Física de

Semiconductores
La presentación y las gáficas están basadas en el libro:

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 Característica 𝑰𝒅 𝒗𝒔 𝑽𝒅
𝑰𝑺 = 𝟏𝟎𝟎𝒑𝑨, 𝑽𝑻 = 𝟐𝟓𝒎𝑽
Polarización directa (conducción):
𝑽𝒅 = 𝟎. 𝟏𝑽, 𝟎. 𝟐𝑽, 𝟎. 𝟒, 𝑽 𝟎. 𝟔𝑽
𝑰𝒅= {𝟓. 𝟒𝒏𝑨, 𝟎. 𝟑𝒖𝑨 𝟎. 𝟖𝟗𝒎𝑨 𝟐. 𝟔𝑨 }

Polarización Inversa (corte):

𝑽𝒅 = {−𝟎. 𝟏𝑽 − 𝟎. 𝟐𝑽 − 𝟎. 𝟒𝑽 − 𝟎. 𝟔𝑽}
𝑰𝒅 = {−𝟗𝟖𝒑𝑨, −𝟗𝟗. 𝟗𝟔𝒑𝑨, −𝟏𝟎𝟎𝒑𝑨, −𝟏𝟎𝟎𝒑𝑨}

La corriente inversa es mayor porque hay otros componentes:

corriente superficial, generación de portadores

La caída de tensión en sentido directo (conducción) es mayor

debido a la resistencia del exceso de material semiconductor
necesario para la conexión con los terminales (“patas”) del diodo
que lo conectan con el mundo exterior

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 Diodo Zener
Si la tensión inversa se incrementa el elemento entra en “ruptura”:
la tensión inversa del diodo trata de mantenerse constante (tensión
de ruptura), realmente se incrementa muy poco.

Hay dos mecanismos:

1. Avalancha: al acelerarse los portadores chocan con los iones

(átomos) y desprenden más portadores que a su vez chocan con los
iones y desprenden aún más portadores creándose una avalancha.
Si el dopado es mayor, la tensión de avalancha disminuye

2. efecto Zener: Cuando se incrementa el dopado, el campo

eléctrico creado por la tensión inversa logra desprender muchos
portadores de la región de transición con lo que se obtiene el mismo
resultado.

Independientemente del mecanismo que produce el efecto, el

fenómeno recibe el nombre de región Zener y los diodo que se
fabrican con este propósito reciben el nombre de Diodo Zener.
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 Comparación
Diodos de Ge, Si y GaAs

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 Efecto de la temperatura
Al aumentar la temperatura se tiene una corriente mayor
para la misma tensión aplicada. O dicho de otra manera
para una misma corriente del elemento se tiene una
caída menor a mayor temperatura.

Ideal

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 Resistencia Dinámica, Incremental o de CA
• El diodo “real” tiene una resistencia en serie
En general podemos trabajar con señales grandes
(comparables con la caída de tensión cuando el diodo
conduce), o con señales pequeñas.

𝑣>? = 𝑣@ + 𝑣B La resistencia del diodo para señales pequeñas

GH 𝑖@ + 𝑖E (resistencia dinámica) es la que se deduce a la
𝑖@ = 𝐼E 𝑒 LIJK −1 𝑣@ = 𝜂𝑉P 𝑙𝑛
𝑖E izquierda en esta diapositiva.
𝑑𝑣@ 𝜂𝑉P 𝜂𝑉P
𝑟@ = = ≅
𝑑𝑖@ 𝑖@ + 𝑖E 𝑖@ Cuando la corriente 𝒊𝑫 se hace grande,
𝑟>? = 𝑟@ + 𝑅 entonces la resistencia dinámica se hace
prácticamente igual a R.
𝜂𝑉P 𝜂𝑣P
𝑟>? = +𝑅 ≅ +𝑅
𝑖@ + 𝑖E
ecuación. 𝑖@
la TABLERO: característica aproximada a
𝒊𝑫 ≫ 𝒓𝑨𝑪 ≅ 𝑹
aquí dos tramos rectos. Línea de carga.
𝜼𝑽𝑻
Discusión. Ejemplos trabajados por
Escriba
𝒊𝑫 ≪ 𝒓𝑨𝑪 ≅
𝒊𝑫
estudiantes.
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 Circuitos Equivalentes

Si la corriente 𝑰𝑫 es relativamente grande,

𝒓𝑨𝑪 ≅ 𝑹, lo que implica pendiente constante
(aproximadamente), de manera que si se
𝟏
prolonga la recta de pendiente 𝑹 hasta
encontrar el eje horizontal, se obtiene la curva
a tramos en azul en la gráfica de la izquierda.

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 Circuitos Equivalentes Simplificados… 1

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 Circuito Equivalente Simplificado… 2
Diodo Ideal

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 Circuitos Equivalentes… 3
Resumen

La tensión 𝑽𝑲 (frecuentemente
llamada 𝑽𝜸) y la resistencia 𝒓𝒑𝒓𝒐𝒎
(que hemos llamado 𝑹
anteriormente) se pueden
despreciar en el cálculo de un
circuito, cuando la comparación de
cada una de ellas con los valores
correspondientes del circuito y la
precisión requerida así lo permitan.

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 Hoja de Datos
(Data Sheet)

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 Data Sheet
curvas

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 Aplicaciones - Ejemplos

• Rectificador de Media Onda

• Rectificador de Onda completa

• Demodulador de AM

• Conversión de Onda Triángulo a Onda Seno

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