TRANSISTORES MOSFET Y SUS CURVAS

CARACTERISTICAS EN TECNOLOGÍA MOSIS 0.25um

Ing. Uriel Gabriel Zapata Rodríguez
Materia de Micro y Nanosistemas
Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología
Facultad de Ingeniería Campus Boca del Río
Universidad Veracruzana

1 INTRODUCCIÓN

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de

efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción.
Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos
integrados digitales se construyen con la tecnología MOS. Existen dos tipos de
transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A
su vez, estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement) o deplexion
(deplexion); en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí
únicamente serán descritos los MOS de acumulación también conocidos como de
enriquecimiento.

2 ESTRUCTURA FÍSICA

La figura 1 indica los diferentes símbolos utilizados para describir los transistores MOS.

Figura 1. Símbolos de transistores NMOS y PMOS

En la figura 2 a continuación se describe la estructura física de un MOSFET de canal

N con sus cuatro terminales: Compuerta, drenador, fuente y substrato; normalmente el
sustrato se encuentra conectado a la fuente.
La compuerta, cuya dimensión es W·L, está separado del substrato por un dieléctrico
(Si02) formando una estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar una
tensión positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversión) en la
superficie del substrato y se crea un camino de conducción entre los terminales
drenador y fuente.
La tensión mínima para crear esa capa de inversión se denomina tensión umbral o
tensión de threshold (VT) y es un parámetro característico del transistor. Si la VGS<VT,
la corriente de drenador-fuente es nula; valores típicos de esta tensión son de de 0.5 V a
3 V.

Figuro 2. Estructura física de un transistor NMOS

3 REGIONES DE OPERACIÓN

Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura física muy diferente pero sus
ecuaciones analíticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las
mismas regiones de operación: corte, lineal, saturación y ruptura.

En la figura 3 se muestran las curvas de características eléctricas de un transistor

NMOS con las diferentes regiones de operación que son descritas brevemente a
continuación.

Figura 3. Curvas características de un transistor NMOS

• Región de corte

Se verifica que VGS < VT y la corriente ID es nula.

• Región lineal

El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado por tensión.

Regido pos las siguientes ecuaciones:

஽   ீௌ  ் ஽ௌ  ஽ௌ ଶ

ௐ
(1)
௅

0  ஽ௌ  ீௌ  ் (2)

y ீௌ  ் (3)

Un parámetro característico del MOS que depende de la tecnología a través de la

constante k y del tamaño de la puerta del transistor (W la anchura y L la longitud).

• Región saturación

El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión VGS.
Verifica las siguientes ecuaciones:
ೈ

஽  ீௌ  ் ଶ
௞
ಽ
ଶ
(4)
0  ீௌ  ்  ஽ௌ (5)

y ீௌ  ் (6)

siendo ß el parámetro descrito en la ecuación.

En esta región, la relación cuadrática entre VGS e ID se representa en la grafica anterior
de la figura 3, y de una manera similar a los transistores JFET, puede ser utilizada
para determinar por métodos gráficos el punto de polarización de los transistores
aunque rara vez se recurre a ellos.

NMOS PMOS
VGS > 0 VGS < 0
VDS > 0 VDS < 0
ID > 0 ID < 0
VT > 0 VT < 0
Tabla 1. Convenio de signos en las tensiones y corrientes en un NMOS Y PMOS

Por último, señalar que en la tabla se indican las diferencias en el signo y sentido de las
corrientes y tensiones existentes entre transistores NMOS y PMOS.

4 SIMULACIÓN Y CÓDIGO EN T-SPICE

El programa de diseño profesional de circuitos integrados y layouts Tanner 13 posee

herramientas de simulación y análisis de las extracciones de los layouts construidos en
el mismo. Las herramientas de análisis incluidas son T-Spice y Wave viewer del mismo
programa. En el simulador T-Spice se puede introducir la configuración de los
transistores NMOS y PMOS para obtener sus curvas de Corriente-Voltaje
características. En la figura 4 se muestran los diagramas esquemáticos de los circuitos
simulados, no obstante cabe señalar que la simulación no es a partir de un modelo
esquemático sino a partir de una sintaxis literal debido a que en el programa se
estipulan los nodos y valores de acuerdo a una forma de indicarlos ya establecida por el
programa.

Figura 4. Circuitos para la simulación en T-Spice

La sintaxis de los circuitos básica es de manera simple: la indicación de nodos de ramas

de elementos, valores y características adicionales para los elementos de circuito más
complejos. A continuación se presenta una tabla con la sintaxis de los dos circuitos así
como el autor considera no incluye en este reporte los modelos utilizados en el circuito
los cuales ya vienen incluidos en la sintaxis por simplificar el espacio.

*mosfet tipo N *mosfet tipo P

VGS 1 0 DC 0.7 VGS 1 0 DC -0.7
VDS 2 0 DC 2 VDS 2 0 DC -2
M1 2 1 0 0 CMOSN W=1E-6 L=0.24E-6 M1 0 1 2 2 CMOSP W=1E-6 L=0.24E-6

.DC VGS 0 1 0.1 VDS 0 3 0.1 $.DC VGS -2 0 0.1 VDS -2 0 0.1

$$$ Ids VS VDS $$$ Ids VS VDS

$.DC VDS 0 3 0.1 VGS 0 3 0.1 .DC VDS -2 0 0.1 VGS -2 0 0.1
.PRINT I(M1,2) .PRINT I(M1,2)

Tabla 2. Sintaxis de los circuitos simulados en T-Spice

5 RESULTADOS Y DISCUSIÓN

Las figuras 5, 6, 7 y 8 son el resultado de la simulación en T-Spice. Las curvas

características se obtuvieron de la sintaxis anterior, la cual indica un barrido en DC de
las fuentes de voltaje VDS y VGS siendo estas el principal elemento caracterizador del
circuito.
 Curvas Caracteristicas
i(M1,2)
900

800

700

600

500
IDS (uA)

400

300

200

100

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

Voltage (V)

Figura 5. Curvas de IDS-VDS en el simulador para el transistor NMOS

En la figuras 5 y 8 se puede apreciar que debido a que el modelo de simulación usado

de Mosis 0.25um tiene un nivel alto de acercamiento al comportamiento real conforme
el voltaje VDS aumenta la corriente se aplana parcialmente sin dejar de formar una
pendiente debido a los efectos de canal corto (ya que en condiciones ideales la corriente
deveria aplanarse indefinidamente).

NMOS
i(M1,2)

150

100
IDS (uA)

50

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

Voltage (V)

Figura 6. Curvas de IDS-VGS en el simulador para el transistor NMOS

Cabe señalar que las formas y al orientación de las pendientes son inversas debido a la
naturaleza de los dispositivos siendo que estos trabajan a polaridades inversas, de la
misma manera que las corrientes en su comportamiento.
 PMOS
i(M1,2)

-0

-50
IDS (uA)

-100

-150

-200

-2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0

Voltage (V)
Figura 7. Curvas de IDS-VGS en el simulador para el transistor PMOS

En la figuras 6 y 7 se puede apreciarsegun el modelo Mosis 0.25um conforme el voltaje

VGS aumenta la corriente acelera su crecimiento de manera súbita, lo cual muestra lo
preponderante que es la forma de controlar el voltaje de compuerta para habilitar la
conducción.

PMOS
i(M1,2)

-0

-50
Current (uA)

-100

-150

-200

-2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0

Voltage (V)

Figura 8. Curvas de IDS-VDS en el simulador para el transistor PMOS

6 REFERENCIAS

[1] Adel K. Sedra, Kenneth C. Smith, “Circuitos Microelectronicos”. 5ª edición.

Editorial Mc Graw- Hill
[2] Jesús del Alamo, “Microelectronic Design Lecture 2”. MIT Courses.