Índice

Introduccion……………………………………………………………………………pg. 3

Transistor monounión programable…………………………………………………pg. 4

Definición de características………………………………………………………….pg. 4

Definición de fórmulas y variables……………………………………………………pg.5

Operación básica………………………………………………………………………pg.6

Ejercicios ……………………………………………………………………………….pg.6

Conclusión……………………………………………………………………………pg. 7
 Introducción

Los transistores son dispositivos electrónicos construidos de un material

semiconductor de tipos P o tipos N que ofrece una señal de salida respondiendo a
una señal de entrada base. En este sentido los transistores PUT se verán presentes
en diseños de sistemas electrónicos que requieran señales de entrada pequeñas
para manipular señales de salida más grande actuando como un gatillo o un
activador, a continuación, en el presente trabajo pueden apreciarse sus
características y descripción de funcionamiento.
 Transistor monounión programable

Es un dispositivo de 4 capas pnpn con una compuerta conectada

directamente a la capa intermedia de tipo n. Su diagrama esquemático se presenta
en la figura a continuación:

El termino programable se le adjudica

porque la resistencia de base a base (Rbb) ɳ y el
Voltaje de pico de activación (Vp) se pueden
controlar por medio de las resistencias Rb1 y Rb2
y el voltaje de alimentación Vbb como se muestra
en la siguiente figura:

Definición de características

En la gráfica de la izquierda
se representan las características
del dispositivo, que pasa de estar
de un estado apagado a un estado
encendido. Al principio se ven
valores de voltaje voltaje altos
juntos con valores de corrientes
muy bajos, en esta etapa se
establece que el transistor está apagado pues no conduce corriente y puede
tomarse como un circuito abierto. Luego está la región inestable que es la transición
entre la fase se apagado a la fase de encendido, y por último la fase de encendido
en la que la tensión es baja pero los niveles de corriente son altos, de esta forma el
transistor conmuto de un circuito abierto a un circuito cerrado.

Definición de variables y formulas

 Potencial de disparo Vp

Lo definimos como el potencial necesario para

disparar o activar la conmutación del transistor y pase
de circuito abierto a circuito cerrado. Visto de otra forma Vp= Vak, el potencial de
disparo equivale a Vak en el momento en el que el transistor entra en conducción
ya que para que esto suceda Vak > Vg.

 Potencial Vd

Lo establecemos como la caída de voltaje directo a través del semiconductor

y depende de el material. Para semiconductores de silicio equivaldría a 0.7V y para
conductores de germanio equivaldría a 0.3V.

 Potencial Vg

El potencial Vg es el correspondiente al voltaje que existe en la terminal G o

compuerta (gate) del transistor. Proviene de una división de tensión entre Rb1 y Rb2
ye el voltaje Vbb:

 Factor n

El factor n es un valor de relación adimensional de la separación intrínseca entre las

conexiones del transistor. Viene dada por la ecuación:
 Operación Básica

El transistor estará apagado y no cambiará su estado hasta que la tensión

entre el ánodo y el cátodo alcance el valor de Vp. Cuando Vp se alcance el
dispositivo conmutara a través de la región inestable hacia el estado encendido.
Una vez que el dispositivo se encuentre en estado encendido la eliminación de Vg
no apagara al dispositivo. El nivel de voltaje Vak debe caer lo suficiente para reducir
la corriente por debajo del nivel de sostenimiento.

Ejercicios propuestos

1. Determine Rb1 y Vbb para un PUT de silicio teniendo en cuenta que

𝑛 = 0.8 𝑉𝑝 = 10.3 𝑅𝐵2 = 5𝑘Ω

𝑅𝐵1 = 0.8(𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 )

0.2𝑅𝐵1 = 0.8𝑅𝐵2

𝑅𝐵1 = 4𝑅𝐵2

𝑅𝐵1 = 4(5𝑘Ω) = 20𝑘Ω

10.3𝑉 = (0.8)(𝑉𝑏𝑏) + 0.7

9.6𝑉 = 0.8𝑉𝑏𝑏

𝑉𝑏𝑏 = 12𝑉

En un análisis del circuito puede verse que mediante la manipulación de las

resistencias Rb1 y Rb2 se puede alterar el factor n, que a su vez cambia el valor de
Vg y puede modificarse de esta forma el umbral de punto de disparo del circuito, y
es a esto que debe su nombre de transistor monounión programable.
 Conclusion

Se concluye que el dispositivo PUT es un transistor con características

similares a las de funcionamiento de un transistor UJT pero con la ventaja adicional
de la programación de Vp a voluntad mediante la modificación de las resistencias
de base. Aunque en la actualidad ha sido reemplazado por otros tipos de
componentes que cumplen la misma función ofreciendo un mejor rendimiento, el
conocimiento de su funcionamiento sigue siendo de utilidad en casos de elección
del un sistema mas apropiado a la hora de elaborar un diseño electrónico.