ARSENIURO DE GALIO

Propiedades Estructurales
El Arseniuro de Galio (GaAs) es un semiconductor cuyo ordenamiento cristalino se
denomina estructura “zinc-blende” o cú bica centrada en las caras (fcc), similar a la
estructura diamante y del Si cristalino, pero con una base de dos átomos diferentes por
celda unidad del cristal, galio y arsénico de los grupos III y V de la tabla perió dica.
Su enlace es parcialmente iónico y como consecuencia de la distribución de carga en el
cristal presenta propiedades piezoeléctricas. Es decir, al someter el cristal a una tensión
mecánica aparece un campo eléctrico en el mismo y viceversa, la aplicació n de un campo
eléctrico conduce a una deformació n en el cristal. En general, ambos efectos tienen lugar
simultáneamente. Por lo tanto, el carácter semiconductor o semi ́aislante del GaAs afecta al
comportamiento elástico del cristal, debido a la piezoelectricidad del mismo.

1. Red de Bravais: Zinc-blende(fcc)

2. Base atómica: Ga= [0,0,0], As= [¼, ¼, ¼]
3. Átomos por celda unitaria: 8 atomos, 4 Ga y 4 As
4. Constante de red: 5,6532 Å
5. Distancias de enlace: 2.45 Å
6. Ángulos de enlace: 109.5º
7. Números de coordinación: 4 primeros vecinos
8. Factor de empaquetamiento:0.77-77%
9. Volumen de la celda unitaria: 1.80X10^-28 m3
10. Masa de la celda unitaria: 9.60x10^-25 Kg
11. Densidad del compuesto: 5.317 g/cm3
12. Grupo de simetría: Td2-F43m
13. Operaciones de simetría: Identidad, Rotación, reflexión, inversión, traslación
14. Tipo de enlace: Parcialmente iónico
 Materiales de ancho de banda directo tales como GaAs se utilizan en la actualidad
para el desarrollo de diodos emisores de luz (LED) y láseres que emiten en longitudes
de onda apropiados para trasmisión de datos por Internet. El GaAs es un compuesto
de gran interés en la industria de los semiconductores de materiales III-V, y juegan
un papel muy importante ya que su ancho de banda prohibida Eg se puede variar
cuando se introduce una impureza, y se vuelve semimagnético cuando se introduce
Manganeso (Mn) en la matriz de GaAs.
 La espintrónica es un campo emergente que combina elementos de magnetismo
con los dispositivos electró nicos convencionales, basados en semiconductores. En
dichos sistemas, dos grados de libertad; la carga y el espi ́n, están estrechamente
ligados y son utilizados simultáneamente para crear nuevas funciones. El fenó meno
de magnetorresistencia gigante, el desarrollo de uniones túnel y la inyecció n de
espi ́n son los resultados más asombrosos obtenidos en este campo de la Fi ́sica
donde se mezclan el magnetismo con el transporte electró nico.
 Desde el punto de vista tecnológico, estos materiales son de aplicación en
dispositivos para comunicaciones ópticas y circuitos de alta velocidad o alta
frecuencia, dispositivos fotovoltaicos también son de gran utilidad comercial en la
fabricación de LEDs (“ light- emitting diode”) y en láseres de semiconductores. Como
desventajas se pueden mencionar la escasez del galio en la naturaleza que hace que
el GaAs sea un material costoso, y la toxicidad del arsénico involucrado en la
fabricación.
 Las diferencias principales que presenta respecto al silicio son la posibilidad de
obtener GaAs de alta resistividad eléctrica (semi ́aislante) y que los tiempos de vida
de los portadores son extraordinariamente cortos. Asimismo, es uno de los
semiconductores más empleados en dispositivos optoelectró nicos y punto de
partida para las compuestos ternarios y cuaternarios de elementos de los grupos III
y V, tales como el AlGaAs.
 En un semiconductor formado por dos elementos químicos diferentes (Arseniuro de
Galio) la asimetría conlleva en general una cierta pérdida de carácter covalente
puro, en el sentido de desplazar el centro de gravedad de la carga hacia uno u otro
átomo. El parámetro que determina este desplazamiento es la electronegatividad
de los átomos constituyentes. Cuanto más diferente sea, mayor será el
desplazamiento y el enlace será más iónico que covalente

Via: http://www.arqhys.com/construccion/semiconductores-propiedades.html

http://www.bdigital.unal.edu.co/3975/1/01835319.2011.pdf
http://biblioteca.ucm.es/tesis/19911996/X/1/X1001401.pdf
https://www.ecured.cu/Arseniuro_de_galio
http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/
http://www.azom.com/article.aspx?ArticleID=8349