Optoelectrónica - LEDs

DIODOS EMISORES DE LUZ (LEDs)

 Un diodo de unión puede emitir luz o tener electroluminiscencia (EMISIÓN DE LUZ POR UN SÓLIDO
EXITADO POR UN CAMPO ELECTROSTATICO).

 Esta emisión de luz debida a la inyección de electrones en un semiconductor.

 La luz emitida en este caso procede de la recombinación electrón-hueco. Esto se ve claramente al
considerar que cuando un electrón se recombina, cae desde un nivel sin ligadura, o de alta energía, a su
estado neutro y se obtiene luz de una longitud de onda correspondiente a la diferencia de niveles de
energía asociada con esta transición.
 En los diodos emisores de luz de estado sólido (LED), el suministro de electrones de mayor energía
proviene de la polarización directa, inyectando así electrones en la región n (y huecos en la región p),
como muestra la figura.

 Los huecos y electrones inyectados se recombinan con los portadores mayoritarios próximos a la unión.
 La radiación por recombinación es emitida en todas direcciones, observándose la mayor luz en la
superficie superior porque el promedio de material entre la unión y esta superficie es mínimo.

Ing. Daniel Cervantes, M.Sc. Página 1

 Optoelectrónica - LEDs

 Materiales más comunes para LEDs

 Densidad de Población

 Como hay bandas, los electrones pueden tener diferentes posiciones tanto en Banda de Valencia como
en la Banda de Conducción.
 No se realiza un cálculo exacto sino una aproximación para la densidad de electrones en Banda de
Conducción, dn/dW y densidad de huecos por el nivel de Energía en Banda de Valencia dp/dW.

Diferentes distancias para recombinacion Densidad de electrones y huecos por

intervalo de energia

Ing. Daniel Cervantes, M.Sc. Página 2

 Optoelectrónica - LEDs

 Densidad Espectral de Potencia (PSD)

e integrando

o FWHM (Full Width at Half Maximum): Representa el ancho del espectro de un LED.

 Tipos de LEDs
Entre los tipos de LEDs más comunes tenemos los LEDs de superficie y de borde.

 LED de superficie:
a. La luz se emite perpendicularmente a la superficie de emisión
b. Gran superficie de emisión. En la práctica se reduce(ca. 50μm)
c. El diagrama de emisión es isotrópica, del tipo lambertiano (P(θ)˜cosθ)
d. Para fibras de gran diámetro del núcleo y alta AN
e. La potencia de salida está limitada por la reflexión total en la superficie exterior.

Ing. Daniel Cervantes, M.Sc. Página 3

 Optoelectrónica - LEDs

 LEDs de Borde
a. La región activa está entre dos capas de material de índice de refracción menor.
Longitudes típicas de 100 a 150μm.
b. La luz se emite por el extremo (borde) perpendicular a la unión.
c. El diagrama de radiación es asimétrico.
i. Distribución lambertiana en el plano de la unión (cosθ). La radiancia se reduce a
la mitad a 60°.
ii. Más directivo en el plano perpendicular a la unión. La radiancia se reduce a la
mitad a 15°.

Ing. Daniel Cervantes, M.Sc. Página 4

 Optoelectrónica - LEDs

 Características de los LEDs

o Potencia Emitida vs Intensidad de Corriente
o Potencia acoplada a una fibra
o Influencia de la temperatura
 Se reduce el pico de potencia
 Se incrementa la longitud de onda de pico.

 Potencia óptica de salida

En el caso ideal se forma por cada electrón producido, un fotón. En el caso real depende la eficiencia del LED de
dos parámetros: de la eficiencia interna ηint y eficiencia externa ηext.

o Eficiencia interna ηint:

C arg a I nº electrones
I  
Tiempo e tiempo
nº fotones internos generados
Eficiencia cuántica interna   int 
nº electrones inyectados
I nº fotones internos generados Potencia interna generada P
int   
e tiempo Energía de un fotón h
I P h hc 1,24
int  int  Pint   int I   int I   int I
e h e e  ( m)
 hc 
 
 h   1,24 
W / A
Pint
  int     int  e    int 
I  e       m  
 
 
 1,24 
Pint  I  int  
  m  

Ing. Daniel Cervantes, M.Sc. Página 5

 Optoelectrónica - LEDs

Donde por teoría: ;

donde τr y τnr representan los tiempos de recombinacion radiativa y no radiativa.

Eficiencias típicas:

GaAsP/GaAs ηint=0.15,
GaAsP/GaP ηint=0.76

o Eficiencia externa ηext:

La mayoría de los LED’s tienen un encapsulado comercial de plástico con una lente directamente sobre
la unión p-n. No todos los fotones generados por la unión salen de la superficie del LED, tres elementos
separados disminuyen la cantidad de fotones emitidos.

Se dan cuatro tipos de perdidas:

 Perdidas por Fresnel (reflexion) R

La eficiencia seria ηf = 1 – R, donde R:

Ing. Daniel Cervantes, M.Sc. Página 6

 Optoelectrónica - LEDs

 Perdidas por angulo critico (1- ηc)

Calculando la eficiencia ηc obtenemos:

 Perdidas por absorcion en el medio ηabs

Dificil de cuantificar, se asume que la eficiencia es ηabs = 0.5

Donde: y se denomina el coeficiente de absorcion de un material.

Ing. Daniel Cervantes, M.Sc. Página 7

 Optoelectrónica - LEDs

 Perdidas por emision espontanea ηesp

Representa un factor ηesp = 0.5

La eficiencia ηext quedaria:

Para cálculos de optoelectrónica:

LA POTENCIA OPTICA A LA SALIDA DEL LED ESTARIA DADA POR LA ECUACION:

 1,24 
Pout  int ext  I  
  m 

Ejemplo:
Un LED de doble hetero-juntura de InGaAsP que emite a una longitud de onda pico de 1310 nm tiene tiempos de
recombinación radiativos y no-radiativos de 30 y 100 ns, respectivamente.
Calcular la potencia interna y la potencia de salida del LED para una corriente de inyección de 40 mA,
considerando que el índice de refracción del material es de 3.5.

Eficiencia cuántica interna:

Potencia Interna:

Eficiencia cuántica externa:

Transmisión por reflexión:

Transmisión por ángulo crítico:

Potencia de salida:

Ing. Daniel Cervantes, M.Sc. Página 8

 Optoelectrónica - LEDs

 Responsividad o Sensibilidad R

 Es la pendiente de la curva P-I

 Según la fórmula:

Pópticaemitida  h 
R LED   extint  
I  e 

 

 Típicamente 0.01 W/A

 La pendiente empieza a bajar a alta

corriente

- aumenta la temperatura de la zona activa

- aumenta la emisión no radiante

 Espectro de Emisión (depende de λ y de T)

Anchura FWHM:

- La longitud de onda correspondiente al pico de intensidad y la anchura ∆λ del espectro está

obviamente muy relacionada con la distribución energética de los electrones y huecos en las
bandas de conducción y valencia y, por tanto, dependen del semiconductor utilizado.
- La energía del fotón para el pico de emisión es próxima a Wg+kB⋅T ya que ésta corresponde a
transiciones de máximo a máximo en las distribuciones de energía de electrones y huecos.
- La anchura ∆(hv)=∆W varía de forma típica entre 2⋅kB⋅T y 3⋅kB⋅T, como se muestra en la figura.

Figura 1.

Ing. Daniel Cervantes, M.Sc. Página 9

 Optoelectrónica - LEDs

- Como ese ancho de energía va acompañada con el ancho del espectro de

frecuencias ∆W = h*∆v, se puede calcular la incertidumbre de la longitud de onda
(λ=c/v):

Donde x es una variable que depende del material.

Ejemplo:
Un LED de GaAs emite luz bajo una longitud de onda de 870nm y una temperatura ambiente de 300K.
Cuál es la anchura media del rayo:
Para este material x=2.

- El espectro de salida, o representación de la intensidad relativa en función de la longitud de onda de un

LED, depende no solamente del material semiconductor sino también de la estructura de la unión p-n,
incluyendo los niveles de dopado.
- El espectro representado en (1) representa un espectro idealizado en el que no se han tenido en cuenta
efectos de alto dopado de las bandas energéticas y se ha considerado un bajo nivel de inyección de
portadores para la unión directamente polarizada.
- Si se considera un alto nivel de inyección, la anchura será:

- Teniendo en cuenta estos efectos, el espectro de salida de un LED presenta una asimetría menor que la
obtenida para el espectro idealizado.

Ing. Daniel Cervantes, M.Sc. Página 10

 Optoelectrónica - LEDs

- En la siguiente figura se observan las características típicas de un LED rojo (655nm) donde se observa
esta menor asimetría y que la anchura del espectro es de alrededor de 24nm a temperatura ambiente,
lo cual corresponde a una anchura de alrededor de 2,7⋅kB⋅T en la distribución energética de los fotones
emitidos.

En este caso x=2.7 a una temperatura de 25°, que corresponden a 298.5K

- Esto es un espectro muy ancho aunque para muchas aplicaciones puede ser más que suficiente.
- De hecho el LED se puede utilizar prácticamente en comunicaciones ópticas siempre que no se tenga
que enviar la señal a largas distancias. A largas distancias ya será necesario el uso de un diodo láser.

 Respuesta en frecuencia

o La respuesta en Frecuencia de un LED depende de los siguientes factores:

 Nivel de dopaje de la región activa
 Tiempo de vida, τi , de los portadores inyectados en la región de recombinación.
 Capacidad parasita del dispositivo.
 Es despreciable si se aplica al diodo una pequeña polarización.
o Si la corriente de excitación esta modulada a una frecuencia w, la potencia óptica resultante
varia de la forma:
 ; donde P0 es la potencia emitida sin modulación
o Respuesta en frecuencia es la relación entre potencias, R(w)
o Distinguimos dos tipos:
 Tratamiento eléctrico: Relación de potencias eléctricas, Rel

Donde P =R*I2, y la relación de las potencias a una frecuencia determinada y 0 Hz seria

I2(w) / I2(0).
La caída en 3dB se da cuando I2(w) / I2(0)=1/2 o I2(w) / I2(0) = 0.707

Ing. Daniel Cervantes, M.Sc. Página 11

 Optoelectrónica - LEDs

 Tratamiendo óptico: Relacion de potencias ópticas, Rop

La caida en 3dB se da cuando I(w) / I(0)=1/2.

 Actúa como un filtro pasa bajo => τC = RC

1 3
f 3dB eléctri cos  f 3dB ópticos 
2 c 2 c
Tr  LED  (ln 9) c  2,2 c

 Donde Tr – LED es el tiempo de subida del LED.

 Para InGaAsP => τC ~ 2- 5 ns => f3dB eléctricos ~ 50-300 MHz
 Máxima Tasa Binaria: 125 Mb/s

 CIRCUITOS CON LEDS

o LEDs siempre tienen que ser usados con una Resistencia anterior.
o Sin importar que se tenga una fuente de voltaje con el voltaje exacto de uso del LED.
o La resistencia sirve para limitar el voltaje, ya que este se divide.
o La resistencia limita la corriente del circuito, lo cual es importantísimo.
o Un LED no mantiene una carga resistiva (óhmica), este siempre mantiene la misma resistencia.
o Como el LED es un semiconductor, al colocarle una fuente de alimentación, su resistencia cae contra
0.
o Teóricamente significaría que la corriente aumentaría a infinito. Lo cual significa que un LED es un
consumidor de corriente increíble.
o Problema, el LED no soporta mucha corriente y puede ser destruido.
o Antes de la destrucción ocurre un aumento de la temperatura. El LED se calienta. Se sabe que
semiconductores calientes conducen mejor que fríos. Por esa razón la corriente aumenta más.
o Este aumento de la corriente ocasiona que el LED se caliente y se destruya.
o Normalmente esto se ve cuando hay oscilaciones de la fuente de alimentación.

Ing. Daniel Cervantes, M.Sc. Página 12

 Optoelectrónica - LEDs

o Ideal sería limitar la corriente con una fuente de corriente constante, ya que el LED es un
semiconductor que depende de la corriente.
o Más sencillo es con una Resistencia que limite la corriente al nivel que designe el fabricante.

Ejemplo: siempre hay que tomar en cuenta el color, pues para cada color se tienen diferentes caídas de
tensión.

El valor de la resistencia se puede calcular según:

; en las hojas de datos se denomina a VD = VF y a ID = IF.

En caso de ser más de un LED:

En el caso de que todos los LEDs sean iguales.

Para calcular la potencia sobre la resistencia se usa la ecuación:

Ing. Daniel Cervantes, M.Sc. Página 13

 Optoelectrónica - LEDs

 Conexión en serie de LEDS

Las conexiones en serie ya fueron explicadas.

El elemento limitador de corriente es la resistencia.

 Conexiones en paralelo

Las conexiones en paralelo no son muy recomendables si no se tiene precaución.

La siguiente figura muestra una conexión en paralelo de LEDs con una resistencia anterior.

Problemática:
- En caso de que un LED este defectuoso, podría ser bajo ciertas circunstancias que la
resistencia este subdimensionada y los otros dos LEDs son destruidos por razón del
aumento de voltaje. Al final todos los LEDs dañados.

Solución:
Según la siguiente grafica, cualquier LED puede dañarse sin afectar a los demás

Ing. Daniel Cervantes, M.Sc. Página 14