UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA

PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRÓNICA

LABORATORIO LÍNEAS Y ANTENAS
11/06/2013
OSCILADOR GUNN
Manuel Martín Obando Angulo Pérez Código.: 2008276607
Nicolás de Dios Charry Moreno Código.: 2010193531
Javier Sleyner Pardo Barrero Código: 2010191927
Henry Ortiz Otálora Código.: 2010191811

Resumen: El diodo gunn, presenta la característica

de oscilar cuando se alcanza una determinada
intensidad del campo eléctrico. Esta región de alta
intensidad de campo se mueve en el camino
cátodo-ánodo, donde desaparece generándose
inmediatamente otra similar en el cátodo y así
sucesivamente.
Dimensiones menores en el camino darán lugar a
menores tiempos de oscilación, o lo que es lo
mismo mayores frecuencias. Para mantener estable
la oscilación se debe acoplar el diodo a una cavidad
resonante que será en última instancia la que
determine la frecuencia de resonancia del conjunto.
Se puede generar así un amplio rango de
frecuencias, entre 1 y más de 100 GHz, con
potencias de emisión entre 5 y 800 mW.
II. OBJETIVOS
A. GENERAL
Identificar y analizar el comportamiento del
oscilador Gunn y sus características.
B, ESPECÍFICOS
 Comprender el funcionamiento del
oscilador Gunn y la aplicabilidad de este
en las guías de ondas.
 Encontrar los perfiles corriente/tensión en
el oscilador Gunn con resonante.
 Comparar las curvas características del
oscilador con las halladas en la práctica.

I. INTRODUCCION III. MARCO TEORICO

La generación de frecuencias para el rango

de microondas se puede realizar de varias
maneras, siendo las más comunes el uso del
Klystron, Magnetrón, sobre todo en aplicaciones
de grandes potencias, para otros fines lo más
común es el uso de dispositivos de estado sólido
como los transistores de efecto de campo de AsGa
y diodos Gunn, sobre todo por su tamaño pequeño
y bajo consumo.
En éste laboratorio, se expondrá los principios y el
funcionamiento del oscilador Gunn, el mismo que
se basa en el diodo Gunn, y por ende en el efecto
que lleva el mismo nombre
Un oscilador Gunn se compone básicamente de un
dispositivo semiconductor (dispositivo Gunn)
acoplado a una cavidad resonante. El principio de
funcionamiento se basa en el hecho que la
estructura de bandas de algunos semiconductores
(GaAs, InP o CdTe) tiene la banda de conducción
dividida en dos bandas muy cercanas, una de ellas
de baja energía-alta movilidad y la otra de alta
energía-baja movilidad.
Cuando hay más electrones en la banda de baja
energía-alta movilidad la conductividad es mayor,
que cuando hay más en la banda de alta energía-
baja movilidad, pues la conductividad se relaciona
directamente con la movilidad de los portadores de
carga.
En términos de comportamiento como elemento de
circuito se tiene que la característica corriente-
voltaje de un semiconductor de este tipo es como el
de la Figura,
El oscilador Gunn sirve para generar potencias de
microondas. Está compuesto por módulos y puede
ser separado en los siguientes
elementos componentes:
1. Modulo diodo-Gunn, longitud aprox. 27mm.2.
2. Pared posterior de la cubierta.
3. Diafragma perforado con abertura de 8mm
de diámetro.
4. Adaptador para guías de ondas.
Efecto Gunn
El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los
semiconductores y no depende de la unión misma,
ni de los contactos, tampoco depende de los valores
de tensión y corriente y no es afectado por campos
magnéticos. Cuando se aplica una pequeña tensión
continua a través de una placa delgada d e
Arseniuro de Galio (GaAs), ésta presenta
características de resistencia negativa. Todo esto
ocurre bajo la condición de que la tensión aplicada
a la placa sea mayor a los 3,3voltios/cm.
Si dicha placa es conectada a una cavidad resonant
e, se produciránoscilaciones y todo el conjunto se puede
utilizar como oscilador. Este efecto sólo se da en
materiales tipo N (material con exceso de
electrones) y las
oscilaciones se dan sólo cuando existe un campo e
léctrico. Estas oscilaciones corresponden
aproximadamente al tiempo que los electrones
necesitan para atravesar la placa de material tipo N
cuando se aplica la tensión continua.
Funcionamiento de resistencia positiva
El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los pocos
materiales semiconductores que en una muestra
con dopado tipo N, tiene una banda de energía
vacía más alta que la más elevada de las que se
encuentran ocupadas parcial o totalmente. Cuando
se aplica una tensión a una placa (tipo N) de
Arseniuro de Galio (GaAs), los electrones, que el
material tiene en exceso, circulan y producen
corriente. Si se aumenta la tensión, la corriente
aumenta.
Funcionamiento de resistencia negativa
Si a la placa anterior se le sigue aumentando la
tensión, se les comunica a los electrones una mayor
energía, pero en lugar de moverse más rápido, los
electrones saltan a una banda de energía más
elevada, que normalmente está vacía, disminuyen
su velocidad y, por ende, la corriente. Así, una
elevación de la tensión en este elemento causa una
disminución de la corriente. Finalmente, la tensión
en la placa se hace suficiente para extraer
electrones de la banda de mayor energía y menor
movilidad, por lo que la corriente aumentará de
nuevo con la tensión. La característica tensión
contra corriente se parece mucho a la del diodo
Túnel.
Los osciladores Gunn se inventaron justamente
aprovechando el efecto de la zona diferencial
negativa.
Formación de dominios Gunn
Supongamos que se aplica un voltaje Vo a una
muestra de GaAs de longitud L. El voltaje es
constante y por consiguiente aplica un campo
eléctrico que lo podemos obtener con la siguiente
expresión:
Eo = Vo/L
Al aplicar un campo Eo, podemos decir que los
electrones se mueven de cátodo a ánodo con una
velocidad V3. Asumamos que una pequeña
oscilación se produce en el instante t=0 la misma
que puede ser ocasionada por la energía termal de
los electrones. Al observar la figura podemos decir
que los electrones que se encuentran en el punto A,
al experimentar el campo eléctrico EL1 viajaran al
ánodo con una velocidad V4. Los electrones en el
punto B están sujetos a un campo eléctrico EH1 y
tenderán hacia el ·nodo con una velocidad V2, la
misma que es menor que V4. Por consiguiente cada
vez aparecerán más electrones en esta zona lo que
contribuiría aumentar la resistencia diferencial
negativa, lo que se traduce en un aumento en la
oscilación hasta un límite máximo.
La oscilación inicial crecer·, en un dominio del
dipolo, o dominio Gunn, este dominio crecer· hasta
que se forme un dominio Gunn estable. Lo
particular de este dominio es que ha crecido lo
suficiente para que tanto los electrones que viajan
en uno como en otro sentido lo hagan a la misma
velocidad V1. Por esta razón es importante que el
voltaje aplicado al cristal debe ser el apropiado para
permanecer en la región NDR (Resistencia
Diferencial Negativa) y poder formar un dominio
Gunn estable.
Una vez que se ha formado el dominio estable el
campo eléctrico en el resto de la muestra de GaAs
cae bajo la región NDR, lo que impide la formación
de un nuevo dominio Gunn, posteriormente
mientras el dominio es absorbido por el contacto
con el ánodo, el campo eléctrico en la muestra hace
que se alcance la formación de un nuevo dominio
Gunn. Esto es lo fundamental, la repetición
sucesiva de la formación de dominios Gunn hace
que se vea una corriente osciladora en los
contactos. Este es el modo de operación conocido
como modo Gunn. Es importante notar por tanto
que la frecuencia de operación defender· de la
distancia que los dominios tienen que recorrer antes
que el ánodo los absorba, en otras palabras
depender· de la longitud de la muestra del cristal
que estemos usando. Y en segunda instancia
depender· de la cantidad de voltaje aplicado al
cristal, que ser· la que afecte la velocidad del
dominio.
En las figuras podemos observar que la
concentración de electrones aumenta y disminuye
conforme se alcanza el valor pico en cada dominio
Gunn que luego cae bajo la región NDR.
 Osciladores de Resistencia Negativa – diodo
Gunn
Como ya se mencionó en las secciones anteriores
el diodo Gunn, tiene la característica principal de
que posee una región de resistencia dinámica
negativa, la misma que es usada para fabricar
osciladores. Para hacer un análisis más
comprensible de cómo se van a generar estas
oscilaciones consideremos el siguiente circuito
RLC.
Haciendo el análisis en AC tendremos que la
ecuación de voltajes es:
Al resolver esta ecuación tendremos que i(t) tiene
la siguiente forma:
Donde
Si R2 es menor que 4L/C tendremos que el
resultado de la expresión dentro del radical será
negativa y por tanto A es compleja. Por tanto
podemos decir que,
Donde
Por lo que ahora podemos afirmar que el circuito
posee una resistencia negativa, y que se encuentra
oscilando sinusoidalmente con una frecuencia ω,
además que la amplitud de la oscilación crece
exponencialmente con el tiempo.
Esta es la base fundamental de los osciladores
Gunn, ya que el circuito resonante se consigue a
través de cavidades coaxiales, de guía de onda u
otro tipo de dispositivo. En cualquier caso la
resistencia negativa la da la característica del diodo
Gunn, y el circuito resonante la da la geometría de
los elemento.
Si alteramos el circuito anteriormente analizado,
cambiando la resistencia por una resistencia de
carga RL, y un diodo Gunn el mismo que ofrece
una resistencia negativa r(V) bajo ciertas
condiciones, entonces la curva de resistencia
dinámica total del circuito seria:
Como podemos observar la parte comprendida
entre las líneas verticales corresponde a la zona de
resistencia influenciada por el diodo Gunn.
Un voltaje DC debe ser aplicado al diodo Gunn a
través de una inductancia, este voltaje debe
conducir al diodo a operar en la zona de resistencia
negativa.
Cualquier pequeña fluctuación en la frecuencia de
oscilación en el circuito tender· a crecer debido a
que para voltajes cercanos a Vbias la resistencia total
del circuito será menor a cero:
La oscilación hará que el voltaje empiece a fluctuar
alrededor de Vbias, y eventualmente podrá· llegar a
la zona de resistencia positiva, en cuyo caso la
energía de cualquier oscilación tiende a ser
disminuida por la disipación de la resistencia. Por
otro lado mientras permanezca dentro de la región
NDR, la oscilación tender· a ser amplificada, como
resultado de todo este proceso la oscilación tiende
a estabilizarse en un nivel en el cual como ya se
mencionó anteriormente la energía tanto fuera de la
región NDR como dentro sea la misma. Es
importante mencionar que la secuencia de
oscilación está· determinada por:
La potencia de oscilación Po generada por la
resistencia negativa proviene del voltaje dc
aplicado. Ahora bien Pin = IVbias, la cual es la
potencia que debemos proveer para asegurar que el
diodo se mantenga operando en el modo Gunn, lo
que quiere decir que para que exista oscilación se
debe aplicar un voltaje determinado que nunca
puede ser igual a cero, y por ende la potencia
siempre debe ser mayor a 0. De hecho en la práctica
la potencia que se pueda obtener del oscilador
depender· de que tan grande es el rango de voltajes
y corrientes que cubre la zona DNR, siempre
podemos esperar que:
Algo importante ya mencionado es que el circuito
modelado anteriormente se logra también a través
del uso de cavidad e coaxiales u otro tipo de
dispositivos, en general la cavidad resonante ser· la
que reemplace al circuito LC, esta cavidad es la que
en primera instancia va a determinar la frecuencia
de resonancia del oscilador.
Podemos observar un esquema de oscilador Gunn
en la siguiente figura:
El diodo encerrado en la cavidad induce
fluctuaciones que deben viajar en la cavidad y ser
reflejadas, regresando hacia el diodo después de un
tiempo t.
Donde;
l  Longitud de la cavidad.
c  Velocidad de la luz en la cavidad.
 IV. ANÁLISIS RESULTADOS
PRÁCTICOS Y SIMULACIÓN EN
MATLAB

Gráfica 1. Corriente contra voltaje con una

distancia de 28 cm.
a.)Cassy Lab

Además el oscilador puede oscilar a cualquier

frecuencia que cumpa con:

Donde, n es el número de medias ondas que entran

en la cavidad dad una frecuencia dada.

En la práctica el diodo tomar· un tiempo “td” para

reaccionar a cualquier cambio de voltaje en el b.) Matlab
diodo, ya que debe reaccionar tamito a incrementos
como a decrementos tendremos que:

Esto significa además que el oscilador puede operar

a frecuencias que cumplan con;

Se escoge está gráfica para hacer el análisis ya que

Si hacemos la cavidad lo más pequeña posible de
forma que:
el de las siguientes son similares.
Como ya se conoce mientras el voltaje aumente, la
corriente también lo hará, hasta alcanzar un
determinado valor de voltaje a partir del cual la
corriente empezara a decrecer. Esto guiado por el
típico comportamiento del Diodo Gunn.

Entonces estaríamos asegurando que el único modo

de oscilación sea el que n =1, dicho de otra forma Las pendientes de la curva son las siguientes.
el sistema no podrá oscilar a frecuencias menores
porque la cavidad es muy pequeña, y no podrá
hacerlos a frecuencias superiores por que el diodo
es muy lento, de esta forma se asegura que oscile a
una sola frecuencia.
 Y el punto de decrecimiento de la corriente lo
obtenemos en UG= 3.85V y I=190.7 mA que es
donde acontece el cambio abrupto de corriente.

La pendiente A sera:
Entonces observamos que Hasta alcanzar la tensión
𝑦2 − 𝑦1 umbral UTH = 3,47 V, la resistencia diferencial RG
𝑚= del elemento Gunn es positiva. Para UG > UTH,
𝑥2 − 𝑥1
RG resulta negativa. La resistencia diferencial se
115.5 − 96.8 obtiene a partir de los valores recíprocos de las
𝑚= pendientes de las curvas características (1/A).
1.29 − 1.05

𝑚 = 79.91 𝑚𝐴/𝑉
R G/ Ω R G/ Ω
La pendiente B: 12.83 -116
149.3 − 156.2
𝑚=
6.22 − 5.42

𝑚 = −8.62 𝑚𝐴/𝑉 Gráfica corriente contra voltaje 56cm

Se determina el Umbral máximo para voltaje:

Para este caso en específico en el que el receptor

estaba a una distancia de 28 cm del transmisor, la
corriente tiene su punto máximo alrededor de un
voltaje de UG= 3.47V y alcanza una I=191.7 mA

La gráfica es muy similar a la anterior a simple

vista, pero podemos observar que el Umbral del
voltaje realmente es un poco más bajo que para
una distancia de 28cm, esta consideración en
cuanto al voltaje. En cuanto a la corriente el punto
de decrecimiento se da antes a comparación del
anterior con la distancia de 28 cm. Con eso nos
damos cuenta que a pesar de que los voltajes
umbrales y los picos de corriente son casi iguales,
la corriente se atenúa más rápido.

Gráfica de corriente contra voltaje 75 cm

Se puede apreciar que para valores de voltaje

En esta grafica se puede observar a diferencia
de las analizadas anteriormente que el cambio
de corriente ocurre cuando el voltaje llega a
los 4 voltios a diferencia de los anteriores que
al llegar a las 3.8 voltios baja; con esto
podemos afirmar que a medida que la
distancia del diodo sea mayor se necesitara
mayor voltaje para que el oscilador Gunn
llegue a su máximo pico de corriente.
aplicados al oscilador se tiene una diferente
respuesta en cuanto a potencia de salida, el punto
en el que empieza a existir una potencia de salida,
es el que corresponde a un UG= 3.75V, mientras se
continué aumentado el voltaje llegar· un punto en
el cual la potencia de salida ser· máxima, la que se
conoce como potencia de salida pico Ppp, y por
ende el voltaje de potencia pico es el valor de
voltaje aplicado al oscilador para el cual la
oscilación deseada ofrece una máxima potencia de
salida.
Gráfica potencia a 56cm

Gráfica potencia a 28cm

a.) Cassy Lab

Gráfica potencia a 75 cm

b.) Matlab
 [1] Microondas en el espacio libre- fundamentos
físicos.
LD DIDACTIC GMBH, Tercera Edición.

[2] Microonda. Osciladores Gunn

Universidad Técnica Particular de Loja
Electrónica y Telecomunicaciones. Alvarado

[2] Microonda. Osciladores Gunn

Universidad Técnica Particular de Loja
Electrónica y Telecomunicaciones. Alvarado
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

estará compensadas las periodicidades

del resonador (potencia útil de
microondas)
IV. CONCLUSIONES

 No existe el concepto de resistencia

negativa, debido a que la resistencia
estática es siempre positiva, lo que existe
es la resistencia diferencial negativa.
 Se impide la oscilación superior a la
frecuencia deseada debido a que la
cavidad es muy pequeña para
conducirlas, y de frecuencias inferiores
debido a que el diodo es muy lento para
generarlas.
 Si vamos a comparar como tal con la
curva característica del oscilador
Gunn con la encontrada, se puede
notar que hay una región donde se
caracteriza por una pendiente positiva,
y se dice que en esta zona hay una
resistencia positiva, hay un voltaje
umbral, y una zona que su curva se
caracteriza por tener una pendiente
negativa y en el encontramos la región
de funcionamiento.
 El Oscilador Gunn se caracteriza por
ser un dispositivo de resistencia
negativa ya que como se observa en
las gráficas obtenidas en el mismo
intervalo donde la pendiente es
negativa la potencia también en ese
intervalo es mayor, además se puede
decir que solamente en esta parte
Recursos disponibles en la web;
 http://es.scribd.com/doc/93377160/L1-
OSCILADOR-GUNN
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
[1] Microondas en el espacio libre- fundamentos
físicos.
LD DIDACTIC GMBH, Tercera Edición.
[2] Microonda. Osciladores Gunn
Universidad Técnica Particular de Loja
Electrónica y Telecomunicaciones. Alvarado
Recursos disponibles en la web;
 http://es.scribd.com/doc/93377160/L1-
OSCILADOR-GUNN
Al observar la gráfica, se puede apreciar que al encender
el oscilador, la corriente empieza a crecer a medida que
se aumenta gradualmente el voltaje; caso diferente
cuando se encuentra a una distancia de 56 cm dado que
la corriente crece en un solo punto de voltaje y ya
después comienza a variar a medida que aumenta el
voltaje; y sus puntos de corriente máxima son los
mismos en las dos distancias.
esa es de 56 cm
En esta grafica se puede observar a diferencia de las
analizadas anteriormente que el cambio de corriente
ocurre cuando el voltaje llega a los 4 voltios a diferencia
de los anteriores que al llegar a las 3.8 voltios baja; con
esto podemos afirmar que a medida que la distancia del
diodo sea mayor se necesitara mayor voltaje para que el
oscilador Gunn llegue a su máximo pico de corriente.
76 cm
Gunn contiene una región con pendiente negativa (parte
descendente de la curva). Solo en esta región de las
características Gunn no atenúa y puede compensar las
perdidas en el resonador de tal forma que la oscilación
se hace permanente y es posible obedecer un potencia
útil de microondas, esto se ve representado en el mismo
intervalo donde la pendiente es negativa la potencia
también en ese intervalo es mayor, además se puede
decir que solamente en esta parte estará compensadas
las periodicidades del resonador. También, en ese
momento el diodo Gunn esta en una zona de
funcionamiento y se caracteriza por ser un dispositivo de
resistencia negativa, entonces puede considerarse como
un aparato que transforma una corriente eléctrica de
baja intensidad en energía de microondas. CONCLUSIÓN