Tema 4.3 Transmisores Opticos

Carrera de Ingeniería
Electrónica
MEDIOS DE
TRANSMISIÓN
GERMÁN ARÉVALO B.
TEMA 4.3
TRANSMISORES ÓPTICOS
III: TRANSMISORES ÓPTICOS
Fuentes de luz:
-Transductores electro-ópticos
-Las fuentes de luz tienen una estructura basada en

dispositivos semiconductores con uniones P-N, tales
como LED o LÁSER
-Emiten luz en determinadas longitudes de onda acorde

a las ventanas de operación de la fibra.
-Las principales características que diferencian este tipo

de dispositivos son las siguientes:
-Potencia óptica.
-Espectro de radiación.
-Fiabilidad en altas temperaturas.
-Tiempo de respuesta.
-Vida útil.
-Diodo LED (Ligth Emitting Diode)
El diodo emisor de luz (LED) es una fuente de luz muy
empleada para las comunicaciones por fibra óptica:
•Longitudes de onda típicas de 850nm o 1300 nm en
fibras ópticas de vidriomultimodo. Se utilizan en redes
LAN o enlaces cortos con bitrate menores a 1 Gb/s.
•Para aplicaciones en espacio libre y fibra plástica se
emplean longitudes típicas de 200 nm a 1100 nm.
Diodo LED
La potencia óptica para el LED es proporcional a la corriente
inyectada, aunque se satura en altos niveles de corriente.
La luz generada es incoherente, provocando un ancho
espectral bastante amplio que oscila entre 30nm y 150nm.
Al aumentar la temperatura se reduce la potencia óptica
emitida, el espectro se ensancha y se desplaza hacia la
derecha; sin embargo es mucho más estable que el LÁSER.
Los LED tienen un tiempo de respuesta más elevado que los
LÁSER, lo cual genera una tasa de transmisión menor.
La vida útil de un LED es mayor y no se reduce la potencia
con el envejecimiento.
Debido a su sencillo diseño los LED son eficientes para
aplicaciones de bajo costo.
-Diodo LED
-Basado en la emisión espontánea de fotones:

-Fenómeno de recombinación espontánea
1 2 3
fotón
I
Inserción de un Se genera un par Recombinación espontánea

estimulo externo electrón-hueco del par electrón-hueco
(corriente eléctrica) (portador de energía) (se libera un fotón)
(tiempo de vida limitado: τ) (en ocasiones no se libera)
-Diodo LED

-Existe dos tipos de recombinación espontánea:
Current
leakage
-Diodo LED

-Existe dos tipos de recombinación espontánea:
Radiativa: Emite fotones

Recombinación:
No radiativa: no se emite fotones (la energía
liberada por la recombinación es
Current reabsorbida)
leakage
-Diodo LED
-Recombinación espontánea de fotones en un material
semiconductor:
I
fotones
-GaAs para 850 nm

-InP para 1300nm y 1400nm
-Diodo LED
semiconductor:
fotones
-GaAs para 850 nm

-Diodo LED
semiconductor:
I
fotones
-GaAs para 850 nm

-Diodo LED
semiconductor:
fotones
-GaAs para 850 nm

-Diodo LED
semiconductor:
-GaAs para 850 nm

-Diodo LED
Cálculo de la potencia emitida por el LED:
N = número de portadores (electrones-hueco)

Generación: debida a la inyección de corriente
Recombinación: espontánea + estimulada
-Diodo LED
V = volumen del semiconductor LED

ηI = eficiencia de la corriente
q = Carga del electrón = 1,6e-19 [C]
I = corriente eléctrica de alimentación del LED[A]
-Diodo LED
N/τ ~0
𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅 = 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠 + 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑡𝑡
Rsp = Recombinación espontánea

Rst = Recombinación estimulada (despreciable en un LED)
N = número de portadores (electrones-hueco)
τ = tiempo de vida de un portador
-Diodo LED
En condiciones de equilibrio las ganancia de portadores debe equipararse a

las pérdidas (el número de portadores N debe mantenerse constante)
-Diodo LED
1
= 𝐴𝐴 + 𝐵𝐵𝐵𝐵 + 𝐶𝐶𝐶𝐶 2
𝜏𝜏
Recombinación radiativa
𝑁𝑁
= 𝐴𝐴𝐴𝐴 + 𝐵𝐵𝑁𝑁 2 + 𝐶𝐶𝑁𝑁 3
𝜏𝜏
Recombinación no radiativa
-Diodo LED
= AN +BN2+CN3
(AN +BN2+CN3) BN2

BN2
1/ηR
ηR =BN2
-Diodo LED
Fórmula de la potencia emitida por el LED:
𝐸𝐸𝑢𝑢𝑢𝑢_𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓 = ℎ𝑓𝑓
𝑃𝑃𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 = ℎ𝑓𝑓𝐵𝐵𝐵𝐵 2 𝑉𝑉
𝐼𝐼
𝑃𝑃𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 = ℎ𝑓𝑓𝜂𝜂𝑅𝑅 𝜂𝜂𝐼𝐼 𝑉𝑉
𝑞𝑞𝑞𝑞
ℎ𝑓𝑓
𝑃𝑃𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 = 𝜂𝜂𝑅𝑅 𝜂𝜂𝐼𝐼 𝐼𝐼
𝑞𝑞
ℎ = constante de Plank = 6.628e-34 [J.s]

f = frecuencia [Hz]
V = volumen de la pastilla semiconductora
-Diodo LED
Fórmula de la potencia emitida por el LED: considerando la
eficiencia de acoplamiento (la misma que suele ser muy baja:
alrededor del 10%), tenemos:
ℎ𝑓𝑓
𝑃𝑃𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 = 𝜂𝜂 𝐼𝐼
𝑞𝑞
η = eficiencia del LED = ηc · ηI ∙ ηR
(ηc = eficiencia de acoplamiento)
(ηI = eficiencia de la corriente)
(ηR = eficiencia de la recombinación)
ℎ = constante de Plank = 6.628e-34 [J.s]
f = frecuencia [Hz]
-Diodo LED
Curva de la potencia transmitida por un LED
Potencia óptica de salida
corriente
-Encapsulamiento:
Fuente de la Figura: Public domain (disponible públicamente)

-Ancho espectral típico de un LED:
Fuente de la Figura: Andrew Oliveiro: “The Complete Guide to Copper and Fiber-Optic Networking”
-Aplicaciones de un LED en redes Ethernet:
RED VELOCIDAD λ Y TIPO DE FIBRA

10 BASE-FL 10 Mb/s 850 nm, fibra óptica multimodo (MMF)
100 BASE-FX 100 Mb/s 1300 nm, fibra óptica multimodo (MMF)
10/100 BASE-SX 10/100 Mb/s 850 nm, fibra óptica multimodo (MMF)
También se utilizan LEDs en enlaces ATM/SDH a 155 Mb/s

Ejercicio
-Determine la potencia emitida por un LED que trabaja
en la segunda ventana (1300 nm) de transmisión y que
es alimentado con 25 mA, si por su hoja de datos
técnicos se conoce que su eficiencia de corriente es un
57%, la eficiencia de recombinación se estima en un
60% y la eficiencia de acoplamiento es del 11%.
Diodo LASER
LASER = Ligth Amplification by Stimulated Emission of Radiation
Su funcionamiento está basado en la emisión estimulada o inducida,

provocada cuando un fotón induce a un electrón a pasar de un
estado de alta energía a un estado de menor energía, produciendo
la emisión de un nuevo fotón con la misma frecuencia y fase
(monocromáticos) del estimulante, lo cual genera una luz más
coherente y sincronizada.
Diodo LASER
Ecuaciones de velocidad de un laser: También varía el número de
fotones en el tiempo.
𝑑𝑑𝑑𝑑
= 𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅
𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑑𝑑𝑁𝑁𝑝𝑝
= 𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅 − 𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃
𝑑𝑑𝑑𝑑
N = Número de portadores
Np = Número de fotones
Diodo LASER
𝑑𝑑𝑑𝑑 η𝑰𝑰 𝑰𝑰
= − 𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑞𝑞𝑞𝑞
𝑑𝑑𝑑𝑑
Diodo LASER
= − 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠 − 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠
𝑑𝑑𝑑𝑑
Rsp = Recombinación espontánea

Rst = Recombinación estimulada
Diodo LASER
𝑑𝑑𝑑𝑑 η𝑰𝑰 𝑰𝑰 𝑁𝑁
= − − 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑞𝑞𝑞𝑞 𝜏𝜏
𝑑𝑑𝑑𝑑
Diodo LASER
= 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠 +𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠 − 𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃
𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠
𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃 ú𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑙𝑙𝑙𝑙 𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅
𝑓𝑓0
Diodo LASER
= 𝛽𝛽𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠 +𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠 − 𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃
𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠
𝛽𝛽𝑠𝑠𝑠𝑠 ·𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠
𝑓𝑓0
LASER
~0
𝑑𝑑𝑁𝑁𝑝𝑝 ~0
= 𝛽𝛽𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠 + 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠 − 𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿
𝑑𝑑𝑑𝑑
βsp = Rsp coupling factor

LASER
= − 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠
𝑑𝑑𝑁𝑁𝑝𝑝 𝑁𝑁𝑝𝑝
= 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠 −
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝜏𝜏𝑝𝑝
Photons generation Photons losses
Np = Number of photons
τp= Photon lifetime
Diodo LASER
Un láser está constituido esencialmente por una cavidad resonante
denominada cavidad Fabry-Perot compuesta por una región activa y
una región pasiva cuyo índice de refracción es igual o similar.
I
Solo en la
región activa Región activa Región pasiva
se inyecta
corriente
Material semiconductor (InP, G Al As, etc)

n ~ 3.5
Diodo LASER
La cavidad Fabry-Perot emplea además dos espejos ópticos a los
extremos del arreglo semiconductor activo+pasivo:
Espejos (reflectores ópticos)
n1 n2 n1 n2 n1 n2
(1-r)*Ei
Región activa Región pasiva r*Ei
Ei
Cada espejo óptico está construido a través de

un arreglo de capas dieléctricas que
Reflectividad: r
constituyen una barrera reflectiva (con valores

de reflectividad de la faceta izquierda
típicamente altos, ej. 90%,… 99% y valores de
reflectividad de la faceta derecha típicamente
bajos1%, 5%, 30%, 50%, etc). Este tipo de
arreglo reflectivo se denomina “Brag reflector”
Diodo LASER
La recombinación estimulada se logra por la ganancia obtenida en la
región activa de la cavidad resonante Fabry-Perot. La frecuencia de
resonancia depende de la longitud de la cavidad (activa + pasiva):
I
La Lp
r1 r2
Fibra
Región activa Región pasiva óptica
En cada espejo la ganancia de fotones (g)

mayor parte de
los fotones se En la región En la región
reflejan (hacia el r1, r2 : coeficientes de reflexión deactiva hay
los espejos pasiva no hay
interior de la ganancia de ganancia de
La, Lp: longitud de las regiones activa y pasiva
cavidad) y una fotones fotones
pequeña parte g: ganancia en la región activa
se escapa
Diodo LASER
Análisis detallado de la recombinación estimulada:
La Lp
r1 r2 𝑒𝑒 𝑔𝑔�Δ𝑧𝑧
Región activa (ganancia = g) Región pasiva (𝟏𝟏 + 𝒈𝒈 � 𝜟𝜟𝒛𝒛)
𝑧𝑧
Δ𝑧𝑧
La ganancia se genera
por la recombinación 𝑁𝑁𝑝𝑝 𝑁𝑁𝑝𝑝 + Δ𝑁𝑁𝑝𝑝 = 𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑒𝑒 𝑔𝑔�Δ𝑧𝑧
estimulada en la = 𝑁𝑁𝑝𝑝 (1 + 𝑔𝑔 � Δ𝑧𝑧)
región activa
= 𝑁𝑁𝑝𝑝 + 𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � Δ𝑧𝑧
∆Z Δ𝑁𝑁𝑝𝑝 = 𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � Δ𝑧𝑧
Δ𝑁𝑁𝑝𝑝 = 𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔 Δ𝑡𝑡
Δ𝑁𝑁𝑝𝑝 𝑑𝑑𝑁𝑁
= 𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔 = 𝑝𝑝 = 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠
Δ𝑡𝑡 𝑑𝑑𝑡𝑡
LASER
LASER rate equations:
𝑑𝑑𝑑𝑑 η𝐼𝐼 𝐼𝐼 𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔

= − 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠
𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔
= 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑡𝑡 −
LASER
𝑑𝑑𝑑𝑑 η𝐼𝐼 𝐼𝐼
= − 𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔
= 𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔 −
Diodo LASER
Factor de confinamiento: relación entre el volumen de la cavidad al
𝑽𝑽
respecto del volumen en el cual efectivamente se producen fotones: 𝚪𝚪 =
𝑽𝑽𝒑𝒑
La Lp
𝚪𝚪𝒛𝒛
Región activa 𝚪𝚪𝒚𝒚 Región pasiva
𝚪𝚪 = 𝚪𝚪𝒙𝒙 𝚪𝚪𝒚𝒚 𝚪𝚪𝒛𝒛
𝚪𝚪 = 𝚪𝚪𝒙𝒙𝒙𝒙 𝚪𝚪𝒛𝒛
𝚪𝚪 = 𝚪𝚪𝒙𝒙𝒙𝒙 𝐋𝐋𝐋𝐋
LASER
𝑑𝑑𝑑𝑑 η𝐼𝐼 𝐼𝐼
= − 𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔
= Γ 𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔 −
Diodo LASER
Las pérdidas en los espejos permiten que el láser entregue potencia óptica
hacia el exterior, hacia la fibra óptica y alternativamente hacia un monitor
de faceta trasera para control de la potencia de salida a través de la
regulación de la temperatura del láser (control de lazo cerrado o con
retroalimentación)
αia αip
Monitor αm r1 r2
αm Fibra
de Región activa Región pasiva óptica
potencia
Sistema de enfriamiento del láser
αia, αip : pérdidas internas de fotones de las regiones activa y pasiva

αm : pérdidas de fotones en los espejos
Diodo LASER
En la cavidad resonante deben calzar un número entero de ciclos:
En consecuencia, se genera un conjunto discreto de líneas

espectrales en la cavidad:
λ
Diodo LASER
Esto se comprueba resolviendo la ecuación de resonancia de una
cavidad Fabry-Perot:
�𝑎𝑎 �𝐿𝐿𝑎𝑎 +𝛽𝛽
−𝑗𝑗(𝛽𝛽 �𝑝𝑝 �𝐿𝐿𝑝𝑝 )
𝐸𝐸𝑜𝑜 = 𝐸𝐸𝑜𝑜 � 𝑒𝑒 𝑟𝑟1 𝑟𝑟2
� �
1= 𝑟𝑟1 𝑟𝑟2 𝑒𝑒 −𝑗𝑗(𝛽𝛽𝑎𝑎�𝐿𝐿𝑎𝑎 +𝛽𝛽𝑝𝑝 �𝐿𝐿𝑝𝑝 )
Donde:
Γ𝑥𝑥𝑥𝑥 𝑔𝑔 𝛼𝛼𝑖𝑖𝑖𝑖 𝐿𝐿𝑎𝑎
�𝑎𝑎 = 𝑛𝑛𝑎𝑎 𝛽𝛽𝑜𝑜 + 𝑗𝑗
𝛽𝛽 −
2 2
𝛼𝛼𝑖𝑖𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝
�𝑝𝑝 = 𝑛𝑛𝑝𝑝 𝛽𝛽𝑜𝑜 + 𝑗𝑗
𝛽𝛽 𝐿𝐿𝑎𝑎 𝐿𝐿𝑝𝑝
2
Activa Pasiva
Diodo LASER
Ecuación de resonancia de una cavidad Fabry-Perot:
E=|E|e-(k*z)
k= α +jβ; α = cte de atenuación
� �
𝐸𝐸𝑜𝑜 = 𝐸𝐸𝑜𝑜 � 𝑒𝑒 −𝑗𝑗(𝛽𝛽𝑎𝑎 �𝐿𝐿𝑎𝑎+𝛽𝛽𝑝𝑝 �𝐿𝐿𝑝𝑝 ) 𝑟𝑟1 𝑟𝑟2 β = cte de propagación
si α =0 (poca distancia) → E=|E|e-(jβ*z)
Pero dentro de la cavidad Fabry-Perot:
�𝑎𝑎 �𝐿𝐿𝑎𝑎 +𝛽𝛽
−𝑗𝑗(𝛽𝛽 �𝑝𝑝 �𝐿𝐿𝑝𝑝 ) E=r1r2|E|e-(jβ*z)
β=w*√ ϵu
1= 𝑟𝑟1 𝑟𝑟2 𝑒𝑒 Donde:
β*z=-(βa*La+βp*Lp)
β=w*√ ϵrϵ0 ur1 u0 En version escalar:
β=w*√ ϵrϵ0u0 E=r1r2E*e-j(βa*La+βp*Lp)
β=w* √ ϵr *√ ϵ0u0
Pero: β0= √ ϵ0u0
Donde: 1=r1r2e-j(βa*La+βp*Lp)
y, n=√ ϵr es el índice de refracción
Γ𝑥𝑥𝑥𝑥 𝑔𝑔 𝛼𝛼𝑖𝑖𝑖𝑖 𝐿𝐿𝑎𝑎
Luego: β=n β0 �𝑎𝑎 = 𝑛𝑛𝑎𝑎 𝛽𝛽𝑜𝑜 + 𝑗𝑗
𝛽𝛽 −
En la region activa: βa=na β0 2 2
Pero hay además ganancia y pérdidas
en La:
βa=na β0+j(Γxy*g/2 − αia* La /2)
𝛼𝛼𝑖𝑖𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝
En la region pasiva: βp=np β0 �𝑝𝑝 = 𝑛𝑛𝑝𝑝 𝛽𝛽𝑜𝑜 + 𝑗𝑗
𝛽𝛽 𝐿𝐿𝑎𝑎 𝐿𝐿𝑝𝑝
Pero hay además pérdidas en Lp :
βp=np β0+j(αip* Lp /2)
2
Activa Pasiva
LASER
Reemplazando las constants de propagación en la ecuación de resonancia;
Γ𝑥𝑥𝑥𝑥 𝑔𝑔 𝛼𝛼𝑖𝑖𝑖𝑖 𝐿𝐿𝑎𝑎 𝛼𝛼𝑖𝑖𝑖𝑖 𝐿𝐿𝑝𝑝
−𝑗𝑗 𝑛𝑛𝑎𝑎 𝛽𝛽𝑜𝑜 +𝑗𝑗 2
− 𝐿𝐿𝑎𝑎 −𝑗𝑗 𝑛𝑛𝑝𝑝 𝛽𝛽𝑜𝑜 −𝑗𝑗 𝐿𝐿𝑝𝑝
2 2
1= 𝑟𝑟1 𝑟𝑟2 𝑒𝑒 � 𝑒𝑒
− 𝐿𝐿𝑎𝑎 − 𝐿𝐿𝑝𝑝
1= 𝑟𝑟1 𝑟𝑟2 𝑒𝑒 −𝑗𝑗𝑛𝑛𝑎𝑎𝛽𝛽𝑜𝑜 𝐿𝐿𝑎𝑎 � 𝑒𝑒 2 2 � 𝑒𝑒 −𝑗𝑗𝑛𝑛𝑝𝑝 𝛽𝛽𝑜𝑜 𝐿𝐿𝑝𝑝 � 𝑒𝑒 2
Separando la parte real y la imaginaria en la ecuación tenemos:

− 𝐿𝐿𝑎𝑎 − 𝐿𝐿𝑝𝑝
1= 𝑟𝑟1 𝑟𝑟2 𝑒𝑒 2 2 2 � 𝑒𝑒 −𝑗𝑗𝛽𝛽𝑜𝑜 𝑛𝑛𝑎𝑎 𝐿𝐿𝑎𝑎 +𝑛𝑛𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝
Ecuación del módulo

𝑒𝑒 −𝑗𝑗𝛽𝛽𝑜𝑜 𝑛𝑛𝑎𝑎 𝐿𝐿𝑎𝑎 +𝑛𝑛𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝
= 1 = 𝑒𝑒 𝑗𝑗𝑚𝑚π , mϵℕ
2𝜋𝜋
𝑛𝑛𝑎𝑎 𝐿𝐿𝑎𝑎 + 𝑛𝑛𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 = 𝑚𝑚𝜋𝜋
𝜆𝜆
Ecuación de la fase
LASER
Resolviendo la ecuación de la fase se obtiene:
2𝜋𝜋
𝑛𝑛𝑎𝑎 𝐿𝐿𝑎𝑎 + 𝑛𝑛𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 = 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝜆𝜆
1 𝜆𝜆
=
𝑚𝑚 2 𝑛𝑛𝑎𝑎 𝐿𝐿𝑎𝑎 + 𝑛𝑛𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝
𝑛𝑛� 𝑛𝑛�
1 𝜆𝜆
=
𝑚𝑚 2𝑛𝑛� 𝐿𝐿𝑎𝑎 + 𝐿𝐿𝑝𝑝
𝐿𝐿
1 𝜆𝜆
=
𝑚𝑚 2𝑛𝑛𝐿𝐿
�
1 𝜆𝜆𝑜𝑜
𝛿𝛿 =
0 2𝑛𝑛𝐿𝐿
�
Diodo LASER
Rango espectral libre: FSR
𝜆𝜆𝑜𝑜
𝜆𝜆𝑜𝑜𝛿𝛿 = 𝜆𝜆𝑜𝑜 Rango espectral de separación entre
2𝑛𝑛𝐿𝐿
� los modos resonantes en la cavidad
𝜆𝜆𝑜𝑜 2 P
𝛿𝛿𝜆𝜆𝑜𝑜 =
2𝑛𝑛𝐿𝐿
�
𝜆𝜆𝑜𝑜 2
𝐹𝐹𝐹𝐹𝐹𝐹 = λ
2𝑛𝑛𝐿𝐿
� FSR
FSR= Free Spectral Range

λ0 = longitud de onda de operación del láser
L = longitud de la cavidad del láser
n = índice de refracción promedio en la cavidad FP
ER = Tasa de extinción del modo lateral (extintion ratio)
Diodo LASER
Curva de ganancia de la cavidad
Densidad de potencia
Modos de la cavidad
Curva de ganancia
de la cavidad FP
λ
Modos laterales
Modo dominante
Ganancia < Pérdidas

Ganancia ≡ Pérdidas
λ
Espectro del laser FP
Diodo LASER
Curva de ganancia de la cavidad
Modos de la cavidad
Curva de ganancia
de la cavidad FP
λ
Modos laterales
Modo dominante
Ganancia < Pérdidas

Ganancia ≡ Pérdidas
λ
Espectro del laser FP
Diodo LASER
Una mejor respuesta ofrece la cavidad de un láser DFB:
Refractive Index
Grating
Modos de la cavidad
Power spectral
density
Curva de ganancia FP
Curva de ganancia DFB

frequency
Power spectral
Espectro del láser

density
frequency
Diodo LASER
Una mejor respuesta ofrece la cavidad de un láser DFB:
λ/4
1/4-wave shifted
Grating
Modos de la cavidad
Power spectral
Curva de ganancia FP
density
Curva de ganancia DFB

desplazada ¼ de onda
frequency
Power spectral
Espectro del láser

density
frequency
Diodo LASER
Tasa de supresión del modo lateral (mode suppression
ratio “MSR”): Indica cuán atenuado está un “modo
lateral” cercano al modo fundamental.
MSR=40dB
λ [nm]
1550 1551
Ejercicio
-Determine la longitud que deberá tener la cavidad de un
láser que opere a 1550 nm, con un FSR de 1 nm y cuyos
materiales de fabricación tienen un índice de refracción
promedio de 3.5
Optical transmitters
LASER
Ahora, resolviendo la ecuación del modulo:
− 2 𝐿𝐿𝑎𝑎 − 𝐿𝐿𝑝𝑝
1= 𝑟𝑟1 𝑟𝑟2 𝑒𝑒 2 2
Tenemos:
1 1
Γ𝑥𝑥𝑥𝑥 𝐿𝐿𝑎𝑎 𝑔𝑔 − 𝛼𝛼𝑖𝑖𝑖𝑖 𝐿𝐿𝑎𝑎 + 𝛼𝛼𝑖𝑖𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 = 𝑙𝑙𝑙𝑙
𝐿𝐿 𝑟𝑟1 𝑟𝑟2
Γ 𝛼𝛼𝑖𝑖
𝛼𝛼𝑚𝑚
Γ𝑔𝑔 = 𝛼𝛼𝑖𝑖 + 𝛼𝛼𝑚𝑚

Diodo LASER
Condiciones de operación estacionaria de un láser: una vez superado un
valor de corriente de umbral Ith (threshold current), las pérdidas y
ganancias de portadores y de fotones se compensan:
Una analogía de con agua (flujo de corriente), entrando en un
recipiente (la cavidad FP) y la pérdida de contenido del estanque
(recombinación):
Diodo LASER
(recombinación):
Diodo LASER
(recombinación):
Diodo LASER
(recombinación):
Diodo LASER
(recombinación):
Diodo LASER
(recombinación):
Diodo LASER
(recombinación):
Diodo LASER
(recombinación):
𝑑𝑑𝑉𝑉𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎
𝑉𝑉𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎 = 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 → =0
𝑑𝑑𝑑𝑑 Ith
𝑁𝑁𝑝𝑝 = 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 → =0
𝑑𝑑𝑑𝑑
Rsp Rst
Diodo LASER
𝑑𝑑𝑑𝑑 η𝐼𝐼 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 )
=0= − 𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔
= 0 = Γ𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔 −
Luego: η𝐼𝐼 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 ) η𝐼𝐼 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 )

= 𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔 → 𝑁𝑁𝑝𝑝 = (1)
𝑞𝑞𝑞𝑞 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔 � 𝑞𝑞𝑞𝑞
𝑁𝑁𝑝𝑝 1
Γ𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔 = → Γ𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔 = (2)
𝜏𝜏𝑝𝑝 𝜏𝜏𝑝𝑝
Diodo LASER
Ahora, descomponiendo el tiempo de vida del fotón en sus componentes
relacionadas con las pérdidas internas y pérdidas en los espejos:
1 1 1
= +
𝜏𝜏𝑝𝑝 𝜏𝜏𝑝𝑝 𝑖𝑖 𝜏𝜏𝑝𝑝 𝑚𝑚
Y relacionándola con la ecuación (2) tenemos que:
1 1 1
Γ𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔 = = +
𝜏𝜏𝑝𝑝 𝜏𝜏𝑝𝑝 𝑖𝑖 𝜏𝜏𝑝𝑝 𝑚𝑚
Luego, recordando que: Γ𝑔𝑔 = 𝛼𝛼𝑖𝑖 + 𝛼𝛼𝑚𝑚 1
= 𝛼𝛼𝑖𝑖 𝑣𝑣𝑔𝑔
𝜏𝜏𝑝𝑝 𝑖𝑖
1 1 1
Tenemos: (𝛼𝛼𝑖𝑖 + 𝛼𝛼𝑚𝑚 )𝑣𝑣𝑔𝑔 = = + →
𝜏𝜏𝑝𝑝 𝜏𝜏𝑝𝑝 𝑖𝑖 𝜏𝜏𝑝𝑝 𝑚𝑚 1
= 𝛼𝛼𝑚𝑚 𝑣𝑣𝑔𝑔 (3)
𝜏𝜏𝑝𝑝 𝑚𝑚
Diodo LASER
Ahora, utilizando la ecuación (1):
Γη𝐼𝐼 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 ) Γη𝐼𝐼 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 )
𝑁𝑁𝑝𝑝 = =
Γ 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔 � 𝑞𝑞𝑞𝑞 (𝛼𝛼𝑖𝑖 + 𝛼𝛼𝑚𝑚 )𝑣𝑣𝑔𝑔 𝑞𝑞𝑞𝑞
Podemos determinar la cantidad de Potencia generada en al cavidad FP:
Γη𝐼𝐼 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 )
𝐸𝐸𝐹𝐹𝐹𝐹 = ℎ𝑓𝑓𝑁𝑁𝑝𝑝 𝑉𝑉𝑝𝑝 = ℎ𝑓𝑓 𝑉𝑉𝑝𝑝
(𝛼𝛼𝑖𝑖 + 𝛼𝛼𝑚𝑚 )𝑣𝑣𝑔𝑔 𝑞𝑞𝑞𝑞
Γη𝐼𝐼 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 )
= ℎ𝑓𝑓
𝛼𝛼𝑖𝑖 + 𝛼𝛼𝑚𝑚 𝑣𝑣𝑔𝑔 𝑞𝑞𝑞𝑞/𝑉𝑉𝑝𝑝 Γ
ℎ𝑓𝑓 Γη𝐼𝐼 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 )
=
𝑞𝑞 𝛼𝛼𝑖𝑖 + 𝛼𝛼𝑚𝑚 𝑣𝑣𝑔𝑔 Γ
Diodo LASER
Pero, la potencia que entrega el láser es realmente la potencia que sale por los
espejos:
𝐸𝐸𝐹𝐹𝐹𝐹 1 ℎ𝑓𝑓 η𝐼𝐼 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 )
𝑃𝑃𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙 = =
𝜏𝜏𝑝𝑝 𝑚𝑚 𝜏𝜏𝑝𝑝 𝑚𝑚 𝑞𝑞 𝛼𝛼𝑖𝑖 + 𝛼𝛼𝑚𝑚 𝑣𝑣𝑔𝑔
1
Pero, recordando que: = 𝛼𝛼𝑚𝑚 𝑣𝑣𝑔𝑔
𝜏𝜏𝑝𝑝 𝑚𝑚
ℎ𝑓𝑓 (𝛼𝛼𝑚𝑚 𝑣𝑣𝑔𝑔 )η𝐼𝐼 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 )

Tenemos: 𝑃𝑃𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙 =
𝑞𝑞 𝛼𝛼𝑖𝑖 + 𝛼𝛼𝑚𝑚 𝑣𝑣𝑔𝑔
𝛼𝛼𝑚𝑚 ℎ𝑓𝑓
→ 𝑃𝑃𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙 = η𝐼𝐼 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 )
𝛼𝛼𝑖𝑖 + 𝛼𝛼𝑚𝑚 𝑞𝑞
Diodo LASER
Considerando además la eficiencia de acoplamiento, tenemos la
fórmula de la potencia emitida por el laser:
𝛼𝛼𝑚𝑚 ℎ𝑓𝑓
→ 𝑃𝑃𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙 = η𝑐𝑐 η𝑖𝑖 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 )
𝛼𝛼𝑖𝑖 + 𝛼𝛼𝑚𝑚 𝑞𝑞
ηc = eficiencia de acoplamiento
η = eficiencia de la corriente
I
αm/(αi+αm) = eficiencia de la cavidad: ηFP

h = constante de Plank = 6.628e-34 [J.s]
f = frecuencia [Hz]
I = corriente eléctrica de alimentación del laser [A]
Ith = corriente de umbral [A]
Diodo LASER
ℎ𝑓𝑓
→ 𝑃𝑃𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙 = η𝑐𝑐 η𝑖𝑖 η𝐹𝐹𝐹𝐹 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 )
𝑞𝑞
ηc = eficiencia de acoplamiento
η = eficiencia de la corriente
I
αm/(αi+αm) = eficiencia de la cavidad: ηFP

f = frecuencia [Hz]
Diodo LASER
ℎ𝑓𝑓
→ 𝑃𝑃𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙 = η (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 )
𝑞𝑞
η =ηc ηi ηFP
f = frecuencia [Hz]
q = Carga del electrón = 1.6e-19 [C]
Diodo LASER
Curva de potencia vs corriente de alimentación del láser:
- La corriente de umbral (threshold) Ith constituye el valor de corriente
luego del cual el láser entrega una potencia significativa y linealmente
creciente con el aumento de la corriente (por esto a Ith se le denomina
también la “corriente de disparo” del láser).
Región de emisión Región de

espontánea emisión
estimulada
corriente
Ith
Diodo LASER
Una señal variante de corriente eléctrica en la entrada del
láser genera una potencia óptica variante a la salida del
mismo.
∆I Luz del láser

modulada
∆p
corriente
Ith
Corriente
modulada
Ejercicio
-Determine la potencia emitida por un laser que trabaja a 1550
nm y que es alimentado con 80 mA. Por su hoja de datos
técnicos se conoce que su corriente de umbral es de 15 mA, la
eficiencia de corriente es un 80%, la eficiencia de la cavidad se
estima en un 70% y la eficiencia de acoplamiento es del 75%.
-Diodo LASER
• La potencia de un diodo láser es más alta que la de un LED
• Su ancho espectral es mucho más delgado debido a la luz
coherente emitida por el LÁSER (menor de 1 nm); permitiendo
trabajar con tasas de transmisión mucho mayores que los LED.
-3 dB -3 dB
0.1 nm
52 nm
41 dB
Ancho espectral
obtenido a través del la
evaluación a media
potencia (-3dB desde el
máximo): Full Width –
Half Maximum (FWHM)
-Diodo LASER
• El aumento de la temperatura afecta de varias formas a un diodo
láser: reduce la potencia emitida, aumenta su corriente umbral;
incluso provoca el daño total del dispositivo.
-Diodo LASER
ENCAPSULAMIENTO:
• Los diodos LÁSER tiene un tiempo de respuesta mucho menor

que el diodo LED, por lo cual se utiliza en circuitos con alta tasa
de transmisión.
• El LÁSER tiene un diseño mucho más complejo que los LED; por
lo cual sus costos son más elevados.
Pigtale
-Diodo LASER
Fuente: http://www.photonics.com/EDU/Handbook.aspx?AID=25514
Butterfly Package components: laser chip (1), monitor photodiode (2),

thermistor (3), chip carrier (4), thermoelectric cooler (5), lens (6), optical
isolator (7), component package (8), window for light output (9), fiber
pigtail (10) and electrical leads (11).
-Diodo LASER
Tipos de diodos LASER (varían de acuerdo a su
estructura):
-Fabry-Perot
-Diodo LASER
estructura):
-DFB (Distributed Feedback – Brag Reflector)
-Diodo LASER
estructura):
-DBR (Distributed Brag Reflector)
-Diodo LASER
estructura):
-ECL (External Cavity Laser)
-Diodo LASER
estructura):
-VCSEL (Vertical Cavity Surface Emmiting Laser)
-Diodo LASER
Tamaño típico de los haces de algunas fuentes de luz:
Codificación de pulsos en transmisión por FO lstmprec1 sig Signal Plot
0.005
-Los “unos” y “ceros” a ser 0.004

transmitidos se codifican
Signal (Real) (V)

como pulsos de luz (para un
unos) o como la ausencia de
0.003
pulsos de luz (para los ceros).

A esto se le donomina 0.002
modulación OOK (On-Off

Keying). Las técnicas de 1 2
generación de pulsos más

empleadas en OOK son: lstmpSigPlt1 Signal Plot
1.0
-NRZ (Non Return to Zero)

0.9
0.8
Signal (Real) (V)

0.7
-RZ (Return to Zero) 0.6
0.5
-Raised cosine (Coseno

0.4
0.3
levantado) 0.2
0.1
-Gaussian (Gaussiano) 0.0

0 1 2
Time (s)
Técnicas avanzadas de modulación óptica
-Las técnicas de modulación más empleadas son:
-DPSK (Differential Phase Shift Keying)

-BPSK (Binary Phase Shift Keying)
Requieren
-QPSK (Quadrature Phase Shift Keying) técnicas de
-QAM (Quadrature Amplitude Modulation) recepción
coherente
-POLMUX (Polarization Multiplexing)
-OFDM (Orthogonal Frequency Division
Multiplexing)
-Uplink/Downlink Remodulation
Modulación en transmisión por fibra óptica
-Formas de modular la intensidad de una señal emitida por un
LASER:
-Modulación directa: Prender y apagar directamente el LASER
-Modulación externa: Prender de forma permanente el LASER

y con un dispositivo externo (modulador) modular la señal.
Optical transmitters
Diagrama del ojo







Formas de onda detectadas
Fluctuación
Fluctuación de en el tiempo
intensidad (jitter)
Bits sobrepuestos para formar el diagrama del ojo

Diagrama del ojo
-Se construye a través de la superposición, cada dos o
mas bits (ej. Cada 2, 3, 4, 8 bits ), de una secuencia de
bits.
Diagrama del ojo
-Se construye a través de la superposición, cada dos o
mas bits (ej. Cada 2, 3, 4, 8 bits ), de una secuencia de
bits.
Diagrama del ojo
-Su apertura y grosor permiten observar directamente
factores relacionados con la calidad de la transmisión,
como el ruido, atenuación y jitter.
Magnitud de
ruido en el 1L
Tasa de
“Apertura” extinsión
del ojo (Extintion Jitter
ratio “ER”)
Magnitud de
ruido en el 0L
-En transmisión por FO, toda señal transmitida se considera
modulada dado que a esta se le pasa desde banda base a un
valor frecuencial muy alto (ej. 1550 nm -> 193.55 THz)
Transmisor
Receptor
Canal (Fibra Óptica)
Transmisor
Receptor
Transmisor
Receptor
Transmisor
Receptor
Aplicaciones de láseres en redes Ethernet
Aplicaciones en redes Ethernet con transmisión serial
RED VELOCIDAD λ , LASER , FIBRA
100 BASE-LX 100 Mb/s 1300 nm, FP, SMF
1000 BASE-SX 1 Gb/s 850 nm,VCSEL, MMF
1000 BASE-LX 1 Gb/s 1300 nm, FP, SMF o MMF
10GBASE-S 10 Gb/s 850 nm,VCSEL, MMF
10GBASE-L 10 Gb/s 1300 nm, DFB, SMF
Aplicaciones en redes Ethernet con transmisión en paralelo (conectores MT)

RED VELOCIDAD VELOCIDAD No. DE λ , LASER , FIBRA
AGREGADA POR CANAL LASERS
40GBASE-SR4 40 Gb/s 10 Gb/s 4 850 nm,VCSEL, MMF
100GBASE-SR10 100 Gb/s 10 Gb/s 10 850 nm,VCSEL, MMF
Aplicaciones de láseres en Data Centers
Aplicaciones en redes Fiber-channel con transmisión serial
RED VELOCIDAD λ , LASER , FIBRA
100–LX-SN-I 1062 Mbaud/s 850 nm,VCSEL MMF
100-SM-LC-L 1062 Mbaud/s 1310 nm, FP SMF
200-MX-SN-I 2125 Mbaud/s 850 nm,VCSEL MMF
200-SM-LC-L 2125 Mbaud/s 1310 nm, FP, SMF
1200-MX-SN-I 10512 Mbaud/s 850 nm,VCSEL MMF
1200-SM-LL-L 10512 Mbaud/s 1310 nm, DFB, SMF

Multiplexación por división de longitud de onda
La multiplexación por división de longitud de onda
(Wavelength Division Multiplexing - WDM) es muy utilizada
principalmente en redes de larga distancia (en redes ópticas
de acceso se utiliza principalmente Time Division
Multiplexing - TDM). Permite el envío de mayor cantidad de
información por la misma fibra óptica.
-Se realiza típicamente con un arreglo de LASERs que
transmiten simultáneamente a distinta longitud de onda
(y cuya señal es multiplexada antes de ingresar en el
canal óptico)
laser λ1
RX
EDFA
SMF DCU
DeMUX
laser λ2
MUX
RX
laser λ3 100’s km
RX
-Los canales no se interfieren entre sí, si se tiene la
suficiente separación espectral para un determinado
ancho de banda por canal.
lstmpmux spec Optical Frequency Sp
- 40
- 60
Power (dBm)
- 80
-100
-120
1932 1933 1934 1935 1936 193
Optical Frequency (Hz)

-En la banda C: 0.8 nm de separación corresponden a
aproximadamente 100 GHz.
-CWDM (Coarse WDM)

- Pocos canales (ej. 3) con mucha separación
espectral entre ellos (ej. C1: 850 nm; C2:
1300 nm; C3: 1550 nm)
-DWDM (Dense WDM)

- Muchos canales (ej. 80) con poca
separación espectral entre ellos (ej. 50GHz
o 100GHz de separación entre canales)
- UDWDM (Ultra Dense WDM)

- Muchísimos canales (ej. 800) con muy poca
separación espectral entre ellos (ej. 10GHz
o menos de separación entre canales)
Tarea 5:
Tema: Láseres del tipo Distributed Brag Reflector

“DBR” (Características generales y diferencias con
los láseres DFB).
Formato: Artículo académico de una página.
Suba el archivo en formato pdf utilizando como nombre de

archivo sus dos apellidos seguidos de sus dos nombres en
mayúsculas (ej: GOMEZ TORRES JUAN CARLOS)
Fin del Tema 4.3

Tema 4.3 Transmisores Opticos

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Tema 4.3 Transmisores Opticos

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Carrera de Ingeniería

-Las fuentes de luz tienen una estructura basada en

-Emiten luz en determinadas longitudes de onda acorde

-Las principales características que diferencian este tipo

-Basado en la emisión espontánea de fotones:

Inserción de un Se genera un par Recombinación espontánea

-Basado en la emisión espontánea de fotones:

-Basado en la emisión espontánea de fotones:

Radiativa: Emite fotones

-GaAs para 850 nm

-GaAs para 850 nm

-GaAs para 850 nm

-GaAs para 850 nm

-GaAs para 850 nm

N = número de portadores (electrones-hueco)

V = volumen del semiconductor LED

Cálculo de la potencia emitida por el LED:

Rsp = Recombinación espontánea

En condiciones de equilibrio las ganancia de portadores debe equipararse a

(AN +BN2+CN3) BN2

ℎ = constante de Plank = 6.628e-34 [J.s]

Fuente de la Figura: Public domain (disponible públicamente)

RED VELOCIDAD λ Y TIPO DE FIBRA

También se utilizan LEDs en enlaces ATM/SDH a 155 Mb/s

LASER = Ligth Amplification by Stimulated Emission of Radiation

Su funcionamiento está basado en la emisión estimulada o inducida,

Rsp = Recombinación espontánea

βsp = Rsp coupling factor

Photons generation Photons losses

Material semiconductor (InP, G Al As, etc)

Cada espejo óptico está construido a través de

constituyen una barrera reflectiva (con valores

En cada espejo la ganancia de fotones (g)

𝑑𝑑𝑑𝑑 η𝐼𝐼 𝐼𝐼 𝑁𝑁𝑝𝑝 � 𝑔𝑔 � 𝑣𝑣𝑔𝑔

Región activa 𝚪𝚪𝒚𝒚 Región pasiva

𝚪𝚪 = 𝚪𝚪𝒙𝒙 𝚪𝚪𝒚𝒚 𝚪𝚪𝒛𝒛

Sistema de enfriamiento del láser

αia, αip : pérdidas internas de fotones de las regiones activa y pasiva

En consecuencia, se genera un conjunto discreto de líneas

Separando la parte real y la imaginaria en la ecuación tenemos:

Ecuación del módulo

FSR= Free Spectral Range

Ganancia < Pérdidas

Ganancia < Pérdidas

Curva de ganancia DFB

Espectro del láser

Curva de ganancia DFB

Espectro del láser

Γ𝑔𝑔 = 𝛼𝛼𝑖𝑖 + 𝛼𝛼𝑚𝑚

Luego: η𝐼𝐼 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 ) η𝐼𝐼 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 )

ℎ𝑓𝑓 (𝛼𝛼𝑚𝑚 𝑣𝑣𝑔𝑔 )η𝐼𝐼 (𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑡𝑡𝑡 )

αm/(αi+αm) = eficiencia de la cavidad: ηFP

αm/(αi+αm) = eficiencia de la cavidad: ηFP

Región de emisión Región de

∆I Luz del láser

• Los diodos LÁSER tiene un tiempo de respuesta mucho menor

Butterfly Package components: laser chip (1), monitor photodiode (2),

-Los “unos” y “ceros” a ser 0.004

Signal (Real) (V)

pulsos de luz (para los ceros).

modulación OOK (On-Off

generación de pulsos más

-NRZ (Non Return to Zero)