Fundamento Teórico.

FlipFlop D (Data o Delay)

El flip-flop D resulta muy útil cuando se necesita almacenar un único bit de datos (1 o 0). Si se añade un inversor a un
flip-flop S-R obtenemos un flip-flop D básico. El funcionamiento de un dispositivo activado por el flanco negativo es,
por supuesto, idéntico, excepto que el disparo tiene lugar en el flanco de bajada del impulso del reloj. Recuerde que
Q sigue a D en cada flanco del impulso de reloj.

Para ello, el dispositivo de almacenamiento temporal es de dos estados (alto y bajo), cuya salida adquiere el valor de
la entrada D cuando se activa la entrada de sincronismo, C. En función del modo de activación de dicha entrada de
sincronismo, existen dos tipos:

 Activo por nivel (alto o bajo), también denominado registro o cerrojo (latch en inglés).

 Activo por flanco (de subida o de bajada).

D Q Qsiguiente
La ecuación característica del biestable D que describe su comportamiento es:
0 X 0

1 X 1
y su tabla de verdad:

X=no importa

Esta báscula puede verse como una primitiva línea de retardo o una retención de orden cero (zero order hold en
inglés), ya que los datos que se introducen, se obtienen en la salida un ciclo de reloj después. Esta característica es
aprovechada para sintetizar funciones de procesamiento digital de señales (DSP en inglés) mediante la Transformada
Z.

Ejemplo: 74LS74

Biestable JK

Es versátil y es uno de los tipos de flip-flop más usados. Su funcionamiento es idéntico al del flip-flop S-R en las
condiciones SET, RESET y de permanencia de estado. La diferencia está en que el flip-flop J-K no tiene condiciones no
válidas como ocurre en el S-R.

Este dispositivo de almacenamiento es temporal que se encuentra dos estados (alto y bajo), cuyas entradas
principales, J y K, a las que debe el nombre, permiten al ser activadas:

 J: El grabado (set en inglés), puesta a 1 ó nivel alto de la salida.

 K: El borrado (reset en inglés), puesta a 0 ó nivel bajo de la salida.

Si no se activa ninguna de las entradas, el biestable permanece en el estado que poseía tras la última operación de
borrado o grabado. A diferencia del biestable RS, en el caso de activarse ambas entradas a la vez, la salida adquirirá
el estado contrario al que tenía.

La ecuación característica del biestable JK que describe su comportamiento es:

Y su tabla de verdad es:

J K Q Qsiguiente

0 0 0 0
J K Q
0 0 1 1
0 0 q
0 1 X 0
0 1 0
1 0 X 1
1 0 1
1 1 0 1

1 1
1 1 1 0

X=no importa

Una forma más compacta de la tabla de verdad es (Q representa el estado siguiente de la salida en el próximo flanco
de reloj y q el estado actual

Memorias

Son sistemas binarios destinados a almacenar múltiples bits para suministrarlos a otros circuitos bajo su demanda

Una memoria es un conjunto de celdas capaces de almacenar en cada una de ellas un bit de información y que se
organiza en conjuntos o palabras de 1,4,8,16 celdas

Poseen un dispositivo de acceso que nos permite la escritura, lectura y/o modificación de la información contenida.
la escritura es un proceso destructivo

Memoria RAM es un tipo de memoria en la que se demora el mismo tiempo en acceder a cualquier dirección de la
memoria, y estas se pueden seleccionar en cualquier dirección de la memoria, y estas se pueden seleccionar en
cualquier orden, tanto en una operación de lectura como de escritura.

Las RAM pierden los datos almacenados cuando se desconecta la fuente de energía, reciben el nombre de memorias
volátiles. la lectura es no destructiva

Diagrama de tiempos.

Un diagrama de tiempos o cronograma es una gráfica de formas de onda digitales que muestra la relación temporal
entre varias señales, y cómo varía cada señal en relación a las demás.

Un cronograma puede contener cualquier número de señales relacionadas entre sí. Examinando un diagrama de
tiempos, se puede determinar los estados, nivel alto o nivel bajo, de cada una de las señales en cualquier instante de
tiempo especificado, y el instante exacto en que cualquiera de las señales cambia de estado con respecto a las
restantes.
El propósito primario del diagrama de tiempos es mostrar los cambios en el estado o la condición de una línea de
vida (representando una Instancia de un Clasificador o un Rol de un clasificador) a lo largo del tiempo lineal. El uso
más común es mostrar el cambio de estado de un objeto a lo largo del tiempo, en respuesta a los eventos o
estímulos aceptados. Los eventos que se reciben se anotan, a medida que muestran cuándo se desea mostrar el
evento que causa el cambio en la condición o en el estado.

Analogías de circuitos armados con otros dispositivos

Existen matrices de Leds 8x8 y únicamente tienen 16 pines de control, 8 están enfocados de las líneas horizontales y
los otros 8 de las verticales
 U4(ENP)
VALUE=5 U4
3 14
D0 Q0
4 13
D1 Q1
5 12
D2 Q2
6 11
D3 Q3
15
RCO
7
ENP
10
ENT
2
CLK
9
LOAD
1
MR
74161
U2
10 11
A0 D0
9 12
A1 D1
8 13
A2 D2
7 15
1 6
A3
A4
D3
D4
16
5 17
0 4
A5
A6
D5
D6
18
3 19
1 25
A7
A8
D7
24
1 21
A9
A10
23
0 2
A11
A12
26
0 A13
20
1 22
CE
OE
27
0 1
PGM
VPP
27128

U1(E1)
VALUE=5 U1
1 15
A Y0
2 14
B Y1
3 13
C Y2
12
Y3
6 11
E1 Y4
5 10
E2 Y5
4 9
LE Y6
7
Y7
74HC137

Con ayuda del circuito integrado 74137 es un decodificador que n os ayuda con el desplazamiento horizontal (el
barrido). De la memoria sacamos los datos de cada dirección que nos ayuda a visualizar la letra en cada dirección.
Usamos un contador para los primeros 3 bits, en la memoria ocupamos más espacio pero es más eficiente y más
estético la visualización en la matriz de leds.

Dibujar los diagramas de tiempo del punto 3.1, proponer una solución a la distorsión que se produce en alta
frecuencia.

Para una frecuencia de 1K

Para una frecuencia de 100K

Para una frecuencia de 2MHz

Para una frecuencia de 5MHz

Para Flanco de Bajada

Para 1K

Para 100K

Para 2MHz
Para 5MHz

Corrección para altas frecuencias

U1:A(J)

U1:A
2

U2
U7 4 15 U2(Q)
S

J Q
1
CLK
16 14 AND
NOT K Q
R
3

ck 7476

U6 U3 U4 U5

NOT NOT NOT NOT

Para eliminar el Pulso que se genera a la frecuencia, agregamos un retardo a la señal de reloj. De manera que no se
intercepten en flanco de subida

Enumere y describa los tipos de memoria (por ejemplo. LIFO, FIFO de alta capacidad)

1. LOS DIMMS

DDR SDRAM tienen 184 pines (en comparación con los 168 pines en el SDRAM, o los 240 pines en el DDR2 SDRAM), y
pueden ser diferenciados de los DIMMS SDRAM por el número de muescas (el DDR SDRAM tiene una, y el SDRAM
tiene dos). El DDR SDRAM funciona con un voltaje de 2,5 V, comparado a 3,3 V para el SDRAM. Esto puede reducir
perceptiblemente el uso de energía.
 2. RDRAM:

Es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación
a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.

El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de
diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de
granularidad y número de pins

3. DDRSDRAM:

Es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un
competidor oficial de las tecnologías DDR2 SDRAM y GDDR4. XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas
pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño así como en GPUs de alto rendimiento.

4. DDR2DRAM:

Es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio, Los
módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo
mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional ,si
una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800
MHz nominales.

Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR ,permite que los búferes de entrada/salida trabajen al
doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias.

5. DRDRAM:

Es un tipo de memoria de 64 bits que alcanza ráfagas de 2 ns, picos de varios Gbytes/sg y funcionan a velocidades
de hasta 800 MHz. Es el complemento ideal para las tarjetas gráficas AGP, evitando los cuellos de botella entre la
tarjeta gráfica y la memoria principal durante el acceso directo a memoria para el manejo de las texturas gráficas.

6. SLDRAM:

Se basa, al igual que la DRDRAM, en un protocolo propietario, que separa las líneas CAS, RAS y de datos. Los
tiempos de acceso no dependen de la sincronización de múltiples líneas, por lo que este tipo de memoria promete
velocidades superiores a los 800 MHz, ya que además puede operar al doble de velocidad del reloj del sistema.

7. SRAM:

Abreviadamente es Static Random Access Memory y es la alternativa a la DRAM. No precisa de tanta electricidad
como la SLDRAM para su refresco y movimiento de las direcciones de memoria, por lo que funciona más rápida. Hay
de tres tipos:

· Async SRAM:

La memoria caché de los antiguos 386, 486 y primeros Pentium, asíncrona y con velocidades entre 20 y 12 ns.

· Sync SRAM: Es la generación siguiente, capaz de sincronizarse con el procesador y con una velocidad entre 12 y
8,5 ns.

· Pipelined SRAM: Se sincroniza también con el procesador, pero tarda en cargar los datos más que la anterior,
aunque una vez cargados accede a ellos con más rapidez. Opera a velocidades entre 8 y 4,5 ns.

8. EDRAM:

Se basan en la memoria de acceso al azar dinámica integrado generalmente en igual dado como el procesador, en
comparación con los módulos externos de la COPITA y transistor-basado SRAM utilizado típicamente
para escondrijos.

El encajar permite mucho más de par en par autobuses y velocidades más altas de la operación, y debido a una
densidad mucho más alta de la COPITA con respecto a SRAM, cantidades más grandes de memoria pueden
potencialmente ser utilizadas. el eDRAM se utiliza en muchos consolas del juego, incluyendo PlayStation
2,PlayStation portable, Nintendo GameCube, Wii y Xbox 360.

9. ESDRAM:

Este tipo de memoria es apoyado por ALPHA, que piensa utilizarla en sus futuros sistemas. Funciona a 133MHz y
alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, puede llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz
hasta 3,2 GB/s

10. VRAM:

Es como la memoria RAM normal, pero puede ser accedida al mismo tiempo por el monitor y por el procesador de la
tarjeta gráfica, para suavizar la presentación gráfica en pantalla, es decir, se puede leer y escribir en ella al mismo
tiempo.

11. SGRAM:

Es un tipo especializado de SDRAM para adaptadores gráficos. Agrega mejoras como bit masking (escribir en un bit
específico sin afectar a otros) y block write (rellenar un bloque de memoria con un único color). Es de un solo puerto.
De todas maneras, puede abrir dos páginas de memoria como una, simulando el doble puerto que utilizan otras
tecnologías RAM. Tiene mejores características que las FPM, EDO, VRAM, WRAM y SDRAM.

12. WRAM:

Es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le
manda la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma
simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen
los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-
Ported.

13. Memoria ROM:

La memoria ROM, o memoria de sólo lectura, es la memoria que se utiliza para almacenar los programas que ponen
en marcha el ordenador y realizan los diagnósticos. La mayoría de los ordenadores tienen una cantidad pequeña de
memoria ROM (algunos miles de bytes). Los chips de características ROM no solo se usan en ordenadores, sino en
muchos otros componentes electrónicos también. Hay varios tipos de ROM, por lo que lo mejor es empezar por
partes.

14. MEMORIA ROM PROGRAMABLE:

Es una memoria de sólo lectura que se programan mediante máscaras. Es decir, el contenido de las celdas de
memoria se almacena durante el proceso de fabricación para mantenerse después de forma irrevocable. Desde el
instante en que el fabricante grabo las instrucciones en el Chip, por lo tanto la escritura de este tipo de memorias
ocurre una sola vez y queda grabado su contenido aunque se le retire la energía.

15. EPROM

Trabajando con chips ROM y PROM puede ser una labor tediosa. Los EPROM (Erasable programmable read-only
memory) solucionan este problema. Los chips EPROM pueden ser regrabados varias veces. Para sobrescribir una
EPROM, tienes que borrarla primero. El problema es que no es selectivo, lo que quiere decir que borrará toda la
EPROM.

16. EEPROM

Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado eléctricamente, a diferencia de
la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no volátiles. Las
celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante
(estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y reprogramada entre
100.000 y un millón de veces.