| UAA-CAMPUS SUR | CENTRO DE CIENCIAS DE LA INGENIERÍA | ING.

AUTOMOTRIZ | 6°A | MÁQUINAS 1

ELÉCTRICAS Y CONTROLADORES DE POTENCIA | PROF. LIZVETTE ÁVILA GARCÍA |

Inversor DC-AC: diseño y simulación de 24V

DC a 110V AC con R de 20Ω.
Quetzalcoatl Guerrero Parra, Lester Arnie Parra Okhuysen, Jaime Mercado Reyna, José Antonio
Sánchez Muñoz | Máquinas Eléctricas y Controladores de Potencia | Ingeniería Automotriz | 6°A |
Centro de Ciencias de la Ingeniería | Universidad Autónoma de Aguascalientes-Campus Sur

 combustible, panel solar, y el uso final será en aparatos o

Los inversores son los convertidores estáticos que se encargan instalaciones que trabajan con un flujo de corriente alterna
de, partiendo de energía eléctrica DC, obtener AC. Hay dos (AC). Su aplicación va desde el uso doméstico hasta el
grandes tipos: CSI y VSI. CSI responde a las siglas en inglés industrial, ya que existen inversores monofásicos y trifásicos.
Current Source Inverter, que vendría a representar que la Con este proyecto se pretende satisfacer la necesidad que
intensidad suministrada desde la fuente de continua es constante. existe de contar con alternativas económicas y de fácil acceso
Para la VSI, Voltage Source Inverter, tenemos un
para las aplicaciones antes mencionadas.
comportamiento análogo pero lo constante en este caso es el
voltaje de la fuente de continua. Los inversores también se
clasifican según si solamente tienen una etapa o más de una. El II. MARCO TEÓRICO
funcionamiento de un inversor está basado en la apertura y A. Inversores
cierre sincronizados de semiconductores de potencia con el Los inversores (convertidores CD-CA) son circuitos de
objetivo de que la señal de salida tenga la forma deseada.
potencia que permiten la conversión de corriente directa en
Principalmente la señal o señales de salida acostumbran a ser
senoidales, aunque en ocasiones únicamente es necesario que sea corriente alterna.
alterna. De esta manera podemos encontrar salidas como trenes Idealmente un inversor debe tener una fuente de
de señales escalón. Estas señales cuadradas introducen muchas alimentación de CD y proveer a su salida un voltaje senoidal
perturbaciones sobre las cargas que el inversor alimenta. Se puro a la frecuencia y magnitud deseada; deben regular la
pueden reducir estas perturbaciones haciendo que la señal de tensión de salida y proporcionar una onda lo más senoidal
salida tenga una forma mucho más suave aproximándose lo más posible, sin armónicos.
posible a la senoidal. Una de las principales ventajas de hacer un
inversor con más de una etapa o nivel es la reducción de
perturbaciones sobre la carga tanto en tensión como en corriente.
Una manera de conseguir que la salida sea senoidal y con tan solo
una etapa es actuando sobre el control de los semiconductores,
que en general serán transistores y se asimilaran idealmente a
interruptores. Esta señal de control de los transistores es la
técnica del PWM (Pulse Width Modulation). En el caso VSI, por
ejemplo, conseguimos mediante una sucesión de pulsos, regidos Fig. 1. Simbolización de un inversor DC-AC monofásico.
por este procedimiento, activar y desactivar los transistores y así
conseguir que la señal en voltaje que ve la carga sea idealmente
una senoidal. Finalmente podemos hallar constructivamente
inversores monofásicos o trifásicos con tres hilos con o sin fase
neutra.

Palabras clave—Corriente Alterna, Corriente Directa,

Inversor, Inversor Monofásico, Inversor Trifásico, MOSFET,
Puente Monofásico Completo, PWM, VSI, Fig. 2. Simbolización de un inversor DC-AC trifásico.

Estos convertidores basan su funcionamiento en la

I. INTRODUCCIÓN
A. Planteamiento del problema
Este proyecto se basa en la necesidad de crear un inversor
de corriente que pueda transformar 24V DC de entrada en
120V AC.
Este tipo de componentes eléctricos son en extremo útiles
para aquellas aplicaciones donde se tiene una fuente que
produce corriente directa (DC), llámese batería, celda de
conmutación sincronizada de interruptores unidireccionales
(BJT’s, MOSFET’s o IGBT’s).
Las aplicaciones prácticas de los inversores son muy
variadas, entre ellas se tiene el control de motores de
inducción y las fuentes de potencia de respaldo (UPS).
Buscando proporcionar voltajes de salida que disminuyan el
contenido armónico y no obstante que la técnica más utilizada
es SPWM, se han desarrollado diferentes estrategias de
conmutación en inversores monofásicos:
 Modulación uniforme de ancho de pulso (UPWM).
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 Modulación trapezoidal. Son económicos, presentan una baja eficiencia y producen
 Modulación por inyección de armónicos. demasiados armónicos que generan interferencias (ruidos).
 Modulación senoidal de ancho de pulso (SPWM).

En un inversor monofásico se debe conmutar de manera

adecuada 4 interruptores controlables con el fin de generar una
onda senoidal a la salida de magnitud y frecuencia ajustables.
El patrón de conmutación se obtiene a partir de la
comparación de una señal triangular de frecuencia y amplitud
fija (portadora) con una señal senoidal de frecuencia y
amplitud variables (moduladora).
Los inversores se fabrican considerando dos etapas de
conversión:
 Sintetizadora: La etapa sintetizadora produce una onda Fig. 3. Diagrama básico de inversor monofásico de onda cuadrada.
de impulsos a partir de una tensión DC.
 Inversores de onda senoidal modificada
 Filtradora: La etapa filtradora se ocupa de eliminar los
armónicos indeseados de la onda de impulsos para Son más sofisticados y caros. Utilizan técnicas de
tener a la salida de esta etapa una señal totalmente modulación de ancho de impulso, que es modificado para
senoidal. acercarlo lo más posible a una onda senoidal. La salida no es
todavía una auténtica onda senoidal, pero está bastante
Se clasifican básicamente por su potencia nominal de salida, próxima.
sin embargo, existen otros parámetros a considerar como son: El contenido de armónicos es menor que en la onda
cuadrada. Son los que mejor relación calidad/precio ofrecen
 El tipo de onda: cuadrada, senoidal, senoidal
para la conexión de iluminación, televisión o variadores de
modificada (cuasi - senoidal).
frecuencia.
 Voltaje para protecciones.
 Opciones como la de inversor – cargador.

Los inversores también se clasifican según si tienen una

etapa o más de una. El funcionamiento de un inversor está
basado en la apertura y cierre sincronizados de
semiconductores de potencia con el objetivo de que la señal de
salida tenga la forma deseada.
Principalmente la señal o señales de salida acostumbran a
ser senoidales, aunque en ocasiones únicamente es necesario
que sea alterna. De esta manera podemos encontrar salidas
como trenes de señales escalón.
Estas señales cuadradas introducen muchas perturbaciones Fig. 4. Diagrama comparativo de un inversor de onda cuadrada y un inversor
sobre las cargas que el inversor alimenta. Se pueden reducir de onda senoidal modificada.
estas perturbaciones haciendo que la señal de salida tenga una
forma mucho más suave aproximándose lo más posible a la  Inversores de onda senoidal
senoidal. Con una electrónica más elaborada se puede conseguir una
Una de las principales ventajas de hacer un inversor con onda senoidal pura y lograr eficiencias típicas de más del 90%.
más de una etapa o nivel es la reducción de perturbaciones La incorporación de microprocesadores permite funciones de:
sobre la carga tanto en tensión como en corriente. telecontrol, medición de energía consumida, selección de
batería.
 Inversores de onda cuadrada El costo es mayor que el de los inversores de onda cuadrada
La corriente continua se hace pasar a través de un o cuasi-senoidal, además de tener aplicaciones limitadas, pues
transformador, primero en una dirección y luego en la otra sólo algunos motores de inducción y aparatos de control y
mediante un sistema de conmutación. El dispositivo de equipo médico requieren una forma de onda senoidal pura.
conmutación que cambia la dirección de la corriente debe Para otro tipo de cargas, es preferible utilizar inversores
actuar con rapidez. menos caros pero eficientes. Por ejemplo, un taladro podrá
A medida que la corriente pasa a través de la cara primaria operar perfectamente con cualquier tipo de onda; un televisor
del transformador, la polaridad cambia 120 veces cada a color y una PC requieren, por lo menos, que la onda sea
segundo. Como consecuencia, la corriente que sale del cuasi-senoidal; finalmente, un timer opera mejor si el tipo de
secundario del transformador va alternándose, con una onda es senoidal.
frecuencia de 60 ciclos completos por segundo.
La dirección del flujo de corriente a través de la cara
primaria del transformador se cambia muy bruscamente, de
manera que la forma de onda del secundario es "cuadrada".
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Fig. 5. Gráfica de la onda de salida de los 3 tipos de inversores.
 Inversores conectados a suministro público
Existen también inversores y equipos preparados para ser
conectados a una red pública de suministro de energía
eléctrica, que nos permiten inyectar en dicha red la energía
fotovoltaica que nos sobre y poder de esta forma cobrar los
kWh sobrantes que se han generado.
 Inversores cargadores
Un inversor cargador es un dispositivo que, además de
convertir la corriente continua (CC) a corriente alterna (CA),
tiene la función inversa de transformar la CA en CD y es
capaz de recargar un banco de baterías. Cuando la energía
fotovoltaica no se encuentra disponible, el inversor es capaz
de proveer energía a las cargas, mediante el banco de baterías,
y por medio de un generador de electricidad, llevar a cabo el
proceso de carga de baterías.
Fig. 6. Esquemático en bloques de un inversor cargador.
Existen inversores con diferentes capacidades que permiten
un amplio rango de aplicaciones. De igual manera, deben
seguirse consideraciones para seleccionar un inversor según su
capacidad.
La suma de las potencias de los equipos a operar
simultáneamente deberá ser cuando mucho el 80% de la
potencia nominal del inversor. Si el inversor opera
continuamente las 24 horas se deberá seleccionar uno que al
menos tenga 90% de eficiencia. Si por el contrario el uso será
esporádico, se podrá optar por uno de baja eficiencia que será
mucho más económico. El voltaje del inversor se especifica
tanto por el voltaje de entrada en CD (12, 24, 48, etc.) como el
voltaje de salida en AC (127 o 220).
Además, debe considerarse la capacidad del inversor para
resistir potencias pico producidas por cargas inductivas que se
3
generan, al inicio de operación de las cargas durante breves
instantes, sin que se colapse el inversor (arranque de motores,
arranque de lámparas fluorescentes, etc.).
En un inversor senoidal se exige Alta Eficiencia (70%
trabajando a una potencia igual al 20% de la nominal; 85%
cuando trabaje a una potencia superior al 40% de la nominal).
Los inversores deben dimensionarse de dos formas. La
primera es considerando los Watts de potencia eléctrica que el
inversor puede suministrar durante su funcionamiento normal
de forma continua.
Los inversores son menos eficientes cuando se utilizan a un
porcentaje bajo de su capacidad. Por esta razón no es
conveniente sobredimensionarlos, deben ser elegidos con una
potencia lo más cercana posible a la de la carga de consumo.
La segunda forma de dimensionar el inversor es mediante la
potencia de arranque. Algunos inversores pueden suministrar
más de su capacidad nominal durante períodos cortos de
tiempo. Esta capacidad es importante cuando se utilizan
motores u otras cargas que requieren de 2 a 7 veces más
potencia para arrancar que para permanecer en marcha una vez
que han arrancado (motores de inducción, lámparas de gran
potencia).
B. MOSFET
Un MOSFET es un transistor de efecto de campo metal-
óxido-semiconductor (en inglés Metal-oxide-semiconductor
Field-effect transistor), utilizado para amplificar o conmutar
señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la
industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o
digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más
popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales están basados en transistores
MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales
llamados fuente (S, Source), drenador (D, Drain), puerta (G,
Gate) y sustrato (B, Body). Sin embargo, el sustrato
generalmente está conectado internamente al terminal de
fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.
El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente
incorrecto ya que el aluminio que fue el material de la puerta
hasta mediados de 1970 fue sustituido por el silicio
policristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-
alineadas. Las puertas metálicas están volviendo a ganar
popularidad, dada la dificultad de incrementar la velocidad de
operación de los transistores sin utilizar componentes
metálicos en la puerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado
como aislante en la puerta también se ha reemplazado por
otros materiales con el propósito de obtener canales fuertes
con la aplicación de tensiones más pequeñas.
Un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET
(Insulated-gate field-effect transistor) es un término
relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término
IGFET es más inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET
utilizan una puerta que no es metálica, y un aislante de puerta
que no es un óxido. Otro dispositivo relacionado es el
MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-
aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-
effect transistor).
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Existen distintos símbolos que se utilizan para representar el
transistor MOSFET. El diseño básico consiste en una línea
recta para dibujar el canal, con líneas que salen del canal en
ángulo recto y luego hacia afuera del dibujo de forma paralela
al canal, para indicar la fuente y el drenador. En algunos
casos, se utiliza una línea segmentada en tres partes para el
canal del MOSFET de enriquecimiento, y una línea sólida
para el canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra línea es
dibujada en forma paralela al canal para destacar la puerta.
La conexión del sustrato, en los casos donde se muestra, se
coloca en la parte central del canal con una flecha que indica
si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha siempre apunta
en la dirección P hacia N, de forma que un NMOS (Canal N
en una tina P o sustrato P) tiene la flecha apuntando hacia
adentro (desde el sustrato hacia el canal). Si el sustrato está
conectado internamente a la fuente (como generalmente ocurre
en dispositivos discretos) se conecta con una línea en el dibujo
entre el sustrato y la fuente.
Si el sustrato no se muestra en el dibujo (como
generalmente ocurre en el caso de los diseños de circuitos
integrados, debido a que se utiliza un sustrato común) se
utiliza un símbolo de inversión para identificar los transistores
PMOS, y de forma alternativa se puede utilizar una flecha en
la fuente de forma similar a como se usa en los transistores
bipolares (la flecha hacia afuera para un NMOS y hacia
adentro para un PMOS).
En esta figura se tiene una comparación entre los símbolos
de los MOSFET de enriquecimiento y de empobrecimiento,
junto con los símbolos para los JFET (dibujados con la fuente
y el drenador ordenados de modo que las tensiones más
elevadas aparecen en la parte superior del símbolo y la
corriente fluye hacia abajo).
Fig. 7. Símbolos de los diferentes tipos de MOSFET’s.
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados
en la estructura MOS. Los primeros son los MOSFET de
enriquecimiento los cuales se basan en la creación de un canal
entre el drenador y la fuente, al aplicar una tensión en la
puerta. La tensión de la puerta atrae portadores minoritarios
hacia el canal, de manera que se forma una región de
inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que tenía
el sustrato originalmente.
El término enriquecimiento hace referencia al incremento
de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la
cantidad de portadores de carga en la región correspondiente
al canal. El canal puede formarse con un incremento en la
concentración de electrones (en un NMOSFET o NMOS), o
huecos (en un PMOSFET o PMOS).
4
De este modo un transistor NMOS se construye con un
sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un
transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un
canal de tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento o deplexión tienen un
canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer
desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la
puerta, lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de
portadores de carga y una disminución respectiva de la
conductividad.
C. Amplificador Operacional (OPAM)
Un amplificador operacional, a menudo conocido op-amp
por sus siglas en inglés (operational amplifier) es un
dispositivo amplificador electrónico de alta ganancia acoplado
en corriente continua que tiene dos entradas y una salida. En
esta configuración, la salida del dispositivo es, generalmente,
de cientos de miles de veces mayor que la diferencia de
potencial entre sus entradas.
Los diseños varían entre cada fabricante y cada producto,
pero todos los Amplificadores Operacionales tienen
básicamente la misma estructura interna, que consiste en tres
etapas:
1. Amplificador diferencial: es la etapa de
entrada que proporciona una baja amplificación
del ruido y gran impedancia de entrada. Suelen
tener una salida diferencial.
2. Amplificador de tensión: proporciona
ganancia de tensión.
3. Amplificador de salida: proporciona la
capacidad de suministrar la corriente necesaria,
tiene una baja impedancia de salida y, usualmente,
protección frente a cortocircuitos. Éste también
proporciona una ganancia adicional.
Fig. 8. Circuito equivalente de un OPAM.
III. DESARROLLO DEL PROBLEMA
El proyecto fue realizado en diferentes etapas. Debido a la
complejidad y cantidad de temas que debieron ser
investigados extraclase por parte de los alumnos, la tarea fue
dividida en cuatro principales rubros:
1. MOSFET’s
2. OPAM’s
3. Funcionamiento de un inversor
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4. Diseño y simulación del circuito. El voltaje RMS de salida se puede calcurar con la siguiente
expresión:
Cada integrante del equipo se responsabilizó de investigar,
dominar e implementar el tema o aspecto del proyecto que le
fue asignado.
Las etapas fueron las siguientes:
 Reparto de aspectos/temas a cada integrante.
 Investigación teórica de temas. Se puede ampliar esta ecuación para que exprese el volatje
 Reunión preliminar 1. instantáneo de salida en forma de serie de Fourier, como
 Implementación de información. sigue:
 Reunión preliminar 2.
 Aplicación de caso general de inversor a las
particularidades del proyecto.
 Reunión final para concentrar el trabajo realizado.

Y para n=1, la ecuación anterior expresa el valor RMS de la

IV. DEMOSTRACIÓN MATEMÁTICA DEL FUNCIONAMIENTO DEL
CIRCUITO componente fundamental:
Para la demostración matemática del funcionamiento del
circuito se consideran los 4 interruptores periódicos. Cuando
los transistores Q1 y Q2 encienden en forma simultánea, el
voltaje de alimentación Vs aparece a través de la carga. Si los
transistores Q3 y Q4 se encienden al mismo tiempo, se
invierte el voltaje a través de la carga y es -Vs. La corriente instantánea para una carga RL, es:

Donde:

Cuando conducen los diodos D1 y D2, la energía se regresa

a la fuente de DC, y por consiguiente se les llama diodos de
retroalimentación.
Sin tener en cuenta las pérdidas, el balance instantáneo de
potencia es:

Fig. 9. Diagrama de un puente monofásico completo, las formas de onda y de

la corriente en una carga altamente inductiva.
Para este modelo existen 5 estados de conmutación. Los
transistores Q1 y Q4 funcionan como dispositivos de
conmutación S1 y S4, respectivamente. Si al mismo tiempo
conducen dos interruptores: uno superior y uno inferior, de tal
modo que el voltaje de salida es +- Vs, el estado de
conmutación es 1, mientras que, si están apagados al mismo
tiempo, el estado de conmutación es 0.
Para una carga inductiva, y para frecuencias de comutación
relativamente altas, se puede suponer que la corriente I0 de
carga y el voltaje de salida son senoidales. Ya que el voltaje de
alimentación de DC permanece constante, Vs(t)=Vs, se
obtiene:
Que se puede simplificar para teterminar la corriente DC de
alimentación de esta forma:

En la que Vo1 es el voltaje RMS fundamental de salida, Io

es la corriente RMS en la carga y θ1 es el ángulo de
Fig. 10. Estados de conmutación.
impedancia de carga a la frecuencia fundamental.
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Las salidas de los inversores prácticos contienen armónicas,
y la calidad de un inversor se suele evaluar en términos de los
siguientes parámentros de rendimiento.

 Factor armónico de la n-ésima armónica (HFn): el

factor armónico de la n-ésima armónica es una
medida de la contribución de esta armónica en
particular, definida como:

Donde V1 es el valor RMS de la componente

fundamental y Von es el valor RMS de la n-ésima
componente armónica.
 Distorsión armónica total (THD): La distorsión
armónica total, que es una medida de la coincidencia
de formas entre una onda y su componente
fundamental, se define como

 Factor de distorisón: La THD expresa el contenido

total de armónicas, pero no indica el nivel de cada
componente armónico. Se se usa un filtro a ala salida
de los inversores, las armónicas de orden mayor se
atenúan con más eficacia.
Por consiguiente, es importante conocer tanto la
frecuencia como la magnitud de cada armónica. El
DF indica la cantidad de distorsión armónica que
queda en determinada forma de onda después de
someter las armónicas de esa onda a una atenuación
de segundo orden, es decir, dividirlas entre n2.
Así, el factor de distorsión es una medida de
laeficacia de la reducción de armónicas no deseadas,
sin tener que especificar los valores de un filtro de V. DISEÑO DEL CIRCUITO
carga de segundo orden, y se define como:
El diseño del circuito se construyó en el programa de
simulación de circuitos MULTISIM. Como ya se dijo, la
estructura del inversor es monofásica de puente completo.
Fueron usados:
 4 MOSFET’s modelo IRZ44N.
 6 resistencias de 4K Ω.
El DF de un componente armónico individual se  1 resistencia de 200 Ω.
define como:  1 resistencia de .05 Ω.
 1 fuente de voltaje DC de 24V.
 1 capacitor de 800µF.
 2 generadores de señales.
 2 OPAM’s modelo LM339AD.
 1 transformador con relación de vueltas 10:100.
 Armónica de orden más bajo (LOH): La LOH es
aquel componente armónico cuya frecuencia se
acerca más a la de la fundamental, y su amplitud es
mayor o igual al 3% de la componente fundamental.
Para el caso particular de nuestro circuito, obtenemos los
siguientes datos:
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Fig. 11. Diseño del circuito inversor monofásico de puente completo
mediante el programa MULTISIM.
Fig. 12. Diseño del circuito comparador de ondas por medio de OPAM’s
LM339AD.
VI. SIMULACIÓNES CON CARGA FIJA Y CARGA VARIABLE
A continuación, se presentan los resultados de las
simulaciones del circuito anterior presentando la carga de 20Ω
que fue requerida como aspecto de diseño.
Seguido de esto, una simulación con una carga variable fue
integrada, para observar el comportamiento del ensamble bajo
condiciones diferentes.
Lo anterior se llevó a cabo para comprobar que el
dispositivo fue diseñado correctamente y asegurarse de que, al
variar la carga, el voltaje de salida permanecerá inmutable.
Fig. 13. Gráfica de simulación del circuito con R=20 Ω.
7
Fig. 14. Gráfica de simulación del circuito con R=200 Ω.
Lo que se observa en color rojo, es la onda senoidal a la
salida del transformador, con una amplitud de 120V aprox. En
azul, encontramos la señal senoidal de referencia con la que
trabajan los OPAM’s, al igual que en color morado la señal
triangular.
VII. RESULTADOS CON CARGA FIJA Y CARGA VARIABLE
Para el caso de la carga fija, encontramos que a la salida de
los transistores existe un voltaje V=12V AC, y al pasar por el
transformador, se eleva a 120V AC.
Se requieren de aproximadamente 35ms para estabilizar los
picos de la onda de salida, llegando a un valor de 117V AC.
Es necesario este tiempo para estabilizarse ya que los
comparadores (OPAM’s) contienen cargas residuales.
Para el caso de la carga variable, encontramos que a la
salida de los transistores existe un voltaje V=12V AC, y al
pasar por el transformador, se eleva a 120V AC.
Se requieren de aproximadamente 35ms para estabilizar los
picos de la onda de salida, llegando a un valor de 117V AC.
Es necesario este tiempo para estabilizarse ya que los
comparadores (OPAM’s) contienen cargas residuales.
Un fenómeno muy particular que se manifestó fue la
generación de un pico de voltaje de 2.5kV previo a la
estabilización de la onda. Después de investigar, se descubrió
que esto es provocado por la idealidad del modelo. En otras
palabras, no se consideran los tiempos de ON y OFF de los
MOSFET’s, lo que provoca que, en ciertos intervalos,
aparezcan funcionando los 4 transistores al mismo tiempo,
generando una condición de corto circuito.
VIII. CONCLUSIONES
Se puede concluir que se lograron los objetivos planteados
para el desarrollo de este equipo, en cuanto a tamaño, potencia
y operación. De esta forma, los resultados experimentales
obtenidos muestran un buen funcionamiento del conjunto.
Respecto al diseño y puesta en marcha de la fuente, destacar
la fuerte dependencia de la señal de salida, respecto al diseño
del filtro. Un condensador demasiado pequeño genera un
rizado muy acusado en la señal, y una bobina de alta
inductancia reduce la amplitud de salida debido a su mayor
impedancia.
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Se concluye también que el modelado y diseño del circuito
de rectificación con OPAM’s es fundamental, sin embargo,
más importante para la aplicación práctica del dispositivo es el
transformador que elevará los voltajes al valor deseado para su
implementación operativa.

IX. REFERENCIAS

 Ricardo Alba Colmenero. (2014). MODELADO Y

CONTROL DE CONVERTIDORES DC/AC DE
CUATRO CONDUCTORES. 5 Junio 2016, de
UCIIIM Sitio web: http://e-
archivo.uc3m.es/bitstream/handle/10016/6955/PFC_
Daniel_Estrella_Alvaro.pdf?sequence=2

 Dillian Alejandro Torres. (2012). Inversor de voltaje

DC AC. 5 Junio 2016, de Corporacion Universitaria
Minuto de Dios Sitio web:
http://repository.uniminuto.edu:8080/jspui/bitstream/
10656/2583/1/TTE_MorenoFontechaEdissonSaul_%
202012.pdf
 Muhammad H. Rashid. (2004). Elecrtrónica de
Potencia. Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones.
México, DF: Prentice Hall.