EL DIODO IDEAL

Antes de examinar la construcción y características de un dispositivo real, consideremos

primero un dispositivo ideal, para proporcionar una base comparativa. El diodo ideal es un
dispositivo de dos terminales que tiene el símbolo y las características que se muestran en la
figura 1.1a y b, respectivamente.

(a)

(b)

Figura 1.1 Diodo ideal: (a) símbolo; (b) característica.

En forma ideal, un diodo conducirá corriente en la dirección definida por la flecha en el símbolo
y actuará como un circuito abierto para cualquier intento de establecer corriente en la dirección
opuesta. En esencia.

Las características de un diodo ideal son las de un interruptor que puede conducir corriente en
una sola dirección.
En la descripción de los elementos que sigue, un aspecto muy importante es la definición de los
símbolos literales, las polaridades de voltaje y las direcciones de corriente. Si la polaridad del
voltaje aplicado es consistente con la que se muestra en la figura 1.1.a, la parte de las
características que se consideran en la figura 1.1.b, se encuentra a la derecha del eje vertical.
Si se aplica un voltaje inverso, las características a la izquierda son pertinentes. En el caso de
que la corriente a través del diodo tenga la dirección que se indica en la figura 1.1.a, la parte de
las características que se considerará se encuentra por encima del eje horizontal, en tanto que
invertir la dirección requerirá el empleo de las características por debajo del eje.

Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o región de

operación. Si consideramos la región definida por la dirección de ID y la polaridad de VD en la
figura 1.1.a (cuadrante superior derecho de la figura 1.1.b), encontraremos que el valor de la
resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es:

(Circuito cerrado)

Donde VF es el voltaje de polarización directo a través del diodo e IF es la corriente en sentido

directo a través del diodo.

El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la región de conducción.

Si consideramos la región del potencial aplicado negativamente (tercer cuadrante) de la figura

1.1.b,

(Circuito abierto)

Donde VR es el voltaje de polarización inverso a través del diodo e IR es la corriente inversa en

el diodo.

El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la región en la que no hay

conducción.

En síntesis, se aplican las condiciones que se describen en la figura 1.2.

 Figura 1.2 Estados (a) de conducción y (b) de no conducción del diodo ideal.

En general, es relativamente sencillo determinar si un diodo se encuentra en la región de

conducción o en la de no conducción observando tan solo la dirección de la corriente
ID establecida por el voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al de los electrones),
si la corriente resultante en el diodo tiene la misma dirección que la de la flecha del mismo
elemento, éste opera en la región de conducción. Esto se representa en la figura 1.3a. Si la
corriente resultante tiene la dirección opuesta, como se muestra en la figura 1.3b, el circuito
abierto equivalente es el apropiado.

Figura 1.3 (a) Estado de conducción y (b) de no conducción del diodo ideal determinados por la
dirección de corriente de la red aplicada.

UNION P-N

Casi todos los diodos que se fabrican hoy en día están formados por dos tipos de silicio
diferentes, unidos entre sí.
Este conjunto sería del tipo N, ya que deja un electrón libre pues le sobra del enlace, con lo que
el átomo (azul) se convierte en un ión positivo al mismo tiempo que contribuye con la
generación de un electrón libre, a este átomo lo representaremos:

En el caso del tipo P, dejaría un hueco libre, con lo que el átomo se convierte en un ión
negativo al mismo tiempo que contribuye con la generación de un hueco libre, a este átomo lo
representaremos:

Silicio tipo P y silicio tipo N separados

Cuando se efectúa esta unión, los electrones y los huecos inmediatos a la unión se atraen,
cruzan la unión y se neutralizan.

Silicio tipo P y silicio tipo N unidos.- UNIÓN P-N

Según este proceso inicial, la zona N próxima a la unión ha perdido electrones y por tanto
queda cargada positivamente. Igualmente la zona P próxima a la unión ha perdido huecos, con
lo que queda cargada negativamente.

Al quedar la zona N próxima a la unión cargada positivamente, rechazará a los huecos de la

zona P que quieren atravesar la unión. Exactamente igual la zona P próxima a la unión
impedirá el paso de los electrones provenientes de la zona N

Por tanto en la zona próxima a la unión aparece una diferencia de potencial llamada "Barrera
de potencial interna", que impide el paso de portadores mayoritarios a través de la unión, no
pudiendo existir corriente.

PRINCIPIO DE OPERACIÓN DE UN DIODO

El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P

tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones)

Cuando una tensión positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el
lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a través del material P mas allá de los
límites del semiconductor.

De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensión negativa al lado
del material N y los huecos fluyen a través del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P,
los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al
lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no
hay corriente

POLARIZACIÓN DE DIODOS

El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras diferentes:

 Polarización directa

Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha

(la del diodo), o sea del ánodo al cátodo.

En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportándose prácticamente
como un corto circuito.

 Polarización inversa

Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la

flecha (la flecha del diodo), o sea del cátodo al ánodo.

En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prácticamente como un

circuito abierto.

Nota: El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo ideal, esto quiere decir que el
diodo se toma como un elemento perfecto (como se hace en casi todos los casos), tanto
en polarización directa como en polarización inversa.

http://www.unicrom.com/Tut_diodo.asp

http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/diodo.htm
 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS DE LOS DIODOS

La curva característica típica de un diodo semiconductor imaginario, tal como podemos ver en
el gráfico, el cual nos va a dar datos sobre el comportamiento de este componente electrónico.
El comportamiento de los diodos es más o menos similar al proporcionado por esa curva, pero
los valores resultantes pueden cambiar según la potencia del diodo. Pasemos a explicar el
gráfico entonces:
En primer lugar tenemos la corriente en
sentido directo (If) representada en
miliamperios (mA) que es la corriente
que puede circular por el diodo cuando
éste presenta la mínima resistencia. Por
otra parte, en la línea horizontal derecha
tenemos la escala de las tensiones
directas (Vf) expresadas en voltios (V) a
que puede ser sometido el diodo para el
paso de la corriente. Todo eso
constituye la característica directa, es
decir, el paso de la corriente en sentido
de paso. Un diodo que tuviera las
características representadas en este gráfico, al aplicarle una tensión de 20 V ya dejaría pasar
unos 10 mA, pero entre 20 y 35 V se 'dispararía' y dejaría pasar más de 60 mA.
En la característica inversa, que está representada por la izquierda y en la parte baja del
gráfico, se trata de mostrar el funcionamiento del diodo en el sentido de bloqueo. Obsérvese
que aquí la tensión inversa (Vr) está en unidades de kilovoltios (kV), es decir, fracciones de
1000 V; y la intensidad (Ir) en fracciones mucho más pequeñas, de microamperios (uA), es
decir, fracciones que equivalen a 1/1000000 de amperio. Para que la corriente acceda a pasar
en sentido contrario en un diodo como el representado se precisaría una tensión entre 500 a
600 voltios con lo cual se produciría el paso de corrientes del orden de los 0,50 miliamperios.
Los valores de la característica inversa se llaman corrientes de fuga (Ir).

TIPOS DE DIODOS

Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n, por lo
que también reciben la denominación de unión pn. Hay que destacar que ninguno de los dos
cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en cada cristal, el número de electrones y
protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son
neutros. (Su carga neta es 0).
Formación de la zona de carga espacial

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p.

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión,
zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de
deplexión, de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va incrementando su

anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la
acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo
eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza
de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.

Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las
zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 Ven el caso del silicio y 0,3 V si los
cristales son de germanio.

Existen también diodos de protección térmica los cuales son capaces de proteger cables.
 A (p) C ó K (n)

Representación simbólica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo está
polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.

 Diodos rectificadores
 Diodo de unión
 Diodo de punta de contacto
 Diodo avalancha
 Fotodiodo
 Diodo Gunn
 Diodo láser
 Diodo LED (e IRED)
 Diodo p-i-n
 Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky
 Diodo Shockley (diodo de cuatro capas)
 Diodo túnel o diodo Esaki
 Diodo Varicap
 Diodo Zener

DIODOS RECTIFICADORES

Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos más sencillos. El
nombre diodo rectificador” procede de su aplicación, la cual consiste en separar los ciclos
positivos de una señal de corriente alterna.

Si se aplica al diodo una tensión de corriente alterna durante los medios ciclos positivos, se
polariza en forma directa; de esta manera, permite el paso de
la corriente eléctrica.

Pero durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de

manera inversa; con ello, evita el paso de la corriente en tal
sentido.

Durante la fabricación de los diodos rectificadores, se

consideran tres factores: la frecuencia máxima en que realizan
correctamente su función, la corriente máxima en que pueden
conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa
máximas que soportarán.
Una de las aplicaciones clásicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de
alimentación; aquí, convierten una señal de corriente alterna en otra de corriente directa.

Aplicaciones

Los diodos rectificadores se usan principalmente en: circuitos rectificadores, circuitos fijadores,
circuitos recortadores, diodos volantes. Los diodos Zener se usan en circuitos recortadores,
reguladores de voltaje, referencias de voltaje.

DIODOS DE UNIÓN

Es el que consta de un cristal de germanio o de silicio,

debidamente dopado, y tiene una forma cilíndrica. Son
diodos para baja potencia que se usan mucho como
rectificadores de pequeños aparatos. A esta clase de diodo
también se le conoce con el nombre de diodos de juntura.
Es muy conveniente aprenderse de memoria cada uno de los símbolos electrónicos de los
diodos, ello nos facilitará la comprensión de los esquemas.

DIODOS DE PUNTA DE CONTACTO

Poseen unas propiedades similares a los diodos de

unión y la única diferencia es, en todo caso, el sistema
de construcción que se ha aplicado. En la imagen se
muestra un esquema de uno de estos elementos que
consta de una punta de contacto en forma de muelle (1)
que se hay conectada con un cristal de tipo P (2), el cual
se haya a su vez en contacto con un cristal de tipo N
(3). En la parte baja, una base metálica hace de soporte y asegura la rigidez del conjunto.
Exactamente igual que ocurre con los diodos de unión, el diodo de punta de contacto se
comporta dejando pasar la corriente en un solo sentido.

DIODO AVALANCHA

Es un diodo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa. En estos

diodos, poco dopados, cuando la tensión en polarización inversa alcanza el valor de la tensión
de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de la
temperatura se aceleran debido al campo eléctrico incrementando su energía cinética, de forma
que al colisionar con electrones de valencia los liberan; éstos a su vez, se aceleran y colisionan
con otros electrones de valencia liberándolos también, produciéndose una avalancha de
electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas
incremento de la tensión.

Aplicación
La aplicación típica de estos diodos es la protección de circuitos electrónicos contra
sobretensiones. El diodo se conecta en inversa a tierra, de modo que mientras la tensión se
mantenga por debajo de la tensión de ruptura sólo será atravesado por la corriente inversa de
saturación, muy pequeña, por lo que la interferencia con el resto del circuito será mínima; a
efectos prácticos, es como si el diodo no existiera. Al incrementarse la tensión del circuito por
encima del valor de ruptura, el diodo comienza a conducir desviando el exceso de corriente a
tierra evitando daños en los componentes del circuito.

FOTODIODO

Es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz

visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo
que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su
construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de
luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en
el cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de
oscuridad.

Los diodos tienen un sentido normal de circulación de

corriente, que se llama polarización directa. En ese
sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica y
prácticamente no lo permite en el inverso. En el
fotodiodo la corriente (que varía con los cambios de la
luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por
la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el
fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de
corriente cuando el diodo es excitado por la luz.

Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos
mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados al ser multiplicados en la zona
de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del
dispositivo.

El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir sus

propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de
hasta 1µm); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 µm); o de cualquier
otro material semiconductor.

APLICACIÓN
 A diferencia del LDR, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminación y
viceversa con mucha más velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de
respuesta más pequeño.
 Se usa en los lectores de CD, recuperando la información grabada en el surco del Cd
transformando la luz del haz láser reflejada en el mismo en impulsos eléctricos para ser
procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.
 Usados en fibra óptica

DIODO GUNN

Es una forma de diodo usado en la electrónica de alta frecuencia. A diferencia de los diodos
ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N,
razón por lo que impropiamente se le conoce como diodo. Existen en este dispositivo tres
regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada región
intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a través
de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en los extremos.
Eventualmente esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona
de resistencia negativa.

La frecuencia de la oscilación obtenida a partir de este efecto, es determinada parcialmente por

las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo, pero también puede ser ajustada
exteriormente. Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de
frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias aún más altas (hasta Terahertz).
Este diodo se usa en combinación con circuitos resonantes construidos con guías de ondas,
cavidades coaxiales y resonadores YIG (monocristal de granate Itrio y hierro), y la
sintonización es realizada mediante ajustes mecánicos, excepto en el caso de los resonadores
YIG en los cuales los ajustes son eléctricos.

Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz,
mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3 Terahertz.

Este efecto Gunn es un instrumento eficaz para la generación de oscilaciones en el rango de

las microondas en los materiales semiconductores.

El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unión
misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de tensión y corriente y no es
afectado por campos magnéticos.

Cuando se aplica una pequeña tensión continua a través de una placa delgada de Arseniuro de
Galio (GaAs), ésta presenta características de resistencia negativa. Todo esto ocurre bajo la
condición de que la tensión aplicada a la placa sea mayor a los 3,3 voltios/cm. Si dicha placa es
conectada a una cavidad resonante, se producirán oscilaciones y todo el conjunto se puede
utilizar como oscilador.
Este efecto sólo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las
oscilaciones se dan sólo cuando existe un campo eléctrico. Estas oscilaciones corresponden
aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan para atravesar la placa de material
tipo N cuando se aplica la tensión continua.

DIODO LÁSER

El diodo láser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que bajo las
condiciones adecuadas emite luz láser. A veces se los denomina diodos láser de inyección, o
por sus siglas inglesas LD o ILD.

En los diodos láser, para favorecer la emisión estimulada y generación de luz láser, el cristal
semiconductor del diodo puede tener la forma de una lámina delgada con un lado totalmente
reflectante y otro sólo reflectante de forma parcial (aunque muy reflectante también),
lográndose así una unión PN de grandes dimensiones con las caras exteriores perfectamente
paralelas y reflectantes. Este conjunto forma una guía de onda similar a un resonador de
tipo Fabry-Perot. En ella, los fotones emitidos en la dirección adecuada se reflejarán
repetidamente en dichas caras reflectantes (en una totalmente y en la otra sólo parcialmente),
lo que ayuda a su vez a la emisión de más fotones estimulados dentro del material
semiconductor y consiguientemente a que se amplifique la luz (mientras dure el bombeo
derivado de la circulación de corriente por el diodo). Parte de estos fotones saldrá del diodo
láser a través de la cara parcialmente transparente (la que es sólo reflectante de forma parcial).
Este proceso da lugar a que el diodo emita luz, que al ser coherente en su mayor parte (debido
a la emisión estimulada), posee una gran pureza espectral. Por tanto, como la luz emitida por
este tipo de diodos es de tipo láser, a estos diodos se los conoce por el mismo nombre.

Ventajas

 Son muy eficientes.

 Son muy fiables.
 Tienen tiempos medios de vida muy largos.
 Son económicos.
 Permiten la modulación directa de la radiación emitida, pudiéndose modular a décimas de
Gigahercio.
 Su volumen y peso son pequeños.
 El umbral de corriente que necesitan para funcionar es relativamente bajo.
 Su consumo de energía es reducido (comparado con otras fuentes de luz)
 El ancho de banda de su espectro de emisión es angosto (puede llegar a ser de sólo
algunos kHz)

Aplicación

 Comunicaciones de datos por fibra óptica.

 Lectores de CDs, DVDs y formatos derivados.
 Interconexiones ópticas entre circuitos integrados.
 Impresoras láser.
 Escáneres o digitalizadores.
 Sensores.

DIODO LED

Diodo emisor de luz, también conocido

como LED (acrónimo del inglés de Light-Emitting Diode) es un
dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de
espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unión
PN del mismo y circula por él una corriente eléctrica. Este fenómeno
es una forma de electroluminiscencia. El color (longitud de onda),
depende del material semiconductor empleado en la construcción del diodo y puede variar
desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Los diodos emisores de luz que
emiten luz ultravioleta también reciben el nombre de UV LED(UltraViolet Light-Emitting Diode) y
los que emiten luz infrarroja suelen recibir la denominación de IRED (Infra-
Red Emitting Diode).

Aplicaciones

Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a
distancia de televisores, habiéndose generalizado su uso en otros electrodomésticos como
equipos de aire acondicionado, equipos de música, etc. y en general para aplicaciones
de control remoto, así como en dispositivos detectores, además de ser utilizados para transmitir
datos entre dispositivos electrónicos como en redes de computadoras y dispositivos
como teléfonos móviles, computadoras de mano, aunque esta tecnología de transmisión de
datos ha dado paso al bluetooth en los últimos años, quedando casi obsoleta.

Los LEDs se emplean con profusión en todo tipo de indicadores de estado

(encendido/apagado) en dispositivos de señalización (de tránsito, de emergencia, etc.) y en
paneles informativos (el mayor del mundo, del NASDAQ, tiene 36,6 metros de altura y está
en Times Square, Manhattan). También se emplean en el alumbrado de pantallas de cristal
líquido de teléfonos móviles, calculadoras, agendas electrónicas, etc., así como en bicicletas y
usos similares. Existen además impresoras LED.

Ventajas

Fiabilidad, mayor eficiencia energética, mayor resistencia a las vibraciones, mejor visión ante
diversas circunstancias de iluminación, menor disipación de energía, menor riesgo para el
medio ambiente, capacidad para operar de forma intermitente de modo continuo, respuesta
rápida, etc. Asimismo, con LEDs se pueden producir luces de diferentes colores con un
rendimiento luminoso elevado.

Para conectar LEDs de modo que iluminen de forma continua, deben estar polarizados
directamente, es decir, con el polo positivo de la fuente de alimentación conectada al ánodo y
el polo negativo conectado al cátodo. Además, la fuente de alimentación debe suministrarle
una tensión o diferencia de potencial superior a su tensión umbral. Por otro lado, se debe
garantizar que la corriente que circula por ellos no excede los límites admisibles (Esto se puede
hacer de forma sencilla con una resistencia R en serie con los LEDs, lo que dañaría
irreversiblemente al LED). Unos circuitos sencillos que muestran cómo polarizar directamente
LEDs son los siguientes:

Circuito de LED

Este circuito está compuesto en su forma más simple por una fuente de alimentación (de
corriente continua), un LED (el ánodo es generalmente la pata más larga) y una resistencia.
Estos tres componentes son conectados en serie, la terminal positiva de la fuente de poder se
conecta al ánodo del diodo, el cátodo del diodo se conecta a una de las patas de la resistencia
y la otra se conecta al terminal negativo de la fuente de alimentación.

Fórmula para calcular la resistencia

La fórmula a usar para calcular el valor correcto de la resistencia del circuito es:
Donde:

 Voltaje de la fuente de alimentación, es el voltaje aplicado al circuito (como una batería de

9 voltios)
 Caída de voltaje del LED, es el voltaje necesario para el funcionamiento del LED,
generalmente está entre 1.7 y 3.3 voltios, depende del color del diodo y de la composición
de metales.
 Rango de corriente del LED, es determinado por el fabricante, usualmente está en el rango
de unos pocos miliamperios.

DIODO P-I-N

Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor
intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N(estructura P-I-N que da nombre al
diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P de
alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad (ν).

El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:

 conmutador de RF
 resistencia variable
 protector de sobretensiones
 fotodetector

DIODO SCHOTTKY

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del

físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que
proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción
directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de
diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como
tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La
tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como
conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la región Zener, que es
cuando más bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a
pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- éste opere de igual forma como lo
haría regularmente.
Características

La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y eliminar
excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.

A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral —valor de
la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce— de 0,7 V, los diodos Schottky tienen
una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V empleándose, por ejemplo, como
protección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido.

La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias

inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo
Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para
computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutación y mediante su poca
caída de voltaje en directo permite poco gasto de energía.

DIODO SHOCKLEY

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados

estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe
confundir con el diodo de barrera Schottky.

Está formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas

alternadamente. Es un tipo de tiristor.

La característica V-I se muestra en la figura. La región I es la región de alta

impedancia (OFF) y la III, la región de baja impedancia. Para pasar del
estado OFF al ON, se aumenta la tensión en el diodo hasta alcanzar V s, tensión de
conmutación. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que
lo atraviese se incremente y disminuya la tensión, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la
región III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta I h, corriente de
mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todavía más la corriente,
mientras aumenta la tensión en sus terminales, cruzando la región II, hasta que alcanza el
nuevo equilibrio en la región I (Punto A).
DIODO TÚNEL

El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual
se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial
negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión.

La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como

componente activo (amplificador/oscilador).

También se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubrió que una fuerte
contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los portadores de
carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unión. Una característica importante del diodo
túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarización directa.
Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En
consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como
biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que
involucran microondas y que están relativamente libres de los efectos de la radiación.

DIODO VARICAP

El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap)

es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en
el fenómeno que hace que la anchura de la barrera
de potencial en una unión PN varíe en función de la
tensión inversa aplicada entre sus extremos. Al
aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la capacidad del
diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensión. Los valores
de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1 V.

La aplicación de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintonía de TV, modulación de

frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje
(oscilador controlado por tensión).

En tecnología de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la tensión en el

diodo, su capacidad varía, modificando la impedancia que presenta y desadaptando el circuito,
de modo que refleja la potencia incidente.

DIODO ZENER

El diodo Zener, que recibe este nombre por su inventor, el

Dr. Clarence Melvin Zener, es un diodo de silicio que se ha construido
para que funcione en las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos
de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte esencial de los
reguladores de tensión casi constantes con independencia de que se
presenten grandes variaciones de la tensión de red, de la resistencia de carga y temperatura

Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en sus
zonas P y N; al circular una corriente a través de éste se produce una pequeña caída de
tensión de ruptura.

En otras palabras: si un diodo zener está funcionando en la zona zener, un aumento en la

corriente producirá un ligero aumento en la tensión. El incremento es muy pequeño,
generalmente de una décima de voltio.

Los diodos Zener mantienen la tensión entre sus terminales prácticamente constante en un
amplio rango de intensidad y temperatura, cuando están polarizados inversamente, por ello,
este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o reguladores de la tensión
Símbolos