Codificación de diodos, transistores,

tiristores, etc.
La codificación de los transistores, tiristores, diodos y otros semiconductores se basa
en la standardización de los siguientes organismos:

JEDEC, JISC y PRO ELECTRON

JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council):

Estándar: digito, letra, serial, sufijo Letra: Se usa siempre la N

(opcional)
Serial: El número de serie se sitúa
Ejemplo: 2N2222A , 2N3055 entre el 100 y el 9999 y no dice nada
sobre el dispositivo, salvo su fecha
Digito: El numero designa el tipo de aproximada de introducción.
dispositivo
Sufijo (opcional): indica la ganancia
1: Diodo (hfe) genérica del dispositivo:
2: Transistor Bipolar
3: Transistor de efecto de campo FET A: Ganancia baja
4: Optoacoplador B: Ganancia media
5: Optoacoplador C: Ganancia alta

JISC (Japanese Industrial Standard committee)

Estándar: digito, dos letras, numero de 2 letras: Las letras

serie, sufijo (opcional) especifican el área de
Ejemplo: 2SA1157 , 2SB531 aplicación

Digito: El numero designa el tipo de SA: PNP HF

dispositivo transistor
SB: PNP AF
1: Diodo transistor
2: Transistor Bipolar SC: transistor NPN
3: Transistor de efecto de campo FET HF
SD: transistor NPN
 AF
SE: Diodos
SF: Tiristores
SG: Dispositivos de
disparo
SH: UJT
SJ: FET/MOSFET
canal P
SK: FET/MOSFET
canal N
SM: Triac
SQ: LED
SR: Rectificador
SS: diodo de señal
ST: diodo de
avalancha
SZ: diodo zener

El número de serie:
varia entre 10 y 9999.

El sufijo (opcional):
indica que dicho tipo
está aprobado para el
empleo por varias
organizaciones
japonesas.

PRO ELECTRON: (EECA: European Electronic Component Manufacturers)

Estándar: dos letras, letra (opcional), numero de Segunda

serie letra: especifica
Ejemplo: BC108A, BAW68, BF239 el tipo de
dispositivo
Primera letra: especifica el material
semiconductor empleado A: Diodo de bajo
poder o baja
A: Germanio señal
B: Silicio B: Diodo de
C: Arseniuro de galio capacitancia
R: Materiales compuestos variable
(varicap)
C: transistor, de
audio frecuencia
(AF), pequeña
señal
D: transistor, AF,
potencia
E: Diodo tunel
F: transistor, alta
frecuencia (HF),
pequeña señal
K: Dispositivo de
efecto Hall
L: Transistor, HF,
potencia
N:
Optoacoplador
P: Fotorreceptor
Q: Emisor de luz
R: Dispositivo de
conmutación,
baja potencia, ej:
tiristor, diac, UJT
etc
S: Transistor,
conmutación de
baja potencia
T: Dispositivo de
conmutación,
potencia, ej:
tiristor, triac, etc.
U: Transistor de
potencia,
conmutación
W Dispositivo de
onda acústica de
superficie
(SAW)
Y: Diodo
rectificador
Z: Diodo zener

Tercera
letra (opcional):
La tercera letra
 indica que el
dispositivo está
pensado para
aplicaciones
industriales o
profesionales,
más que para uso
comercial. suele
ser una W, X, Y o
Z.

Numero de
serie: varia entre
100 y 9999

Perooo EXISTEN OTROS:

Hay fabricantes que introducen su propia referencia por razones comerciales o para
resaltar el uso del componente.

Los prefijos más comunes son:

MJ: Motorola potencia, cápsula de metal

MJE: Motorola potencia, cápsula de plástico
MPS: Motorola baja potencia, cápsula de plástico
MRF: Motorola HF, VHF y transistores microondas
RCA: RCA
RCS: RCS
TIP: Texas Instruments transistor de potencia (cápsula de plástico)
TIPL: TI transistor de potencia plano
TIS: TI transistor de pequeña señal (cápsula de plástico)
ZT: Ferranti
ZTX: Ferranti

Nos podemos encontrar semiconductores de fabricación especial para alguna Firmas,

¡imposible entender la codificación!, hay que morir en el fabricante del producto, no
en el distribuidor del fabricante del semiconductor.

Algunos encapsulados populares:

73, Packo EA3GLB