Preparatorio 2- GR4 1

Diseño de Gate Drives para el disparo de

semiconductores de potencia
Bryan Solórzano, Escuela Politécnica Nacional, Quito-Ecuador.
bryan.solorzano@epn.edu.ec
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75KHz 400KHz
Resumen – En esta práctica realizaremos un análisis mas
detallado sobre las distintas etapas y métodos para disparo de los Perdidas: P medias-altas Perdidas: P bajas menor
switchs de potencia ya sean Mosfets o Igbts, para un ramal del a 10KW
inversor trifásico propuesto. Características de Características de
disparo: Voltaje disparo: Voltaje
Abstract—In this practice we will carry out a more detailed
analysis of the different stages and methods to trigger the power Potencia de Circuito de Potencia de Circuito de
switches, whether Mosfets or Igbts, for a branch of the proposed Mando: Muy baja Mando: Muy baja
three-phase inverter.
Complejidad C. de Complejidad C. de
Índice de Términos – Semiconductores de potencia, Optonands, Mando: Muy baja Mando: Muy baja
Smith Trigger y Gate Drivers.
Máximo voltaje inverso: Máximo voltaje inverso:
I. INTRODUCCION Medio-alto Medio-baja

E n el presente documento se plantearán soluciones a
problemas, como primer punto se buscará hablar a detalle los
diferentes métodos de activación de los elementos
semiconductores de potencia para un inversor trifásico. Como
segundo punto es la utilización de los gate drivers para el
manejo adecuado de los semiconductores, para lo cual,
mediante pruebas se buscará tener el control de un ramal,
mediante tiempos muertos ya sean realizados por hardware o
software.
II. DESARROLLO
A. Mediante una tabla comparativa indique los
requerimientos de disparo para semiconductores de
potencia IGBTs y MOSFETs en un inversor trifásico.
TABLE I
TABLA COMPARATIVA ENTRE IGBT Y MOSFET
IGBTs MOSFETs
Voltaje: 1600-2000V Voltaje: 500-1000V
Corriente: 400-500A Corriente: 20-100A
Se obversa en la tabla 1 las características más comunes para
la generación de un circuito de control, mando o disparo.
Algo que resaltar es que ambos semiconductores de potencia
se los dispara por voltaje, pero cada uno cuenta con unas
características internas diferentes, como por ejemplo la
frecuencia de conmutación que es muy importante para
generar la señal en un microcontrolador.
B. Consultar el efecto que tiene la corriente de cola o
corriente de pico inverso en el apagado de un
semiconductor de potencia IGBTs y MOSFETs, y graficas
las perdidas dinámicas que se producen por este efecto.
 La corriente pico inverso o de cola genera
pérdidas importantes de tensión muy alto y
corriente moderada.
 Esta corriente suele limitar la frecuencia de
funcionamiento del sistema.
 Puede acelerar la conmutación del
semiconductor.
 Su mayor desventaja es que produce muchas
pérdidas en conducción.
 Está presente en las características dinámicas
de los semiconductores de potencia.
 Esta corriente es por causa de la conmutación
más lenta del Tbj, debido a la carga que tiene
en su base

Frecuencia: Hasta Frecuencia: Hasta 300-

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bryan.solorzano@epn.edu.ec
 Preparatorio 2- GR4
Fig.1. Pérdidas dinámicas en el Mosfet.
Fig.2. Pérdidas dinámicas en el IGBT.
C. Consultar las técnicas que se pueden se pueden
implementar para reducir la corriente de cola y disminuir
las perdidas dinámicas en la conmutación de los
semiconductores de potencia (IGBTs y MOSFETs).
Una de las formas mas frecuentes para reducir estos tiempos
que generan perdidas dinámicas, son mediante la
implementación de redes SNUBBER.
La red snubber mencionada es valida para todos los tipos de
semiconductores y además sirve para limitar el sobre voltaje
en el apagado y sobre corrientes en el encendido.
Fig.3. Red snubber con diodo.
2
D. Consultar el funcionamiento de gate drives
comerciales. Presentar el resumen de un driver comercial
que maneje una rama del inversor trifásico y un driver
comercial que maneje las tres ramas del inversor trifásico
(principio de funcionamiento, prestaciones, aplicación en un
inversor trifásico). Basado en un análisis, explique cual de
los dos drivers recomienda.
Un gate drive se caracteriza por ser un cambiador de nivel
conjuntamente trabajado con un amplificador.
Fig.4. Sistema de potencia con un Gate Drive para 6 semiconductores.
Fig.5. Driver IR2184 para un solo ramal del puente trifásico.[1]
En la figura 5 se observa el driver comercial para un ramal del
puente trifásico.
 Principio de funcionamiento
El IR2184 son de alto voltaje, para un MOSFET de potencia
de alta velocidad e IGBTs conductores con dependientes alta y
baja lado referenciado canales de salida. La entrada lógica es
compatible con el estándar CMOS o salida LSTTL, hasta 3.3V
la lógica. Los controladores de salida cuentan con una etapa de
búfer en pulso alto diseñada para el conductor transversal
mínima de conducción. El canal puede ser flotante utilizado
para accionar un MOSFET de potencia canal N o IGBT en la
configuración de lado alto que pera hasta 600 voltios.
 Aplicaciones
Las tarjetas de Drivers son las encargadas de crear una
aislación galvánica entre la etapa de potencia y los circuitos de
control. También se encargan también de amplificar las
señales enviadas por el control con la finalidad de que sean de
una amplitud suficiente para lograr encender y apagar los
IGBTs a las velocidades de conmutación requeridas.
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 Recomendación
Por último, se usará el Gate Drive IR2110.
Se recomienda usar el driver para el control de ramal por
ramal ya que en caso de fallas se puede corregir el ramal que Se necesita implementar la técnica Bootstrap la cual permite
presenta fallas ya que si usáramos un trifásico que controle los una creación de una fuente flotante para el disparo del
tres ramales al mismo tiempo en caso de daño de un solo MOSFET.
ramal se deberá proceder a reemplazar el dispositivo completo
para los tres ramales y se quedaría sin funcional ningún ramal, Esta fuente flotante esta formada por un condensador, una
por tanto en cuestiones de costos e implementaciones es más resistencia y un diodo para el arranque.
viable usar un driver para cada ramal esto ayudara a tener un
sistema económicamente y en mantenimiento del equipo más
viable.
E. Diseñar el circuito de disparo para 6
semiconductores de potencia (IGBTs o MOSFETs) dentro de
un inversor trifásico, Considerar los niveles de voltaje de
disparo para cada semiconductor de potencia del inversor y
su respectiva referencia, modos y maneras de aislamiento
entre control y potencia, posibles rebotes y su compensación
en la señal de disparo de control.
Fig.8. Gate Drive IR2110.

Para el aislamiento del sistema se realizará mediante El circuito se encuentra en el Anexo 1.

optoacopladores de rápida conmutación, y por ende usare la
compuerta 6N137.

Fig.6. Optonand 6N137 utilizada en el diseño.

Otra parte del diseño se usará un disparador Schmitt:

Un Schmitt triggger es un dispositivo para realizar una señal

mas pura hacia el gate drive, su función principal es la de
corregir el mosfet que se genera en el transcurso de la señal
mediante el aislamiento.

La función principal es negar nuevamente la señal que viene

del optonand ya que esta llega negada, y por ende esta
compuerta vuelve a corregirla señal a su forma normal.

Fig.7. Schmitt triggerTC4429.

 Preparatorio 2- GR4 4

F. Diseñar en el sistema microprocesado indicado al IV. BIOGRAFIA

inicio del semestre, 2 señales de salida tipo PWM
complementadas, de frecuencia variable entre 6KHz y 20 Bryan Solórzano, nació
KHz y relación de trabajo 0.5. La frecuencia debe ser Quito-Ecuador el 19 de
variada mediante un potenciómetro conectado al canal ADC noviembre de 1994. Realizó
del sistema microprocesado. sus estudios secundarios en el
Colegio Santiago de
Considerar tiempos de retardo (tiempos muertos) acorde a Guayaquil. Actualmente se
las especificaciones en las hojas técnicas de los encuentra cursando sus
semiconductores de potencia (IGBTs o MOSFETs) para el estudios universitarios en la
encendido y apagado en un mismo ramal del inversor Escuela Politécnica Nacional,
localizada en Quito-Ecuador.
trifásico.
(bryan.solorzano @epn.edu.ec)

Fig.9. Diagrama de flujo realizado.

III. REFERENCIAS
[1] Gonzales M., “Dispositivos de Potencia,” Junio de 2015 pagina web,
http://orga.blog.unq.edu.ar/wp-
content/uploads/sites/71/2015/06/Dispositivos-de-potencia.pdf
[2] https://www.electronicproducts.com/Analog_Mixed_Signal_ICs/Discret
e_Power_Transistors/MOSFET_vs_IGBT.aspx
[3] https://www.ecured.cu/Transistor_IGBT4.
[4] https://www.digikey.es/es/product-highlight/a/analog-
devices/adum7223-half-bridge-driver.
 Preparatorio 2- GR4 5

Anexo 1 C1

8 U3
R2 R3
2 7 150
330
U5
1
VDD VDD R6
3 6 2
INPUT OUT2
8 C14 GC1
3
NC OUT1
7
U6 0.47uF D1 D2 220
4 6
GND GND 1N4007 R7
5 C13 NC1 HO
7 R8
5 6N137 TC_4429 8 6
2.2nF 10k
C4

VDD VB 22
9 5 1N4148
HIN VS
10 4
5VP SD NC
11 3
8 U4 12
LIN VCC
2
R9
12VP VSS COM
R4 R5 13
NC2 LO
1
GC4
2 7 14
150 220
330
U8 IR_2110 D3 R10
1
VDD VDD R11
3 6 2 8
INPUT OUT2 22 10k

12VP
3 7 1N4148
NC OUT1
4 6
GND GND
5 C15
5 6N137 TC_4429 2.2nF

GND Control
GND pot

Circuito de potencia:
CARGA

1A
Q1
IRF540
GC1

GND1
+88.8
Volts

Q4
IRF540
GC4

GNDP