Tn
G
qV lkT
C A (5.55)
-

0 kT
= -

kT 2

y como w111 � 1, entonces se puede aproximar la capacidad de di fusión co mo

para wT,, � 1 (5.56)

que es independiente ele la frecuencia, pero proporcional a la corriente continua J.

5.4 Resumen

Se dedujo la admitancia para el diodo de unión en polarización inversa, conside­

rando una pequeña señal (uª) superpuesta al voltaje continuo, y su efecto en la co­
rriente. Para frecue11cias a las cuales los portadores mayoritarios tienen bastante
tiempo de respuesta a la señal de tensión, se n1odeló la unión co1no una capacidad
de vaciamiento y una conductancía. La capacidad de vacian1iento decrecía con ma­
yores polarizaciones inversas, lo que también sucedía con la conductancia. Un
aumento en las densidades de dopado, NA o N0, o ambas, incrementaba la capa­
cidad de la unión disminuyendo la anchura media de la región de vaciamiento.
En el caso del diodo con polarización directa, apareció una admitancia de difu­
sión dependiente de la frecuencia de la señal . A frecuencias muy bajas, Ja conduc­
tancia y la capacidad de difusión son constantes. Para frecuencias a las cuales wT

se aproxirna a 0.5, la conductancia aumenta, y la capacidad de difusión disminuye

con el aumento de la frecuencia. La admitancia crece exponencialn1ente con VA,

112
 y e11tonces, es proporcional a la corriente continua J. Por lo tanto, G y C0 son pro­
porcionales a la ce en el punto de polarización.
El ci rcu it o equivalente co1nplcto de baja señal y polarización directa contiene
CJ, G, C0 en par alelo , y con Rs en serie con ellos.

Proble1nas

5.1 Se tiene una unión escalón dopada con NA= 10+17;cn13 yN0 = 10"' 15/crn3.
Sea kT = 0.026 cV, A = 10-s cm2 y n¡ J0+1º/cn13.
=

(a) Calcule la capacidad de vaciamiento en VA O, C10.

=

(b) Calcule la capacidad de vaciamiento C; en VA -1 y = - 10 V.

(c) Calcule CJo si N0 10�16/cm3.
=

(d) ¿Cuál es la razón entre los puntos (c) y (a)? ¿Depende de l a raíz cuadrada
de N0?

5.2 (a) Utilizando los resultados del capítulo 2, deduzca una ecuación para hallar
la capacidad de vaciamiento CJ de una unión graduada lineahnente.
(b) Si a= 5 X 10+ l9/cm4, 11¡ JO+ IO/c1n3, kT = 0.026 cV, y A ::; 10-4 cm2,
=

calcule la capacidad de vaciamiento C.r, si

(i) VA = 0,
(ii) VA = -2,
(iii) a = I02º/cm4 y VA
, = O.
(e) ¿Qué se pitede extraer como conclusión a partir de los resultados del punto
(b)?

5.3 Una unión presenta las capacidades de vaciamiento para una unión abrupta
que aparecen en la tabla P5.3.

(a) Trace cuidadosamente el diagrama ele 1 / C2 en función de VA, y c:letermi­

ne a parlir de la gráfica C10 Y Vbi·
(b) Esboce el procedimiento para una unión graduada linealmente.

Tabla P5.3

C(pF) VA

3.993 -0.5
3.420 -1.0
2.764 -2.0
2.381 -3.0
2.123 -4.0
1.934 -5.0
•

113
 5.4 Se dispone de una unión p-n abrupta con NA :::: 10+ 17 /cm3. y N0 == 5 x

J0+15/cm3, que tiene rP == 0.1 µs y rn == 0.01 µs, con kT = 0.026 eV, n¡ =

10+ !O/cm3, A = io-4 cm2, µ,11 = 801 cn12/V-s y µP = 438 cm2/V-s.

(a) Calcule la capacidad de vaciamiento d e l a unión, para

(i) VA = 0,
(ii) vA :::: - vbi12,
(iii) VA= -lOV.
(b) Calcule la capacidad de difusión de la unión (con w1 < 0.1 tanto para Ja
regió11 n co1no para la región p), para
(i) V,\ :::: Vb1/2,
(ii) vA = o.9 vbi'
(iii) Calcule la conductancia de la unión si VA = Vb¡/2 y si VA = 0.9 Vbi·
(c) Analice qué tipo de portador y región domina la capacidad de difusión y
la capacidad de unión. ¿La capacidad de difusión es proporcional a la co­
rriente en polarización directa?

5.5 Si w "= 107 rad/s en el problema 5.4, calcule la capacidad de dift1 sión CD y
la conductancia si VA 0.9 Vbi' =

5.6 Para la unión escalón p+-n trace los siguientes diagramas:

(a) C10 en función de N0;

(b) C0 en función de rP cuando wrP < 0.1;
(c) C0 en función de rP cuando wrP = 10 y rP aumenta en un factor de 10.
¿En qt1é razón varió la capacidad de difusión? ¿En qué razón lo hizo la
conductancia?

5.7 U11a unión escalón¡J+-n tiene rP = 1.0 µs. S i w - 106 rad/s, dibuje un dia­
grama e indique las pendientes de

(a) Gen función de!;

(b) Cn en función de J;
(e) si w = 105 rad/s, repita Jos puntos (a) y (b).
(el) ¿,l�os r esultados de los puntos (a),(b) y (e) concuerdan con la figura 5.7?

114
 6 Respuesta a la conmutación

La unión p-n tiene muchas aplicaciones en las que se utiliza el dispositivo como
conmutador eléctrico. Es típico el uso de un pulso de corriente o de voltaje, para
conmutar a l diodo desde polarización inversa, denominada estado d e desconexión
o estado off, a polarización directa, llamada estado de conexión o estado on, y
viceversa. Para el diseñador de circuitos y dispositivos son de importancia primor­
dial las velocidades a las cuales se puede lograr que la unión p-n conmute sus esta­
dos. Comenzaremos por analizar cualitativa111enle el lransitorio que se produce
cuando se conn1uta el diodo desde el estado on al estado off, explicando los oríge­
nes del retardo de tiempo antes ele que el dispositivo quede deconectado. Se clefine
un tiernpo de recuperacíón inversc1 co1no el espacio de ticn1po que tr anscurre desde
que se inicia la conmutación hasta que �l diodo alcanza un grado determinado de
desconexión, es decir, un nivel de corriente inversa. El con1ponente más grande
del liempo de recuperación inversa es el tie111po de al111acenan1iento. Se deduce una
solución aproximada del tiempo de almacenamienlo y se con1para ésta con una so­
lución matemática n:ás detallada. También se estudia la respuesta transitoria des­
de polarización inversa a polarización directa, y se llega a una solución aproximada
para un caso específico de conexión. Queremos señalar que muchos de los concep­
tos desarrollados en este capítulo son válidos para el transistor bipolar de m i libro
El transistor bipolar de unión (de esta serie).

6.1 EL TRANSITORIO DE DESCONEXIÓN

Se denomina transitorio de desconexión (transitorio de conducción a corte) a la

conn1utación dinámica de un diodo desde la polarización directa, o estado on, al
estado off. Para que el diodo fuese un conmutador ideal en este ciclo, la corriente
iría instantáneamente desde un valor Ir, el valor de ce directo, a la corriente de
saturación inversa -!0• Sin ernbargo, de lo analizado en el capítulo 3, debe resul­
tar obvio que, antes de que el dispositivo pueda ser conmutado desde polarización
directa a polarización inversa, deben ser retiradas las cargas de portadores minori­
tarios almacenadas en las regiones masivas n y p. Esto requiere una retirada d e car­
gas instantánea: los portadores minoritarios en las regiones n1asivas. Por lo tanto,
el dispositivo real no puede funcionar como un conmutador ideal.
En la figura 6.1 (a) se ilustra el experimento idealizado para medir el tiempo de
desconexión del diodo, y la figura 6.1(b) es un diagrama de la respuesta de la co­
rriente. La corriente inversa -IR se define como la corriente de un instante des-

115
 (a)

i(t)
" -I
F
t, lrr

� -- - - 1--- '
1
1
0.1/R
1
1
1
1
1
-
/A 1
ts t, _¡
..¡..
1
lrr ...1
1· -
(b)
.
�A(I)

� ����-r
--..__
���� +- �� �� ' ������ --- (

--- t, ...1
-
-.
\
\
\
\

(e)

Figura 6.1 Tiempo de recuperación a inversa y tiempo de ahnacena1nicnto: (a) circuito; VF y VR son
mucho mayores que lu A(t)i; (b) corriente; (e) voltaje.

pués de la conmutación del dispositivo, mientras que el tiempo de recuperación

a inversa (trr) se defi11e como el tiempo que necesita la corriente del diodo, para
llegar a -0.11R. La figura 6.1 (c) define el tiempo de almacenamiento ( ts) como el
tiempo en que l a tensión de Ja unión 1JA(t) alcanza cero volts o, con10 se muestra
en la figura 6.l(b), el tiempo asociado con la corriente casi co11stante (-IR) de la
figura 6.1 (b ) . El tien1po de almacenamiento, como se estudiará n1ás adelante, aumen­
ta con la magnitud de carga de minoritarios almacenada, y se utiliza como cifra
de n1érito en aplicaciones de conn1utación. El tiempo de recuperación ( tr) es la di­
ferencia entre trr Y ts.

116
 Por i n spección de la figura 6. 1 (a) en t = o-, donde V¡: se supone muy superior
a la tensión de ce d e l diodo VA, se obtiene la corriente continua en polarización
direc t a (lF). Como VA está típicamente en t re 0.1 y 0.875 volts, se cumple fácilmente
con el requi si t o, en la 1nayor parte de los casos, donde VF � 20 volts. Si se plan­
tea la ecuación de la 1nalla alrededor del circuito, y se resuelve para ce, con la supo­
sición de que VA � VF, se obtiene la ecuación (6.1):

(6. 1)

La corrie n te inversa (IR) tiene una definición si111ilar para t = Q+, clonde debe sa­
t is f ac e rs e la condición de 1 VA(t)I V
<{ R.

(6.2)

Hay que señalar q u e es posible hacer IR mucho mayor que /F, lo que constituye
una técnica utilizada frecuentemente por diseñadores de circuitos de conn1utacíón,
p ara reducir los tiempos ele conmutación.
El lector puede encontrarse inicialmente algo desconcertado por la figura 6.1 (b},
en la cual f luye mon1entáneamente por e l diodo una gran corriente inversa. Exami­
nemos el fenómeno, buscando una e x pl i c ación física, antes de tratarlo e11 forma
analítica . En la figura 6.2(a) se ven las concentraciones ele p o rtadores mino-

p N

a:i:.----- Pno

----- --
--- X

(a)

p 11 p,, N

1 = t.,

-x
p

(b)
F.1gura 6? ·- (a) Almacenamiento de cargas de portadores minoritarios; (b) vaciamiento de portadores
mayoritarios.

1 ]7
 ri tarios, antes de conmutar el dispositivo. I,a carga total de portadores minoritarios
en exceso, ahnacenaclos en la unión, es el área bajo cada curva por encima de p110
y nPº' respectivamente. Iviucho después de la con1nutación, en t � trr• las
distribuciones de portadores minoritarios son inferiores a sus valores de equilibrio
térmico, como se ve en la figura 6.2(b). Es obvio que l a transferencia de cargas
necesaria para desconectar el dispositivo, está representada por la suma de las áreas
rayadas. Hay que recordar que las concentraciones de cargas de portadores
rr1inoritarios, varían en las regiones masivas casi neutras por difusión (alejándose),
por recornbinación, o por ambas cosas. Por lo tanto, para variar las concentracio­
nes de portadores 1ninoritarios ele la figura 6.2, desde sus valores de t = o- hasta
t ---'>- trr' se necesitan flujo de corriente y recombinaciones. La corriente eléctrica,
-IR, es el resultado de huecos portadores minoritarios que se alejan de la región
n, y electrones portadores minoritarios que se alejan de l a región p por difusión.
Se produce recon1binación en aquellos lugares donde las concentraciones de
portadores exceden sus valores de equilibrio térmico.
Debe resultar evidente que cuanto mayor sea l a carga de portadores minorita­
rios inyectados, que van a ser eliminados de las regiones masivas, más duración
tendrá el transitorio de desconexión.
Se puede utilizar la figura 6.2 para deducir diversas relaciones cualitativas entre
el transitorio d e desconexión, y las características rnateriales. Primero, si se dismi­
nuyen TP y Tn (se reducen LN y Lp), e11tonces se acumula menor carga minoritaria
en t ::= o-, y el tiempo de desconexión es más corto, porque es necesario transferir
menos carga. Segundo, tien1pos ele vida más breves significan mayor recombina­
ción de exceso de portadores y, por ende, un tien1po inás corto de desconexión,
debido a una eliminación ele cargas más rápida. Las variables del circuito ·para un
tiempo de desconexión 1nás rápido, también están estrechamente ligadas a la carga
acumulada. Una /F mayor produce una carga acumulada más grande a t = o-, de­
bido a que se requiere una VA más grande y, por lo tanto, hay una concentración
mayor de portadores rr1inoritarios. En forma similar, una IR más grande produce
ur1a eliminación más rápida de cargas y, por consiguiente, un tien1po de descone­
xión más breve.
Ahora se analiza cómo Jos portadores rninoritarios varían con el tiempo y la dis­
tancia, cuando el dispositivo es conmutado desde conexión a desconexión. Cuan­
do se dedujeron los valores de las ce para un diodo jdeal, se supuso que no había
generación ni recombinación en el vaciamiento vV. Con esta presunción se obtuvo
la corriente final su1nando la ecuación (3.14) y la (3 .15), repetidas aquí para como­
didad del lector, en la ecuación (6.3).

d clnP
J= -qD p,, +qD (6.3)
p dx N
dx
-

··)(p
x,,

Se puede interpretar la ecuación (6.3) como que la pendiente de Ja concentración

de portadores minoritarios, calculada en el borde de Ja región de vaciamiento, de�
termina un valor para cada con1ponente de corriente. 'fambién hay que recordar

118
 Pendientes constantes
,/ I= O
en -xp y Xn
. �,/

I=0
1 = ts
1 == 1s

'"

Fig. 6.3 Concenrracioncs de portadores en el transitorio de desconexión.

que las concentraciones de portadores minoritarios, en los bordes de la región de

vaciamiento, fueron detern1inadas por las ecuaciones (3.30) y (3.28), que se repiten
aquí mediante la ecuación (6.4) y la ecuación (6.5), con VA sustituida por uA(t)

( ) - qvA(t)lkT t)
P11 x" - P11oe - p,,(x,,, (6.4)
_

n (-xP) = n equA(tJlkT n (-xP' t) (6.5)

P pO P
=

Sin perder de vista estas ecuaciones, ahora estamos en condiciones de explicar la

naturaleza general de la respuesta a la conmutación del experimento que aparece
en la figura 6.1.
En la figura 6.3 se ve la progresión, en .el tien1po, de l a eliminación del exceso
de cargas, manteniendo IR a un valor constante, es decir, con una pendiente cons-·
tante de las concentraciones de portadores e n los bordes de las regiones de vacia­
miento: pendiente positiva para huecos (corriente negativa) y pendiente negativa
para electrones (corriente negativa). El valor de IR es casi constante mientras se
cumpla que luA(t)I <11 VR.
Para los huecos en exceso de la región n, la corriente de difusión constante en
x11, elimina suficiente cantidad de portadores, para provocar que p11(x 1,
1 t) dismi­
nuya en magnitud y, por lo tanto, hay una reducción de la tensión final, de acuer­
do con la ecuación (6.4). Esta reducción de uA(t) aparece ilustrada en la figura
6.1 (c). Con argumentos similares para nP(-xP, t), se reitera la eliminación del ex­
ceso de portadores y del voltaje final.
Se define al tiempo de almacenamiento (!5) como el que acontece hasta eJ fin
de la fase de corriente constante del transitorio de corriente inversa. Físicamente,
la fase de corriente constante finaliza cuando 1 uA(t)I se hace comparable con VR
y los dos voltajes se restan entre sí, forzando a que i(t) sea menos negativo que -IR,
como se ve en Ia figura 6.l(b). La figura muestra t como el tie1npo al que el
6.3
s
voltaje de la unión se ha hecho cero; es decir, p11(x:,1) p11 0, en t /5• = =

119
 El resto del transitorio de corriente inversa (tr) se caracteriza porque el valor de
•

v
A
(t) se hace grande y negativo; es decir, sobre la unión cae un voltaje inverso. La
corriente i(t) ya no es constante, y crece rápidan1e11te l1acia el estado estacionario,
la corriente de saturación inversa 10. Durante esta fase ele recuperación, el exceso
de cargas se elimina fundamentalmente por recombinación (aunque persiste al­
go de difusión). Finalmente, se elimina totalmente el exceso de cargas, y la polari­
zación inversa produce el déficit de portadores que se ve en la figura 6.3, para
t = trr· Al fin del transitorio inverso, vA =: - VR , y el dispositivo tiende al estado
estacionario para ce en polarización inversa.
Este análisis permite predecir algunos resultados generales. Cuanto mayor es
l a corriente directa !F, n1ayor es el almacena1niento de cargas de portadores mino­
ritarios." Por lo tanto, para un valor fijo de 1R' mayor debe ser t5• U11 valor mayor
de r y rn implica valores mayores de Lp y L1v, lo .que produce mayor carga acu­
P
mulada, y nuevamente i:nayor !5• En el caso de algunos diodos de silicio de con­
mutación rápida, el dispositivo está ''dopado co11 oro" adernás de las impurezas
tipos n y p. El oro actúa con10 un centro de reco1nbil1ación n1uy eficaz, cerca de
E¡, en la banda prohibida del silicio, con lo que reduce los tiempos de vida de los
portadores minoritarios r y r , lo que a su vez reduce t5• Entonces, generalizan­
� P
do, cuanto mayor es el almacenamiento de cargas minoritarias en exceso, mayor
es el tiempo que transcurre para descargar la unión. Finaln1.ente, el tiempo de al­
macenan1iento también se reduce aumentando el valor de la corrie11te inversa IR,
lo que arra11ca 1nás cargas por segundo de las regiones n1asivas.

6.2 ANÁLISIS DEL TIEMPO DE ALMACENAMIENTO

Es posible obtener una solución aproximada del tien1po de almacenamiento er1 el

caso del diodo de unión escalón ideal, l o que confirma muchas de nuestras anterio­
res predicciones. Por simplicidad, supongamos una unión p+ -·n en la que la carga
de portadores minoritarios acu1nulada está dominada por huecos en la región ma­
siva n; es decir, Qp � Q1v. Para este tipo de dispositivo, como se analizó e n e l ca­
pítulo 3, la corriente continua total es aproxin1adamente la corriente de l1uecos
calculada en x11• En la figura 6.4 se pl1ede ver la concentración de huecos, inicial­
n1ente y para diversas fases de la rect1peración a inversa del diodo p+-n.
Con10 se ve en la figura 6.4, el problema fundamental requiere una soluci6n de
un problema en realidad bastante difícil. Se soslaya el mismo, conside­
t:,.p11(x, t),
rando la carga total de portadores minoritarios inyectada QP(t), sin olvidar que la
carga sólo puede variar n1ediante la corriente i(t) o por recombinación.
En el capítulo 3 del libr.o de Pierret se consideraron las ecuaciones de continui­
dad de portadores minoritarios, para las regiones masivas; aquí repetimos esas ecua­
ciones para la región masiva n, suponiendo inyección de bajo nivel.

iJ!:,.p,, i aJp
-
--

(6.6)
ar q ax

120
•
 p' N

i(I)
...

p,.(x. t) p,.(x, t)

\
\
\
\
'
=
'\
t <o '\ 1 1•
'

Pno '------� x

(a) Estado lniclal (e) Fase de almacenamiento

Pn(X, t) P,.(x, t)

\ \
\ '
\ \
\ '
'\ \
\ o < t < t, '\
'
'
'
'\ 15 < 1 < trr
'

(b) Estado de translción (d) Fase de recuperación

.
Figura 6.4 Perfiles de la conccn1ración de huecos en recuperación a inversa: (a) inicial; (b) fase de
altnacenan1iento; (e) 1 = 15; (d) fase de re<.:uperación. Recuérdese que en estos diagran1as
la escala del eje vertical está en "log".

Se multiplica la ecuación (6.6) por el área (A) y por q, integrando después sobre
toda la región 1nasiva n.

d ]"" t::.p.(x,t)dx
dt qA x•
= -A
fJp("')
Jp(xn)
dlp -
1
- (qA)
'Tp J"'
x,,
D.p.(x, t) dx (6.7)

Hay que tener en cuenta que la carga total de huecos es la ecuación (6.8).

Qp(t) = qA f"' l::.pn(x, t)dx

Xn
(6.8)

121
 Puede volverse a plantear la ecuación (6. 7) en la forma de la ecuación (6.9), tras
reconocer como aparecen en la ecuación (6.7), los términos QP(t) de la ecuación
(6. 8).

(6.9)

Hay que recordar que para el "diodo de base larga", la región n es de longitud
infinita; por lo tanto, Jp(00) es cero, ya.que dÁp,./ dx I"' = O . . Para la uniónp+-n,
la corriente total i(t) es aproximadamente Jp(x11); por tanto, la ecuación (6.9} se
convierte en Ja ecuación (6.10).

dQp(t) Qp (
= i(t) - t) ( 6.10)
dt rP

El examen de la ecuación (6.10) muestra que el ritmo de variación de carga alrr1ace­

nada es igual a la corriente (carga añadida o elimir1ada por segundo) menos la pér­
dida por recombinació11. La carga total de huecos acumulada varía por ap.orte o
eliminación de huecos debidos a la corriente, y por recombinación.
Apliquen1os ahora la ecuación (6.10) a la solució,n aproximada del tiempo de
almacena1niento de una unión p+ -n, utilizando las restricciones circuitales de la
figura 6.1(a). Para t � O, pero menor que 15, la corriente i(t) = -IR, y la ecuación
(6.10) queda ahora como la ecuación (6.11).

(6.11)

Se puede resolver Ja ecuación (6.11) directamente como una ecuación diferencial,

o aplicando una transformada de T�aplace. Es una ecuación diferencial del tipo va­
riable separable. Se separan las variables al multiplicar por dt, luego se divide entre
IR QP(t)ITP' y se integra, con lo que s e obtiene la ecuación (6.12a), donde se su­
+

pone que Q (ts) es aproximadamente cero.

P

o
dQp 's dt = -t 's = -t
( )
Qp(O+) IR + Qp t
= -
J
o

o
s
(6.12a)

rP

En la figura 6.4(c) se muestra que

Qp(t5) 7'= O; sin embargo, suponer que es cero
produce una estin1ación conservadora de t5 (un valor más grande)., El término
QP(O+) se representa en la figura 6.4(a), que expresa la carga inicial de huecos

122
acu1nulada en la región n1asiva n. Se puede integrar el mien1bro de la izquierda de
la ecuación (6.12a) con e l uso de una tabla estándar de integrales, lo que da

= -ts = T In
p
Qµ(o+¡

(6.12b)
Despe j and o f5, se halla la ecuación (6.12c),

ts = (6 . 12c)

por lo tanto,

p
ts = ; In (6.13)

Aunque QP( t ) 1= O y, comparado con QP(O+), puede no ser totalmente desprecia­

s

ble, la aproximación brinda, sin e1nbargo, resultados razonables; es de ci r, la de­

pen dencia funcional es bastante bue na .
Para t � O, la.ecuación (6.10) se convierte en la ecuación (6.14), ya que el diodo
está en estado estacionario para ce, y la carga almacenada no varía con el tiempo.

dQp = o = IF - Qp (O) (6.14a)

dt TP

Como la carga n o p ued e variar instantáneamente, Q (O-)

P
= QP(O + ) , y resolvien­
do QP(O+) de la ecuación (6.14a), se tiene

Sustituyendo QP( O+) de la ecuación (6.14b) en la ecuación (6.13), se obtiene la

e c uación (6.15).

(6.15)

Un examen de la ecuación (6.15) muestra que, en efecto, los argumentos c ua li­

tativos son váli dos En par t i cu l ar, t5 d ismi nu ye si lo hacen r" e !F, qt1e es el mismo
.

efecto que disminuir Q (ü+ ). Nótese que t5 d ismin uye silR aumenta; esto es lo mis­
P
mo que incrementar la corriente de difusión para quitar, más rápido, h ueco s de
la región n.

!23
 Un análisis más detallado ele las cargas aln1acenadas en la t1nión p + -n, brinda
la ecuación (6.16)

1
erf (6.16)
l
1 ' -
-r R
[F

La figura 6.5 ilustra la diferencia entre las ecuaciones (6.16) y (6.15), y muestra
la estimación conservadora de t5, obtenida por la ecuación (6.15). También debe
notarse que se ·utiliza la detern1inación experimental de t5 para obtener los valores
de rP (o 111, en el caso de un dispositivo p-n+).
La figura 6 . 6 muestra la concer1tración de portadores minoritarios en un tiempo
posterior a t5 hasta trr y luego hasta infinito.
Se remarca que la pendiente en x = O varía, disminuyendo cu a ndo u
A
se hace ne­
gativa. Al disminuir Ja pendiente, disminuye la magnitud de corriente de huecos
(menos negativa) y la corriente tiende a la corriente de saturación inversa (-10),

6.0

-...
-...... r
. ....-
......
r---... ......
I':-..
i"'i"' i"'-.r-..... • In [1 l�]
l'-.. . r--.". V
+
.
1/ //F R
1.00 .....
1
-
-
....,
.
s"
-
1
...
".
- ......,
.... .......
. ., ......
t '.
r:" """
l' • """""
Teoría ....
• • • experimental '"
"'�
0.1
1

. "'
..._
'
•

1
\.OI
{ erf-l [t + l ]}2 " /
/R /fF \
\'
\
0.01
'
0.001 0.1 1 10

Figura 6.5 Dependencia de 's·

124
 cuando t - oo. Cuando li(t)I alcanza el l Oo/o de IIR 1, se define trr' el tiem po de
. .

recuperac1on a invers a.
'

VÉASE EL EJERCICIO 6.1. APÉNDICE A

6.3 EL TRANSITORIO DE CONEXIÓN

.
Se produce el lransitorio de conexión (tr�nsitorio de corte a conducció n) cuando se
fuerza al diodo llevándolo desde polarización inversa hacia un estado de conducción
en po larización di recta. Esto se puede lograr con un pulso de corriente, con un pulso
de voltaje o con una mezcla de ambos. Debido a su simplicidad y asociación directa
con rnuchos circuitos de la práctica, aquí solarnente se p resentará el caso de un pulso
de corriente.
Cuando se cambia instantáneamente Ja cor riente del diodo desde -10, hasta
algún valor de co rriente e n polarización di recta constante Ir la respuesta de voltaj e,
uA(t), varía desde algún valor negativo en t = O, hasta VA en t = oo. La prin1era
etapa de la respuesta, desde t = O� , hasta u
A
= O, ocurre de forrna muy rápida,
aproximada1nente en el tiempo de relajación dieléctrico del semiconductor ( ::
10-1 0 s egundos o menos). La respuesta es muy rápida, porque los portadores
mayori1arios se mueven estrechando la región de vaciarr1iento, de retorno hacia su
valor de equilibrio térmico (VA = O). Los electrones en la región n y los huecos
en la región p neutralizan los iones donadores y aceptares.
Una vez eliminada la po l ari zación negativa, y ya en A = O, pasemos a u

considerar ahora el caso en que el diodo es atacado con un escalón de corriente

desde i = O hasra JF, en t = O, como se puede ver en la figura 6.7(a). La respuesta
de voltaje aparece en la figura 6.7(b), mientras que la figura 6.8 ilustra cómo varían
los portadores minoritarios hasta alcanzar el estado estacionario. El escalón de
corriente inyecta huecos en la región n a un ritmo constante. Como la corriente
de huecos en el borde de la región de vaciamiento (xn) es conslanle, la pendiente
de la concentración de huecos también lo es. De manera sin1ilar, la pendiente de
la concen tració n de electrones es constante en -xP ' como se ve e n la figura 6.8.
Nótese que a 1nedida que aumenta11pn(xn, t) y nP(-,,'CP' t), el voltaje termi na l uA(t)
debe au1nentar de acuerdo con las ecuaciones (6. 4) y (6. 5). Por lo tanto, se espera
que el v olt aj e aumente desde cero hasta algún valor final, necesario para sostener
la corriente Ir: de e stado estacionario, con10 se ve en l a figura 6.7(b).
La solución analítica del transitorio de conexión, es más simple si nuevamente
se supone una unión p+-n, donde la corriente total es esencialmen te la corrientede
huecos inyectada en x11• Ap l icando la ecuación (6.10) al problema, la carga de
huecos aun1enta debido al escalón de corriente, donde la recombinación consume
parte de la carga., Para t > O, i(t) = IF, y

dQp(t) =Ir:_ Qp(t)

dt rP

125
 I
I
I

- :::-'-

Figura 6.6 Vacianiiento de ponadores minoritarios para /5 < t < oo , con la escala vertical n1uy
ampliada; la línea punteada indica la pendiente en x "" O.

VA - - -:-;-::;-:.;-__,,.----
/F 1------

(a) (b)

Figura 6. 7 Transitorio de conexión: (a) corriente; (b) voltaje.

Pendientes constantes en -xp y nn

Figiura 6.8 Concentraciones de portadores durante el transitorio de conexión.

126
 .
El ritmo al cual se constituye la carga se debe a Ja corriente /F, nJenos lo perdido
por recombinación. Para
. resolver QP(t) se utiliza una tran!jformada de Laplace.

Q( )
sQp(s) - Qp (O) = !!_ - ps (6.17)
s ,,..
p

La carga inicial Q P( O) es cero, pues no circula corriente antes del escalón de co­
rriente. Por l o tanto, la ecuación (6.17) se convierte en la ecuación (6.19), resol­
viendo Q (s).
P

(6.18)
s

(6.19)

La transforrnada inversa de Laplace de la ecuación (6.19), da QP(t) de la ecuación

(6.20).

(6.20)

es decir,

de la ecuación (6.20). Es obvio que la carga de huecos crece a l cargarse la unión

hasta alcanzar un valor final.
Para hacer una estimación de la respuesta de voltaje, como se ve en la figura
6.7(b), se supone que es posible aproximar la distribución de huecos en cada ins­
tante de tiempo de Ja figura 6.8, con una exponencial del tipo siguiente:

p,.qeqvr.(t)lkTe -.t'ILp
p,.(x,, t)
=

(6.2la)

Se puede obtener la carga total de huecos en exceso n1ultiplicando la ecuación (6.2la)

por qA, e integrando sobre la región masiva n completa, con lo que se logra la ecua­
ción (6.21 b), como una aproximación a Q(t).

(6.2Jb)
Se resuelve la respuesta de voltaje, partiendo de la ecuación (6.21 b), como

(6.22a)

(6.22b)

Pueden hacerse varias observaciones sobre el transitorio ele conexión, por ins­
pección de la ecuación (6.22). Un valor más pequeño de /F• de rP, o de ambos,
.

1 ?.7
 dará un tiempo de conexión más rápido. Como QP(oo) = IF-rp, se pueden generali­
zar estos resultados para demostrar que cuanto más pequeña es la magnitud de la·
carga final acu1n ulada, n1ás rápido se produce el transitorio del dispositivo. Nue­
vamente, la 111agnitud de carga transferida controla la velocidad de conn1utación.

v·ÉASE EL EJERCICIO 6.2. APÉNDICE A

6.4 Resumen

Se analizó Ja respuesta de Ja unión p-n ante señales escalón de gran amplitud, en

función de las respuestas transitorias de desconexión y de conexión. Al ser desco­
nectado desde un estado de conexión, se caracterizó la respuesta de corriente por
el tiempo de recuperación a inversa, trr· La componente xnás grande de trr es el tiem­
po de almacenan1iento t5• Una reducción de 1a corriente directa, del tiempo de vi­
da de los portadores minoritarios, o. de ambos, reduce Is. Si se hace más grande
la magnitud de l a corriente inversa,'� se reduce. Cualquier camino por el cual se
reduzca el aln1acena1niento de cargas de portadores minoritarios, antes de la con­
mutación, reduce el tiempo de recuperación a inversa.
Cuando se conmuta al diodo hacia conexión, partiendo del estado de descone­
xión, la transición se controla por el tiempo necesario para establecer la carga de
portadores minoritarios, en las regiones masivas n y p. Se consideró e l caso de un
escalón de corriente, desde cero a /F, cuyo resultado fue el establecimiento de un
voltaje en la unión, desde cero hastavalor final VA. Nuevan1ente, cualquier for­
un

ma de reducción de la carga de portadores minoritarios acumulada ha de reducir

el tiempo de conmutación. En particular, si se reducen IF, rP y rn, o los tres, el dis­
positivo responde más rápidamente. El interés original por los transitorios en
diodos fue motivado por el deseo de hacer mínimo el tiempo de recuperación a inver­
sa y, por ende, reducir el tiempo de con1nutación de los circuitos lógicos con diodos.

Problemas

6.1 Una unión escalón p+ -n en un circuito como el de la figura 6.1 tiene VF 1O =

V, VR = 12 V, RF 10 kíl y rP = 5 ¡;,s. Suponga que QP(t5) = O, y calcule:

=

(a) ts si Rr == 5 kíl;
(b) !5 si RR = 1 kíl;
(c) un valor de RR para hacer Is = r/5;
(d) un valor de RR para hacer t5 - 2-rP.

6.2 Se tiene una t.1nión p+-n abrupta por la que circula una corriente JF en senti­
do directo y luego es conmutada a desconexión en t == O por n1edio de una
fuente ele corriente

128
 Deduzca una ecuación para QP(I) y esboce un diagrama del resultado.
6.3 Se conmuta una unión escalón p +-n desde una fuente de corriente directa de
lp a cero en t = O.

(a) Deduzca una ecuaciór1 de QP(t) en función de rP e IF; trace la gráfica

p11(X, t) .
(b) Si se puede aproxin1ar el diagrama de p11(x, t) por una exponencial en fun­
ción <le "x' determine la expresión de uA(t). Suponga que dentro del in­
' ,

tervalo de interés, la unión está en polarización directa.

(e) ¿Có1no se podría ulilizar este experimento para determinar rP? Explíquelo.

·'fl --------¡

·�-------'---''---.- t
o

Figura P6.3

6.4 Hay una unión escalón p+-n polarizada directamente con una corriente /FJ•
a la que se le impone una corriente 1r:2 en el instante t = O, corno se ve en la
figura P6.4.

(a) Represente la concentración de huecos en función de t y de x.

(b) Calcule VA(oo) - vAco-).

(c) Deduzca una fórmula para Q (t).
P
i

----- /FZ

/FI ------

Figura P6.4

6.5 Si se conmuta una unión ese.alón p+-n desde J = O hasta l n1A, con un esca­
. Ión d e corriente en t = O, calcule el liempo necesario para que el dispositivo

alcance el 900'/o de su vol taj e fina l Considere que

. rr> = 1.0 p,s e /0 = 10-1s A.

129
 7 Contactos
metal-semiconductor

7.1 INTRODUCCIÓN

Los contactos entre metal y semiconductor (1netal-semiconductor) constituyen un

tema muy importante en todos los dispositivos de estado sólido. Son l a vía de co-
1nunicación del semiconductor con el mundo exterior; interconectan los dispositi­
vos dentro de los circuit os integrados, y pueden convertirse en una unión
rectificadora o ser un contacto óhmico eficaz. Aquí se presentan los conceptos bá­
sicos del diodo de barrera Schottky y del contacto (óhrnic o) no rectificador. Se co­
n1ienza por tratar las bandas de energía del metal y del semiconductor por separado,
a la luz de la función de trabajo del metal y la afinidad electrónica del semiconduc­
tor. Luego se presenta el modo en que la colocación del metal, en íntimo contacto
con e l semiconductor, afecta al equilibrio térmico del diagrama de bandas de ener­
gía, conju11tamente con los potenciales de barrera para electro11es. Las secciones
restantes de este capítulo presentan las características V-1 del diodo Schottky ideal,
su capacidad d e vacian1iento, y, filialmente, díversas desviaciones respecto' al dis­
p ositi vo ideal.
En algunos aspectos, el diodo de barrera Schottky se asemeja a la u11ión escalón
p + -n donde el silicio p+ es reemplazado por el metal. La región de tipo n tiene nu­
merosas similitudes electrostáticas. A este dispositivo se le aplican muchos de los
conceptos desarrollados en los capítulos 2 y 3. El capítulo finaliza c o n los contac­
tos entre 1netal y silicio, utilizados como contactos ''óhmicos".

7.2 DIAGRAMAS DE BANDAS D E ENERGÍA EN EQUILIBRIO TÉRMICO

DE LA UNIÓN METAL-SEMICONDUC'l'OR

En las figuras 7. 1 (a) y (b) aparecen los diagramas de bandas de energía para un
metal y para un sen11conductor, respectivamente. Están separados por una distan­
cia casi infinita, de manera que no hay interacción entre ellos, y quedan aislados.
Hay un nivel de energía E0, nuevo en los diagramas de bandas de e nergía. Esta
energía es el nivel de energía del vacío, y representa la energía en la cual puede ha­
ber un electrón "libre" en el material. En este caso, libre significa que tiene la posi­
bilidad de desplazarse dentro del vacío circundante, y de ser ex p u lsa d o fuera del
sólido. La energía del vacío (E0) es un nivel de referencia de energía adecuado, con
el cual comparar dos materiales diferentes.
La filnción de trabajo (<P) de un m·aterial es la diferencia de energía entre la
energía del vacío (E0) y su nivel de energía de Fermi (EF). Para el metal de la figura

131
 Energía del electrón

Eo Eo

f
</Js
f
X
<PM
¡ c � E
EF
S
---------
Ei
EFM

E.
_
(a) (b)

Figura 7.1 Diagramas de bandas de energía para (a) un metal y (b) un semiconductor tipo 11,
cuando es1án aislados

7.l(a), '1>rv1 es la función de trabajo y su valor depende del tipo de metal, es decir,
según se trate de oro, aluminio, platino, etc. El valor de <I>rv1 es una propiedad fun­
damental ele un metal determinado. Hacemos notar que se utiliza como unidad de
energía <I? el ''electrón-volt".
En lá figura 7.l(b) aparece la.función de trabajo del semiconductor, <I> · Ésta
s
depende del dopado del s emico n ductor, porque la posición de EFs depende del ti­
po de dopado y d e la concentración de NA o N0. Sin embargo, la diferencia de
energía entre el nivel del vacío y el borde de Ja banda de conducción es una propie­
dad fundamental del semiconductor, independiente del dopado. De aquí que, para
el semiconductor, se defina ta energía de afinidad electrónica (x) como (E0 - EJ
= X· En e l caso del silicio, tiene un valor de 4.05 e V. Entonces, Ja función de traba­
jo para un semiconductor, es la diferencia de energía entre E0 y la energía de Fer­
mi, EFS, como aparece en la ecuación (7.1).

•
(eV) (7 .1)

Recordemos que Ec - EF está en la región masiva, y depende de la concentración

del dopado en el semiconductor.
Se analiza el caso, que aparece en la figura 7 .1, en el que <I>�1 > <I>8 para el me­
tal y el semiconductor tipo Para los materiales separados infinitamente que se
n.

muestran, el nivel de Fern1i del metal (EFM) es menor que el nivel de Fermi del se�
miconductor (EFs). Por tanto, la energía media de los electrones del semiconduc­
tor es mayor que l a energía media de los del metal. Cuando se aproximan ambos
materiales hasta tener un contacto íntimo (perfecto), se puede esperar que, debido
a la diferencia en energía media de los electrones, se transfieran electrones desde
el semiconductor hacia el metal, hasta que las energías electrónicas medias sean
iguales. Esto se puede lograr esperando que el sistema retorne a su estado de equili­
brio térmico.
Una transferencia de electrones desde el semiconductor tipo n hacia el metal de­
ja la superficie del semiconductor vaciada de electrones, y deja atrás algunos iones
donadores positivos. Al haber recibido electrones, puede esperarse que el metal

1 �?
 se encuentre cargado negativamente con respecto al semiconductor. Obsérvese la
gran similitud que hay entre el lado n y la unión ¡J·1·-n, una reglón de vaciamiento
con densidad de carga positiva (fija). El metal tiene una carga superficial que es
negativa en la misma magnitud en que el semiconductor es positivo.
Para poder construir un diagrama de bandas de energía válido para el contacto
entre el nieta! y el semiconductor (l\tl - S), es necesario remarcar algunos puntos
in1portantes. El primero es que las funciones de trabajo del metal y la afinidad del
elecLrón del semiconductor son propiedades fundamentales de los dos materiales,
y no pueden variar simplemente porque los hemos puesto en contacto. Por lo tan­
to, el nivel de energía del vacío, E0, debe ser una función continua respecto a EFl\. I
y a Ec. El segundo punto, como en e l caso de la unión p-n en equilibrio térmico,
es que el nivel de energía de Fermi es una constante. Teniendo en cuenta estos pun­
tos, podemos aproximar horizontalmente los dos diagramas de bandas de energía
d e las figuras 7. J (a) y (b), como se ve en las figuras 7 .2(a) y (b). Establecen su con­
tacto íntilno en t :== O, como se ve en la figura 7 .2(b); sin e1nbargo, no están aún
en equilibrio térmico. En este caso particular, algu11os electrones abandonan el se­
miconductor y van hacia el metal. Para obtener el diagrama de b a n das en equili­
brio térmico de la figura 7 .2(c), se desplaza hacia abajo el lado derecho de la figura
7 .2(b) hasta que EFM = EFS' con la superficie del semiconductor (x = O) fija en
el lugar. Aquí se considera el caso ideal, en que no se incluyen los efectos de Ja
superficie. Desplazar hacia abajo el lado derecho representa una pérdida de carga
negativa (electrones) desde el semiconductor de tipo n. También hay que recordar
que se debe mantener E0(x -= o-) igual a E0(,'C = o+), y que x es una constante.
En el interior de la región masiva del semiconductor, la banda de energía se hace
constante.
La figura 7.2 ilustra varios puntos interesan les. Uno es que un electrón con energía
E = EFM ve un potencial de barrera ci>8 dirigido hacia el semico11ductor, que es
la diferencia entre <I>¡.,1 y X· En el interior de la región masiva del semiconductor,
un electrón con energía E = Ec ve una barrera de potencial hacia el metal, que
es la diferencia entre Jos dos niveles de energía de Fermi originales (antes del con­
tacto). Nótese que el desplazamiento de las bandas de energía en el semiconductor,
es bastante similar a Ja de la unión p+-n. Es importante recordar que la figura 7.2
es para el c o ntacto M-S ideal, c u a n d o no se i ncluyen los efectos
de la interfase.

7.3 ELEC'fROSTÁTICA DEL DIODO DE BARRERA SCHOTTKY IDEAL

El contacto metal-semiconductor (M - S), en el cual se tiene <PM cI:>s , se denomi­

<

na diodo de barrera Schottky y el flujo de corriente a través del d i spositivo es no

lineal. Debido a que la corriente fluye con facilidad en una dirección, pero no en
la otra, es un contacto rectificador. En esta sección se analizan densidad de carga
(p), campo eléctrico (�) y potencial (V) para este tipo de diodo.
En l a figura 7.3(a) se muestra el diagrama de bandas de energía de equilibrio
térmico y las dos barreras de energía para electrones cp8 y qVbi' Conviene señalar
que la unidad de energía es el electrón-volt, mientras que Vbi está en volts. Se

133
 Semiconductor

(a)

Eo
_ l
Eo
X
cJ>-s
t Ec
<P1.1
EFS

EFM

(b) --------.t-�--
----��--1�--i��
'
Eo
t X
Ec C/>e

E™ EF ��'""'��"<:"<:""'�M---- EFs
=

(e)

1-'igura 7 .2 Barrera Schollky !Vl-S:(a) aspect o físico; (b) en equilibrio no térmico en el instante del con­
t acto I
, = O; (e) en equilibrio térmico

recurre a la "aproxin1ación por vaciamiento'', como en el caso de la uniónp-n ideal.

Como resultado de la ap ro ximac ió n , la densi dad de carga (p), con10 se puede ver
en la figura 7 .3(b), presenta un as pecto abrupto cerca del .borde de la región de
vaciamiento, x,,, en el semiconductor masivo. Puesto que Jos electrones han aban­
do11ado el semiconductor, que es de tipo la densidad de carga es constante para
n,

un semiconductor dopado uniformemente. Se hace notar que el semiconductor cerca

de la superficie está vacío (de electrones), lo qu e se muestra en la fi g ura 7.3(a). En
la superficie del metal existe una carga superficial n egat iva de el ectrones . Por neu­
tralidad de cargas, s e pueden igualar las dos cargas

(7.2)

1 ., A
 ..... .....
--- ------- E¡

(a)

X=O

(b)

(e)

V(x)

(d)

Fig11ra 7 .3 Barrera Schottky en equilibrio Lérmico: (a) bandas de energía; (b) densidad de cargas;
(e) can1po eléctrico; (d) potencial.

Se detern1ina el cainpo eléctrico ((g) cualirativan1ente a partir de la pendiente del

diagrama de bandas de energía. En este caso, en la superficie (x = O), es negativo.
Dirigiéndose hacia el interior del semiconductor, el campo se hace menos negativo,
hasta x11, donde se hace cero. Si se aplica la fórmula de la ecuació11 (2.1), se dedu­
ce el campo eléctrico entre )C = O y x = x11, esto es,

+A qNox +A
(7 .3)
-
-

1
Kseo
1

=O

135
 Por tanto,

y entonces

q!Vo (xn (7.4)

'&(x) = -
- x
)
Kseo

que aparece representada en la figura 7 .3(c). Obsérvese que la ecuación (7.3) es idén­
tica a la ecuación (2.22) para la misma región n de la l!nión escalón p-n.
Para obtener la fu nc ió� potencial, V(x), se recurre a la forma de Ec(,'<), como
se hizo con el diodo p-n, reflejándola respecto al eje horizontal. Cualitativan1ente,
la diferencia de potencial sobre el semiconductor es la cantidad en que se clesp¡.aza
el diagrama de bandas de energía para alcanzar e l equilibrio térmico, como se mues­
l ra en la figura 7. 3( a), es decir, la diferencia entre las funciones de trabajo de am­
bos n1ateriales,

(7.Sa)

De la figura 7.2(b),
•

(7 .5 b)

Por lo tanto, V(,\'11) = Vbi si se selecci ona V(x ::::: 0) = O, con10 se ve en la figura
7 .3(d).
Cuantitativamente, se determina la función potencial utilizando una forma de
la ecuación (2.4):

V(x) = - J '&(x) dx + A2

De la ecuación (7 .4),

Como se ha elegido pote ncial cero para el metal,

136
 Por lo tanto,

qN x2
A1 =
Vbi - K o _n
2
560

Ahora se puede obtener la función potencial como la ecuación (7 . 6) .

qNo )2
V(X) = vbi - 2K (xn - X (7 .6)
560

Nótese que esta ecuación es la de una parábola, y que con las condiciones de fron­
tera V(x = O) = O, es

Invirtiendo, y despejando xn, nos da

x,, = (7.7)

donde Vb1 se evalúa de la ecuación (7. 5b ).

7.3.1 En polarizacjón

Se aplica un voltaje VA desde el metal al semiconductor, d e manera n1uy parecida

a como se hizo con la unión p-n. El potencial negativo aplicado al semiconductor
tipo n, hace que ese lado del d iagrama de bandas d e energía se desplace hacia arri­
ba (o el lado del metal se desplace hacia abajo), y se reduzca-la altura de la barrera
para los electrones que van desde el semiconductor hacía el n1etal, desde q Vbi has­
ta q( Vb1 con10 se puede ver en la figura 7.4(a), para VA > O. De manera
- VA),
similar a lo argumentado para la unión p-n, se reduce el valor de xn, así como tam­
bién las magnitudes del carnpo eléctrico y el potencial. Ahora se p11ede escribir la
ecuación (7.7) corno

2Kse0 (V.. )
x,, = \ b1
_

VA (7 .8)
qND

137
 + -

-----1--
T
<Pe q(Vbi V")
__ J __ _
-

(a) (b)

1:igura 7.4 Diodo Scho1tky pol<irizaclo: (a) polarización directa; (b) poluriznción inversa

Cuando VA > O, la condición se denomina polarización directa, ya que ahora los

electrones pueden cruzar desde el semiconductor al metal más fácilmente, debido
a la reducción de la barrera. Nótese que éstos son los portadores mayoritarios en
el semiconductor tipo Al aumentar VA,
n. x,, disminuye, y el campo eléctrico má-
ximo es menos negativo. .
En VA < O, el dÍodo está polarizado en forma inversa, y en el diagrama de ban­
das de energía, el semiconductor se ha desplazado hacia abajo, como se ve en Ja
figura 7 .4(b). Aquí la altura e.le la barrera para los electrones en el semiconductor
ha aumentado en jq VA j. De la ecuación (7 .8), la anchura de la región de vaciamien­
to, x,,, ha aumentado, mientras que de la ecuación (7 .4), el can1po eléctrico es más
negativo. Ahora la cantidad de electrones que fluyen desde el semiconductor hacia
et metal es nluy pequeña, debido a la elevada altura de la barrera.

1 \'ÉASE EL EJERCICIO 7.1. APÉNDICE A

7.4 CAR1\CTERÍSTICAS 1-V DEL DIODO DE BARRERA SCllOTTKY IDEAL

El diodo de barrera Schottky tiene muchas aplicaciones en los circuilos integrados

n1odernos. Una de esas aplicaciones es como diodo derivador (shunt), en lógica
TTL (transistor-transistor logic; lógica de transistor a transistor). Una "Schottky
clamp", conectada e n paralelo con una unión p-n, hace que se reduzca el tiempo
de conmutación en un factor de aproximadamente diez. Esta aplicación hace buen
uso de las características rectificadoras 1-V del dispositivo Schottky, y del hecho
•

138
 de que tiene poco o ningún ahnacenamiento de cargas de portadores minoritarios.
El problema 7.4 es un ejemplo del d iodo derivador. Se deduce la dependencia de
la polarización, respecto a la cor rie11 te, en pri1ner lugar por argumentos cualitati­
vos. Esto brinda una comprensión fundamental de córno funciona el diodo.

7.4.1 Equilibrio térn1ico

Consideremos, en primer lugar, el flujo de electrones portadores que intentan ir

desde el metal hacia el semiconductor. Un electrón en Er:¡..1 ve una barrera de e11er­
gía <1>8. Por lo tanto, debe tener al 1nenos esa energía, y una velocidad en la direc­
ción .t para alcanzar el semiconductor tipo n. En las figuras 7 . 4(a ) y (b) podemos
ver que esta barrera (ct>8) no cambia con la polarización aplicada, VA. También
se sabe que los electrones están distribuidos en energía, según la fu11ción de Fermi,
con10 se estudió en el c apítulo 2 del libro de Pierrel. Por lo tanto algunos electro­ ,

nes tienen energías superiores a <I>8, y pueden ir desde el rr1etal hacia el sen1icon­
ductor. La figura 7.5 muest ra Jos electrones c1ue pueden sobrepasar la barrera cI>0
y atravesar la región de vaciamiento entrando al semiconductor 1nasivo. Denomi­
namos Jf\oi-s· a este con1ponente de densidad de corriente. La función de Fern1i es
la probabilidad de que un electrón tenga una energía J:.'. Se puede aproximar cotno

(7.9)

. ... - .

T
<Pe

�¡
--••-1-1-:---.-1
..
- -- Metal Silicio tipo n
..¡
Región de
vaciamiento

Figuro 7 .5 Diodo de barrera SchoHky en equilibrio 1ermico, V

A
- O

139
 para E > 3kT + EF. En tonces, para cJ>13 3kT, la cantidad de electrones con ener­
gías por encima de la barrera disminuye en forma aproximadamente exponencial
con energías ele electrón crecientes. Por lo tanto, cuanto mayor es </>8, menos elec­
trones pueden penetrar hacia el semiconductor, y es de esperar que el flujo de por­
tadores decrezca exponenciahnente, al aumentar Ja altura de Ja barrera.
En condiciones de equilibrio, VA = O, 1os electrones en el borde de la banda
de conducción en el semiconductor 1nasivo ven un potencial de barrera de q Vb¡·
La cantidad de electrones con energías superiores a Ec + q Vbi también disminuye
exponencialmente con Ja energía creciente para un material no degenerado, o don­
de q Vbi + (Ec -
EFs) > 3kT. Estos electrones del semiconductor masivo, pueden
viajar penetrando en el metal, porque tienen suficiente energía para p asar sobre
la barrera. Nuevamente, cuanto mayor es q Vbi• menor es la cantidad de los que
pueden hacer la transición. En la figura 7.5 se pueden ver estos electrones, como
el componente Js M de densidad de corriente.
_

El diodo Schottky está en equilibrio térmico; por tanto, la cantidad de electro­

nes que lo atraviesan de derecha a izquierda (15 -11\ ) debe ser igual a la cantidad
que lo hacen de izquierda a derecha (JM- s). No es posible que aparezcan electro­
nes en un extremo del dispositivo y se siga manteniendo el equilibrio térmico. Esti­
maremos las corrientes utilizando el concepto de que la corriente es proporcional
a la cantidad de electrones que tienen energías rnayores que la barrera, en la super­
ncie.del semiconductor. Priineran1ente, deben1os volver al libro de Pierret para en­
contrar la cantidad ele electrones en la banda de conducción, repetida aquí como
ecuación (7.10),

(7 .10)

Esta ecuación representa la cantidad de electrones en Ja superficie, si se hace n(x

= 0) = n5. Entonces la diferencia de energía desde Er hasta la banda de conduc­
ción es 1>8. Por tanto,

'

(7 .11)

Tarnbién, de l a fi gu ra 7 .5' 4>u q vbi (Ec EFs)mnsivo· Sustit�1yendo esto en la

-
=
+

ecuación (7. 1 1 ) , se obtiene

(7 .12)

Obsérvese que el término

(7 .13)

es la co nce ntra c i ón de por t adores mayoritarios del semiconductor masivo, n = N0.

Ahora, para los electrones en la superficie, se puede escribir

(7 .14)

140
 Ahora, se supone que Jw1 _s es propo�cional a 115 y, por lo tanto,

(7. 15a)

o, de la ecuación (7. 14),

<1>1l1kT
J�t-s - K Nce (7.15b)
-

_
-

donde K1 es una constante de propor:ionalidad.

Los electrones en el semiconductordeben tener un flujo igual y opuesto, pues
el dispositivo está en equilibrio térmi,;o. Por lo tanto,

qvtkT
JS-M KlNOe (7.16a)
- b

<1>81kT
JS-M K1NCe (7 .16b)
-

_
-

que está expresada en función de las ios barreras. Obsérvese que, para este tipo
de dispositivos, solamente se consideran los electrones portadores mayoritarios en
el semiconductor. Los huecos son lo� portadores minoritarios y s1:1 contribución
a Ja corrie11te total es muy pequeña. De la figura 7. 5, es evidente que no hay barrera
para que los huecos generados térmicanente abandonen el semiconductor y se tras­
laden al metal, donde se recombinan. Más adelante se estudia esto como un con­
tacto "óhmico" para los huecos.

7.4.2 Polarización directa, VA > O

El voltaje aplicado modifica la barrera de potencial para los electrones en el semi­

conductor, pero no para los electror:es en el inetal, como se ve e n la figura 7 .6.
Por lo tanto, JM- s qu eda igual en la• ecuaciones (7.15a) o (7.15b), mientras que
15 _l\1 aumenta rápidamente al incrementar VA. Con VA aplicada, la barrera para
electrones en el semiconductor se ha<e q( Vbi - VA), y se puede reescribir Ja ecua­
ción (7.16a), como

(7 17 )
.

La corriente total es la suma de J5 -J\il y 1¡..¡1 _

s que, de la ecuación (7 .15a), es

Sacando factor común, da

J KiNoe ·qvb;tkT[eqVAlkT l]
_

1<11
 • •
--- __.. .
_... .
• •

lf-•--- Metal -----1

•-+ 1-·--
'
- Silicio tipo n ..1
- , ...
Región de
vaciamiento

Figura 7.6 Diodo de barrera S<;hottky: polarizado directan1ente, V/\> O ( ); en

equilibrio térmico (••••).

Sin embargo, si se comparan las ecuaciones (7.15a) y (7.!Sb), se nota que

y como <I'a y Vbi no varían con VA, se puede escribir la ecuación de la densidad
de corriente, como

(7.18a)

Se define la corriente inversa de saturación para el diodo ele barrera Schottky, como

(7.18b)

Esta corriente es el límite de la co r r i cn[e de polarización inversa, y es debida a los

electrones en el metal que tienen energías superiores a Er:M + 4>8. Se puede escri­
bir la ecuación (7. l 8a) como

142
 (7 .19)

En condiciones de polarización directa, la corriente neta proviene del gran incre­

mento de electrones que van del semiconductor al metal, como se ve en la figura
7 .6, debido a l a reducción de la barrera.

7 43
. . Polarización inversa, VA < O

En la figura 7. 7 se puede ver el flujo de electrones cuando está en polarización in­

versa, VA < O. La barrera de potencial para electrones en el semiconductor ha
au1ne ntado y e l resultado es una drástica disminución de la cantidad de electrones
,

que pueden penelrar en el metal. Sin embargo, los e lectro nes en el metal ven la mís-
1na barrera que antes <F8. Esta no se 1nodific6 con la polarización inversa. Por
,

lo tanto, la corriente JM _ s permanece igual. De las ecuaciones (7 .19) y (7. l 8a) se

obtiene

. ..
...

T
<Pa
q¡V,J
1

1<0

1-ol • -
-- Metal --- ..-4-1:,.___
._ o�ijSilici on --•-il
...

Región de vacíamiento

Figura 7.7 Diodo de barrera Schottky en polarización inversa, VA < O ('--- ) ; en equilibrio
térmico (•••• . )

143
 cuando VA �O, lo que también concuerda con la e cua ción (7.15b) para la corrict1te
de electrones del metal al semiconductor.
Al derjvar la ecuación para el diodo de barrera Schottky ideal, se hicieron varias
suposiciones sin1plificadoras que no son exactas. Una solución más rigurosa del
problema muestra que la constanteK en la ecuac ión (7 .18b) tiene l1na dependencia
V(Vb1 VA) respecto a VA. Como ésta es una función de variación lenta con1 pa rada
-

con la exponencial, se puede utilizar la ecuación (7 .20) con10 ecuación aproxin1ada

(7. 20)

donde el factor de idealidad (n) varía típicamente entre 1.00 y 1.10 en los dispositi­
vos reales. La co rriente J0 refleja el can1bio en la altura de la barrera.

VÉASE El,, EJERCICIO 7.2. APÉN DICE A

7 .5 CAPACIDAD DE VACIAMIENTO

En la sección 7.3 se estudió �ón10 varía con VA la anch ur a de la región de vacia­

miento, en el semiconductor tipo n (x ). Si al diodo de barrera Schotcky se le a pli­
n
ca una pequeña señal si nu soidal u3 = Vm sen wt, aden1ás de la polarización de ce,
el voltaje total aplicado a la unión es

El incremento de carga en el borde de la región de vacian1iento debe can1biar de

acuerdo con 8ª. Con10 el cambio en la anchura de la región de vaciamiento se ha­
ce moviendo los electrones portadores mayoritarios, el proceso es muy rápido. Por
tanto, el metal, la región ele vacian1iento y el se m ic onductor forman una capacidad
muy sirnilar a ta capacidad ele vacian1iento ele Ja unión p-n. Es decir, la región for­
ma da por el meca!, la zona de vaciamiento y el semiconductor masivo se asemeja
a un c onde nsa dor plano, donde la región de vacia 1niento actúa co1no el aislante.
Por lo tanto, la capacidad de vaciamiento se puede obtener de la ecuación (7 .8),
es de cir ,

(F) (7. 21)

donde A es el área de la sección transversal (en cn12}. Dividiendo entre K5E01 da

144
 A
e = �;:::=
:::= == (7 .22)
2( Vbi - VA)
qN0Kseo

Utilizando la definición de l a capacidad (C0), para polarización cero (VA = O), y

desarrollando la ec uación (7.22), se tiene

(7 .23)

donde

A
Co = --==== (F) (7 .24)
2Vhi
\ qNoKsso

S� puede invertir la ecuació n (7 .22) para obtener l/C2:

1 2(Vbi - VA)
(7.25)
C2 = qN0K5e0A 2

que se representa en la figura 7.8. Obsérvese que Ja proyección l1acia J/C2 O, =

da Vbi' y que la pendient e es proporcional a N01 cuando el semiconductor está do­

pado uniformemente. Se puede utilizar esta propiedad para medir la densidad de
dopado en las obleas de sili ci o .
En el diodo de barrera Schottky en silicio tipo n son electrones portadores 1na-·
yoritarios los que responden a uª. Por lo tanto, la capacidad de vaciamiento es in­
dependiente de la frecuencia, hasta frecuencias muy elevadas . Además, el di spositivo
casi no tiene capacidad de difusión en comparación con la unión p-n. Esto se debe,
principahnente, al almacenamiento, pequeño o nulo, de portador es minoritarios
en el semiconductor. Recuérd e se que, en la unión p-n, una vez que los portadores
mayoritarios cruzan la zona de vaciamiento de Ja unión, se convierten en portado­
res minoritarios. Como re sultado, éstos son almacenados en las r egiones n1asivas
tanto ti po n como tipo p. Aquí los el-ectrones son portadores mayoritarios en am­
bos lados de la unión. El resultado es un diodo y menor capacidad total cuando
está en polarización directa. Por lo tanto, puede funcionar a frecuencias mucho
mayores que la u nión p-n.
Las velocidades de con1n utac ión del diodo barrera Schottky son muy BREVES.
Debido a q ue la acumulación de huecos portadores minoritarios en el semiconduc-

145
 11C2

v.,.

Figura 7.8 Capacidad de vaciamienLo de un diodo Schouky,representada para detenninar el

dopado y altura de la barrera.
•

tor tipo n es poca o n1Jla, los tiempos de conexión y de desconexión del diodo están
limitados so!a111e11te por el movin1iento de los portadores mayoritarios. Su movi­
miento es muy veloz, limitado por el tie1npo de relajación dieléctrica del Inaterial.

7 .6 DESVIACIONES DE LOS DIODOS DE BARIIBRA SCilOTTKY,

RESPECTO AL IDEAL

La desviación más obvia respec;to al ideal es la resistencia serie asociada con el se­
miconductor tipo n masivo. Corno en la unión p-n, para corrientes directas eleva­
das, puede producirse una caída de voltaje adicional sobre el diodo. El resultado
es una desviación res pecto a l a ecuación (7. 19), o la ecuación (7.20).
Una segunda desviación respecto al ideal, es que <1?8 no es totalmente indepen­
diente de VA. Un estudio avanzado mostrará la "reducción de la barrera
Schottky", debido al campo elécLrico en la interfase metal-semiconductor, <I>8 es
levemente inferior al valor presentado. Este efecto campo presenta una dependen­
cia en raíz cuarta de (Vbi - VA), y por lo tanto no es un cambio grande e n <I>8 con
tensión inversa. SiI1embargo, de la ecuación (7.18), una reducción de <1?8 produce
una corriente de saturación inversa mucho n1ás elevada, que se incrementa con ma­
yores polarizaciones inversas. Este efecto se observa frecuentemente en muchos dis­
positivos reales que t ienen valores relativamente bajos de la barrera, 4>13•
La cor riente de saturación inversa en un diodo de barrera Schottky con valor
elevado de <I?0, está afectada muy dramáticamente por la generación de electrones
Y huecos en la región de vaciamiento. Como en la uniónp-n, en silicio, la corriente
de generación puede i ncrementa r la corriente inversa a temperatura ambiente. En
forn1a similar a Ja ecuación (4.11), y como se estudió en el li bro de Pierret, capítulo
4, se puede escribir la corriente de generación en polarización inversa, como

1 = _ n,x,,
R-G - q 2 (7.26)
To

Obsérvese que x,, a um ent ará según la raíz cuadrada de la polarización inversa.

146
 L.a últi1na desviación respecto al ideal que tratarc111os es la interfase entre metal
y silicio, que se supuso perfecta, lo que por supuesto no es así en los dispositivos
reales. Ante todo, en la representación del semiconductor, se supuso que su espe­
sor era de una cantidad infinita de distancias atómicas, y que todos los enlaces de
silicio estaban cornpletos de acuerdo con la estructura dia1nante del mismo. En el
borde del cristal de silicio, cerca del 1netal, no se pueden s atis facer todos los enlaces
atómicos covalentes, por otros átomos de silicio. Por lo tanto, la superficie tiene
defectos cristalinos. Un enlace de silicio no satisfecho produce un estado energéti­
co en Ja banda prohibida, en l a superficie del serniconductor. Debido a que el esta­
do de energía (nivel) está solamente en la superficie entre el metal y el semiconductor,
se le de no mina "estado de interfaz''.
Pueden ocurrir tan1bién estados de interfaz debidos a átomos extraños (conta­
minantes) en la superficie del silicio o a defectos de superficie (daños en el cristal).
Por estas y otras razones, no hay una interíaz ideal, y los defectos pueden alterar
la altura de la barrera eléctrica, 4>13• En el volumen Disposi tivos de efecto de can1-
po, de esta serie, se tratarán estos estados de interfaz en n1ayor detal le Aunque .

no se co1nprenden totalmente, es posible efectuar algunos comentarios sobre ellos.

Primero, hay un intervalo de niveles de energía en la banda prohibida, que son un
resultado de los estados de interfaz. Segundo, la de n sidad nu1nérica de estos ni v e ­

les no es uniforme en energía. Tan1bién están afectados por las condiciones de de­
posición del metal. Debe considerarse cada técnica de preparación de la s uper ficie ,
ya que ca d a una de ellas puede dar r esulta dos distintos.
El efecto 1nás importante de los estados de interfaz es que pueden atrapar cargas
y, por lo tanto, ca1nbiar el valor de <I>8. Según el tipo de estado de interfaz y el
dopado del semiconductor, la barrera puede aumentar o disminuir. En alguna me­
dida los estados superficiales determinan la altura de la barrera (o al menos influ­
yen de manera considerable en ella), en la m ayor parte de las aplicaciones prácticas.
Para el silicio tipo n con un metal de aluminio, <1>8 vale típicamente a lrededor de
0.69 cV, mientras que el v a lor del platino es 0.85 eV.
Los estados de interfaz afectan la altura de la barrera, la que a su vez afecta
los valores de las características I - V, pero no da lugar a can1bios importantes
en el fundamento del diodo de barrera Schottky. Sin cm bargo, un v alo r de <I>8
1nás grande o más pequeño, produce un gran cambio en la corriente de saturación
inversa, como lo predic e Ja ecuación (7.18b). En polarización directa, el valor de co­
rriente a un voltaje dado, resulta afectado por la altura de la barrera. En general, !a
ecuación (7 .20) toma estos efectos en cuenta, y representa muy bien Jos datos experi­
mentales, cubriendo varias décadas de corriente en el caso de polarización direct a .

Un comentario final: conviene tener en cuenta que ciertos n1etales c o n semicon­

ductores tipo p, pueden formar barreras Schottky para huecos. La operación pue­
de explicarse de manera similar.

7.7 CONTACTOS ÓHMICOS ENTRE UN METAL Y .EL SILICIO

En aplicaciones prácticas, los contactos óhmicos entre metal y serniconductor son

muy importanLes en los dispositivos de estado sólido y en componente s de circuitos

l A '7
 integrados. Un contacto óhmico perfecto no produciría caída de voltaje en la in­
terfaz entre el metal y el semiconductor, cuando la corriente circula en cualquiera
de las direcciones. Un contacto óhn1ico bueno tendría muy poca caída de voltaje,
aun a niveles elevados de corriente, y esa caída sería la misma en arnbas direcciones
de la corriente. 1:-Iemos de considerar dos casos: (!) barrera coi; efecto túne.J, con­
siste habitualn1cntc en un metal con silicio tipo n fucrten1ent e dopado (n"' ), don­
de <Prv1 > <I>s; y (2) uniones n1etal-sen1iconductor <lo nde <P:v1 < <P en silicio tipo n.
s

7. 7. l Contacto túnel

En la tecnología de los circuitos integrados para el contacto óhmico con el silicio

tipo n, es muy co m ú n utilizar la unión de aluminio-silicio N+. El silicio dopado
en for1na degenerativa (N0 muy elevado, de 1Ql9 hasta I02º/cm3), tiene su nivel de
Fermi muy cerca de Ec. Si cf>M > 4'5, se puede trazar el diagrama de bandas de ener­
gía utilizando los mismos métodos de la figura 7.2. Sin embargo, en este caso ND
es muy elevado, de inanera que de la ecuación (7. 7), la región de vaciamiento en
el semiconductor (,x-11) es muy pequeño, lo que deja una barrera muy estrecha. En
el capítulo 4 se trató sobre el efecto túnel entre sen1iconductores de tipo n y tipo
p, con respecto a los voltajes de ruptura Zener. Puede haber efecto túnel a través
del potencial de barrera, si es n1uy estre c ho, si hay una cantidad grande de electro­
nes disponibles de un lado para el efecto túnel, y si en el otro lado de la barrera
hay suficiente cantidad de estados vacíos en los cuales realizar Ja caída túnel.
Cuando hay equilibrio térmico, la cantidad de electrones que pasan· por efecto
túnel a través ele la barrera, descle el metal hacia el semiconductor, está e quilibrado
exactan1ente por la cantidad que por efecto túnel pasan del semiconductor al me­
tal. l.a figura 7. 9(a) muestra el caso en que se aplica un voltaje positivo al material
t ipo n, y el semiconductor disminuye en energía en el diagrama de bandas. Aquí
los electrones pasan por efecto túnel fácilmente desde el metal hacia l os estados
relativamente libres del semiconductor. Cuanto más desciende el se n1 iconductor
en el diagra1na, mayor es la cantidad de electrones que pueden realizar el proceso
túnel; por tanto, la corriente de electrones au1nenta muy rápidamente, lo que re­
quiere solamente un pequeño voltaje. Debe notarse también que la corriente por
efecto túnel desde el se rn iconductor hacia el metal, ha sido suprimida por haber
menos estados vacíos a los cuales caer en el metal por efecto túnel .
En la figura 7.9(b) se ve el caso en que se a plicó un potencial negativo al semi­
conductor. Ahora los electrones pueden pasar fácilmente por efecto túnel a través
de la barrera de potencial desde el semiconductor hacia el rnetal. Aquí la disponibi­
lidad de estado� vacíos en el metal aumen ta rápidamente con Ja polarización apli­
cada. Por lo tanto, la corriente de ele c¡rones por efecto túnel se hace muy elevada,
aun para pequeños voltajes aplicados. Hacemos notar también que, debido a&,
donde no hay estados, queda suprimido el proceso túnel de electrones desde el me­
tal al semiconductor.
También son posjbles barreras túnel Schottky con metales y se1niconcluctores
degenerados tipo p, en los cuales fluyen huecos portadores mayoritarios desde o
hacia el metal n1ediante el efecto túnel, a través de la barrera de potencial. Para
este tipo de contacto son aplicables argu1nentos muy parecidos a los anteriores.

148
 / Electrones que pasan
por efecto túnel

(a) VA< 0

/ Electrones que pasan

•por efecto túnel

<P·a {-4-+\_').
_______
-------
E_
FS
Ec

(b) VA> o

Figura 7.9 Barrera de efec10 1únel, del me1al al semiconductor en silicio N+: (a) efecto túnel
desde el metal hacia el semiconductor; (b) efecto t �n el desde el semiconductor hacia el
metal

El contacto túnel tiene flujo de portadores mayoritarios desde o hacia el serni­

conductor, según la polaridad del voltaje aplicado. Mientras las cor ri entes sean ele­
vadas para pequeños voltajes aplicados, s e asemej an a nuestro "contacto óhmico"
ideal. En realidad, no tienen un diagran1a de 1-V en línea recta, pero si la caída
de potencial sobre ellas es pequeña comparada con la caída de voltaje en el disposi­
tivo, se denon1inan 6l11nicas.

7.7.2 Contacto con potencial Vbi negativ o

Se puede realizar un ''contacto óhmico" en un semiconductor tipo n ulilizando

un metal tal que <Prv1 < <Ps. Se construye el diagrama de bandas ele energía para
este caso, colocando al metal hacia abajo en energía, hasta qt1e las clos energías
de Fermi sean iguales (EF!Vl = EFs). El caso aparece ilustrado en la figura 7.10.
Cuando se separa el metal del semiconductor, EFl\4 > EFS' y por lo tanto el metal
tiene una energía de electrones media superior a la del semiconductor. Pon iendo '

los dos 1nateriales en contacto, fluyen electrones desde el metal hacia el semicon-
ductor tipo n. Nótese que en la superficie del semiconductor, la concentración de
electrones es 1nayor que en la parte rnasiva, como se ve en la figura 7 .1 O. Para lle­
var al sistema a equilibrio térmico, los electrones han abandonado el metal, y se
han acun1ulado en la superficie del se1niconductor. U no podría con1pararlo a un
sandwich de metal -N+ -N-.

149
 t
<l>s

��,q�':"' 1 --r--"T- Ec
ll'.ti.-:-
(/Ec - EFlmasivo
--- --
EFM """"���"""'"""�=1-----+--'--,__ EFs

Figura 7 .1 O Contacto ólunico con V1,¡ negativo.

Si se inspecciona la figura 7. 1O, se ve que la carga superficial en el semiconduc­

tor consiste en electrones móviles "libres", lo que no era el caso en el diodo de
barrera Schottky. En aquel caso, consistía en iones donadores posjtivos "fijos"
y la superficie estaba vaciada. Recorde111os que, cuanto más cerca se encuentra Ec
de EFs• aumenta Ja concentración de electrones, además de manera exponencial.
Por lo tanto, la mayor concentración de electrones está en la superficie. Obsérvese
también en la figura que los electrones en la banda de conducción del semiconduc­
tor, no ven barrera de potencial hacia el 1netal.
Los electrones en el metal tienen una pequeña barrera e n la banda de conduc­
ción, q Vbi' q u e se puede calcular a partir de la ecuación (7 . 14) como un valor ne­
gativo, es decir, de polaridad opuesta al diodo de barrera Schottky. Otro ca1nino
es el uso de la n1agnitud de la ecuación (7 .4), así

(7 .27)

Es interesante notar que para muchos metales y para el silicio, x y <PM tienen valo­
res muy próximos. Por lo tanto, con un se1niconductor fuerte1ner1te dopado, la ba­
rrera es muy pequeña. El resultado es un excelente contacto óhmico con muy poca
caída de voltaje para corrientes elevadas.
La discontinuidad de las bandas de energía en la superficie de este tipo de con­
tacto de M - S se puede calcular como <;I>M - X· Co1no para aluminio y silicio esta
diferencia es de aproximadan1ente 0.05 eV, no es en realidad muy importante co­
mo barrera, como podría parecer según la figura 7 . 1O. Por lo tanto, la discontinui­
dad tiene tan sólo un efecto pequeño en las características eléctricas del contacto.
En particular, casi no hay barrera, y por lo tanto los electrones son fácilmente des­
plazados del metal al semiconductor y viceversa.

150
7.8 Resumen

El contacto entre un metal y un semiconductor puede dar lugar a un di odo deba­

rrera Schottky ideal, o a u n contacto óhmico. Cuando sucede que <I>M > <P5 en si­
licio tiporesulta un diodo Schottky. Si <flrv1 < <l>s , entonces se tie11e i1n contacto
n,

óhmico. En un dispositivo real, hay estados de interfase que pueden afectar o de­
terminar e l potencial de barrera, <P13•
La curva de!- V para el diodo Schottky n1uestra que el flujo de corriente, re­
sulta fácil en polarización directa, debido a una barrera reducida para los electro­
nes en el semiconc.I uctor. En polarizació11 inversa, se alcanza una corriente de
saturación, que está determinada por la barrera para los electrones en el metal, <P8.
En dispositivos de silicio con valores altos d e <l>s, se puede determinar la corriente
de saturación inversa, por l a corriente de generación en la zona de vaciamiento.
Para los que tienen u11 valor más pequeño de <!>8, la altura de la barrera determina
la corriente de saturación inversa. En los dispositivos reales, Ja altura de labarrera
se halla muy influida por los estados de interfaz.
Los contactos óhn1icos están formados por metal y semiconductores dopados
degenerativamente. Si labarrera de potencial es muy delgada, los portadores pue­
den atravesarla por efecto túnel, desde el metal hacia el se1niconcluctor y viceversa.
Un contacto de metal -1V+ -N- también constituye un buen contacto óhmico.
El contacto de metal-semiconductor esf unda1nentalmenle un disposí t ivo de por­
tadores mayoritarios con poca o ninguna conducción por portadores minoritarios.
Por lo tanto, constituye un dispositivo conmutador n1uy rápido, que t iene menor
capacidad que la unión p-n en polarización directa. Para el caso de nieta! en sen1i­
conductores tipo p, son válidas consideraciones similares, donde los portadores ma­
yoritarios son los huecos.

Problemas

7 .1 Se tiene un contacto metal-semiconductor ideal, donde el metal tiene cI:ir,.1

4.75 eV, y el s.emiconcluctor tiene x = 4.00 eV, con n¡ 101º/cm3, N0
1Q16/cm3, y E0 '"' 1.00 eV; kT == 0.026 eV.

(a) Calcule la barrera para los electrones en el metal.

(b) Calcule Vbi• Ja barrera para los electrones en el semiconductor.
(c ) Calcule el valor de la anchura de la zona de vaciamiento en equilibrio térmico.
(el) Calcule el campo eléctrico máximo.
(e) Represente el diagrama de ·bandas d e energía en equilibrio térmico.

7.2 Un contactotvf-Sidealtiene un sem.iconductor conx = 4 eV,n1 = l01º/cm3,·

N0 = 1016/cm3, Ea :::: 1.2 eV y kT = 0.026 eV. Se aplican diversos metales
al semiconductor, con <:PM = 4, 4.25, 4.5, 4.75 y 5.0 e\'.

(a) Calcule y represente <I>tl en función de <I>rvi·

(b) Calcule y represente qVbi en función de <I>ivl.

151
 (c) Si Ks === 12, halle una ecuación, con coeficientes numéricos, que dé la an··
chura de la región de vaciamiento en función de 4>M, para VA :::::: O.
(d) ¿Cuál es la probabilidad de que un electrón tenga una energía igual a 1>8,
si .PM = 4.75 eV?

7. 3 El objetivo de este proble1na es n1ostrar que la cantidad d e electrones que pue­

den pasar sobre una barrera está relacionado exponencialn1ente co11 la altura
de ésta. Considérese que los electrones en el n1etal ven tina barrera il>u. Si la
función de densidad de estados para el metal es NME112 (#/cm-eV), y la pro­
babilidad de ocupación está dada por la función de Fermi,

(a) Dibuje la función de densidad de estados, al lado la función de Fer1ni, y

al lado su producto. (Sugerencia: consulte el capítulo 2 del libro ele Pierret.)
(b) Marcando el diagrama del punto (a), indique cuáles electrones superan la
barrera, y deduzca una fór1nula, en forma integral, que dé la cantidad de
electrones que pueden pasar sobre la barréra, n,�. Suponga <:PB > 3 kT.
(c) Como la integral del punto (b) no es fácil ele evaluar, supongamos que
N ME112 no es una función de rápida variación, y que su valor es constante
e igual a

y deduzca la fór¡nula para nq,.

· (el) (Opcional.) Para verificar que (c) es una aproximación buena, utilice
.

f xmeax f -1 ax ix
m ax-
x e <M -
,1� -
�
m
xm e t
a a

para demostrar que el primer térn1ino es idéntico al punto (c), y que hay un
término de error. ¿Es el error grande o pequeño?

7 .4 En circuitos de lógica TTL con diodos Schottky (STTL), se reduce considera­

blemente el tiempo de conn1utación de los transistores, colocando un diodo
de barrera Schottky e n paralelo con la unión p-rt desde colector hacia base.
Recuerde que el diodo Schottky tiene tiempos de almacenamiento muy breves
en comparación con la unión p-n. El dispositivo Schottky corta la corriente
directa desde colector a base, cuando el transistor se satura.

Los valores son de !0 = 10-15 y n 1 = 1. O 1 para la unión p-n, mientras que pa­
ra el dispositivo Schottky son 15 = 10-12 y n2 = 1.10.

(a) Si VA = 0.4 V, calcule la relación entre la corriente de Schottky y la co­

rriente de la unión p-n. N_ote que el tien1po ele rect1peración inverso ele la
unión p-n aumenta con la corriente.
(b) ¿Para cuál valor de VA a1nbos dispositivos te11drán igual co.rriente?
(e) Analice el uso práctico del razonamiento de este problema.

152
7 .5 Se utiliza un puente capacitivo para ton1ar, en un diodo Schottky, los datos
de capacidad a 1 kHz que aparecen listados en la tabla. Área = 100 µn1 x

100 µm, y cont acto cuadrado de metal.

(a) Determine Vbi·

(b) Determi ne ND, supo niendo que es un n1ateriat serniconductor dopado
uniforn1emente.

·rabia P7.5

VA C(pF)

-1 1.294

-2 1.002

-3 0.8469

-4 0.7469

-5 0.6756

-6 0.6215

7.6 Si no está uniformemente d o pad o tarnbién se puede detern1inar la densidad

,

de dopado del semiconductor, a partir de los diagran1as de l/C2• Suponga una

N0(x) y deduzca Ja ecuación que aparece abajo, partiendo de la pendiente del
diagrama de (1/C2). Sugerencia: piense en utilizar incrementos de carga y vol­
taje , d va.

-2
No (xd) = -----.
=-- --=;­
d( 1 /C2)
-

dVA

7.7 Para la barrera ideal en silicio, sea N0 = 1019/cn13 y cI>t\1 = 4.75 eV.

(a) ¿Es un contacto óhmico túnel? Explíquelo.

(b) Dibuje un diagrama de bandas de energía.
(c) Trace un diagrama de bandas de energía con el metal a un potencial ne­
gativo.

7.8 Sobre un diodo ele barrera Schotlky icleal, de silicio tipo n, incide luz de tal
n1anera que en el dispositivo se produce gener a ción de portadores e11 la zona
de silicio.

(a) Dibuje un diagrama de bandas de energía, que muestre cómo fluyen los
po rt ado res si el met al esLá a la izquierda. ¿Es positiva la corriente en el
,

dispositivo, si los terminales están en cortocircuito, o es negativa?

(b) Si se i g no ra la ge neración ·de la zo11a de vaciarniento, y solamente se tiene
en cuenta la región masiva del siUcio, ¿cómo afectará la ilu1ninación al vol­
taje a circuito abierto? Trace un diagran1a de bandas de energía.

153
 7.9 Se realiza un contacto de metal y silicio tipo p, con aluminio (<I>N 1 = 4.75 eV),
NA = 5 X 1015/cm3 y kT 0.026 eV.
=

(a) Dibuje a escala un diagrama de bandas de energía en equilibrio térmico

para el caso ideal.
(b) Efectúe cornentarios sobre las barreras de
(i} electrones en el metal
(ii) electrones en el silicio
(jii) huecos en el silicio
(iv) huecos en el metal
(c) Si se aplica voltaje positivo al semiconductor, muestre el flujo de portado­
res y el diagrama de bandas de energía.

l 'i4
Lecturas recomendadas

Hayt, W .H. ;G. W. Neudcck, Electronic Circuit Analysis and Design, 2a. ed., Bos­
ton, Hougl1t<n Mifflin, 1983. Los capítulos 1 y 2 constituyen una buena revisión
de modelos ce circuitos y de circuitos con diodos.

Moll, J .L., Pl.ysics oj'Se1niconductors, Nueva York, fVIcGraw-Hill, 1964. El capí­

tulo 7 contiere exposiciones mucho más detalladas sobre generación y recombina­
ción en la zma de vaciamiento, casi niveles de Fermi, y uniones graduales.

Muller, R.S.y l(an1ins, ·r.I., Device Electronics far !ntegratecl Circ1Aits, 2a. ed.,
Nueva York ,John Wiley and Sons, 1986. Excelente discusión sobre contactos en­
tre metal y smiconductor en el capítulo 3, mientras que e l capítulo 5 es adecuado
para el estudo de las uniones p-n.

Streetma11, EG., Solid State Electronic Devices, 2a. ed. Engle\vood Cliffs, N.J.,
Prentice-HaJ, J 980. El capítulo 5 es un estudio com pleto del diodo, desde su fabri­
cación hastael almacenamiento de cargas. El capítulo 6 presenta mucl1as aplica­
ciones de la 1niónp-n, con10 emisión de luz, diodo túnel, célula solar, fotodjodos
y varactores

Sze, S.M., &n1iconductor Devices: Physics and Technology, Nueva York, John
Wiley and S>ns, 1985. El capítulo 2 tiene un análisis avanzado sobre generación
y recombina:ión, y e l capítulo 5 trata sobre contactos metal-semiconductor .

155
 Apéndice A

Ejercicios

1 EJERCICIO 1.1
1
Si la concentración superficial est á fijada en el límite <le solubilidad sólida del boro en si­
licio, de N0 = 1.8 x 1020 átomos/cmJ, y se difunde boro a 950 oc du ran te 30 n1inutos (Dbor<>
= 3.0 x 10-1s cm2/s a esa temperatura) en un sustrato de ti po n, calc ule las impu rez as ele
boro a 0.05 µ1n y a 0.1 ¡.im.

Solución:

Como 30 minutos = 30 x 60 = 1800 s, y con una concentración superficial co ns tante, Ja

distribución es una función de error complementaria.

N(0.05 µ.,, 1800) = 1.8 X 1020 eác

[ 0 0 5 X 10-4
. ]
2V3 X 10_15 X 1800

N(0.05 µ, 1800) = 1.8 x 1020 erfc[I .0758) entonces erfc[l .0758] = 0.12816

de la tabla 1.1 , o de l a figura P 1.1, ene onces

N(0.05 µ,, 1800) = 1.8 x 1020 erfc[l .0758] = 2.3068 x 1019/cm3

De manera similar,

N(0.1µ,1800) = 1.8 X 102º erfc(2.152) = 4.2169 X 1017 /c1n3

Nótese que las impurezas han distninuído en dos órdenes de magnitud, mientras que la dis­
tancia solamente se ha duplicado.

1 EJERCICIO 2.1
1
Para el diagrama de bandas de energía que se muestra:
(a) dibuje l a densidad de cargas, campo eléclrico y potencial;
(b) haga kT = 0.026 e V y calcule el campo eléctrico máximo y el potencial interno, Vbi.

157
 Solución:

30 kT
E--------
, .......
....... 10 kT
.......
� ��-+-��� ���-""'�...._���+-�-
....... 10kT .......
....._ ___ _

30 .kT

f--- 1 o-• �I
-------¡
cm
Densidad de cargas

Campo eléctrico
. 1 dF:. l [- kTJ 20

t lS'= - -
q dx
= ·-
q 10-4
= -5.2 kV/cm

..

V(x)
t
20kT/q = 0.52 V

1 EJERCICIO 2.2
]
Trace los diagramas e.le bandas de energía (en unidades de kT), de densidad de cargas y de
polencialparaunauniónn+-pdesilicio,conN0 = 2 x 10+17/cmlyN,, = 5 x lO+tS/cml.
Sean kT = 0.026 eV o kT!q = 0.026 V y n¡ = lO+lO/c1113.

Solución:
1
v.,. = 0.026 ln[ º:: ] = 29.934kT = 0.77827 volts
JO

[2 X 1017]
EF -E¡ = kT In = 16.811kT
10•0

EF-E¡=-kTln
[5 X 10'5
10'º ] =-13.122kT
.
y Ec;=43.08kT

1 C" o
 Ec _..---- - __ L __

16.BkT ,,- "' 1 3 . 122kT

EF
/'
,.,,.-"
- -- - - _..,.,.. ,,.---
E' ---L-
· ·-

29.34kT

Ev ------'--e- - - � - - - _ l .:.... - - _

V(x)

[ EJERCICIO 2.3
"
1
Para el caso del ejemplo que está al final de la sección 2.3, calcule el voltaje de unión necesa­
rio para hacer W igual a

(a) 2 ¡.an

Solución:

1. 1 X 10
16 1/Z ]
2 X 10-4 =
[ 1.306 X 107(0.659 - VA)
10 3
1

0.659 - VA= 2
. . 7844 y, por lo tanto, VA = -2.1254 V

(b) 0.6 Jlll1

Solución:

0.3ó X lO-s
º·659 -
VA
=
= 0 25059 y V.A == 0 40841 V
1.306 X 107(1.1 X 10-15)
• •

159
1 EJERCICIO 3 .1
1
Una unión escalón de silicio tiene NA= 10+ 16/cm3 y N0 = 10+ 1s/cn13 con n¡ = 10+ 'º/cm3
ykT = 0.026eV. Calcule

(a) ó.p11(x11), si VA = 0.4 y 0.6 V

Solución:
n2 1020
np0 = -..!.. =
104/cm3
NA 1016

nf 1020
P -
- - - 105/c m3
-
- 5
"0 No 101

Ápn(x.) = 105(e0"'�·026 - l) = 4.581 X 10 11/cn13

ÁPn�Tn) = 105(e0•6"0·026 - 1) = 1.052 X 1015/cm3

(b) ó.np(-xp), si VA = 0.4 y 0.6 V

Solución:

D.np( -x = 1 04(e0410•026 - 1) 4.58 1 1010/cin3

p)
= X

t.np(-xp) 104(e0·w·026 - l)
=
= 1 .052 X 1014/cm3

(c) ¿Son válidas en los puncos (a) y (b) las condiciones de inyección de bajo nivel?

En el punto (a), para VA = 0.6, no son válidas porque !J.p,,(x,,) no es � 101s/crnl. Todos
los demás casos son soluciones válidas.

1 EJERCICIO 3.2

Se tiene una unión escalón con NA= 10+17/cm3 y N0 = 5 x 10.+15/cin3 con DN = 30 cm2/s
y Dp = 12 cm2/s. Sean, = 10+ IO/c1113, kT = 0.026 eV, LN = 10 X IQ-4 c1n, Lp = 15 X
J0-4 cm y A = 10-4/cm2. Calcule:

(a) la razón entre la corriente de huecos y la corriente total en la zona de vaciamiento.

Solución:

IP l 1 1
- == -----
= 0.8421
! D 11 Lp No 30 15 5 X 1015 l + 0.1875
- - ----,
=-- ,
­
1 +-- 1 +
D p LNN A 12 10 10 17
o sea, un 84.20Jo del total.

(b) Repita el punlo (a) para la c orrie n te de electrones.

Solución:

J., 1 1
- = -----
- 0.15789
I -12- ¡, -
=

- 10
-- 10-..
7-=
1 +-- ---
30 15 5 X 1015

o sea, un 1 5 .80Jo del total.

(c) Si se hiciera N0 más pequeña, analice cómo afectaría esto a las razones de los p unto s
(a) y (b).

Al disminuir N0, el porcentaje de corriente de huecos aumenta y la corriente de electro­

nes disminuye su percentaje sobre el total.

EJERCICIO 3.3

Con los datos dados en el ejercicio 3.2, calcule lo siguiente para VA - 0.4:

(a) ó.p,,(x' = O) y ó.p11(x' = 60 µm)

2
ilpn(x') = Pn0(eqVAllCT - l)e-x'!Lp = z� (e 10.4/0.026 - l)e-x'll.p = 9.60 47 X IO!Oe -[l'/{JSXIU -4)]

ilpn(O') = 9.6047 X I010/cm3 and Ápn(x' = 60 X 10-4) = 1.75 9 X 109/cm3

(b) lp(x' = O) e lp(x' = Lp)

lp(x') = qAnr[�: �º] (e'lvA11:1 - l)e-x'tLp = 1.024 x io-16(e1s.Jll -

l)
e-•'1{1sxio-4J

lp(X' = O) = 4.9195 X 10-IO y .

]p(x' = Lp) = 4. 9195 X 0
1 -10e -I = 1.8098 X 10-1º

(c) Si por alguna razón se cuadruplicara el ritm o de recombinación en la región n, c alcul e

el nuevo valor de 1p(x' = O).

7P se hace 71114, y por tanto Lp se hace Lp/2, y como lp(x') es pr.oporcional a 1/Lp se
d uplic ará . Por l o tanto, lp(x' = O) se duplica a 9.839 x io-10.

1 EJERCICIO 4.1
1
J>ara una unión escalón p-n de silicio dopada a N" = 10+ 17/cmJ y N0 = 5 x 10+ 151cm3
con n¡ = I O+ 10/cm3, kT/q = 0.026 V, 1n = 4.0 y 'gcR = 4 x ios V /cm:

(a) calcule VuR·

161
 .
VBR = (4
_

X
s
10 )
2(8.854 X 10-14 X 11.8 ) (1017 + 5 X 1015)
l0 11 5 is - 109.7 y,
_

2q X X 1o

(b) ¿Para cuál valor de ·vA habrá multiplicado la corriente por

(i) 10,
(ii) 100?

M = 10 =
l
_ (�\
1
4 o

Va;)
l
4 M- 4 10 - 1
VA = VaR
M
=
109.7
10 = 106.85

VA = 109.7
4 100100 - l
= 109.42

(e) ¿Cuál es la razón de Ic-R(VA = -20)/lu-R(VA = -2)?

vb, = o.7603 y w = K(Vbí - vA)112

/R-G(-20)
/R-G(-2)
-
_
[ 0.7603 ]
0.7603 +
+
20 112
2
- 2·7424
_

1 EJERCICIO 4.2

Para una unión escalón p+-n que tiene W = 1

IQ+15/ctn3,A = I0-4lcm2,kT= 0.026eY,7o = 20ftSyD,Jlp= 104conn1
0
-4 cm, n¡ = 1 0 + 1º/cn13, N0
=
:;; 5 x
l.05yn2
= 2.0, hállese:

= qAn; [� _!..]
Lp No
(eqV...11.0SkT - 1)

= qAn¡ w (eqVAl2.00kT - 1)
2'To

J Rcc 4 io-11(eqv...ri.00kr - 1)
x

3.2 x 10-•s(eqv...11.oskT - 1)
_
125(e 19.2J1v"
(e36.63VA
_

J)
I)
Jdiíusión
_

(b) El valor de.la razón en VA = 0.05, VA = 0.1 y V" = 0.2. De lo anterior,

JRec
19.231 xo.os l)

¡difusión
= 12S( e
(e 36.6)X0.05 - 1 ) =
_

38,519

162
 /R<c J25(e19.231XO.I _

1)
=
(e36.63X0.10 19.228
1)
- =

!difusión
J25(e 19.23JX0.2 _ 1)
3.7717
= (eJ6.63X0.2 - = 1)

1 EJE R·�I CIO 5.1

1
1 0+ 5/cinl. Sea
En una union escalónp+-n se tiene un dopado NA :::: 10+16/cm' y N0 =

kT = 0.026 eV, n; JO·� ro/cm3, A = I0-4 cm2, LN

= 14 x 10-4 cm, Lp = = 35 x io-11 cm,
DN = 20 cm2/s y Dp = 12.5 cm2/s.

(a) Calcule la capacidad de vaciamiento, si VA = O y -2 V.

vbi :::: 0 6585 )' w = 1.306 X 10'(0.6585)

- [l.l X 10 1
10 31
:1 = 0.9727 X 10-4 cm
J
.

,,.
C,,, =
KseoA
W
_
11.8 X 8.854 X 10-1410-4
0.9727 X 10-4
l
= .0?4 pF

1.074 pF
Cj(VA = -2) = [ (-2) 112 0.5345 pF

J
::::

1 ----'--
0.6585

(b) Calcule la conductancia a bajas frecuencias, para VA = O y -2 V.

o
G=
q(I +fo)= .!L{ An?[�J_ + DN J.. ceqVA1l1)
kT
q
k'f Lp N0 LN NA
] }
8 X 10-15
G0 -
-
qV1t.lkT
0.026 e
13
G0 = 3.077 x 10- para V" = O

G0 = 3.077 X 10-u e-2!0.02ó = 1.2046 X 10-46

1 EJERCICIO 5.2

Si para una uniónp-n,jwrP = 1 y jwrn = 0.90 a w = 108 rad/s con A - 10-4 cmi, VA =

0.6 V, y

qD.v 5 O X 10-11
qD,
-np0 1.6 10-1º
Pno
=
·

y = X
LN Lp
calcule O y Co.

qA
Y=- l.6X
kT
[
Y= 8.647 X 105(1.6 X 10-1º(1.414L45º)112 + 5 X 10-11(1.345L41.99º)1'2)

Y= 8.647 X 105[2.995 X 10-IO + }0.9359 X 10-IO)

.
Y= 1.9884 x io-4 + J0.80927 x io-4

0.80927 X 10-•
G 1.9884 x 10-4 and C0 0.80927 pF
lOª
= = =

EJERCICIO 6.1
1
La unión p+ -n tiene Ir = l 1nA y -,P = 1 µs, y se desconecta mediante una corriente IR
= O. Deduzca una ecuación que dé Qp(t).

dQp(t) Qp(t)
=
o -

dt 'T
p

dQp(t) dt
= --

Qp(t)

EJERCICIO 6.2
1
Para el caso del transitorio de conexión con una corriente constante, determine una fórmula
para obtener et tiempo necesario para alcanzar ei 900Jo de la corriente total.

Cuando el tiempo ti end e a in finito, uA = VA, y el 90°70 de este valor, es 0.9 kTIq (In [IF/10]).
En Ja ecuación (6.21 b), el término ''-1" es muy pequeño comparado con el término expo­
nencial, cu and o t tiende a infinito. .
Entonces la ecuacion (6.22), se hace

0.9VA q ln !!. c1
=o� [ e-•lrp )] In[!!] q
0.9kT
lo

(lf'.\ º· 9
-

lo
=

lo
l
,. ( l - e-•fr•)
=

!�}
t = tp In 1

) i

(
.
o
1 - !!.
lo
 EJERCICIO 7 .1
:
Se forma un contacto ideal metal-semiconductor con un metal que tiene <l>M = 4. 7 5 eV (Au)
y un semiconductor (Si) con x = 4 05 eY. Si kT . = 0.026 eY, n¡ = lOIO/cm3 y N0 =

JO+ 16/cm3,

(a) ¿Se trata de una barrera Schottky o de un contacto "ohmico"?

Si <P:v1 > x + (Ec - EFs)masivo e ntonces se trata de un diodo Schottky

[N [ ] 1016
(EFs - E;) = kT ln ¿ = (0.026) ln ---¡¡¡ 0.3592 eV
n;
=

10

(Ec - EFs)rnasivo = 0.56 - 0.3592 = 0.2008 eV

Por t a nto <Ps

, = 4.05 + 0.2008 = 4.2508 eV, que es menos que 4.75 eV = <I>M·

(b) Calcule la altura de la barrera ideal para un electrón en el meta!, en ErM.

<l>M - X = 4.75 - 4.05 = 0.700 e V = <l>a

(e) Calcule la altura de la barrera ideal para un electrón en Ec en el semiconductor.

qVbí = <l>M -
X - (E. - EfS)o1asivo
= 4.75 - 4.05 - 0.2008 = 0.4992 eV

Vbi = 0.4992 V

(d) Calcule Xn para VA = O y VA :::: -2 V.

2Ksso(Vb; - VA)
Xn =
qNo

2(11.8)8.85 X 10-14
x. =
(0.4992 - V.J
1.6 X 10- 19 X 1016

x. = 36.116 x io-6\/0.4992 - vA X,, = 25.57 X 10-6

x. = 0.25517 X 1 0-4

x. = 0.25517 µ,m
@V,,= - 2

57.095 x 10 6 = 0.57095 io-4 = 0.57095 µ.m

-
x. = x

165
1: EJERC�CIO .� 7

Se tiene un diodo de barrera Schottky con un valor de 4>8 = 0.5 e Y, Is = 5 x 10-12 A,

n = 1.07 y kT = 0.026 eV. Si se dispusiera de otro dispositivo idéntico, excepto por <f>8
= 0.7 eV, ¿cuál sería la corriente que atravesaría an1bos, si V" = 0.4 V, y si VA = -2 V?

11 = 8.7765 µ,A 11 == x x io-12 A

como

entonces KA = 1.1241 x io-3

'"3 -0·710.o26
lsz = 1.1241 x 10 e = 2.2816 x io-•5 A

12 = 2.2816 X 10-15 (e35 ·945V A - 1)

= 4.0049 X 10-9 A @VA= 0.4 V

/2 == 2.2816 X 10-15 A @VA = -2 V
 Apéndice B

Conjuntos de problemas de revisión

y soluciones

Para resolver los problemas siguientes, se requiere un conocimiento integral de los temas pre­
sentados en los capítulos l al 7. Estos problemas sirven como revisión general del temario.

CONJUN1"0 DE PROBLEMAS A

A.1 Liste dos n1étodos utilizados para la fabricación d e una unión abrupta, y dos 111étodos
para una unión gradual.

A.2 La difusión térmica de impurezas presenta una cantidad fija de esas in1purezas. ¿Cómo
espera que se distribuyan las impurezas en el silicio? ¿Dónde está la unión metalúrgica?

A.3 ¿Por qué las zonas I, II y III son no ideales?

In/

Figura PA.3

A.4 Explíque los fenómenos "Zene r " y "avalancha".

A.5 Trace un diagrama de bandas de energía de una unión p-n, y explique qué es el "poten­
cial interno" y cómo varía con el aumento de dopado del material accptor.

A.6 Explique cón10 la generación en la zona de vaciamiento afecta las características de

I-V1,, en polarización inversa.

167
 A.7 Para una unión p-n abrupta, trace las concentraciones de portadores minoritarios en
polarización directa , donde No >NA. Marque todas las condiciones de contorno y concen­
traciones de portadores en exceso, etcétera.

A.8 Si N0 aumenta (t), ¿cómo variarán los parámetros siguientes en una unión p+-n?

1',, �(O)

A.9 Una unión p-n es tal que Lp � WN y LN � Wp, y

t.pn(WN) = 0

ónp(-W,,) =O

Dibuje las di stribuc i ones de portadores minoritarios para polarización directa y polariza-
.
c1on inversa,
. '

1
1
1 N
p 1
l
'
o
•.

Figur.a PA.9

A.JO Se tiene una uniónp-n+ polarizada en forma directa. Trace la conductancia de la unión
y la capacidad de difusión, en funci9n de w-rn.

A.11 Una unión p-n+ está polarizada directarnente con una corriente JF, cuando se abre el
circuito en t = O. Represente aproximadamente la distribución de portadores minoritarios
fl.nµ(x, t). Hágalo también para uA(t) .
A.12 Explique por qué Ja conmutación de un diodo desde una polarización inversa elevada
a VA = O, es bastante rápida.

CONJUNTO DE PROBI,EMAS B

B.l El diodo de unión p-n está dopado de modo que N0 = 5NA. El diodo se encuentra en
equilibrio térmico. Sella/e todos los puntos significativos.

(a) Represente (aproximaaamente a escala) el diagrama de densidades de carga. Haga

JqNAI igual a un1:1 unidad.

Si en el gráfico Ec = 4 unidades:

(b) Trace a escala aproximada el diagrama de bandas de energía de electrones. Utilice para
IEF - Evl en el lado p una unidad de escala, y para IEc - EFI, en el lado n media unidad de
escala.

(c) Represente el campo eléctrico.

(d) Represente el potencial.

(e) ¿Cuál es el valor del potencial interno (o potencial de contacto), en# de los cuadrados?
N p

(a)
p

(b)
E

(e)

(d)

(e)

Figura PB1.

169
 B.2 Liste diversas razones por las que el valor calculado de 10, en un diodo polarizado en
forma inversa, no coincide con el valor medido.

B.3 Se tiene una unión p-n abrupta dopada simétricainente (NA = 1Y0) y accionada por una
fuente de corriente en escalón desde cero a IF para I O. =

(a) Represente Q,J...t) y Qp(t).

(b) R epresente np(x, t) y Pn(x, 1).

(e) Explique có1no la carga aumenta o disminuye desde t = O hasta I ::; co.

B.4 Si Y =10-3V1 + j(.r)lo-1 para una unión p+-n, calcule G y C0 para w - 107 ra d/ s
y 5 x 107 rad/s.

B.S Diodo de polarización directa:

n? - 1020/cm3 ,

1
NA = 10 6/cm3, T
p
= 5 X lÜ-7 S
'

1 3
No = 10 4/cm ,

•
D"' = 50 cm2/s,

W"' = 2 x 10-4 cm

(a) Trace las concentraciones de portadores minoritarios.

(b) Si no se produ ce recombinación en la región p, deduzca una ecuación que dé ti.np(x).

1 00

1 1 ¡
1 1 1
p 1 1 1 N
1 1 1 WN << LN
1 1 1
1 1 X
1
1 -x x.
p
o
-WN
L = ,J'iJT
Figura PB.5.

B.6 ¿Se modifica la función de trabajo de un semiconductor con el dopado? Explíquelo.

B.7 Para un diodo Schottky, Vbi ¿aumenta o disn1inuye con el incremento del dopado?

B.8 Si se cuadruplica el dopado en un diodo de barrera Schotlky, ¿la anchura de la región

de vacia1niento se reduce a la mitad? Explíquelo.

B.9 Un diodo de barrera Schottky tiene una corriente de 10 = 10-14 A en VA = O V. A raíz.

de una reducción de la barrera de 0.05 eV, calcule el nuevo valor de /0.

B.10 ¿Cuáles son Jos dos tipos de contactos "óhmicos" en silicio tipo n, y en qué condicio­
nes se producen?

170
SOLUCIONES A LOS PROBLEMAS DE REVISIÓN DEL CONJUNTO A

A .1 Aleación Difusión
i i
Epitaxial Implantación d e iones

A.2 En distribución gaussiana, N(x) = NB.

A.3 !, recombinación en 11/; II, alta inyección; llI, R5.

A.4. Zener es efecto túnel; la avalancha es la ionización de un átomo de silicio por impacto
ele un portador, que libera un par electrón-hueco.

Figura AA.5

A.S Vbí aumenta con NA o N0.

A.6 Agrega portadores generados en W al flujo de corriente; la corriente inversa aumenta

y se hace mayor con VA.

A.7

n - ---=-=- - - -· - -

pO

�---------- Pno
X
-x
p
x,,

Figura AA.7

A.8 rP no es afectada, 111 no es afectada, C1 y %(0) crecen, C0 decrece.

171
 A.9

- - --
P110

Figura A.A.9

A.10 . "

-----------

'--- In
w'Tn

Figura AA.10

A.11

I "' 0

""'
---+-

Figura AA.11

172
 ..

A.12 Porque la variación de l a anchura de la región de vaciamiento se debe a l movimiento

de portadores mayoritarios, que cambian aproximadamente en el tiempo de relajación
dieléctrica.

SOLUCIONES A LOS PROBLEMAS DE REVISIÓN DEL CONJUNTO B

B.l

...-1-5

también es valido
-···--·

----- -�-----

Figura AB.1

B.2 Generación en W, fugas superficiales.

B.3 ¡La pendiente en x = O es constante! Ir: inyecta carga y crece con el tiempo; la recom·
binación limita el crecimiento, y en t = infinito, la carga que entra iguala a la recombinación.

171
 o,,

-- - - --::-::..;;:---- - - - - - --_.:-
::;...:
-
...-: ----

"------ 1

Pn

1 = 00

1 � 00

'----- X

foigura AB.3

Il.4 G - 1.0986 m rnho, CD = 45.5 pf; G = 1.746 rn rnho. C0 28.6 pF.

B.S

- - --�- - - - - - Pna
n�
x �----1-----1
_ _...1_ _____ _____

-xp o

Figura AB.5

13.6 sr' pues ct.ls = X ·+ (Ec - EF)masivo; a medida que el dopado aun1enta, E� - EF disrninuye,
y por lo tanto lo hace <Ps.

B.7 V1¡1 au1ncnta, pues <1>5 decrece con n1ayor dopado; Vb; = Cl:>1..,1 - ct>5•

B.8 No, pue s x,, disminuye debido a l/.../N0; pero hay que recordar que Vbi aumenta, así
que la dis1ninución es menos de 112.

17t1
B.9

·-

tomando la razón, resulta

B.10 Si ct>M < et>::» lleva a un contacto" Vb; negativo" (no hay barrera); <l>M > <t>5 con silicio
N +, lleva a un contacto túnel.

175
 ..

Apéndice C

Lista de símbolos

a constante de graduación, unión gradua da linealmente (#/cm4)

A área de la sección transversal (cm2)

C capacidad (F)
CJ capacidad de vaciamiento

CJo capacidad de vaciamiento en VA = O

C0 capacidad de vaciamiento del diodo M - S (F) en VA - O

C0 capacidad de difusión

D constante de difusión de impurezas (cml/s)

DN constante de difusión de electrones (cm2/s)

Op constante de difusión de huecos (cm2/s)

Ec nivel de energía del borde de la banda de conducción (eV)

EF nivel de energía de Fermi (eV)

EFM energía d e Fermi en metal

EFS energía de Fermi en semiconductor

E, nivel de energía de Fermi intrínseco (eV)

E0 nivel de energía del vacío (eV)

E,. nivel de energía del borde de la banda de valencia (eV)

Ec,, borde de la banda de co.nducción en material n

Ecp borde de la banda de conducción en material p

Ev,, borde de la banda de valencia en material n

Evp bo rde de la banda de valencia en 1naterial p

G velocid a·d de generación de electrones y huecos (#/c1nLs)

G conductancia (!1)-1
G0 conductancia de baja frecuencia
1 corriente de señal del diodo

l corriente total (A)

IN corriente debida a los electrones (A)
Ip corriente debida a los huecos (A)
!0 corriente de saturación inversa del diodo (A.)

177
 f11. -(j componente de l a corriente de recombinación-generación (A)
J densidad de corriente total (A /cm2)

Jl\'I·S densidad de corriente, del metal al se1niconductor (A/c1n !)

J,..,. densidad de corriente de elec1rones (A/c1n?)

Js.,.., densidad de corriente, del semiconductor al 1netal (/\/cm2)

Jo densidad de corriente inversa de sa1uración para M-S

Jp densidad de corriente de huecos (A/cm2)

k constante de Bolt7.1nann

Ko constante dieléctrica relativa del óxido

Ks constante dieléctrica relativa del semiconductor

k1' energía térmica (eV)

L,,. longitud de difusión de electrones portadores minoritarios (cm)

l"Z longitt1d <le difusión con1pleja, electrones

L,, longitud de difusión de huecos portadores minoritarios

L;f' longitud de di fusión con1pleja para huecos

NI factor ele n1ultiplicación

/JI exponente en multiplicación

•

111 exponente en la capacidad de vacia1niento, I /3 � 111 :S 112

NA concentración de impurezas aceptoras (#/cml)

N,, concentración de impurezas donadoras (#/cml)

N(.r, r) concentración de i1npurezas (#/cm3)

No concentración superficial (#/cml)

N-
A concentración de impurezas acep1oras ionizadas (#/cml)

N,.
D concentración de impurezas donadoras ionizadas

n factor de ide alidad para un diodo

n, factor de idealidad para las corrientes de difusión

n,•
factor de ide alidad para las corrientes de recombinación

170 concentración de elecirones en equilibrio térmico

n,, concentración de electrones en el n1aterial n (#/cmJ)

n,, concentración de electrones en el material p (#/cml)

11 concentración de elect rones (#/cml)

n,,o concentración de electrones en el material n en equilibrio ténnico

n,10 concentración de electrones huecos en el material p en equilibrio térmico

n, concentración in tr ínseca de portadores ( #/cm3)

115 concentración de electrones en la interfaz M-S

11 + 1naterial tipo n con alto dopado

p• rnaterial tipo p con alto dopado

P11 concentración de huecos en el material p (#/cml)

•

p,, concentración de huecos en el material n (#lcmJ)

178
 '
p concentración de huecos ( #/cm l)
concentración de huecos en el material en equilibrio t. .
n
erm1co
Pp-0 concentración de huecos en el material p en equilib ri'o t
erm1co ·
.

Po concentración de huecos en equilibrio térmico (#/cml)

p,¡_x, t) componente de señal de la concentración de huecos

PN(x) variación con de la componente de señal de la concent

x
ra c1on d e h uecos
· .

Q cantidad total de impurezas depositadas inicialmente en la

super fi1c1e
.
QM densidad de carga superficial en el n1etal (C/ cm2)

Qp carga de huecos, portadores minoritarios (C)

Qs carga total en el semiconductor (C/cn12)

q carga de un electrón, positiva (1.602 x JQ-•9 C)

RP posición donde el dopado es máximo en una· implantación iónica (cm)

Rs resistencia en serie del diodo (masiva más el contacto) U)

r resistencia dinámica (de pequeña señal)

t tiempo (s)
T temperatura en Kelvin (K)
ls tiempo de almacenarniento en el diodo

trt tiempo de recuperación a inversa

lr tiempo de recuperación

VA voltaje aplicado al diodo (V)

vbi voltaje interno de la unión (Y)

V(x) potencial (Y)

potencial de contacto del material n (Y)
al metal

potencial de contacto del 1naterial p al n1etal (Y)

voltaje ele la unión e n la zona de vaciamiento (V)

voltaje de ruptura del diodo (avalancha o Zener)

voltaje total instantáneo aplicado

•

u.. voltaje de pequeña señal aplicado

VA valor de voltaje de ce aplicado

W anchura toral de la zona de vaciamiento (cm)
Xn anchura de la zona de vaciamiento en la región n (cm)

xP anchura de la zona de vaciamiento en la región p (cm)

xj profundidad de Ja unión (c1n)

x, x', x" variable del eje x (cm)

Y admitancia (l/íl)
Yp admitancia debida a los huecos portadores minoritarios en la región n

Y,..., admilancia debida a los electrones portadores minoritarios en la región P

V símbolo del gradiente

% campo eléctrico (V/cm)

17Q
 �cR can1po eléctrico en avalancha (V/cm)

�•mix can1po eléctrico máximo (V/cm)

e0 permitividad eléctrica del vacío [8.854 x 10-14 (F/cm)]

µ,11 n1ov il idad de los electrones (cm2/V-s)

l'-¡1 movilidad de los hueco s (cn)2/V-s)

p densidad de carga (C/cm3)

r,, tien1po de vida de los ele�trones portadores minoritarios (s)

r,, tiempo de vida de los huecos portadores minoritarios (s)

ro tiempo de vida efectivo en la zona de vaciamiento

dosis de implantación (#/cm2)

función trab ajo (eV)

barrera de energía tvl-S (eV)

función trabajo de un metal (eV)

función trabajo de un semiconductor (eV)

afinidad electrónica (eV)

w frecuencia angular (rad/s)

Anp concentración de electrones .iny e cta dos en el material p

Ann concentración de electrones inyectados en el material n

Apn concentración de huecos inyectados en el material n

App concentración de huecos inyectados en el material p

Apn(X) valor de concentración .de huecos en exceso, en ce

ARP profundidad de la implantación iónica (cm)

IRíl
 Apéndice D

Tablas

CONSTANTES FÍSICAS

Símbolo Nombre Valor

r¡ valor de Ja carga del ele<.:trón positiva l. 602 X 10-1\l C

rn0 n1as.a del electrón en el vacío 9.109 X IQ-31 kg
(o pcrmitividad del vacío 8.854 x 10-14 F/cn1
k constante de Boltzn1a11n 1 .3 81 X IQ-2J J/K
8.617 X 10-s eV/K
h constante de Planck 6.625 X 10-J� J-s
4.135 X 10 IS eV-s
kT energía térmica 0.02586 eV (T = 27 °C)
0.02526 cV (T = 20 oC)
0.026 cV (lemperatura ambiente)

FACTORES DE CONVERSIÓN

IA -
10-S cn1
- 10-10 íll
1 µ.m. -
IQ-4 cm
-
-
10-6 111
1 mil -

1Q-3 pulg
-
25 .4 µ111
1 mil2 -
645.2 µ.m2
-
6.45 X 1 0-6 crn2
1 eV -
1.602 X 10-19 J

181
 PROPIEJJADE:S DEL SILICIO

Densidad atómica 5 x 1022 cn1-J

Densidad, p 2.33 g/cm3
o

Constante atómica de la red, a 5 .43 ¡.\

Constante dieléctrica, Ks 1 I .8
Kseo 1.045 x 10-12 F/cm
Densidad efectiva de estados en la 3.2 X 1019 (T/300)1.S cm-3
banda de conducción, N,
Densidad efectiva de estados en la 1.8 X 1019 (T/300)1.S cn1-3
banda de valencia, N v
Anchura de Ja banda prohibida, Ec 1. 12 eV a te1n peratura an1biente
Concentración intrínseca ele portadores 1.18 X 10'ºa 300oK
n¡ :: 10101cm3 a temperatura ambiente
Ca1npo eléctrico de ruptura :: 3 x 1Q5 V/cm
Afinidad electrónica, ü 4.05 eV

,.

182
Índice de materias

admitancia, unión, alta frecuencia, capacidad d e la región <le

47-1 l I
baja frecuencia, polarización directa,
102-103
p+ n, 109-111
pn+, 112
pequeña señal, 97
polarización inversa, 97-104
unión, alta rrecuencia, polarización
directa, 104-111
afinidad electrónica, 132
alrr1acenan1iento de cargas, unión
escalón, 115-118
conexión, 122-123
alun1inio (Al), silicio, 1-2
banda de conducción, 24
banda de valencia, 24
bandas de energía, unión escalón,
equilibrio térn1ico, 25
diodo, 25
equilibrio térmico, 25
anchura de la banda prohibida, silicio,
véase Apéndice D
campo eléctrico crítico, 80
a la ruptura, 81
dependencia del dopado, 82
campo eléctrico, 80
crítico, 80-82
pe n diente de las bandas de energía, 25
ruptura, 79-80
unión gradual, 42
capacidad, vaciamiento, 98-102
dependencia de Ja frecuencia, 110-111
vaciamento, 98-102, 144 146
p+n, 109-111
capacidad de difusión, 108-J 11
pn+, 112
cargas, portadores minoritarios
cargas almacenadas, porta do res
minoritarios, 117
cargas de exceso de huecos, 1 20-122,
véase tarnbién ahnacenamiento
de carga, portadores minor itarios
circuico equivalente de señal, véase
modelo
circuito equivalente, pequeña señal, 97, 104
co1npensación, 4
concentración superficial, 4, 6
concentración d e portadores, equilibrio
20-22
equilibrio térmic o, 50
intrinse ca, 26
inyección de alto nivel, 89-90
tie1npo de aln1acenamiento, 115
unión, escalón, 20-22
unión, polarización directa, 66
unión, polarización inversa, 66
condiciones de contorno:
borde de vacia1nienro, 61-63
tien1po de recuperación inverso, 118-119
conductancia, 97
alta frec uen ci a, 108
baja frecuencia, 103, 109
polarización directa, 103, 108
polarización inversa, 1O3
conmutación, diodo ideal, 93
constante de difusión de tas impurezas,
6
constante de g rad uación 41 ,

constante dieléctrica, en e l vacío, vease

'

difusión, 108-109
1netal-semiconductor, 144-146 Apéndice D
voltaje variable, 99 silicio, véase Apéndice D

183
 contacto metal-semiconductor, véase
ta1r1bién Schottky, diodo de barrera
diagrama de bandas de energía, 132,
134
equilibrio térmico, 134, 139-141
polarización directa, 141-143
polarización inversa, 138
contacto óhmico, 147-150
estados de interfaz, 146-147
contacto óhmico, 19, 147-150
contacto túnel, 147-149
potencial interno negativo, 149-150
control de geometría, 9-12
corriente, región de vaciamiento, 59-60
desplazamiento, electrón, 20-21
difusión, electrón, 20-21
directa, 85-89
generación en W (vaciarniento), 84-85
inversa, 118
recombinación en W (vacian1iento),
88-89
saturación inversa, 68
corriente de desplazamiento, 20-21
electrones, 49
huecos, 49
polarización directa, 51
corriente de desplaza1niento y difusión,
polarización inversa, 53-54
equilibrio térmico, 49-50
corriente de difusión, 20-21
electrones, 51, 53
huecos, 51, 53
polarización directa, 51-52
corriente de electrones, 66-67
corriente de huecos, 65-66
densidad de cargas, 22
unión gradual, 41
difusión térmica de impurezas, 4-6
diodo, 1, 7, 8
avalancha, 79-80
característica Y-1, 67-70
de base larga, 122
polarización directa, desviaciones,
86-91
referencia, 79
Schottky, 131-147
Zener, 79, 83-84
184
diodo de referencia, 79
diodo ideal, condiciones de contorno,
61-63
ecuación, 67, 69
ecuación, suposiciones, 58-59
ecuaciones, deducción, 63-67
plan de trabajo, 57-63
dosis, 8
ecuaciones de estado, 58-59
efecto túnel, 83 , 147-149
efecto túnel, proceso de, 8 3 -8 4, 143
electrones inyectad os, 51-52
emulsión, fotoplaca, 10-12
epitaxial, capa, véase cpitaxial,
crecimiento
epitaxial, crecimiento, 2-3
capa, 2
cipo n, 2
tipo p, 2
equilibrio térn1ico, 19-34
bandas de energía, 48
energía de Ferm i , 48
unión escalón, 19-34
equilibrio térmico, cornpensación de las
corrientes de desplazamiento y
difusión, 20-22, 47-62
escalón de corriente, 66-67
espinela, 7
exceso de portadores, concentración de,
electrones, 60, 62
borde de vaciamiento, 61-63
hueco, 63
exceso de portadores n1inoritarios,
concentración de:
región n, 64-65
región p, .66-67
transitorio, 121
factor de idealidad, 87, 144
Fermi, energía de, 24
Ferrni, función de, l 39
Fermi, nivel de, 131
flujo de portadores, polarización
directa, 51-52
equilibrio térmico, 48
polarización inversa, 53-54
fósforo, irnplantación de, silicio, 9
fotolitografía, 10 11 -
foto1náscara, 1 l
fo1orrcsina, 11
función complementaria de error, 4-5
evaluación, 13-14
función gaussiana, 8-10
generación, corriente de, 84-86
generación, región de vaciamiento, 85-86
grabado, dióxído de silicio, 9-1O
huecos inyectados, 51-52
implantación iónica, 8-1O
p rofundidad, 10
desviación estándar del perfil, 9
posición del dopado máxin10, 9
recorrido de los iones , 9
impurezas, di fusíón, 7, 8
impurezas, distribución, 7-8
inyección, huecos, 51-52
electrones, 64-65
portadores minoritarios, 51-52
inyección de alto nivel, 89-90
longitud de difusión, compleja, huecos,
108-109
véase ta1nbién longitud de difusión ele
portadores n1inori tarios
longitud de difusión de portadores
n1inoritarios, J 08
magnesio, óxido de, 7
modelo, pequeña señal, p olariza ci ón
d irecta 104
, potencial interno, 19, 24, 26-28
polarización i n versa, 97
multiplicación, huecos y electrones,
80-81
neutralidad de cargas, 20
nivel de energía intrínseca, 25
carnpo eléctrico, 25
densidad de cargas, 25
potencial, 25
oro (Au), dopado, 119
oxidación, 10
óx id o de al umi nio 7,
p-n diodo de unión, véase ta1nbié11
unión abrupta
equilibrio, 19-34
fabricación, 1-10
unión. gradual
perfil de in1plan1ación, 9-1 o
plan de trabajo, 57-63
resumen, 63
Poisson, ecuación de, 29
polarización directa, desviaciones del
comportamiento ideal, 86-91
admitancia de la unión, 104-111
electrostática, 36-37
polarización inversa, 54-55
admitancia de la unión, 97-104
bandas de energía, 54
corrience de desplazamiento y
difusión, 54-55
desviaciones del comportamiento
ideal, 79-86
diodo, 54
electrostática, 37, 40
portador mayoritario, 20
portador minoritario, 20
almacenamiento ele cargas, 11.7-118
portadores minorilarios, ec uación de
difusión, 117
electrones, 59
huecos, 58
portadores minoritarios, longitud de
difusión, co1npleja, 108
electrones, 67
huecos, 64
potencial de contacto, 35
gradual, 42-43
meral-semiconduc!or, 133, 136
recombinación, corriente de, 89
recombinación en la región de
v aci ainient o, 88-89
región de v ac i an1ien to, polarización
directa, 37, 39
anchura, 34-36
185
 polarización in versa, 39 tiempo de recuperación, 115-116
dependencia del dopado, 35 tie1npo de recuperación a inver�a, 115
generación, 84-86 almacenan1iento de cargas, 117-118
unión gradual, 42 condiciones de contorno, 118
recombinación, 88-89 tiempo de vida efectivo, 86
tipo n, 33, 36 electrones, 58, 67, 86-87, 90, 118
tipo p, 33,36 huecos, 59, 64, 86-87, 90, 118
región masiva, 19 trabajo, función de, 131
relación de Einstein, 27 n1etal, 131-132
resistencia, región masiva, 90-91 semiconductor, 132
en serie, 90, 111 transición, región de, 19, véase ta111biér.
región n1asiva, 90 región de vacian1iento
resistencia diná111ica, 103 transitorio de conexión, 123-128
ruptura de avalancha, 79-83 transitorio de desconexión, 115-125,
ruptura Zener, 83-84 véase también tiempo de
. .
recuperac1on a inversa
'

saturación inversa, corriente de, 68

Schottky, diodo de barrera
barrera de potencial, 133-136 ultravioleta, luz, 1 l
campo eléctrico, 134-136 unión, abrupta, l , 2, 8 véase tan1bién
capacidad de vaciainiento, 144-146 unión escalón
disrninución de la barrera, 146 unión de aleación, 3-4
equilibrio térmico, 139-141 unión gradual, 8
estados de interfaz, 146-147 diagra111 a de bandas, estático, 48
ideal, 133- 144 • graduada linealmente, 37-43
1-V, 138-144 gradual, 1, 3, 8
no ideal, 146-147 n1etalúrgica, 6
polarización aplicada, 137, 141-143, unión, admitancia de la, 97
143-144 polarización directa, deducción,
polarización directa, 141-143 l 04-1 l l
polarización inversa, 143-144 p+n, 109
potencial interno, 133, 136 p+n, baja frecuencia, 111
región de vaciamiento, 132-133, 137 pn+, 112
semiconductor degenerado, 2 unión, conductancia de la, p+n, baja
Shockley, diodo de, ecuación, 67 frecuencia, l 03
silicio, constante dieléctrica relativa, 22 pn.+, 103-104
silicio, dióxido ele, 3 unión, equilibrio ténnico, 47-51
silicio, tetracloruro, 2 unión, graduada linealmente, 39-42
símbolo, diodo, 11 campo eléctrico, 42
lista, 177-180 potencial, 42
sólidos, limite de solubilidad, 2 unión, potencial, 51
SOS (silicio en za firo) , 3 polarización directa, 51-52
susceptancia, 97 polarización inversa, 35, 39
unión, voltaje, 35
unión abrupta, 1, véase también unión
tiempo de alma.cenan1iento, 115, 120-125 escalón
ecu ació'n, 124 unión de aleación, 1-2
tiempo de almacenamiento, análisis, unión de difusión, véase unión gradual
120-125 unión escalón, 8

186
unión graduada l ineal mente, ideal, pol arización cero,
101, 145
véase un ión gradual, 1, 8, véase polarización inversa,
98-I 02
también unión graduada, vaciamiento, densidad de
cargas, 28-29
linealmente vacío, nivel de energía, 13
1
unión metalúrgica, 8 voltaje aplicado, 35
voltaje de ru ptura 79-84
,

volt am pere , característica ( V-I), 67

-

vaciamiento, aproximación, 19, 28-31 en ruptura , 80

campo elé ctrico , 31 polarización directa , 67 -68
potenci al 32-33
, polarización inversa, 80, 84
unión gradual, 101-102
vacia1niento, ca1npo elé ctri co, 31
vaciamiento, capacidad, 98-102 zafir o, 2-3
barrera de Schottky, 144-146 Zener
'
.�d�Ódo, 79
' . .

constante de graduación, 102

'

)
"

•••
• ••
•

•
'

..

187