LAB. DISPOSITIVOS ELECTRONICOS EXP.

EXPERIMENTO Nº 1

CARACTERISTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES RESISTIVOS

OBJETIVO:
Observar las características de una resistencia conductora y compararla
con la resistencia semiconductora, estableciendo sus características.

NOTA : El profesor debe realizar una breve introducción del experimento y sus objetivos. Así mismo debe permanecer
durante toda la sesión del experimento, para responder y formular las preguntas necesarias.

MATERIAL Y EQUIPO:

- Fuente de Alimentación
- Multimetro digital
- 1 Fotoresistencia LDR
- 1 Termistor (1K)
- 1 Foco de filamento
- 3 Resistencias : 100(1W), 1K(½W), 100K(½W)
- 1 Tablero de Conexión
- 1 Alicate

PROCEDIMIENTO:

1. Arme el circuito de la Fig. 1-1.

Fig. 1-1

2. Aplique al circuito una tensión de 3 a 15V según la Tabla 1. La corriente se

medirá en forma indirecta así como la resistencia:

I = Vr/R y Rf = Vf/I

TABLA 1

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V(volt) 3.0 6.0 9.0 12.0 15.0
Vr(volt) 2.58 4.11 5.39 6.62 7.77
Vf(volt) 0.41 1.87 3.58 5.38 7.22
I (mA) 25.8 41.1 53.9 66.2 77.7
Rf () 15.89 45.49 66.41 81.26 92.92

V = Voltaje de la fuente
Vr = Voltaje de la resistencia
Vf = Voltaje en el foco
I = Corriente en el circuito
Rf = Resistencia del foco

3. Arme el circuito de la Fig. 1-2.

Fig. 1-2

4. Manteniendo constante la tensión de 12V que polariza al termistor, varié

la tensión del foco Vf llenando la Tabla 2.
El termistor debe captar la temperatura del foco, vigilando que la
temperatura no sea excesiva.
TABLA 2

Vf(volt) 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0

Vr(volt) 4.63 4.69 4.72 4.92 4.98 5.1
Vt(volt) 7.35 7.3 7.2 7.1 7.04 6.86
I t(mA) 4.63 4.69 4.72 4.92 4.98 5.1
Rt () 1.58 1556 1525 1443 1413 1345

t = Termistor V = 12V constante

5. Arme el circuito de la Fig. 1-3.

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Fig. 1-3

6. Cuidando de no variar los 12V que polariza la fotoresistencia, varié el

voltaje del foco Vf llenando la Tabla 3.
Al llenar la tabla tomar en consideración la sensibilidad del instrumento
obteniendo por diferencia, la tensión del LDR.
TABLA 3
Vf(volt) 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0
Vr(volt) 11.9 11.93 12 12.03 12.04 12.06
VLDR(volt) 0.12 0.11 0.05 0.028 0.016 0.011
I LDR(mA) 0.119 0.1193 0.12 0.1203 0.1204 0.1206
RLDR() 1008.4 922.04 416.67 232.75 132.89 91.21
LDR = Fotoresistencia V = 12V constante

7. Mida con el multímetro la resistencia de los elementos empleados.

ELEMENTO VALOR
FILAMENTO 12
TERMISTOR NTC 1.9k
FOTORESISTENCIA LDR 1.35k

CUESTIONARIO :
1. Haga una breve introducción teórica de las características de las
resistencias conductoras y semiconductoras.

Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o

como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que
se encuentre.
El elemento semiconductor más usado es el silicio y el germanio,
aunque idéntico
comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los
grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente
(AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd).
Posteriormente se ha comenzado a emplear también el azufre.

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Algunos ejemplos de dispositivos resistivos semiconductores son el
termistor, la fotoresistencia, etc.

2. Para el circuito de la Fig. 1-1, determine según los datos obtenidos

experimentales, las características del filamento del foco, grafique Rf vs
Vf y explique la curva resultante.

Del gráfico Rf vs Vf, la resistencia del filamento aumenta si el voltaje

que se le aplica aumenta.
Este comportamiento es de los metales, es por eso que podemos afirmar
que el filamento del foco es un metal, que a mas energía menos conduc_
tividad, osea mas resistencia.
Del gráfico también podemos afirmar que la resistencia tendrá un
límite máximo a la que puede llegar.

Se puede agregar a este informe, que el filamento de los focos incan_

descentes está hecho de wolframio también conocido como tungsteno,
el metal con el punto de fusión más alto.

3. En el circuito de la Fig. 1-2 considerando que la temperatura es función

de la tensión aplicada al foco Vf, graficar Rt vs Vf, explicando las
características del termistor.

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Del gráfico, podemos ver que la resistencia en el termistor disminuye,

según aumenta el voltaje en el foco.
Como consideramos que la temperatura es funcion del voltaje en el foco
podemos decir que la resistencia en el termistor disminuye, según
aumenta la temperatura que percibe del foco.

4. Considerando que la luz es proporcional a la tensión del foco,

determinar las características de la fotoresistencia. Graficar RLDR vs Vf.
Del gráfico, podemos ver que la resistencia en la fotoresistencia
disminuye, según aumenta el voltaje en el foco.
Como consideramos que la luz es funcion del voltaje en el foco
podemos decir que la resistencia en la fotoresistencia disminuye, según
aumenta la luz que percibe del foco.

5. Explique brevemente los inconvenientes surgidos en la medición directa

de la resistencia de los elementos empleados.

Por ejemplo en un termistor para analizar su resistencia, se debía acercar

el foco lo suficiente, como para que captase el calor de este.
Lo mismo en una fotoresistencia, debíamos asegurarnos q captase la luz
del foco acercándolo y direccionándolo bien.

Para una resistencia común no hubo mayor inconveniente.

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6. Indique observaciones y conclusiones acerca de la experiencia.

Se puede observar que en un metal a mayor temperatura su resistividad

aumenta, y en un semiconductor cuando la temperatura aumenta
la conductividad aumenta. Ya que la temperatura, luz o diferencia de
potencial entrega energía al semiconductor y los electrones de la banda
de valencia saltan a la banda de conducción, generando más electrones
libres y beneficiando a la conducción.

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