ESPOCH - ELECTRONICA DE POTENCIA II
PROTECCION DE DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS DE POTENCIA
Vladimir Huaraca Aguay Cod:180 vladih89_ball@hotmail.com
Abstract—En este documento se resume las diferentes formas
de protección de los dispositivos electrónicos de potencia contra
los excesos eléctricos tales como las sobrecorrientes di/dt y los
sobrevoltajes dv/dt que se presenta como fenómenos eléctricos
debido a incrementos bruscos de corriente o cambios bruscos de
voltajes dando como consecuencia el funcionamiento incorrecto
de los dispositivos o que el dispositivo quede inservible.
Index Terms—sobrecorriente, sobreintesidad, potencia
I. INTRODUCCION
Los semiconductores presentan poca inercia térmica frente
a la corriente, es decir, la temperatura de la unión aumenta
rápidamente si se produce un aumento en la corriente que
circula por ellos, para lo cual hay q tomar las debidas
protecciones para evitar el daño de los dispositivos. En el caso
de los excesos de dv/dt se sabe que algunos semiconductores
tiene poca tolerancia a dichos efectos por lo que se ve nece-
sario realizar procedimientos para proteger a los elementos
electrónicos que se exponen a la presencia de los fenómenos
eléctricos y alargar su vida útil y su correcto funcionamiento.
II. OBJETIVOS
• Investigar y aprender los métodos para proteger los dis-
positivos contra incrementos de di/dt y dv/dt excesivos.
• Conocer varias de las múltiples causas de la generación
de sobrecorrientes y sobrevoltajes
• Reafirmar los conocimientos sobre funcionamientos de
dispositivos electrónicos de potencia
III. MARCO TEORICO
A. PROTECCION CONTRA EXCESOS DE CORRIENTE
La causa principal de sobreintensidad es la presencia de
un cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De
todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de
alimentación de motores, carga de condensadores, utilización
en régimen de soldadura, etc. Estas sobrecargas se traducen
en una elevación de temperatura enorme en la unión, que es
incapaz de evacuar las calorías generadas, pasando de forma
casi instantánea al estado de cortocircuito (avalancha térmica).
Este calentamiento da lugar inicial a dos problemas:
• El dispositivo que estaba en estado de bloqueo pasa al
estado de conducción para valores menores de tensión
que se acerca a 0V, lo que ocasiona que el circuito no
funcione de forma optima, produciendo elevadas di/dt que
destruir el elemento
• La corriente inversa aumenta fuertemente haciendo que
el dispositivo es aleje de la condición de interruptor
1
ideal abierto, y que la potencia disipada aumente al
bloquear tensiones importantes pudiendo también destruir
el dispositivo.
La protección contra excesos de corriente puede abordarse de
dos formas:
• Limitación de la corriente, impidiendo que alcance val-
ores peligroso, para lo que se utiliza inductancias en serie.
• Corte de la corriente, abriendo el circuito, para lo que se
utilizan fusibles, circuitos electrónicos.
1) PROTECCION DE DIODOS: El interruptor principal
suele implicar la protección del diodo, si ese no es el caso el
método de protección más adecuado contra picos de corriente
es conectar un fusible en serie. El fusible debe cumplir
condiciones como:
• •Ser capaz de conducir la misma corriente que el dispos-
itivo que se quiere proteger.
• La capacidad de almacenamiento térmico del fusible debe
ser menor que la del dispositivo que se quiere proteger,
es decir, se debe cumplir que:
[I 2 t]f usible < I 2 t]semiconductor
Figure 1. Corriente por un fusible
• Durante el arco, la tensión entre extremos del fusible
debe ser elevada para que la corriente se vea obligada
a disminuir y además, el fusible debe disipar la energía
del circuito sin dañar al semiconductor.
• Tras el corte de corriente el fusible debe ser capaz
de soportar cualquier tensión que aparezca entre sus
extremos.
2) PROTECCION DE IGBT: Para IGBT se utiliza como
protección una combinación de los métodos de protección
del diodo y del MOSFET; por un lado fusibles y por otro,
aprovechando que el terminal de puerta es capaz de cortar o
reducir la corriente de pocos uS, realimentación.
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3) PROTECCION DE GTO: Hasta un cierto valor de la
corriente de ánodo, el GTO puede protegerse mediante una
señal aplicada a la puerta si iA supera ese valor ese método
no nos sirve y la solución pasa por abrir el circuito principal
o por conectar un fusible, como la figura:
un componente que presente unas características aproximadas
como las que se indican en la figura, ósea, un diodo capaz
de conducir elevadas corrientes inversa en avalancha, con un
amplio margen de temperatura de funcionamiento, análogo a
un Zener de potencia.

Figure 2. Protección GTO

Figure 3. a) Característica del elemento protector; b) Protección del diodo

4) PROTECCION DE TRIAC: El método básico de protec-

ción en el TRIAC es mediante fusibles, pero si la corriente
de fallo es alterna y de un valor hasta 10 veces el valor
nominal, durante medio ciclo puede bastar con eliminar la
2) PROTECCION DE SCR: Veremos cómo proteger el
señal de puerta para cortar el TRIAC. Si el pico de corriente
SCR entre ánodo y cátodo. Al igual que en el diodo, una ten-
es pequeño, puede bastar con aumentar el retardo en el disparo
sión inversa que alcance la de ruptura destruirá el dispositivo,
(α)
por eso, es necesario proteger al SCR y la forma más sencilla
5) PROTECCION DE SIT: Dado que el SIT conmuta muy
es conectar un diodo en serie con él, como indica la figura,
rápidamente, el mejor sistema de protección es una señal
de forma que la tensión se reparta entre los dos componentes.
realimentada al terminal de puerta que se encargue de cortarlo.
6) PROTECCION DE FCT: Si el pico de corriente no es
muy elevado puede bastar una señal realimentada a la puerta
para cortarlo, pero si eso no es suficiente hay que utilizar
fusibles.
7) PROTECCION DE MCT: En este caso tenemos dos
dispositivos a proteger: el MOSFET y el SCR. El problema se
presenta con la corriente que es capaz de cortar el MOSFET Figure 4. Protección SCR contra tensión inversa
ya que no es muy elevada, alrededor de 1,3 veces la corriente
media nominal solamente. En estas condiciones, una reali-
mentación al terminal de puerta no suministra prácticamente
protección, por lo que debemos recurrir a fusibles rápidos y
cortocircuitos de corto. El inconveniente de este método es que aumenta l caída de
la tensión en conducción y la potencia disipada, por lo que a
B. PROTECCION CONTRA EXCESOS DE VOLTAJE veces es más conveniente escoger SCRs sobredimensionados,
La mayor parte de los semiconductores soportan más o es decir, de valores nominales entre un 30% y un 50% mayores
menos sobrecargas de corriente, pero presentan muy mala que los necesarios para el circuito determinado. Algo parecido
tolerancia a los picos de tensión (aunque solo sean unos pocos sucede para tensión directa, que el SCR también es capaz de
uS ) ocasionándoles generalmente su destrucción. El origen de bloquear. La diferencia es que ahora, si el SCR se dispara, el
las sobretensiones sueles ser accidental y externa al equipo, problema del exceso de tensión se trasforma en un problema
como pueden ser fenómenos atmosféricos o de corte. de exceso de corriente y debe ser tratado como tal.
1) PROTECCION DE DIODO: Los posibles problemas de
3) PROTECCION DE MOSFET: Añadir un diodo zener
un exceso de tensión directa no afectan al diodo sino al resto
entre el drenaje y la fuente. El zener actúa para suprimir
del circuito, que será el que tenga que soportar prácticamente
sobretensiones, y también protege contra el ruido o una fuente
todo ese exceso, pudiendo derivarse de ello una corriente
de alimentación que se conecte accidentalmente al revés.
inadecuada. En cambio es peligrosa una tensión inversa ya
El zener también es necesario si la carga es inductiva, tal
que si sobrepasa la tensión de ruptura genera la avalancha,
como un solenoide, un motor o un relé. Las cargas inductivas
circulando una corriente elevada bajo gran tensión aplicada. El
utilizan campos magnéticos. También se puede colocar uno o
resultado es una disispacion excesiva de potencia que destruye
dos diodos zener en la puerta. El propósito de los zener es
térmicamente el dispositivo. La forma de proteger al diodo
asegurarse de que las tensiones de entrada no excedan de la
contra el exceso de tensión inversa es conectar en paralelo al-
especificación del MOSFET
gún componente que fije la tensión entre sus extremos, es decir
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Figure 5. Protección típica contra sobretensión (zeners) y circuito abierto
(Rgs) en el gate.
4) PROTECCION DE IGBT: Para detectar condiciones de
sobrecargas y sobretensión, los amplificadores de aislamiento
que ofrecen una rápida respuesta o feedback de fallos se
pueden utilizar en las fases de salida y el bus de CC. La tensión
del bus de CC también debe ser mantenida bajo constante
control. Bajo ciertas condiciones de funcionamiento, un motor
puede actuar como un generador, devolviendo un alto voltaje al
bus de CC a través del dispositivo de alimentación del inversor
y / o los diodos de recuperación. Esta alta tensión se añade
a la tensión de CC y forma un pico muy elevado aplicado
a los IGBTs. Este pico puede exceder el máximo voltaje del
colector-emisor del IGBT y causar daños. El amplificador de
aislamiento miniatura (ACPL-C79A) se utiliza a menudo como
un sensor de voltaje en aplicaciones de control de bus de CC
. Un diseñador debe reducir la tensión del bus de CC para
adaptarse a la gama de entrada del amplificador de aislamiento
eligiendo los valores de R1 y R2 de acuerdo a la proporción
adecuada.
Figure 6. Uso del ACPL-C79A para la detección de sobrevoltaje
5) PROTECCION DE FCT: Como también se trata de
un dispositivo cuyo estado normal es el de conducción, el
problema es análogo al del SIT: puede producirse conducción
a niveles elevados de tensión VAK provocando una disipación
excesiva. La solución también consiste en realimentar tensión
a la puerta para cortar el dispositivo, pero teniendo cuidado
de que esa unión no alcance a su vez la tensión de ruptura.
6) PROTECCION DE MCT: El MCT no soporta picos de
tensión anodo-catodo de ningún signo, Si el pico positivo,
puede ponerlo en conducción cuando se supone que está blo-
queando tensión y si el pico es negativo provoca la avalancha
para valores pequeños de tensión. La solución es otra vez la
comentada en el IGBT: diodo en serie y diodo en anti paralelo.
3
IV. CONSLUSIONES
• El aumento de la corriente que circula por un dispositivo
origina un aumento en su temperatura interna que puede
llevar a un mal funcionamiento del circuito e incluso a
la destrucción del dispositivo.
• Existe dos métodos básicos de protección ante excesos
de corriente: limitación o anulación de la misma. Segun
el metodo se emplean unos u otros componentes.
• En dispositivos de conmutación lenta se emplean fusibles
para cortar la corriente.
• En dispositivos rápidos, en los que el fusible es muy
lento, se emplean circuitos de corte o realimentación
negativa.
• En los excesos de tensión cuando el dispositivo no con-
duce pueden destruirlo. Se protegen con elementos que,
bajo ciertas condiciones, tienden a mantener constante la
tensión entre sus extremos (diodo Zener), o elementos
que se encargan de soportar la mayor parte de tensión.
R EFERENCES
[1] Esquíroz Bacaicoa, L. M. (1999). Electrónica de potencia: Disposi-
tivos. Oviedo: Universidad de Oviedo, Servicio de Publicaciones. ISBN:
848317149X, 9788483171493
[2] Muhammad H. Rashid, Muhammad H. Rasid Virgilio González y
Pozo Agustín Suárez Fernández.(2004).Electrónica de potencia: cir-
cuitos, dispositivos y aplicaciones.Pearson Educación. ISB: 9702605326,
9789702605324
[3] http://www.ehowenespanol.com/proteger-mosfet-potencia-queme-
como_239246/
[4] http://www.uv.es/marinjl/electro/diodo.html
[5] http://www.ugr.es/~amroldan/enlaces/dispo_potencia/diodo.htm