Sustentación Amplificador de Audio con Transistores

Integrantes: Grupo: E161

Jhoana Andrea Hernández Castañeda

Yang Pablo Buenahora Hernández
Sebastián García
Carlos Andrés Medina

Marco Teórico
Funcionamiento Del Transistor

Cuando se inyecta en la base una señal alterna, provoca variaciones en la unión colector-emisor
suponiendo una configuración emisor común o una tipo A. Estas variaciones son idénticas a la
señal que se aplicó en la base con la diferencia que este puede entregar más potencia entre
estos terminales a la carga, esto estaría determinado entre otras cosas por la fuente de
alimentación que es de donde sale toda la corriente que circula por el circuito, así la señal queda
amplificada .

para lograr esto se debe tener el transistor polarizado es decir energizarlo para que pueda
trabajar , es donde entran las resistencias ,a través de esta se inyecta una determinada corriente
a la base que es la que mantiene al transistor activo en espera de una señal para amplificar si el
transistor se mantiene cerca de la región linear de amplificación al aplicar una pequeña señal
este puede estar en condiciones de amplificarla pues parte de la corriente necesaria para la
excitación de la base es proporcionada a través de la resistencia y la otra por la señal de entrada.

Diseño del Circuito

Materiales

 Resistencia 2.2K ohmios

 Parlante 10 v – 8 ohmios
  Condensador 1 microfaradio 50 v
 Mosfet 1Rf840
 Switch
 Batería 9v

Funcionamiento Del Mosfet

El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico, o MOSFET para abreviar, es

una excelente opción para amplificadores lineales de señal pequeña ya que su impedancia de
entrada es extremadamente alta, lo que facilita su polarización. Pero para que un mosfet
produzca amplificación lineal, tiene que operar en su región de saturación, a diferencia del
Transistor de Unión Bipolar. Pero al igual que el BJT, también tiene que estar sesgado en torno
a un punto Q fijo centralmente.

Los MOSFETS conducen a través de una región conductora o ruta llamada "el canal". Podemos
hacer que este canal conductivo sea más ancho o más pequeño aplicando un potencial de
compuerta adecuado. Un campo eléctrico inducido alrededor del terminal de puerta mediante
la aplicación de este voltaje de compuerta afecta las características eléctricas del canal, por lo
tanto, el nombre de transistor de efecto de campo.

Datasheet

Descripción

MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporcionan al diseñador con

La mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de dispositivos para uso rudo, Baja
resistencia y rentabilidad.
El paquete TO-220AB se prefiere universalmente para todas las aplicaciones comerciales-
industrial a niveles de disipación de potencia a aproximadamente 50 W. La baja resistencia
térmica y bajo coste de paquete de la A-220AB contribuir a su amplia aceptación en la industria.

Simulación del Circuito en proteus

Toma de Medidas
Bibliografía

 http://www.vishay.com/docs/91070/sihf840.pdf
 http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com/2018/06/circuito-amplificador-
mosfet-utilizando.html
 https://www.yoreparo.com/electronica/preguntas/932725/como-funciona-un-
amplificador-de-audio-a-transistor