Informe Placa Peltier

Alumnos: Agustin Avila

Damian Colella
Fecha: 8/09/14
Laboratorio Ing. Mecnica

Placa peltier

El funcionamiento bsico de una celda peltier es: aplicando una diferencia de

potencial V hacia la celda, esta enfriara de un lado y calentara del otro.
Esto es a grandes rasgos lo que hace una placa termoelctrica, pero se basa en
los siguientes principios que son 3
Efecto Seebeck:
Conversin de diferencias de temperaturas directamente a electricidad.
El efecto Seebeck, descubierto por el fsico alemn Thomas Johann Seebeck
(1770 1831), se refiere a la emisin de electricidad en un circuito elctrico
compuesto por conductores diferentes, mientras estos tienen diferentes
temperaturas. Los conductores se conectan en serie. La diferencia de
temperatura causa un flujo de electrones en los conductores, se dice que el
flujo inicia directamente desde el rea de mayor temperatura hacia la de menor
temperatura. En el punto de contacto de los conductores se presenta una
diferencia de potencial. La magnitud de la termoelectricidad depende del tipo
de material de los conductores, la temperatura de contacto y no depende de la

temperatura que se distribuye a lo largo del conductor. La termoelectricidad

permite evaluar los termopares por el coeficiente de Seebeck para diferentes
materiales con un rango desde +43 hasta 38 mV/grado.
El producto que ms utiliza este fenmeno son los denominados termopares
que sirven como sensores de temperatura, tambin las llamadas termopilas que
son un arreglo de varios termopares en seria para medir temperatura
bsicamente.
- Termopar:
Un termopar funciona por efecto seebeck, muy rpidamente, se tiene
una unin de dos metales diferentes que luego son conectados por
separados a un voltmetro, cuando a la unin se le da temperatura se
genera una diferencia de potencial elctrico entre los conectores del
voltmetro reducindonos a la siguiente ecuacin:
V =S a . T

Donde Sa es la constante de seebeck para la termocupla y T es la

temperatura desconocida, generalmente este valor de temperatura se
puede medir directamente sin necesidad de utilizar esta frmula por
distintos tipos de medidores.
- Termopares:
Tipo K (cromel/alumel): con una amplia variedad aplicaciones, est
disponible a un bajo costo y en una variedad de sondas. El cromel es
una aleacin de Ni-Cr, y el alumel es una aleacin de Ni-Al. Tienen un
rango de temperatura de 200 C a +1372 C y una sensibilidad 41
V/C aproximadamente. Posee buena resistencia a la oxidacin.
Tipo E (cromel/constantn [aleacin de Cu-Ni]: no son magnticos y
gracias a su sensibilidad, son ideales para el uso en bajas temperaturas,
en el mbito criognico. Tienen una sensibilidad de 68 V/C.
Tipo J (hierro/constantn): su rango de utilizacin es de 270/+1200 C.
Debido a sus caractersticas se recomienda su uso en atmsferas inertes,
reductoras o en vaco, su uso continuado a 800 C no presenta
problemas, su principal inconveniente es la rpida oxidacin que sufre

el hierro por encima de 550 C; y por debajo de 0 C es necesario tomar

precauciones a causa de la condensacin de vapor de agua sobre el
hierro.
Tipo T (cobre/constantn): ideales para mediciones entre -200 y 260 C.
Resisten atmsferas hmedas, reductoras y oxidantes y son aplicables
en criogenia. El tipo termopares de T tiene una sensibilidad de cerca de
43 V/C.
Tipo N (nicrosil [Ni-Cr-Si]/nisil [Ni-Si]): es adecuado para mediciones
de alta temperatura gracias a su elevada estabilidad y resistencia a la
oxidacin de altas temperaturas, y no necesita del platino utilizado en
los tipos B, R y S, que son ms caros.
Por otro lado, los termopares tipo B, R y S son los ms estables, pero
debido a su baja sensibilidad (10 V/C aprox.) generalmente son
usados para medir altas temperaturas (superiores a 300 C).
Tipo B (Pt-Rh): son adecuados para la medicin de altas temperaturas
superiores a 1800 C. Los tipos B presentan el mismo resultado a 0 C y
42 C debido a su curva de temperatura/voltaje, limitando as su uso a
temperaturas por encima de 50 C.
Tipo R (Pt-Rh): adecuados para la medicin de temperaturas de hasta
1300 C. Su baja sensibilidad (10 V/C) y su elevado precio quitan su
atractivo.
Tipo S (Pt/Rh): ideales para mediciones de altas temperaturas hasta los
1300 C, pero su baja sensibilidad (10 V/C) y su elevado precio lo
convierten en un instrumento no adecuado para el uso general. Debido a
su elevada estabilidad, el tipo S es utilizado para la calibracin
universal del punto de fusin del oro (1064,43 C).
Los mismos materiales estn tabulados cada uno con su coeficiente de
seebeck, (conductor y semiconductor):

Efecto Peltier:
El efecto Peltier es una propiedad termoelctrica descubierta en 1834 por Jean
Peltier, trece aos despus del descubrimiento del mismo fenmeno, de forma
independiente, por Thomas Johann Seebeck. El efecto Peltier hace referencia a
la creacin de una diferencia de temperatura debida a un voltaje elctrico.
Sucede cuando una corriente se hace pasar por dos metales o semiconductores
conectados por dos junturas de Peltier. La corriente propicia una
transferencia de calor de una juntura a la otra: una se enfra en tanto que otra
se calienta.
Coeficiente Peltier. Una corriente elctrica I recorre un circuito formado por
los dos materiales, lo que conlleva una liberacin de calor Q en uno de los
materiales y una absorcin en el otro, segn la ecuacin:

 ab

Q
I

Este efecto realiza la accin inversa al efecto Seebeck. Consiste en la creacin

de una diferencia trmica a partir de una diferencia de potencial elctrico.
Ocurre cuando una corriente pasa a travs de dos metales diferentes o
semiconductores (Tipo n y Tipo-p) que estn conectados entre s en dos
soldaduras (uniones peltier). La corriente produce una transferencia de calor
desde una unin, que se enfra, hasta la otra, que se caliente.
El calor Peltier absorbido por la unin inferior por unidad de tiempo,
igual a:

es

Donde:
: coeficiente de Peltier, ab de todo el termopar, a y b son de cada
material.
Los coeficientes Peltier representan cuanta corriente de calor se lleva por
unidad de carga a travs de un material dado. Como la corriente de carga debe
ser continua por una unin, el flujo de calor asociado producir discontinuidad
si a y b son diferentes. Esto provoca una divergencia no cero en la unin y
as el calor debe acumularse o agotarse all, segn el signo de la corriente.
Otra forma de entender como este efecto puede enfriar una unin es notar que
cuando electrones fluyen de una regin de alta densidad a una regin de baja
densidad, ellos se expanden (como con un gas ideal) y enfran.
Los conductores estn tratando de retornar al equilibrio de electrones que
haba antes de aplicarse la corriente absorbiendo energa a un conector y
liberndole al otro. Los pares individuales pueden conectarse en serie para
mejorar el efecto.
Una consecuencia interesante de este efecto es que la direccin de
transferencia de calor es controlada por la polaridad de la corriente; invertir la
polaridad cambiar la direccin de transferencia y as el signo del calor
absorbido/producido.
Efecto Thompson

Describe el calentamiento o enfriamiento de un conductor portador de

corriente con un gradiente de temperatura.
Algn conductor portador de corriente con una diferencia de temperatura en
dos puntos, o bien absorber o emitir calor, segn el material. Si una
densidad de corriente J pasa por un conductor homogneo, la produccin de
calor por volumen es:

Donde:
: resistividad del material
dT/dx: gradiente de temperatura a lo largo del alambre.
: Coeficiente Thompson
El primer trmino J2 representa el Efecto Joule, que no es reversible. El
segundo trmino es el calor de Thomson, que cambia de signo cuando J
Thomson negativo.
El coeficiente Thomson es nico entre los tres coeficientes principales
termoelctricos pues es el nico coeficiente termoelctrico directamente
medible para materiales individuales. Los coeficientes Peltier y Seebeck solo
pueden hallarse por pares de materiales. As, no hay mtodo directo
experimental para hallar un coeficiente Seebeck absoluto (ejemplo termo
potencia) o coeficiente Peltier absoluto para un material individual. Sin
embargo, como se dijo en otra parte de este artculo hay dos ecuaciones, las
relaciones de Thomson, conocidas como las relaciones de Kelvin (ver abajo),
relacionando los tres coeficientes termoelctricos. Por lo tanto, solo uno puede
considerarse nico.
Si el coeficiente Thomson de un material se mide sobre un amplio rango de
temperatura, incluyendo temperaturas cercanas a cero, entonces puede
integrarse el coeficiente Thomson en el rango de temperatura usando las
relaciones de Kelvin para hallar los valores absolutos (ejemplo simple
material) de los coeficientes Peltier y de Seebeck. En principio, esto solo
necesita hacerse para un material, ya que los otros valores pueden hallarse
midiendo pares de coeficientes Seebeck en termopares conteniendo el material

de referencia y agregar luego la potencia termoelctrica absoluta (termo

potencia) del material de referencia cambia de direccin.
Relacin de los tres efectos:
El efecto Seebeck realmente es una mezcla de los efectos Peltier y Thomson.
De hecho, en 1854 Thomson hall las dos relaciones, ahora llamadas
relaciones de Thomson o Kelvin, entre los coeficientes correspondientes. La
temperatura absoluta T, el coeficiente de Peltier y el coeficiente Seebeck S
se relacionan por la primera relacin de Thomson
Que predijo el efecto Thomson antes de que fuera realmente formalizado.
Estos se relacionan al coeficiente Thomson por la segunda relacin de
Thomson
Qu es un semiconductor?
Semiconductor:
Es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante
dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o
magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente
en el que se encuentre
Semiconductor intrnseco
Los semiconductores son aquellos materiales cuyas conductividades elctricas
se encuentran entre las de los metales altamente conductores y la de los
aislantes, pobremente conductores. Los semiconductores intrnsecos son
semiconductores puros cuya conductividad elctrica est determinada por sus
propiedades conductoras innatas. Los elementos silicio y germanio puro son
materiales semiconductores intrnsecos. Estos elementos, que estn en el
grupo 4 de la tabla peridica, poseen la estructura cubica del diamante con
enlaces covalentes altamente direccionales
Semiconductores Extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos son soluciones solidas substitucionales muy
diluidas en las que los tomos de las impurezas soluto poseen caractersticas

de valencia diferentes de pared atmica que acta como disolvente. Las

concentraciones de tomos de impurezas aadidos a esto semiconductor se
encuentra normalmente entre 100 y 100 ppm
Semiconductores extrnsecos tipo n (tipo negativo)
Considerando el enlace covalente del cristal de silicio mostrado en la figura a.
Si un tomo impureza del grupo VA, por ejemplo, el fosforo, sustituya a un
tomo de silicio que es un tomo del grupo IVA, habr un electrn de as que
no es necesario para formar el enlace covalente tetradrico del cristal de
silicio. Este electro extra est unido ligeramente por el ncleo de fosforo
cargado positivamente.
Cuando bajo la accin de un campo elctrico, el electrn extra se convierte en
un electrn libre valido para la conduccin, el tomo de fosforo remanente se
ioniza y adquiere una carga positiva (figura b)

a) La adicin de un tomo de impureza de fsforo pentavalente a la red de

silicio tetravalente proporciona un quinto electrn que est unido
dbilmente al tomo de fsforo base. Slo una pequea cantidad de
energa (0.044 eV) hace que este electrn sea mvil y conductor. b)
Bajo un campo elctrico aplicado el electrn de exceso se vuelve
conductivo y es atrado a la terminal positiva del circuito elctrico. Con

la prdida del electrn adicional, el tomo de fsforo se ioniza y

adquiere una carga +1
Cuando se adicionan tomos de impresas del grupo VA como P. As, y Sb, al
silicio o germanio, Puesto que estos tomos de impurezas del grupo VA ronda
electrones de conduccin en presencia de silicio o germanio, d conoce con la
denominacin de tomos de impurezas donadoras. Los semiconductores de
silicio o germanio que contienen tomos del grupo V como impurezas reciben
el nombre de semiconductores extrnsecos tipo n (negativos)
Semiconductores extrnsecos tipo P (tipo positivo)
Cuando un elemento trivalente del grupo IIIA tal como boro es introducido en
la estructura tetradrica del silicio, se pierde uno de los orbitales de enlace y
aparece un hueco (figura a). Si se aplica un campo elctrico externo al cristal
de silicio, uno de los electrones vecinos del otro enlace y moverse al enlace
perdido (hueco) del tomo de boro (figura b). Cuando el hueco asociado con el
tomo de Boro se ioniza y adquiere una carga negativa (-1).

La energa de enlace asociada con la eliminacin de un electrn del tomo de

silicio, por el cual se crea un hueco, y la subsiguiente transferencia de un
electrn al tomo de boro es solamente de 0.045eV. Esta cantidad de energa
es pequea comparada con los 1.1eV requeridos para transferir u electrn
desde la banda de valencia a la banda de conduccin. En presencia de un
tomo de boro se comporta como portador de carga positiva y migra hacia el
terminal negativo de la red de silicio.

En trminos del diagrama de bandas de energa, el tomo de boro aporta un

nivel de energa denominado nivel aceptor el cual es ligeramente ms alto
(0.045eV) que el nivel superior de la banda de valencia completa del silicio.
Cuando un electrn de valencia de un tomo de silicio prximo a un tomo de
boro llena el hueco electrnico que falta en la banda de valencia boro-silicio,
ese electrn es elevado al nivel aceptor crea un ion boro negativo. En este
proceso se crea un hueco electrnico en la red del silicio, el cual acta como
portador de carga positiva.
En vista de que la mayora de los portadores en estos semiconductores
extrnsecos son huecos en la estructura de enlace de valencia, se denominan
semiconductores extrnsecos tipo p (tipo portadores positivos).
Una vez ya definidos los tres efectos que rigen el funcionamiento de la placa
peltier y habiendo explicado lo que es un semiconductor, nos podemos meter
de lleno en la placa
Una clula Peltier mueve energa calorfica desde la placa fra a la placa
caliente mediante el control de la energa elctrica proporcionada por una

fuente de alimentacin. El sentido d movimiento de la energa calorfica es

marcado por la polaridad de la corriente elctrica aplicada
Son comnmente construidas de una gran cantidad de elementos
semiconductores, que estn conectados en serie desde el punto de vista
elctrico y en paralelo desde el punto de vista del calor transferencia.
Algo muy importante a tener en cuenta a la hora de evaluar una celda peltier
es, saber que parmetros son medibles y de qu manera, y cuales otros se
pueden encontrar en tablas.
Parmetros que se involucran en las ecuaciones de energa y rendimiento de
una celda peltier:
A Superficie (superior o inferior) de la clula Peltier
L Grueso de la clula Peltier
K Conductividad trmica
k Conductancia trmica
S Coeficiente de Seebeck
Coeficiente de Peltier
RP Resistencia interna de la clula Peltier
IP Corriente a travs de la clula Peltier
VP Voltaje a travs de la clula Peltier
Coeficiente de rendimiento
Parmetros medibles y formas de medirlos:
A: superficie de la placa son generalmente cuadradas o rectangulares
L: grueso de la placa peltier viene dado en su fichas tcnicas no superan los
4mm
K y k: para medir la conductividad trmica de la placa es necesario primero
medir lo que se conoce como calor de peltier:
,
que es el calor que va desde la parte de arriba de la placa hasta el fondo (este
es medido directamente y depende de que material sea el conductor dentro de

la placa), y dividirla por el rea que conforma la placa peltier una vez teniendo
este parmetro que se conoce como conductancia trmica:
k=

Q
T

Q tambin pude ser medido por la siguiente ecuacin: Q = IxV

Luego con este valor voy a la siguiente formula y obtengo el valor de la
LQ
conductividad trmica de la placa K= A T
V
S: coeficiente de seebeck que se mide usando la ecuacin: S= T .

: la forma de medir el coeficiente d peltier es de la siguiente manera:

Dada la corriente que pasa por la celda, la temperatura arriba de la celda va a
ser menor que la de abajo, si se empatan las temperaturas utilizando una
fuente de calor en la parte fra de modo que la corriente por el voltaje que
utilice la fuente para producir calor sea igual al calor removido, en la siguiente
ecuacin que marca el calor removido de la parte fra:

El trmino kT desaparece y queda solamente de la siguiente manera:

Pudiendo as de esta expresin despejar el
coeficiente de peltier
Rendimiento de la placa peltier
Con todos los datos obtenidos hasta ahora se puede calcular el rendimiento de
la placa peltier con la siguiente ecuacin:
Primero calculando la potencia disipada por la placa debida al efecto joule y al
Seebeck
Y por ultimo

Y de esta manera se termina lo que es el estudio detallado de sus parmetros,

funcionamiento y eficiencia de un mdulo peltier.