Universidad Tecnológica de Panamá Electrónicos II

Universidad Tecnológica
Sede Regional de Chiriquí
Facultad de Ingeniería Eléctrica
Ingeniería Electromecánica

Materia:
Laboratorio de Electrónicos

Laboratorio:
Amplificador de Voltaje con Mosfet

Profesora:
Gloria Gutiérrez

Realizado por:
Angel Santamaria 4-780-434
Alfredo Guerra 4-774-629

Fecha: 14/6/2018
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Introducción

En este caso trabajaremos con el mosfet de canal N y protección de compuerta además se

demostrara cómo funcionan los voltajes de operación y determinación de su ganancia incluso
de medir la relación de fase entre los voltajes de la compuerta, la fuente y el drenaje, cabe
destacar que es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro
tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en
transistores MOSFET. Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura
MOS. Los primeros son los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de un
canal entre el drenador y la fuente, al aplicar una tensión en la puerta yLos MOSFET de
empobrecimiento o deplexión tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe
hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la puerta, lo cual ocasiona
una disminución de la cantidad de portadores de carga y una disminución respectiva de la
conductividad
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Objetivos:

 Medir los voltajes de operación de cd de un amplificador de voltaje con Mosfet.

 Mostrar cómo funciona un amplificador de voltaje con Mosfet.
 Medir la relación de fase entre los voltajes de la compuerta, la fuente y el
drenaje en un amplificador de voltaje con Mosfet.
 Verificar su operación por experimentación y simulación.
Equipos y Materiales:

Fuente de energía 0-15 Vcd, 20 mA

Tablero Elvis
Computadora
Generador de AF
Sistema de capacitación en electrónica
C1,C3 0.022µF
Q1 Mosfet de canal N y protección de compuerta, 40841
R1 2.2MΩ ,1W
R2 150kΩ ,1W
R3 1kΩ ,1W
R4 150Ω ,1W

Procedimiento con su respectiva respuesta:

Objetivo A. Medir los voltajes de operación de cd de un amplificador de voltaje con
MOSFET.

1.a) Conecte el circuito como se indica en la figura 9-3. Para impedir daño al MOSFET todavía
no aplique energía ni conecte aun el capacitor de paso C2. Ambas compuertas están
conectadas entre si para simular un MOSFET de una sola compuerta. En el circuito se utilizan
dos tipos de polarización: de compuerta y de fuente. Este método de polarización estabiliza la
operación del circuito para parámetros de dispositivos que pueden variar extensamente entre
MOSFETs del mismo tipo.
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b) Ajuste el Voltaje 𝑉𝐷𝐷 de drenaje de la fuente a 15Vcd.

c) Ajuste el multímetro al rango de 15 volts cd y mida 𝑉𝐷 .

𝑉𝐷 = 9.25 Vcd
d)¿ A qué conclusión llega si 𝑉𝐷 mide 15 Volts?
R= Indicaría que no hay caída a través de R3 y por tanto tampoco corriente de drenaje. El
transistor estaría en corte y no podría dar amplificación lineal.
e) Ajuste el multímetro y mida Vs es decir el voltaje de fuente a tierra.

R= 0.96V Vcd

f) Mida VG

R= VG= 0.3V

g) ¿Vs debe ser igual a Vgs, la polarización de compuerta a fuente?

h) ¿Cómo determina Vgs cuando se utilizan polarizaciones combinadas de compuerta y

fuente?

i) Calcule Vgs para el circuito 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 .

R= 𝑉𝐺𝑆 = 0.8 𝑉𝑐𝑑

j) Indique si la compuerta es negativa con respecto a la fuente.

k) En cual modo esta operando su circuito amplificador, el de empobrecimiento o el de

enriquecimiento.

f) ¿Qué efecto tiene la polarización de compuerta en la impedancia se entrada del circuito?

R= se redujo bastante.

Objetivo B. Mostrar como funciona un amplificador de voltaje con MOSFET, y determinar su

ganancia de voltaje.

2. a) Ajuste el generador de AF para una salida de onda senoidal a una frecuencia de 1KHz.

b) conecte el generador AF a la entrada a la entrada del amplificador con MOSFET. Use el

osciloscopio para ajustar el nivel de salida del generador a 0.4 volts pico a pico.
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c) mida la señal de salida de pico a pico en el drenaje del amplificador utilizando el osciloscopio.

𝑒0 = 200 𝑚𝑉 𝑉𝑝𝑝
d) Calcule la ganancia de voltaje.

𝐴𝑉 = 𝑒0 /𝑒1 .

𝐴𝑉 = 20𝑚𝑉.

e) conecte el capacitor electrolítico de 25 microF C2 a través de la resistencia R4 de la fuente. El

extremo negativo del capacitor debe estar a tierra.

f) mida señal de salida de pico a pico.

𝑒0 = 200 𝑚𝑉 𝑉𝑝𝑝
g) calcule la ganancia de voltaje

𝐴𝑉 = 20𝑚𝑉
h) cuando se agrega el capacitor de paso de resistencia de fuente ¿Que le sucede a la ganancia
de Voltaje?

R= aumenta.

i) ¿Por qué el capacitor d paso de la resistencia de fuente aumenta la ganancia de voltaje?

R= el capacitor tiene muy poca reactancia.

j) suponga que la transconductancia del transistor es de 6000 microhoms, calcule la ganancia

de voltaje esperada para este amplificador.

𝐴𝑉 = 𝑔𝑚 𝑋 𝑅𝐿
k) compare los valores de las ganancias de g) y f) ¿concuerdan favorablemente?

R= los 2 valores son bastante parecidos.

Objetivo C. medir la relación de fase entre los voltajes de compuerta, fuente y drenaje de un
amplificador de voltaje con MOSFET.

3.a) quite el capacitor de paso de la resistencia de fuente C2 del circuito amplificador.

b) use la entrada horizontal externa y la señal de prueba calibrada y calibre el amplificador

horizontal del osciloscopio para 0.252 V/cm como en los experimentos anteriores.

c) A juste el osciloscopio para deflexión vertical de 0.01 V/cm. Use la punta de prueba
multiplicadora X10 y conecte la entrada del osciloscopio a la compuerta del amplificador, de
ser necesario ajuste la señal de entrada a 0.4 volts pico a pico.

d) conecte el capacitor C3 de 0.022 microF. En serie con la punta de entrada horizontal al

osciloscopio use la otra punta como punta de prueba.
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e) conecte el capacitor de acoplamiento horizontal a la compuerta del amplificador, registre el

trazo en la pantalla.

f) mueva el capacitor de acoplamiento horizontal al drenaje, registre el trazo en b) de la figura

9-4.

R= el trazo se inclinó en la dirección contraria.

g) ¿a que conclusión llega con respecto a la relación de fase entre compuerta y el drenaje del
amplificador?

R= están desfasados 180°.

h) mueva el capacitor de acoplamiento horizontal a la terminal de la fuente. Registre el trazo

en la figura 9-4.

i) a que conclusión puede llegar con respecto a la relación de fase entre la compuerta y la
fuente del amplificador.

R= podemos concluir que la compuerta y la fuente del amplificador se encuentran en fase.

j) si se pasa el drenaje a tierra y la señal de salida se toma de la fuente, como se identifica al

amplificador.

R= Se identifica como un amplificador de drenaje común.

k) ajuste todas las fuentes de voltaje a cero.

Resumen

En este experimento de laboratorio se familiarizó con el funcionamiento de la fuente de

corriente constante con JFET. Primero midió la corriente de carga y las caídas de voltaje del JFET
para distintos valores de la resistencia de carga. Vio que la corriente de carga permanece
constante pero que las caídas de voltaje del JFET disminuyen para mayores valores de la
resistencia de carga. Encontró que cuando la carga se hace demasiado grande la fuente de
corriente constante sale de regulación y no logra mantener una corriente constante. Determinó
que ello se debe a que 𝑉𝐷𝑆 cae por debajo de 𝑉𝑝 para el JFET haciendo que salga de la región de
operación de corriente constante. Luego calculó la caída de voltaje a través de la carga para cada
valor de resistencia de carga utilizando la ley de voltaje de Kirchhoff. Determino que el voltaje
de carga varía directamente con la resistencia de carga. Finalmente calculó la disipación de
potencia en el JFET en todo su rango de voltajes de 𝑉𝐷𝑆 y encontró que disipa la máxima potencia
para la menor resistencia de carga y la mínima potencia para la máxima resistencia de carga.
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Cuestionario

1-Los MOSFETs de modo empobrecimiento están polarizados:

a) En forma semejante a los JFETs.

b) Para baja corriente de compuerta.
c) Para corriente moderada de compuerta.
d) Para corriente elevada de compuerta.

2-Algunos MOSFETs de modo empobrecimiento se pueden operar en polarización cero debido

a:

a) Que la compuerta aislada impide corriente de compuerta.

b) Que también tienen características de enriquecimiento.
c) Que tienen alta transconductancia a polarización cero.
d) Todos los anteriores.

3-Si desea máxima ganancia de voltaje de un MOSFET de modo empobrecimiento:

a) Se utiliza una alta impedancia de carga.

b) Se debe hace funcionar el dispositivo cerca de la polarización cero.
c) Se debe pasar la resistencia de fuente.
d) Todos los anteriores.

4-Para utilizar un MOSFET de modo de enriquecimiento como amplificador lineal:

a) No se requiere polarizacion
b) La compuerta requiere de polarización directa para encenderla.
c) La compuerta requiere de polarización inversa para apagarla.
d) Se debe elegir una configuración de seguidor fuente.

5- En un MOSFET de tipo de empobrecimiento de canal P:

a) Se debe polarizar negativa la compuerta para reducir la corriente de canal.

b) Se debe polarizar positiva la compuerta para reducir la corriente de canal.
c) a) o b)
d) Ni a), ni b).
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6-Uno de los siguientes enunciados es verdadero:

a) La polarización de compuerta aumenta la impedancia de entrada de un amplificador

de MOSFET.
b) La polarización de compuerta reduce la impedancia de entrada de un amplificador
MOSFET.
c) a) o b).
d) Ni a), ni b).

Análisis y Resultados
Circuito Armado para sus previas mediciones:

Fig.9.1.1 Circuito con Mosfet con ambas compuertas conectada.

Objectivo B. Mostrar cómo funciona un amplificador de voltaje con MOSFET y determinar su

ganancia de voltaje.
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Fig.9.2.1 Generador ajustado con onda senoidal a 1 Khz.

Fig.9.3.1 Señal de salida de pico a pico en el drenaje del amplificador que se muestra en azul.

𝑽𝟎 = 𝟐𝟎𝟎𝒎𝒗 𝒗𝒑𝒑
Como se muestra en el osciloscopio

Donde

𝑉𝑖 = 20.0 𝑚𝑉
𝑉𝑜 = 200𝑚𝑉
Para la ganancia de voltaje
𝑉𝑜 200𝑚𝑉
𝐴𝑣 = = = 10
𝑉𝑖 20.0𝑚𝑉
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 Fig.9.4.1 señal de salida de pico a pico en el drenaje del amplificador con el capacitor
de 25uF conectado en paralelo con la resistencia 𝑅4

Voltaje de entrada del amplificador

𝑉𝑖 = 20𝑚𝑉
Voltaje de entrada del amplificador

𝑉𝑜 = 200𝑚𝑉

La ganancia calculada sigue manteniendo la misma relación pero se amplifica más debido al
capacitor conectado en paralelo.

Ganancia de voltaje de este amplificador, si la transconductancia es de 6000

micromhs

𝐴𝑣 = 𝑔𝑚 𝑅𝐿

𝐴𝑣 = (6𝑥10−3 )(1𝑘Ω) = 6

Objetivo C. Medir la relación de fase entre los voltajes de compuerta, fuente y drenaje de un
amplificador de voltaje con MOSFET.
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Fig.9.3.1 Capacitor de acoplamiento horizontal conectado a la compuerta del

amplificador.

Fig.9.3.2 Capacitor de acoplamiento horizontal conectado al drenaje del

amplificador.

Fig.9.3.3 Capacitor de acoplamiento horizontal conectado al drenaje del

amplificador.
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Conclusión