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Loja, Ecuador
,
1jobanegas@utpl.edu.ec 1laherrera@utpl.edu.ec, 1hppachar@utpl.edu.ec, 1amceldo@utpl.edu.ec,
1masarango@utpl.edu.ec, 2jorgeluis@utpl.edu.ec
I. INTRODUCCIÓN
En donde:
330𝐼1 − 825𝐼2 = 0
𝑰𝟐 = 𝟐. 𝟏𝟐 𝒎𝑨
𝐼1 = 𝐼3 + 𝐼2
𝐼3 = 𝐼1 − 𝐼2
I3= 5.29-2.12
I3= 3.17mA
𝑉𝑅8 = 𝐼𝑅8 ∗ 𝑅8
𝑉𝑹𝟖 = 𝟑𝟒𝟒. 𝟑𝟑𝒎𝑽
Datos Experimentales
Resistores Intensidad Caída de Voltaje
R1 1,78mA 990,00mV
R2 1,77mA 990,00mV
R3 1,74mA 990,00mV
R4 3,18mA 1,05V
R5 5,32mA 2,99V
R6 2,12mA 690,00mV
R7 1,04mA 350,00mV
R8 1,05mA 350,00mV
Datos Simulación
Resistores Intensidad Caída de Voltaje
Fig. 8. Circuito armado en Protoboard R1 1,76mA 988,00mV
R2 1,76mA 988,00mV
Tabla N. 3. Resultados análisis experimental R3 1,76mA 988,00mV
Resistores Intensidad Caída de R4 3,17mA 1,04V
Voltaje
R5 5,29mA 2,96V
R1 1,78mA 990,00mV
R6 2,12mA 698,66mV
R2 1,77mA 990,00mV
R7 1,06mA 344,33mV
R3 1,74mA 990,00mV
R8 1,06mA 344,33mV
R4 3,18mA 1,05V
R5 5,32mA 2,99V
R6 2,12mA 690,00mV VIII. BIBLIOGRAFÍA
R7 1,04mA 350,00mV
[1]Dorf James A, Svoboda James, “Circuitos eléctricos”, octava edición,
R8 1,05mA 350,00mV Edit. Alfaomega, 2011.