Transistor BJT

Un transistor de unin de un componente semiconductor que puede estar constituido por cristales de Germanio o Silicio. Tienen 3 capas de dopados y tres terminales cuya agrupacin da lugar a 2 tipos de transistores segn la disposicin de las capas
Transistor bipolar, de unin o BJT es lo mismo

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El sentido de circulacin de la corriente adoptando hasta ahora es el de circulacin de los electrones, y como la conversin utilizada toma el sentido opuesto entonces es un transistor del tipo NPN la corriente ser entrante por el colector y la base

En la figura C tenemos una regla de nomenclatura para recordar la relacin entre las corrientes que atraviesan el transistor

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Configuracin de COLECTOR comn
Esta configuracin se utiliza para propsitos de acoplamiento de impedancias. Pues tiene alta impedancia de entrada y baja de salida, al contrario de las otras dos configuraciones. Para todos los propsitos prcticos las caractersticas de salida de esta configuracin son las mismas que se usan para EMISOR comn.

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Curvas caractersticas V-I (Emisor Comn)

Las curvas describen el compartimiento de los transistores, pero como estos no se comportan de igual manera, estas varian segn el tipo de transistor

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Polarizacin por divisor de voltaje

Ri=(+1)RE VE=(1/10)Vcc R2(1/10)RE Icq=(1/2)ICSat

Las resistencias R1 y R2 forman un divisor de tensin, lo cual le da el nombre a la configuracin. Este tipo de polarizacin es uno de los mas idneos y el mejor para trabajar en la zona activa del transistor.

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Aplicaciones mas usuales de los transistores
A continuacin vemos un resumen de las principales caractersticas de cada uno de los tres posibles montajes

El montaje en Base Comn posee una mayor ganancia de tensin frente a los otros dos. Tambin tiene baja impedancia de entrada, lo que lo hace bastante inadecuado para operar un circuito de baja potencia (B.F.).

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Con un montaje en colector comn logramos una muy baja distorcion sobre la seal de salida

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Codificacin de los transistores

Los fabricantes de transistores han introducido un sistema de designacin para mejorar la distincin entre los diferentes tipos de transistores

De acuerdo al sistema PRO ELECTRON los elementos semiconductores se designan con tres letras y dos nmeros

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PRO ELECTRON organizacin europea para el registro del tipo numeracin para los componentes electrnicos activos, que ahora hace parte del la asociacin europea del fabricantes de componentes electrnicos (EECA: European Electronic Component Manufacturers) Primera letra: especifica el material semiconductor empleado A: Germanio B: Silicio C: Arseniuro de galio R: Materiales compuestos

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Segunda letra: especifica el tipo de dispositivo

A: Diodo de bajo poder o baja seal B: Diodo de capacitancia variable (varicap) C: transistor, de audio frecuencia (AF), pequea seal D: transistor, AF, potencia E: Diodo tunel F: transistor, alta frecuencia (HF), pequea seal K: Dispositivo de efecto Hall L: Transistor, HF, potencia N: Opto acoplador P: Foto receptor

Q: Emisor de luz
R: Dispositivo de conmutacin, baja potencia, ej: tiristor, diac, UJT etc S: Transistor, conmutacin de baja potencia T: Dispositivo de conmutacin, potencia, ej: tiristor, triac, etc. U: Transistor de potencia, conmutacin W Dispositivo de onda acstica de superficie (SAW) Y: Diodo rectificador Z: Diodo zener

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Mediciones de un transistor Bipolar Existen dos maneras de averiguar la polaridad de un transistor; una de ellas es utilizando el catalogo de fabricante o de reemplazos y la otra es haciendo uso de un Ohmmetro y para ello primero hay que identificar la polaridad del instrumento

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Identificacin de los terminales del transistor Los transistores vienen en presentaciones distintas, desde los mas pequeos (pequea potencia) de cubierta de plstico hasta los mas grandes (potencia) con cubierta metlica

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POLARIZACION DE TRANSISTORES
Una de las principales condiciones para que un transistor bipolar pueda trabajar como tal es que su unin base-emisor sea polarizada directamente y su unin base-colector polarizado inversamente Tipos de polarizacin del BJT

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Por Autopolinizacin
Tambin denominado polarizacin por retroalimentacin de colector

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