Universidad Nacional del Callao Escuela Profesional de Ingeniería Eléctrica

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica Ciclo 2009-B

SOLUCION PRACTICA CALIFICA Nº1

1. PROBLEMA Nº 1

Determinar la corriente I para cada una de las configuraciones de la figura Nº 1 empleando

el modelo equivalente aproximado del diodo.

Fig. Nº1: Configuraciones del Diodo

Resolución 1a:

I = 0mA Debido a que el diodo esta abierto

Resolución 1b:

Por la ley de Kirchhoff ley de mallas:

V20Ω = 20 − 0.7v = 19.3v

19.3v
I=
20Ω
I = 0.965 A

Resolución 1c:

Los diodos están abiertos entonces Por la ley de Ohm

10v
I=
10Ω
I = 1A

Dispositivos y componentes Electrónicos - Solución 1º Practica

Autor: Saul Gamarra Q. 1
2. PROBLEMA Nº 2

Determine V0 para la configuración de la figura Nº 2

Fig. Nº2: Determinar V0

Resolución 2a:

0V En el terminal es mas positivo que −5V por lo tanto el diodo

superior esta apagado y el diodo inferior esta en conducción

V0 = 0v − 0.7v = −0.7v
V0 = −0.7v

Resolución 2b:

Desde todas los terminales del sistema son de 10V

I =0A
V0 = I .R1k Ω +
10v
V0 = 10v
Resolución 2c:

El diodo de Silicio requiere mas nivel de voltaje que el diodo de

Germanio, al incrementarse hasta 5V el diodo de Germanio entra en
estado de conducción y mantendrá su nivel a 0.3V y el diodo de
Silicio nunca alcanzar su estado de conducción

V0 = 5v − 0.3v
V0 = 4.7v

Resolución 2d:

El diodo de Silicio con −5V en el cátodo esta en estado de

conducción mientras que en el otro esta apagado

V0 = −5v − 0.7v
V0 = −4.3v
3. PROBLEMA Nº 3

Fig. Nº3: Problema 3

3.1 Considerando un modelo ideal para el diodo, determine que condición debe cumplir K
para que el diodo siempre este encendido (ON)

3.2 Determinar la tensión V1 , si K = 2 , R1 = R2 = R

Resolución 3.1:
Por la ley de Nodos:

I1 + I1....I n = 0
V1 − E V1 V1 − KV1
+ + =0
R1 R1 R2
2V1 − E V1 KV1
+ =
R1 R1 R2
R2 . ( 2V1 − E ) + R1V1 KV1
=
R1.R2 R2

V R . ( 2V − E ) + R
2 1 1 1
K=
R1.V1

Resolución 3.2:

R2 . ( 2V1 − E ) + R1V1
Reemplazando K = 2 , R1 = R2 = R en la ecuación: K =
R1.V1

Obtenemos: 2RV1 = 2V1 R − ER + RV1

V1 = E
4. PROBLEMA Nº 4

2
Se tiene una pastilla de Si a 300K , con una sección de 1mm y una longitud de 5mm , dopada
15 −3
uniformemente con Na =10 .cm . En un momento dado se ilumina la Oblea, dando lugar a
14 −3
una generación de portadores Δn = Δp =10 .cm .

2 2 10 −3
Datos μn =1350cm Vs , μp = 460cm Vs , ni(300K) →10 cm

4.1 Calcular la resistividad de la muestra iluminada

4.2 Dicha pastilla se polariza según figura Nº 4 Calcular el incremento en tanto por ciento
de la corriente que circula a través por el hecho de iluminarla

Fig. Nº4: Pastilla de Silicio

Resolución 4.1:
Datos:

T = 300º K
14 −3
Δn = Δp =10 .cm
10
ni(300K) →10
−3 2
cm
n μ =1350cm
Vs
μ p = 460cm2 Vs
15 −3
Na =10 .cm
 1 1 1
ρ= → σ = → σ=
σ q ( N d .μ n + N a .μ p −19
1.6 x10 ( 15
N d .1350 + 10 .360 )
)
σ = ??
1
σ = ??
2
2
N d = ni → N d + ΔQ = Na + Δn
Na
14 14
N d + 10 = Na + 10
15
N d = Na = 10
2

Nd =
(10 ) 15

= 1015
15
10
σ1 = 0.0736
σ = 0.2896
2
1
ρ = = 3.450
1 σ
1
ρ = 13.584
2Total

Resolución 4.2:
1 1
R = .L; R = .L
1 σ .A 2 σ .A
1 2
−3 −3
5x10 5x10
R = ; R =
1 0.7896.10−6 2 0.0736.10−6

R = 17.625kΩ; R = 67.934kΩ
1 2
Luego: V = IR
V = I1 R 1 ; V = I 2 R2

V = I1 x17.625; V = I 2 x67.934

I1 x17.625 = I 2 x67.934

I1 = I 2 3.96
I1
Incremento = I1 −
3.96

2.96
Incremento = x100%
3.96

Incremento = 74.74%