Diodo schottky

A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unión P–N, el
diodo schottky o diodo de barrera tiene una unión Metal-N. Estos diodos se
caracterizan por su velocidad de conmutación y una baja caída de voltaje
cuando están polarizados en directo (típicamente de 0.25 a 0.4 voltios).

Símbolo esquemático

Curva característica
Diodo schottky

Construcción

En un extremo, hay una unión formada entre El metal y el semiconductor de

tipo n ligeramente dopado. Esta es la unión unilateral. En el otro extremo, el
metal y el contacto semiconductor fuertemente dopado está presente. Se
llama Contacto bilateral ohmico (ver Figura 2 y Figura 3). En este contacto,
ningún potencial está presente y no es rectificador.

Si se incrementa el dopaje del semiconductor, El ancho de la capa de

agotamiento disminuye. Cuando el ancho se reduce a un cierto nivel, los
portadores de carga se canalizarán fácilmente a través de la región de
agotamiento. Cuando el dopaje es muy alto, la unión nunca puede actuar
como un rectificador y se convertirá en un contacto óhmico. Este diodo
puede ser un diodo y un contacto óhmico simultáneamente.}

Cuando un diodo Schottky está en condición imparcial,los electrones que se encuentran en

el lado del semiconductor tienen un nivel de energía muy bajo en comparación con los
electrones presentes en el metal. Por lo tanto, los electrones no pueden fluir a través de la
barrera de unión que se llama Barrera de Schottky. Si el diodo está polarizado hacia
delante, los electronespresente en el lado N obtiene energía suficiente para cruzar la barrera
de unión y entra en el metal. Estos electrones entran en el metal con tremenda energía. En
consecuencia estos electrones son conocidos como portadores calientes. Así el diodo se
llama así. diodo portador caliente.
Diodo schottky

Aplicaciones
Utilizado en fuentes de alimentación de modo conmutado.
Utilizado en protección de corriente inversa.
Utilizado en la protección de descarga.
Utilizado en aplicaciones de sujeción de tensión.
Utilizado en mezclador de RF y diodo detector.
Utilizado en aplicaciones de celdas solares.

Características

Tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido de la

flecha). Esta característica no permite que sea utilizado como diodo
rectificador. Hay procesos de rectificación (por ejemplo fuentes de
alimentación) en que la cantidad de corriente que tienen que conducir en
sentido directo es bastante grande y supera la capacidad de este diodo.

No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).

El proceso de rectificación antes mencionado también requiere que la

tensión inversa que tiene que soportar el diodo sea grande.
Diodo schottky

De que depende su modo de operación

Un diodo de barrera Schottky también se conoce como Schottky o diodo

portador caliente. Un diodo de barrera Schottky es un semiconductor de
metal. Se forma una unión al poner en contacto el metal con un material
semiconductor de tipo N moderadamente dopado. El diodo de barrera
Schottky es un dispositivo unidireccional que conduce flujos de corriente solo
en una dirección (flujo de corriente convencional del metal al semiconductor)