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E l j F ET

E l JFET

369

(transistor de efecto de cam po de unión) es un tipo de FET que opera con una pn polarizada en inversa para controlar corriente en un canal. Según su estructura, los caen dentro de cualquiera de dos categorías, de canal n o de canal p.

esta sección, usted será capaz de:

Explicar !a operación de los JF E T

♦ Identificar las tres term inales de un JFET

Explicar qué es un canal

Desen bir la diferencia estructural entre un JFET de canal n y un JFET de canal p

Analizar cóm o la corriente en un JFET controla el voltaje

los sím bolos para los JFET de canal n y los de canal p

8- i(a) muestra la estructura básica de un JFET de canal n (transistor de efecto de unión). Cada extrem o del canal n tiene una term inal; el d r e n a je se encuentra en el superior y la foesíte en el inferior. Se difunden dos regiones tipo p en el material tipo n un canal y am bos tipos de regiones p se conectan a la term inal de la c o m p u e rta . Por la terminal de la com puerta se m uestra conectada sólo a una de las regiones p. En la l(b) se muestra un JFET de canal p.

(a) cana! n

básica

Drenaje

T

Fuente

Compuerta

(b) canal p

D renaje

< FIGURA 8-1

Í Representación de la

estructura básica de los dos

tipos de JFET.

~/T[

NOTA HISTÓRICA

En 1952, lan Ross y George Dacey tuvieron éxito al fabricar un dispositivo unipolar con una estructura similar a la del JFET actual.

]a operación de un JFET, la figura 8-2 m uestra los voltajes de polarización de cd

un dispositivo de canal n. VDq genera un voltaje entre el drenaje y la fuente y sumi- del drenaje a la fuente. Vgg establece el voltaje de polarización en inversa entre

y la fuente, com o se muestra.

opera con la unión pn de compuerta-fuente polarizada en inversa. La pola- de la unión de com puerta-fuente con voltaje negativo en la com puerta produce empobrecimiento a lo largo de la unión pn, la cual se extiende hacia el canal n, y su resistencia al restringir el ancho del canal, canal y, consecuentemente, su resistencia pueden controlarse variando el voltaje en controlando de esa manera la cantidad de corriente en el drenaje, /]> La figura 8-3 Las áreas blancas representan la región de em pobrecim iento creada por la inversa, más ancha hacia el drenaje del canal porque el voltaje de polarización en

370

T r a n s is t o r es

d e

e f e c t o

d e

c a m p o

(F E T )

► FIGURA 8-2

JFET de cana! n polarizado.

D

W

r

£3 GE

Compue

(G)

y m m ,,,

l GS

IEPASO DE L 5ECCIÓN 8-t

as respuestas si

I encuentran al fi

1del capítulo

(as JFET polarizado para conducción

# v cs

9

-

£

m

im

,

’TZ-T

Vnn

(b) Con VGG grande el canal se estrecha (entre las áreas blancas) lo cual incrementa la resistencia

del canal y reduce la / D.

|—

,C3

O''7]

U:„

Rn

W v—

V n n -= -

# \vst¡m ,

N

&

‘D

/

(c) Con VGa pequeño el canal se ensancha (entre las áreas blancas) lo cual reduce la resistencia del cana! e incrementa la / D.

▲ FIGURA

8-3

Efectos del VGS en el ancho del canal, la resistencia y la corriente en el drenaje (VGC¡ = VGS).

inversa entre la com puerta y el drenaje es más grande que la que hay entre la compuerta y la fiii te. En la sección 8-2 se analizarán las curvas características y algunos parámetros importantes JFET.

Símbolos de JFET

Los sím bolos esquem áticos tanto para los JFET de canal n com o de canal /; se muestran en lí:

gura 8-4. O bserve que la flecha en la com puerta señala la “entrada” del canal n y la “salida’ canal p.

2

Carí

El JFET oper sección se ab cia del JFET

Al terminar

Definir

Consic ¡produce i

| am bas se /Dlo har sEn esta ¡ miento i . región c más afi En e esencia

 

D renaje (D)

D renaje (D)

Compuerta

C om puerta

(G)

(G)

 

Fuente (S)

Fuente (S)

cana! n

canal ¡>

C a r a c t er íst ic a s

■4 FIGURA

8 - 4

y

p a r á m et r o s

Símbolos esquemáticos de JFET.

DE LA

N 8-1

«estas si* itran al final fc>

1. Mencione las tres terminales de un JFET.

2. ¿Requiere un JFET de canal n un valor positivo o negativo de VGS?

3. ¿Cómo se controla la corriente en el drenaje en un JFET?

Carac te rís tic a s

y

p a rá m e tro s

d e l

J F E T

del

J F E T

371

gJFETopera como un dispositivo de corriente constante controlado por voltaje. En esta «ion se abordan el corte y el estrangulam iento. asi' com o las características de transferen- É el JFET.

ninarestu sección, usted será capaz de:

finir, analizar y aplicar parám etros im portantes del JF E T

^

.Explicar la región óhm ica, la región de corriente constante y la ruptura

■Definir i ahaje de estrangulam iento

^Describir cómo ei voltaje entre la com puerta y la fuente controla la corriente en el drenaje

nir i oltaje de corte

Pompara: estrangulamiento y corte

lizar una curva característica de transferencia de un JFET

ia ecuación de la característica de transferencia para calcular ID

zar tina hoja de datos de JFET

Mr transconductancia

¡¡¡car y determinar resistencia y capacitancia de entrada

ninar la resistencia entre el drenaje y la fuente

el caso en que el voltaje entre ia com puerta y la fuente es cero (Vos = 0 V). Esto se Sendo en cortocircuito la com puerta con la fuente, com o en la figura 8-5(a) cuando ten a tierra. A m edida que VDD (y por lo tanto VDS) se increm enta a partir de 0 V, fjorcionalmente, com o m uestra la gráfica de la figura 8~5(b) entre los puntos A y B. la resistencia del canal es esencialm ente constante porque la región de em pobreci- suficientemente grande com o para que tenga un efecto significativo. Ésta se llama

e / D están relacionados por la ley de Ohm (la región óhm ica se discute

)en la sección 8-4.) B de la figura 8-5(b), la curva se nivela y entra a la región activa donde / D se torna constante. A medida que VDs se increm enta desde el punto B hasta el punto C, el

porque

372

T r a n sis t o r es

d e

e f e c t o

d e

c a m p o

(a) JFET con

= 0 V y un

variable (VDD)

(FET)

Región óhmica

B

Región activa

(corriente constante)

Vp (voltaje de estrangulamiento)

(b) Característica de drenaje

i Ruptura

A FIGURA 8-5 Curva de la característica de drenaje de un JFET con VGS = 0 que muestra el voltaje de estrangulamiento.

voltaje de polarización en inversa de la com puerta al drenaje (V q d ) produce una región deempo*

brecim iento suficientem ente grande para tiene relativam ente constante.

com pensar el increm ento de VDS, por lo que /D sema®

Voltaje de estrangulamiento

Con V'gs = 0, el valor de VDS al cual Iq se vuelve esencialm ente constante [el punto B sobrelí curva m ostrada en la figura 8-5(b)] es el v o lta je «te e s tra n g u la m ie n to , V„. Para un JFETdaáfj Vp tiene un valor fijo. Com o se puede ver, un increm ento continuo de Vos Por encima del voíj taje de estrangulam iento produce una corriente casi constante en el drenaje. Este valor de la» rriente en el drenaje es /pgs (D rain to Source with gate Shorted, Drenaje a fuente coir com puerta en cortocircuito) y siem pre viene especificada en las hojas de datos de los JFET. es la corriente m áxim a en el drenaje que un JFE T específico es capaz de producir sinimpoflí el circuito externo y siem pre se especifica en la condición, Vqs = 0 V.

Ruptura

Com o se m uestra en la gráfica de la figura

com ienza a increm entarse muy rápido con cualquier increm ento adicional de VDs- La ruj puede dañar irreversiblem ente el dispositivo, así que los JFET siempre se operan por deba» la ruptura y dentro de la región activa, (corriente constante), (entre los puntos B y C en la

ca). La acción de JFET que produce la curva característica de drenaje hasta el punto de ru] con V'gs = 0 V se ilustra en la figura 8-6.

8-5(b), la ru p tu ra

ocurre en el punto Ccuando:

H

e

(c) Cuand

FIGURA 8- kción del JFE

VGS controla a lD

Conéctese un voltaje de polarización, Vqg, de la com puerta a la fuente, com o se muestra en gura 8-7(a). A m edida que VGS se ajusta a valores cada vez más negativos al ajustar VGG. se duce una fam ilia de curvas características del drenaje, com o m uestra la figura 8-7(b). 01 que / D se reduce a medida que se increm enta la m agnitud de Vqs a valores negativos más debido al estrecham iento del canal. O bserve tam bién que, con cada incremento de V'GS, el llega al punto de estrangulam iento (donde com ienza la corriente constante) con valores m enores que Vp. El térm ino estrangulam iento no es el m ism o que voltaje de estrangul; Vp. Por consiguiente, V’gs controla la cantidad de corriente en el drenaje, como ilustra la fi

C a r a c t er íst ic a s

(a) Cuando VDS = 0, l D = 0.

(b) / Dse incrementa proporcional mente con en la región óhmica.

Vp., = Vp, /o es constante e igual.

(d) Conforme / Dss hasta

la curva de característica con l'cs = 0 V.

VDS se incrementa, ID permanece en que ocurre la ruptura.

y

pa r á m et r o s

(a) JFET polarizado con VGS = - I V

•V

VP = +5 V Estrangulamiento con Vcs = -1 V

(b) Familia de curvas de característica de drenaje

del J F E T

Vas = 0

v'c,s = -

1 v

VC;s = - 2 V

V&S = -3 V

373

V0S = -4V

VGS = ^OSlairlo) = -5 V Vos

ocurre a un VDS más bajo a medida que VGS se incrementa a valores más negativos.

374 T r a n sist o r es

d e

(a)

l'(is -

0 V, VDS >

ef e c t o

Vv , l D -

d e

/DSS

c a m p o

(FET)

(c) Conforme VqS se hace más negativo, ID continúa reduciéndose pero permanece constante por encima del voltaje de estrangulamiento, ei cual también se reduce.

▲ FIGURA 8-8 VGS controla a /D.

(b)

Cuando VqS es negativo, /p se reduce y es constante por encima del voltaje de estrangulamiento, el cual es menor que Vp.

(d)

Hasta que ^GS ~ —^GS(coric)’ continua reduciéndose. Cuando > - V'GS(cortc), ID s 0.

Voltaje de corte

El valor de Ves que hace

m uestra la figura 8- 8(d). El JFET debe operar entre VGs = 0 V y VGS(Corte). Con este intervalo®

voltajes de com puerta a fuente, /D varía desde un m áxim o de / DSS hasta un m ínim o de casi c Com o se ha visto, para un JFET de canal n, m ientras más negativo es VGs> más pequeña He;

que 7q sea aproxim adam ente cero es el voltaje de corte. VGS(corte)> cor%

a ser /D en la región activa. Cuando

duce

ta un punto donde el canal se cierra por com pleto, como muestra la figura 8-9.

VGS tiene un valor negativo suficientem ente grande, /Dsetf

a cero. El estrecham iento de la región de em pobrecim iento provoca este efecto de corte has­

► FIGURA 8-9 JFET en situación de corte.

La operación básica de un JFET de canal p es igual a la de un dispositivo de canal n exce¡¿|

to, porque un JFET de canal p requiere ra 8- 10.

un VDD negativo y un VqS positivo, com o ilustra 1

C a r a c t er íst ic a s

y

■4 FIGURA 8-10 JFET de canal p polarizado.

pa r á m et r o s

del J F E T

3 7 5

mparación de! voltaje de estrangulamiento y el voltaje de corte

mo se ha visto, existe una diferencia entre los voltajes de estrangulam iento y de corte. Tam­ il hay una conexión. El voltaje de estrangulam iento VP es el valor de VDS al cual la corriente el drenaje de vuelve constante e igual a /q ss y siem pre se m ide con V qs = 0 V. N o obstante, ¡estrangulamiento ocurre con valores de VDS m enores que VP cuando Vos no es cero. A sí que, que Vp es una constante, el valor m ínim o de VDS al cual /D se vuelve constante varía con Vos- A corte) y Vp siem pre son iguales en m agnitud pero de signo opuesto. U na hoja de datos almente dará Vc;s(corte) ° mas 110 ambos. Sin em bargo, cuando se conoce uno, se tiene el Por ejem plo, si Vos(cortc) = —5 V, entonces Vp = + 5 V, com o m uestra la figura 8-7(b).

JEMPLO 8-1

Solución

Para el JFET m ostrado en la figura 8-11, V'(

= —4 V e /] 5ss — 12 mA. D eterm ine el va-

lor mínimo de VDD requerido para situar el dispositivo en la región de operación de corriente

constante cuando V'gs -

GS (corte)

0 V.

► FIGURA

8-11

.

T

+

En vista de que VGS(corte) ~

región de corriente constante es

—4 V, VP = 4 V. El valor m ínim o de V’DS para que el JFET esté en

VDS =

VP =

4 V

En la región de corriente constante con VGS -

0 V,

=

^dss =

12 mA

La caída a través del resistor en serie con el drenaje es

V ru =

Í DR D =

(12 m A )(560 f l)

=

6.72 V

Aplique la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del circuito de drenaje.

blema relacionado*

V nn

DD

=

V™

v DS

+

~1~

Éste es el valor de VDD para hacer que te constante.

W

v Ryj

=

:

4 V

+

6.72 V

=

10.7 V

Vp y poner el dispositivo en la región de corrien-

Si VdD se increm enta a 15 V, ¿cuál es la corriente en el drenaje?

*Las respuestas se encuentran al final del capítulo.

376

T r a n sis t o r es

d e

e f e c t o

d e

c a m p o

(F E T )

EJEM PLO

8 - 2

Solución

Problema relacionado

U n JFET de canal p particular tiene un V,GS(corte) =

+ 4 V. ¿Cuál es / D cuando VGS =

+6 V?

El JFET de canal p requiere un voltaje positivo de com puerta a fuente. M ientras más positivo

sea el voltaje, m enos corriente habrá en el drenaje. Cuando VGs = 4 V, /D =

crem ento adicional de Vqs m antiene el JFET en corte, por lo que /D perm anece en 0.

0. Cualquier in­

¿Cuál es Vp para el JFET descrito en este ejemplo?

Característica de transferencia universal de un JFET

Se aprendió que un intervalo de valores de VGS desde cero hasta V'gs(corto controla la cantidad de corriente en el drenaje. Para un JFET de canal n, VGS(c0lte) es negativo y para uno de canal p. ^GS(corte) es positivo. La figura 8-12 es una curva de característica de transferencia que ilustra! gráficam ente la relación entre Vqs e / D. Esta curva tam bién se conoce com o curva de transe®- ductancia.

► FIGURA

8-12

Curva de la característica de transferencia universal de un JFET (canal n).

-Ve*

GS(corte)

J t"

I

i

I

i

1

^DSS

9

4

- V g s (V)

A FIGURA I

Ejemplo del t de las curvas

U na etin

Con la ecuf general, est elevado al < ley cuadró de ley cuac L a hoja

EJEM

O bserve que el extrem o inferior de la curva se encuentra en un punto sobre el eje V^s iguala

vGS(coi te) Y

superior se encuentra en un punto sobre el eje lD igual a /DSS. Esta curva muestra que';

r D

0

^DSS

4

1 _ ^DSS

D -

2

/ n

D

cuando Vr

Vr.

cuando J/ClS =

0.5VGSk,

cuando l/cs =

0.3VOS(corle)

¡n

DSS

cuando Vr.<¡ = 0

L u a l l u u

VCS

La curva de característica de transferencia tam bién puede desarrollarse a partir de las curvap

de la característica de drenaje graficando los valores de / tJ correspondientes a los valores de Vj| j

de curvas de drenaje en el punto de estrangulam iento, como ilustra la figu­

ra 8-13 para un conjunto específico de curvas. Cada punto sobre la curva de característica ¡¡ transferencia corresponde a valores específicos de VqS e /Den las curvas del drenaje. Por ejemplo,

tom ados de la fam ilia

cuando Vqs = ~ 2 V, / D = 4.32 mA. A sim ism o, para ^dss = 12 mA.

este JFET específico, Vastante) = "5 Vfl

Prol

ad de

lal p,

lustra

scon-

[iFlGURA 8 -1 3

ID(mA)

C a r a c t er íst ic a s

y

pa r á m et r o s

d el

J F E T

377

pemplo del desarrollo de una curva de la característica de transferencia de un JFET de canal n (gris) a partir lie las curvas de la característica de drenaje de un JFET (negro).

Una curva de transferencia para un JFET se expresa aproxim adam ente com o

¡S igual a estra que

|

las curvas res de V'gs tra la figu- erística de

ir ejem plo,

= '- 5

V

e

Vgs

V

^GS(corte) /

|Con la ecuación 8-1, /D puede

Ifeneral, estas cantidades se encuentran en la hoja de datos de un JFET dado. O bserve el térm ino

¡«levado al cuadrado en la ecuación. D ebido a su form a, una relación parabólica se conoce como p)’cuadrática, de ahí que los JFET y los M O SFET tam bién se conozcan com o dispositivos jáe ley cuadrática. La hoja de datos para una serie típica de JFET se m uestra en la figura 8-14.

V'gs s>^GS(corte)e ^dss se conocen. En

determ inarse para cualquier

Ecuación 8-1

EJEMPLO 8 - 3

La hoja de datos parcial en la figura 8-14 para un JFET 2N5459 indica que en general / DSs =

 

9

con VGS =

mA y Vosfcorte) — ~ 8 -

1 V y

0 V,

V (m áxim o). Con estos valores, determ ine la corriente en

- 4

V.

el drenaje

Solución

Con VGs

— 0 V,

 

~

^d ss

=

9 m A

 

Con

V'gs

=

1 V, use la ecuación 8-1.

 
 

^GS

 

/ n

 

V, GS(cortc)

 
 

(9 mA)( 1

-

0.125)2 =

(9m A )(0.766) =

6.89 mA

 
 

Con

VGS =

- 4

V,

 

—4 V \ 2

 
 

I D

=

(9m A )(

1

-

=

(9 mA)( 1

 

-

0 .5 )2 =

(9 mA)(0.25) =

2.25

mA

Problema relacionado

D eterm ine / D con Vqs =

~ 3 V

para el JFET 2N5459.

378

T r a n sis t o r es

FIG U RA 8-14

d e

Hoja de datos parcial de un JFET. © 2003 Fairchild Semiconductor Corporation. Utilizada con permiso.

e f e c t o

d e

c a m p o

(F E T )

FAIRCHILD

EM ICDNDUCTDR ti

2N5457

MMBF5457

2N5458

MMBF5458

2N5459

MMBF5459

Amplificador de canal-n

SOT-23

o

Marca: 6D/61S/6L

para propósito

general

Este dispositivo es un amplificador de audio de bajo nivel y transistores de conmutación y puede ser utilizado para aplicaciones de conmutación. Procedente del proceso 55.

Valores nominales máximos absolutos*

>3 que r>e indique lo contrario

Símbolo

V dg

Vgs

W

Tj, Tslg

Parámetro

Valor

Unidades

Voltaje drenaje-compuerta

25

V

Voltaje compuerta-fuente

-25

V

Corriente en compuerta en polarización en directa

10

mA

Intervalo de temperatura de unión de operación y almacenamiento

-55 a +150

’C

T rán seosle

.a trá n se o s riente en el (

AV'g s) con £ ss el siemens

Otras design; seta). Come importante ai Debido a i con la ubicac superior de k Ira la figura í

Estus valores nominalesson valores límite porencima de los cuales la funcionalidadde cualquier semiconductorpuede verse compromi

)

NOTAS:

1) Estos valores nominales están basados en una temperatura máxima en la unión de 150 grados. 2) Estos son limites en estado permanente Se deberá consultar al fabricante sobre aplicaciones que implican operaciones pulsantes y de ciclos do trabajo de ba¡o nivel.

Características térmicas

TA = 25'C a menos que se indique lo contrario.

Symbol

P d

R iuc

R uja

Característica

Máx

Unidades

 

2N5457-5459

'MMBF5457-5459

Disipación

total del dispositivo

625

350

mw

Reducción de valores nominales por encima de 25°C

5.0

2.8

mW/'C

Resistencia térmica, entre unión y cápsula 125

'CAN

Resistencia térmica, entre la unión y el medio ambiente

357

556

C/W

Dispositivomontado en FR-4PCB 1.6" X 1.6'XO.Oo."

Características eléctricas

Símbolo

TA =j?5 C a manos que se indique lo contrario

Parámetro

Condiciones de prueba

Mín. Típ.

Máx. Unidades

CARACTERISTICAS APAGADO

V(BR)GSS

Igss

VcSfcorle)

V gs

Voltaje de ruptura entre compuerta y fuente

Corriente inversa en ia compuerta

Voltaje de corte entre compuerta y fuente

Voltaje

entre la compuerta y fuente

CARACTERÍSTICAS ENCENDIDO

tass

Corriente en drenaje con voltaje cero en la compuerta’

Ig = 10|iA, Vos = 0

V g s = -15 Ves= -15

Vos

V, Vos

= 0

V, V ds = 0, T a = 100”C

V,

lD = 10 nA

b =

lo

lD =

100 ¡j ,A

|xA

400 n-A

= 200

5457

5458

5459

5457

5458

5459

- 15

= 15

= 15

V,

V,

Vos = 15 V,

VDs

Vos

Vos = 15 V,

VGs = 0

5457

5458

5459

- 25

- 0.5

- 1.0

- 2.0

1.0

2.0

4.0

CARACTERISTICAS DE SEÑAL PEQUEÑA

gts

9os

Ciss

Crsb

NF

Conductancia de transferencia en polarización en directa*

5457

5458

5459

Conductancia de salida*

Capacitancia de entrada

Capacitancia de transí, con polarización inversa VDs= 15 V, V gs = 0, f = 1.0 MHz

Figura de ruido

khlz,

= 1-0 MHz

Vos = 15 V, Ves

Vos

= 15 V, V gs

Vos = 15 V , V

Vos = 15 R g = 1.0

= 0,1

= 1.0 kHz

= 0, f

= 1.0 kHz

0, f -• 1.0

gs = 0, f

V, VGs =

megohm, BW = 1.0 Hz

Prueba de pulso: Ancho de pulso s 300 ms, Ciclo de trabajo < 2%.

1000

1500

2000

 

V

 

-

1.0

nA

- 200

 

nA

 

- 6.0

V

- 7.0

V

- 8.0

V

- 2.5

 

V

- 3.5

V

-

4.5

3.0

5.0

mA

6.0

9.0

.

mA

y.o

1B

mA

 

5000

nmhos

5500

^mi-ios

6000

p.mhos

 

10

50

ii.mhos

4.5

7.0

pF

1.5

3.0

PF

 

3.0

dB

U na hoja i

de dai

na unidad qi

D ada gmo,

aracterística

a

Cuando ni as líneas ve

EJEMPi

LTransconductancia en directa de un JFET

C a r a c t er íst ic a s

y

pa r á m et r o s

d el JFET

379

íLa tra n s c o n d u c ía n c ia en directa (conductancia de transferencia), gm, es el cam bio de la jfiente en el drenaje (A/D) correspondiente a un cambio dado del voltaje entre com puerta y fuente ljáVGS) con el voltaje entre drenaje y fuente constante. Se expresa com o un cociente y su unidad es el siemens (S).

co-

is designaciones com unes para este parám etro son gfs y yys (adm itancia de transferencia en di-

am plificadores con FET com o factor

a). Como

se verá en el capítulo 9, gm es im portante en

ortante al determ inar la ganancia de voltaje.

Debido a que la curva de transferencia de un JFET no es lineal, gm cam bia de valor de acuerdo i la ubicación en la curva determ inada por VqS. El valor de gm es más grande cerca del extremo

VGS(corte)), com o ilus-

erior de la curva (cerca de VGs = 0) que cerca del ala figura 8-L5.

extrem o inferior (casi

A/pi

M r.

&m2 *> £¡n1

AVr.

con Vqs = 0 V (g m0). Por ejemplo,

phoja de datos del JFET 2N5457 especifica una g„l0 m ínim a de 1000 /Amhos (el mho es la mis-

?Una hoja de datos norm alm ente da el valor de gm m edido

aunidad que e! siem ens (S) con

VD§ =

15 V.

A FIG URA 8-15

gm varía según el punto de polarización (Vcs).

Dada g,„o, se puede calcular un valor aproxim ado para gm en cualquier punto sobre la curva aracterística de transferencia con la fórm ula siguiente:

&

m

& mi)

1

GS

GS(corte) /

Ecuación 8-2

{ Cuando no se dispone de un valor de g,„o, se puede calcular con valores de /D$s y Vcsfcorte)- las líneas verticales indican un valor absoluto (sin signo).

EJEMPLO 8-4

SmO

2/,

DSS

^GS(corte)^

Ecuación 8 -3

La hoja de datos que aparece en la figura 8-14 incluye la siguiente inform ación para un JFET

2N 5457: en

tos valores, determ ine la transconductancia en directa con ^GS punto.

—4 V y localice /p en este

general, ¡oss ~ 3.0 mA, VGS(Corte) =

6 V m áxim o y gfS(máX) = 5000 ¿¿S. Con es­

380 T r a n sist o r es

d e

e f e c t o

d e

c a m p o

(F E T )

Solución

Problema relacionado

gmo = gfS =

5000 ¡jlS. Use la ecuación 8-2 para calcular gm.

A

gm

^GS(corle)

=

(5000 /jlS)

4 V

—6 V

continuación, use la ecuación 8-1 para calcular / q con Vqs =

—4 V.

A} — AxSS

VGS

M jS(corie) /

=

(3.0m A )( 1

V

-4

V \ 2

6 V

=

1667

ix S

333 fiA

U n JFET dado tiene las siguientes características: / DSS =

gp = 3000 ju,A. D eterm ine gm e I q cuando Vgs =

—2 V.

12

mA, ^GSícorte) =

~ 5

Resistencia y capacitancia de entrada

V y gm0=

Com o se sabe, un JFET opera con su unión com puerta-fuente polarizada en inversa, lo que hace:

que la resistencia de entrada en la com puerta sea muy alta. La alta resistencia de entrada es ventaja del JFET sobre el BJT (recuerde que un transistor de unión bipolar opera con la unión se-em isor polarizada en directa). Las hojas de datos de JFET con frecuencia especifican la rea tencia de entrada dando un valor para la corriente en inversa de la com puerta, /oss> a un

voltaje entre com puerta y fuente. La resistencia de entrada se puede determinar entonces utiliz:

la siguiente ecuación, donde las líneas verticales indican un valor absoluto (sin signo):

EJEMPLO 8-5

Solución

Problema relacionado

Por ejem plo, la hoja de datos del transistor 2N5457 que aparece en la figura 8-14 incluye /¡f

m áxim a de — 1.0 nA con

suerte que la resistencia de entrada se reduce. La capacitancia de entrada, Ciss es el resultado de un JFET que opera con una unión polarizi en inversa. Recuerde que una unión pn polarizada en inversa actúa com o capacitor cuya capa:

tancia depende de la cantidad de voltaje en inversa. Por ejemplo, el 2N5457 tiene una C¡„ máxi:

de 7 pF con V'gs = 0-

V^s =

— 15 V a 25°C.

I q §§

se increm enta con la temperatura, de

Un cierto JFET tiene /Gss de —2 nA con VGs =

“ 20 V, D eterm ine la resistencia de entrada.'

 

Vns

20 V

PWT

2 nA

10,000

M il

D eterm ine ia resistencia de entrada del 2N5458 con la hoja de datos de la figura 8-14.

Resistencia de ca de drenaje a fuente

Con la curva característica del drenaje se aprendió que, por encim a del punto de estrangúlame

to, la corriente en el drenaje es relativam ente constante dentro de un intervalo de voltajes dre:

a fuente. Por consiguiente, un gran cam bio de

La relación de estos cam bios es la resistencia de ca de drenaje a fuente del dispositivo, r¿

produce sólo un

cam bio muy pequeño de f

r'

ds

A W

DS

A /r

Las hojas de datos a m enudo especifican este parám etro en función de las conductancias des da, gos o de la adm itancia de salida, yos, con V'gs = 0 V.

ic hace

es una

ión ba-

u rcsis-

P

o

l

a

r iz a

c ió

n

d e

u n JFET

381

REPASO DE LA SECCIÓN 8 2

1. El voltaje de drenaje a fuente en el punto de estrangulamiento de un JFET particular es de 7 V. Si el voltaje de compuerta a fuente es cero, ¿cuál es VP?

2. El Vcs de un cierto JFET de canal n se incrementa negativamente. ¿Se incrementa o reduce la corriente en el drenaje?

3. ¿Qué valor debe tener VGS para producir corte en un JFET de cana! p con un V„ = - 3 V?

-3

P olarización

d e

un JFET

. Utilizando algunos de los parám etros de JFET previam ente

\ se polarizan los JFET con voltaje de cd. Al igual que con el BJT. el propósito de la polariza­ ción es seleccionar el voltaje de cd de com puerta a fuente apropiado para establecer un valor Ideseado de la corriente en el drenaje y, por consiguiente, un punto Q apropiado. Existen tres ¡tipos de polarización: la autopolarización, la polarización m ediante divisor de voltaje y la polarización mediante fuente de corriente.

analizados, ahora se verá com o

|á l terminar esta sección, usted será capaz de:

A nalizar los circuitos de polarización de los JF E T

i cierto

♦ Describir la autopolarización

¡izando

♦ Analizar un circuito de autopolarizado para JFET

♦ Establecer el punto Q de autopolarización

♦ Analizar un circuito de polarización m ediante divisor de voltaje para JFET

♦ Utilizar curvas de transferencia para analizar circuitos de polarización de JFET

Ye AlíSS

. de

tal

♦ Analizar la estabilidad del punto Q

arizada

capaci-

náxim a

a d a .

lam ien-

dre naje

de /D.

o

'ds-

de sali-

♦ Describir la polarización mediante fuente de corriente

iitopolarización

|autopolarización es el tipo de polarización de JFET más com ún. Recuerde que un JFET debe ioperado de íal form a que la unión com puerta-fuente siempre esté polarizada en inversa. Esta pdición requiere un VGS negativo para un JFET de canal n y un VGS positivo para un JFET de fcal p. Esto se puede lograr con la configuración de autopolarización m ostrada en la figura 8 -16. ¡resistor, Rq, en serie con la com puerta, no afecta la polarización porque en esencia no hay caída fevoltaje a través de él, y por consiguiente, la com puerta perm anece a 0 V. Rq se requiere sólo i hacer que ia com puerta esté a 0 V y aislar una señal de ca de la tierra en aplicación de am- Sácador, como más adelante se verá.

VG=0V

(a) canal n

+vn

«D

p

L

+

1

 

:

« o <

(b) canal p

' DD

Q JFET autopolarizados (/s = /q en todos los FET).

>

3 8 2

T r a n sis t o r es

d e

e f e c t o

d e

c a m p o

(F E T )

Para el JFET de canal n m ostrado en la figura 8 - 16(a), 1$ produce una caída de voltaje a travé| de Rs que hace a la fuente positiva con respecto a tierra. Puesto que Is = /p y Vq = 0, entona VS = IDRS. El voltaje de com puerta a fuente es

Por lo tanto,

V GS

V 7

;

~

Vs

V', GS

0

/

-InR Dn S

'D AS

Probi

Para el JFET de canal p m ostrado en la figura 8-16(b), la corriente que fluye a través de Rs pro­ duce un voltaje negativo en la fuente, lo que hace a la compuerta positiva con respecto a la fuente.:

Por consiguiente, com o / s = /D,

EJEMPLO 8 - 6

^GS =

+^D^S

En el ejem plo siguiente se utiliza el JFET de canal n m ostrado en la figura 8 - 16(a) como ilwj tración. Tenga en cuenta que el análisis del JFET de canal p es el mismo, excepto por los voltajes de polaridad opuesta. El voltaje en el drenaje con respecto a tierra se determ ina como de la si-i guíente manera:

=

^ dd

Com o V$ = IVRS, el voltaje entre drenaje y fuente es

^ d s

=

^7d

=

^ d d

— ^ d (^ d

+

Rs)

Establee

11método

salor desea

iciones. L

¡rara un va ferencia pa

[^GS(corte)

píenlos.

D eterm ine VDg y en la figura 8-17. Para el JFET particular de este circuito, los valores de |

parám etros tales com o gm, VGS(corte) e / Dgg son tales que se produce una corriente en el drena-;

je (/p) de aproxim adam ente 5 mA. O tro JFET,

incluso del mismo tipo, puede no producirlo!

 

m ism os resultados cuando se conecta en este circuito, debido a la variación los parám etros.

de los valórese

EJEM1

► FIGURA

8-17

 
 

'■'d d

 

+ 15 V

Solución

Vs

=

I d R s

=

(5 m A )(220 í l )

=

1.1 V

VD =

^ d d

-

¡ d R d

=

15 V

-

(5 m A )(1.0 k íí)

=

15 V

-

5 V

=

10 V

 

Por consiguiente.

 
 

'7üs

=

V D ~

V s =

10 V

-

1.1 V

=

8.9 V

 
 

Com o VG =

0V ,

 

V'gs =

VG -

Vs

=

0 V

-

1.1 V

=

- 1 .1

V

Probk

~a relacionado

P

o

l

a

r iz a

c ió

n

d e

u n

JFET

D eterm ine VpS y Vc s en la figura 8 -17 cuando / D = 8 mA. Considere que R D = 860 íl, R$

390 <1 y

V'DD -

12 V.

383

Abra el archivo M ultisim E08-06 de la carpeta “Examples” del CD-ROM. M ida /q, VqS y Vos y com pare con los valores calculados del problem a relacionado.

leciendo del punto Q de un JFET autopolarizado

i básico para establecer el punto de polarización de un JFET es determ inar /D para un deseado J e V'g s o viceversa; luego se calcula el valor requerido de Rs con las siguientes re- . Las lin c a s verticales indican un valor absoluto.

Vgs

Ir

an valor deseado de V'gs, I d se determ ina en una de dos m aneras: con la curva de trans­ óla para el JFET particular o, de form a m ás práctica, con la ecuación 8-1 utilizando I q 55 {corte) de la hoja de datos del JFET. Los dos ejem plos siguientes ilustran estos procedi­ dos.

PLO 8 - 7

Determ ine el valor de Rs requerido para autopolarizar un JFET de canal n que tiene la curva de transferencia m ostrada en la figura 8-18 con VGS = - 5 V.

-V as (V )•

A FIGURA 8-18

-10

V(jSHrn¡rt

/ D (m A)

/

"25

/ -20

I 15

; 10

/DSS

Q 6.25

-5

5

Solución

D e acuerdo con la

gráfica, / D = 6.25 m A cuando VGS =

- 5

V. Calcule R s.

 

^GS

5 V

ID

6.25 mA

Mema relacionado

D eterm ine /?s con V( GS

-3 V.

3 8 4

T r a n sis t o r es

d e

e f e c t o

d e

c a m p o

(F E T )

EJEMPLO 8 - 8

Solución

Problema relacionado

D eterm ine el valor de R s requerido para autopolarizar un JFET de canal ¡>con val

dos de la hoja de datos de / DSS =

25 mA y V/GS(corlc) =

15 V. VGS tiene que ser de 5

U se la

ecuación 8-1 para calcular /D.

'D S S

(25 naA)( 1

Ahora, determine Rs.

R s

VGS

V

M jS(corte) /

-

0.333)

GS

,2

( == (25 mA)f

_

=

V

11.1 mA

1

5 V

450 a

h 11.1 mA

-

5 V

— —

v

X2

D eterm ine el valor de Rs requerido para autopolarizar un JFET de canal p con

/nss = i

y

VGS(corte) =

8 V,

V'gs =

4

V

P o la riza ció n

en

e l p u n to

m e d io

N orm alm ente es deseable polarizar

un JFET cerca:

)

EJEMPLO 8 - 9

m edio de su curva de transferencia donde / D = /dss^2- En condiciones de señal, la pol'

en el punto medio perm ite que la cantidad m áxim a de corriente en el drenaje oscile entre' Con la ecuación 8-1, en el apéndice B se dem uestra que / D es aproximadamente la mitad

cuando VGS =

VGS(c0rte)' ,/3.4.

DSS

VGS

Vr GS(corte)

DSS

1

-

Vr GS(corte)' ,/3.4

Vr GS (corte)

0-5/dss

A sí que, seleccionando VGs =

dio en función de Para situar el voltaje de drenaje en el punto medio (VD =

VDD/2), seleccione un valor'

para producir la caída de voltaje deseada. Seleccione un R q arbitrariam ente grande para que se cargue la etapa de m ando en una configuración de am plificadores en cascada. Ele pío 8-9 ilustra estos conceptos.

VGs(corte/3.4, se deberá conseguir una polarización depuá

Exam inando la hoja de datos de la figura 8-14, seleccione valores para/?D y Rs de la figura 8*

para establecer una

tos m ínim os cuando se den; de lo contrarío, VD deberá ser aproxim adam ente de 6 V (la mi

de Vjqd).

polarización de punto medio aproxim ada. Use los valores de hoja de'

► FIGURA

8-19

O

^DD

+ 12 V

2N5457

<ma-

! m A

el punto

r iz a c ió n

^dss y o.

1de Juss

Solución

Problema relacionado

P

o

l

a

r iz a

c ió

Para polarización en el punto medio,

/n

'D SS

1.0 mA =

0.5 mA

Entonces

Vr»

v,

GS(corte)

-0 .5

V

3.4 3.4

= —147 mV

Re

=

'G S

147 mV

0.5 mA

294 0

VD =

VdD -

I d^ d

^D^D

=

VDD ~

v D

R d

=

^DD

~

VD

 

I d

12V - 6 V

0.5 mA

12kü

n

d e

u n

JFET

385

Seleccione los valores de resistor en la figura 8-19 para establecer una polarización de punto medio aproxim ada utilizando un 2N5459.

Abra el archivo M ultisim E08-09 de la carpeta “Exam ples” del CD-ROM. Los valores calculados de R¡j y R$ son los del problem a relacionado. Verifique que midiendo VD e / D se establece una polarización de punto medio aproximada.

m to me- \)

or de Ru ra evitar

El ejem -

i 8-19

diálisis gráfico de un JFET autopolarizado

epuedc utilizar la curva característica de transferencia de un JFET y ciertos parám etros para terminar el punto Q ( / q y V'g s ) de un circuito autopolarizado. La figura 8-20(a) m uestra un ítcuito y la figura 8-20(b) m uestra una curva de transferencia. Si una hoja de datos no incluye

«acurva, puede ser trazada con la ecuación 8- 1, utilizando los valores de / DSS y VGS(corte) da­

ie

da-

osen la hoja de datos.

m

itad

/D (mA)

(¡0

1.0 kft

470 ñ

-V GS (V)

(b)

1

i

i

i

i

1

1

I

!

i

.

¡

"

/

/

/

/

/

/

/

/

/

10

/n

JFET polarizado y su curva de

transferencia.

386

T r a n s is t o r es

d e

e f e c t o

d e

c a m p o

(F E T )

. Para determ inar el punto Q del circuito de la figura 8-20(a), se establece una recta de cargíj cd de autopolarización en la gráfica de la parte (b) de la form a descrita a continuación. Prin

se calcula V'gs cuando / q es cero.

Vgs

=

/ d^ s

=

(0)(470 ü )

=

0 V

Esto establece un punto en el origen de la gráfica (ID = 0, VGs = 0). A continuación, se cal|

V'gs cuando I q =

/Dss- En la curva de la figura 8-20(b), / Dss =

10 mA.

Vgs =

- ¡ d^S

=

~ (1 0 m A )(4 7 0 ü )

=

-4 .7

V

Esto establece un segundo punto en la gráfica (/D =

puntos, se puede trazar la recta de carga sobre la curva de transferencia com o se muestra ení gura 8-21. El punto donde la recta corta la curva de transferencia es el punto Q del circuitójj mo se muestra.

10 mA, V'gs ~ ~ 4.7 V). Entonces, cott¡

FIG U RA 8-21

La intersección de la recta de carga de cd de autopolarización y la curva de transferencia es ei punto Q.

EJEMPLO 8-10

FIGURA 8-22

/D(mA)

í

Problema

Para una est; ÜÓn se increme Kión con clobl

folarización

¡figura 8-23 n fuente del JFE fmpuerta-fuent

D eterm ine el punto Q para el circuito JFET de la figura 8-22(a). La figura 8-22(b) da la cuna^ de transferencia.

(a )

^DD

+9 V

I D (m A )

El voltaje de fu

resistores R¡ } de acuerdo co

ioltaje de comp

¡voltaje de fuen

P

o

l

a

r iz a

c ió

n

d e

u n

J F E T

3 8 7

rga de

m ero,

Solución

Con / D =

0,

 

V'gs =

-

I

d R s

=

(0X 680Í1) =

0 V

 

Esto da un punto en el origen. De acuerdo con la curva, /d ss = 4 n>A; por lo que /D = /Dss = 4 mA,

alcula

 

VGS =

-

I

d R s

 

=

- ( 4 m A ) ( 6 8 0 ü )

=

- 2 .7 2

V

 

Esto da un segundo punto en 4 mA y - 2 .7 2 V. Entonces se traza una recta entre los dos pun­

tos y los valores de Iq y

V'g s

en

intersección de la recta y la curva se leen en la gráfica, co­

mo ilustra la figura 8-22(b). Los valores del punto Q tom ados de la gráfica son

 

/D

=

2.25 m A

 

VGS =

- 1 - 5 V

 

Problema relacionado

Si Rs se increm enta a 1.0 k fl en la figura 8-22(a), ¿cuál es el nuevo punto Q?

i: Para una estabilidad increm entada del punto Q, el valor de R s en el circuito de autopolariza- gfón se incrementa y conecta a un voltaje de fuente negativo. Esto en ocasiones se llam a polari- mción con doble-alim entación.

 

Polarización con divisor de voltaje

 

Bafigura 8-23 m uestra un JFET de canal n con polarización m ediante divisor de voltaje. Éste, en la fuente del JFET, debe ser m ás positivo que el voltaje en la com puerta para m antener la unión jpmpuerta-fuen.te polarizada en inversa.

 
 

<

FIG U RA 8-23

 

Un JFET de canal n con polarización mediante divisor de voltaje (ls = lg)-

 

urva

i; El voltaje de fuente es

M resistores y AS establecen el voltaje en la com puerta, com o lo expresa la siguiente ecua- iónde acuerdo con la fórm ula del divisor de voltaje:

¡voltaje de com puerta a fuente es

 

Vgs

=

Vg

-

Vs

Id voltaje de fuente es

 

v s

=

VG -

VGs

388

T r a n sis t o r es

EJEMPLO 8 - 1 1

d e

e f e c t o

d e

c a m p o

(FET)

La corriente en el drenaje se expresa como

Sustituyendo en lugar de Vg.

Vp

Vos

Rs

Determ ine ID y VGs para el JFET con

dado que para este JFET particular los valores de parám etro son tales que VD =

polarización mediante divisor de voltaje de la figura 8-24,

7 V.

► FIGURA

8-24

'7d d

+ 12 V

Solución

¡ d

=

V DD

 

6.8

M il

3.3

k íl

;/?2

1 .0 M Í1

^

2.2

k íl

 

V D

12 V

-

7 V

5 V

R d

3.3 k

ü

3.3 k fi

=

1.52 mA

Con V

U n seguí li/.ada se

cia

es el ¡

4 FIGUR/

Recta de u

Calcule ei voltaje de com puerta a fuente de la siguiente manera:

Vs

=

VG =

Vgs

=

1d R s

, \ R

V g

i

-

=

R2

(1 .5 2 m A )(2 .2 k íi)

Y,

Vdd

-

.54 V

=

3.34 V

12 V

- 1 . 8

í\.0M ñ\

-

7.8

M

3.34 V

i l /

=

+ R2

Vs

.54 V

V

EJES

Si no se hubiera dado VD en este ejem plo, los valores del punto Q no se hubieran podido de­ term inar sin la curva de transferencia.

Problema relacionado

D ado que VD = 6 V, cuando se inserta otro JFET en el circuito de la figura 8-24, determine el punto Q.

Análisis gráfico de un JFET con polarización mediante divisor de voltaje

Se puede utilizar un m étodo

diante divisor de voltaje para determ inar gráficam ente el punto Q de un circuito sobre la curvade transferencia En un JFET polarizado m ediante divisor de voltaje cuando lD = 0, V'gs 1)0 es cer°, como en el:

caso autopolarizado, porque el divisor de voltaje produce un voltaje en la compuerta indepen­ diente de la corriente en el drenaje. La recta de carga de cd con divisor de voltaje se determina de. la siguiente manera. Con / D = 0,

sim ilar al em pleado para autopolarización con la polarización me­

\/s = ¡d Rs

=

(0)/?s = 0V

Vgs =

Por consiguiente, un punto sobre la recta está en /D = 0 y Vgs =

VG -

Vs

=

VG -

0 V

=

VG

V>

Con

V'gs =

0 ,

T

_

D“

v c

~

VCs

"

Vg

t s

P

o

l

a

r iz a

c ió

n

d e

u n

JFET

*

389

lin segundo punto sobre la recta está en I d = Vq/R¡ y Vqs = 0. La recta de carga de cd genera­ lizada se muestra en la figura 8-25. El punto donde la recta de carga corta la curva de transferen- :cia es el punto Q.

EJEM PLO 8 12 Determ ine el punto Q aproxim ado para el JFET con polarización m ediante divisor de voltaje en la figura 8-26(a), dado que la curva de transferencia de este dispositivo particular es corno se muestra en la figura 8-26(b).

(;¡¡

DD

+8 V

-VGS(V).

(b)

FIGURA

8-26

GS(corte)

/d (mA)

V'gs (V)

3 9 0

T r a n sis t o r es

d e

e f e c t o

d e

c a m p o

(FET)

Solución

En prim er lugar, establezca dos puntos para la recta de carga. Con /D = 0,

Vgs — VG

R 2

+

Y .

V

R2J

DD

( 2.2 M il

V 4.4M Í1

El prim er punto está en / D =

0 y

VGS =

4 V. Con

VGg =

0,

Vg

~

Vgs

_

^ g

_

4 V

Rs

~

R s

~

3.3

k íl

El segundo punto está en / D =

1.2 mA y

VGS =

0.

¡V

=

1.2 mA

4 V

L a recta de carga se aparece en la figura 8-20(b) y los valores del punto Q aproximados de

Problema relacionado

7d s

1.8 mA y ^

s s

—1.8 V se tom aron de la gráfica, com o se indica.

Cam bie Rs a 4.7 k í l y determ ine el punto Q para el circuito de la figura 8-26(a).

Si se tr circuito c( parte de ( mismo, la área soml valores qr entre VGS La figi polarizad cia de /D que con ¡ polarizac con polai

A bra el archivo M ultisim E 0 8 -12 de la carpeta “Exam ples” del CD-ROM . M ida los valo­ res del punto Q de / q y VGs y vea cóm o se com paran con los valores gráficam ente deter­ minados en el problem a relacionado.

- v'gs

(a)

Estabilidad del punto Q

D esafortunadam ente, la característica de transferencia de un JFET puede diferir considerable­ m ente de un dispositivo a otro del mismo tipo. Si, por ejemplo, se reem plaza un JFET 2N5459en un circuito dado con otro 2N5459, la curva de transferencia puede variar mucho, como ilústrala

figura 8-27(a). En este caso, la / DSS m áxim a es de 16 mA y la IDSS m ínim a es de

mo, el VGs(COrte) m áxim o es de —8 V y el VGS(eorte) m ínim o es de —2

tiene una selección de 2N5459s y se selecciona uno al azar, se pueden tener valores en cualquier

V. Esto significa que si se

4 mA. Asimis­

parte dentro de estos intervalos.

ID(mA) 1 6 1 1 i |- í í i í' / / / /
ID(mA)
1 6
1
1
i
|-
í
í
i
í'
/
/
/
/
/
/
— _
7
¡
/
4
i
/ /
V
¡
i /
i
/ I
1 ?
f
1
f
; i
u
- 8
- 2
V'ns.
vGS(corto)
GS(corie)
▲ FIG URA 8-27

/ d

s

s

/ nq

DSS

(b)

A

El cambii

voltaje qi

F1GUI

Polari

L a poli punto ( depend JFET, c constar se puec

Puesto

Variación de la característica de transferencia de los JFET 2N5459 y el efecto en el punto Q.

le

able-

59 en

tra la

im is-

se

si

q u ie r

P o

l

a

r iz a

Si se traza una recta de carga de cd con autopolarización como la de la figura 8-27(b), el mismo circuito con un JFET 2N 5459 puede tener un punto Q en cualquier parte a lo largo de la recta que parte de Q¡, el punto de polarización mínimo, hacia Q 2, el punto de polarización máximo. Asi­ mismo, la corriente en el drenaje puede tener cualquier valor entre / D e 1^ 2, com o lo m uestra el área sombreada. Esto quiere decir que el voltaje de cd en el drenaje puede tener un intervalo de valores que depende de Iq. A dem ás, el voltaje de com puerta a fuente puede tener cualquier valor entre Vc.si Y Vgs2*com o se indica. La figura 8-29 ilustra la estabilidad del punto Q para un JFET autopolarizado y para un JFET polarizado m ediante divisor de voltaje. Con polarización m ediante divisor de voltaje, la dependen­ cia de ÍD en el intervalo de puntos Q se reduce porque la pendiente de la recta de carga es m enor que con autopolarización para un JFET dado. Aun cuando VGS varía bastante tanto con la auto-

polarización m ediante divisor de voltaje, /p es m ucho más estable divisor de voltaje.

polarización com o con la con polarización m ediante

!o

lo

i

j

i

i

J

11

IFIGURA 8 - 2 8

(b) Polarización mediante divisor de voltaje

c ió

n

d e

u n

JFET

<

391

¡cambio de /D entre los puntos Q mínimo y máximo es mucho menor para un JFET polarizado con divisor de paje que para uno autopolarizado.

olarización mediante fuente de corriente

un m étodo para increm entar la estabilidad del

Q de un JFET autopolarizado al hacer que la corriente en el drenaje sea esencialm ente in-

|pendiente de Va s . Esto se logra con una fuente de corriente constante en serie con la fuente del §ET, como m uestra la figura 8-29(a). En este circuito, un BJT actúa com o la fuente de corriente

V ^ . También

ipolarización m ediante fuente de corriente es

istante porque la corriente en su em isor es esencialm ente constante si V pg » puede utilizar un FET com o fuente de corriente constante.

 

/p

BE

V EE

|esto que /g

=

/D,

1

Vee

R e

Como se puede ver en la figura 8-29(b), I q perm anece constante con cualquier curva de trans­ ada, com o lo indica la recta de carga horizontal.

392 T r a n sis t o r es

d e

e f e c t o

d e

c a m p o

(FET)

EJEMPLO 8-13

solución

Problema relacionado

REPASO DE LA SECCIÓN 8-3

8-4

La

r e g ió n

Fuente de

corriente constante

(a) Circuito

▲ FIG URA 8-29

Polarización mediante fuente de corriente.

U n circuito de polarización m ediante fuente de corriente com o la de la figura 8-29 tiene los si­

guientes valores: y DD = 9 V, VEE = - 6 Vy/?G=

drenaje de 10 m A y un voltaje en el drenaje ele 5 V, determ ine los valores de % y R e ­

10 M il. Para producir una corriente en el

R s

Vee _

6 V

/ d

10 mA

V d d -

V

d

R d

/ D.

=

9 V

600 Í1

— 5 V

10 mA

= 400 a

Si V'DD se increm enta a 12 V, ¿cuánto cam bia / D?

1. ¿Deberá tener un JFET de canal n un VGS positivo o negativo?

2. En un cierto circuito de JFET de canal n autopolarizado, lD = mine V'gs.

3. Un JFET de canal n polarizado mediante divisor de voltaje tiene un voltaje en la compuer­ ta de 3 V y un voltaje de fuente de 5 V. Calcule Vcs.

1.0 k íl. Deter­

8 mA y Rs

=

ó h m ic a

Alte

La ri

ruptura

bólica, i

gi.ón tie

la curvé

Recaen

drenaje

El JFET

la regió

sistor v;

liando t

la curv:

form a q menor í región (

La re g ió n óSisnica es la parte de las curvas de característica de FET donde se puede aplica la ley de Ohm. Cuando se polariza apropiadam ente en la región óhm ica, un JFET exhibe las propiedades de una resistencia variable, donde el valor de resistencia es controlado por Vq s-

La figui

Q2\ dei

Ai terminar esta sección, usted será capaz de:

L a

r e g ió n

ó h m ic a

393

Analizar la región óhmica

♦ Explicar cóm o afecta la pendiente de una curva de característica la resistencia de un JFET en la región óhm ica

♦ Describir cóm o se puede

♦ A nalizar la operación de

utilizar un JFET como resistor variable

un JFET cuando se polariza en el origen

La región óhm ica se extiende desde el origen de las curvas características hasta el punto de ruptura (donde com ienza la región activa) de la curva VGS = 0 en form a aproxim adam ente para­

bólica, como se

gión tienen una pendiente relativam ente constante con valores pequeños de / D. La pendiente de 'la curva característica en la región óhm ica es la conductancia de drenaje a fuente del JFET.

m uestra en un conjunto típico de curvas en la figura 8-30. Las curvas en esta re­

Pendiente =

GDS =

Recuerde que la resistencia es el recíproco de la conductancia. A sí pues, la resistencia en cd de drenaje a fuente es

Vps

'D S

 

'D S

I d

/D (mA)

V DS ( V )

puede polarizar un JFET o en la región activa o en

"región óhmica. Los JFET a

ctor variable controlado por voltaje. El voltaje de control es Vqs y determ ina su resistencia va-

JFET como una re siste n cia va ria b le Se

m enudo se polarizan

en la región óhm ica para usarlos com o un re­

-< FIGURA 8-30

La región óhmica es el área sombreada. Las curvas de característica son ¡íneas rectas con pendiente de í d /V ds Para valores pequeños de /¡).

ndo el punto Q. Para polarizar un JFET en la región óhm ica, la recta de carga de cd debe cortar curva característica en la región óhm ica, com o ilustra la figura 8-31. Para hacer esto en una naque permita a Vqs controlar R ^ , la corriente en cd de saturación se ajusta a un valor mucho ‘ñor que /dss, de modo que la recta de carga corte la m ayoría de las curvas características en la 4ón óhmica, como se ilustra. En este caso,

/ D(sat)

^

d d

R d

12 V

0.50 mA

24 k ü

. figura 8-31 muestra la región de operación expandida con tres puntos Q m ostrados (Qq,Q\ y

\ dependiendo de V'g s -

394

T r a n sist o r es

Voltaje de

control

O -----

K G

1.0

d e

e f e c t o

d e

c a m p o

(FET)

FIGURA

8 -3 1

La recta de carga corta

1D

(m A )

las curvas en la región óhmica.

'/GS -

0

V

Vos(V)

A m edida que se sigue la recta de carga en la región óhm ica de la figura 8-31, el valor de % varía a m edida que el punto O queda sucesivam ente en curvas con pendientes diferentes. El pun­ to O se desplazó a lo largo de la recta de carga al cam biar = 0 a VGS = —2 V, en este caso, Cuando sucede esto, la pendiente de cada curva sucesiva es m enor que la previa. Una reducción de la pendiente corresponde a m enos I D y más VDS, lo cual implica un incremento de RDS. Este cam bio de resistencia puede ser explotado en varias aplicaciones donde el control por medio de voltaje de una resistencia es útil.

EJEMPLO 8 - 1 4

U na JFET de canal n se polariza en la región óhm ica com o se m uestra en la figura 8-32. La gráfica m uestra una sección expandida de la recta de carga en la región óhmica. A medida que

▲ FIG U RA 8-32

¡ o

i m A )

Pro

Punto Q

vista por se utiliza! a cero, lo el circuiti las únicas Com o co

el d

| te en

Así que, muestra 1 hacia el t

L a

r e g ió n

ó h m ic a

395

Solución

Problema relacionado

V'gs cam bia de O V a - 3 V com o se indica, suponga que lores de punto Q:

Q0:

I D

=

0.360 mA, VDS =

0.13 V

0

i : ID

=

0.355

mA,

V DS

=

0.27 V

0

2:

/ D

=

0.350 mA, VDS =

0.42 V

03:

I D =

0.33 mA, VDS =

0.97 V

la gráfica m uestra los siguientes va­

D eterm ine el intervalo de R q $ a m edida que VGs cam bia de 0 V a - 3

V.

C uando

 

V^DS

0O: ^DS

 

^D

Vps

_

01: ^DS

02* ^DS

Vps

_

^D

Vds

 

_

0 3 ^ DS

 

^D

V'gs cam bia de 0 V a

0.13 V

0.360 mA

0.27 V

0.355 mA

0.42 V

0.27 mA

0.6 V

0.26 mA

= 3 6 1 í l

= 760 í l

= 1.2 k íl

= 2.9 k íl

--3

V, R o s lo hace de 361 í l

a 2.9 k íl.

Si /o(Sat) se reduce, ¿qué le sucede al intervalo de valores de R DS-

Punto Q e n e l o rig e n En ciertos am plificadores es posible que se desee cam biar la resistencia vista por la seña! de ca sin afectar la polarización en cd para controlar la ganancia. En ocasiones seutilizará un JFET corno resistencia variable en un circuito donde tanto /q com o Vos se ajustan acero, lo que significa que el punto Q está en el origen. Esto se logra utilizando un capacitor en el circuito del drenaje del JFET. Esto hace las cantidades en cd VDs = 0 V e Iq = 0 mA, así que ; únicas variables son V'gs e ^/> cd en el drenaje. En el origen V'gs controla la ca en el drenaje.

Como con anterioridad se aprendió, la

con respecto a la fuente,

un cam bio de la corrien-

transconductancia se define com o

‘ en el drenaje correspondiente

a un cam bio del voltaje en la com puerta

‘‘sí que, el factor clave cuando se polariza en el origen es la transconductancia. L a figura 8-33 ' uestra la curva característica expandida en el origen. Observe que la región óhm ica se extiende lacia el tercer cuadrante.

/D (m A )

V' ds

(V )

3 9 6

T r a n sist o r es

d e

e f e c t o

d e

c a m p o

(FET)

En el origen, donde VDS = 0 V e / D = 0 mA, la fórm ula para la transconductancia, previamen­ te presentada en este capítulo, es

donde gm es la transconductancia y gm0 es la transconductancia con Vc s = 0 V. la g m() se calcula con la siguiente ecuación, la que tam bién previam ente se dio:

EJEMPLO 8 - 1 5

Solución

 

2/dss

 

_

8"'°

i^Sícoite)1

Para la curva característica dada en la figura 8-33, calcule la resistencia de ca de drenaje a

fuente para un JFET polarizado en el origen con VGS =

2.5 mA y

- 2

V. Considere /DSS =

^GS(corte) =

4 V.

Prim ero, determ ine la transconductancia con VGS = 0 V.

2A>ss

IV, GS(corte)1

A continuación, calcule gm con Vqs =

—2 V.

V GS(corte)

2(2.5 mA)

 

=

1.25 mS

4.0 V

 

-2 V

25 mS

1

-

=

 

-4 V

0.625 mS

L a resistencia de ca del drenaje a la fuente del JFET es el recíproco de la transconductancia.

Problema relacionado

REPASO DE LA SECCIÓN 8 4

8-5

El MOSFET

 

1

1

r'¿%=

ds

= ---------= 1.6 k íl

g m

0.625 mS

¿C uál es la resistencia de ca del drenaje a la fuente si VGs =

- 1

V?

1. Para un cierto punto Q en la región óhmica, /D = 0.3 mA y VDS = 0.6 V. ¿Cuál es la resis­ tencia del JFET cuando se polariza en este punto Q?

2. ¿Cómo cambia la resistencia de drenaje a fuente a medida que Vcs se vuelve más negativo?

3. Para un JFET polarizado en el origen, gm = 0.850 mS. Determine la resistencia de ca corres pendiente.

El M O S F E T (transistor de

goría de transistor de efecto de campo. El M OSFET, diferente del JFET, no tiene una estruc­ tura de unión p n 4, en cam bio, la com puerta del M O SFET está aislada del canal mediante una capa de bióxido de silicio (SÍO 2). Los dos tipos básicos de M OSFET son el enriquecimiento (E) y el de em pobrecim iento (D). D e los dos tipos, el M OSFET de m ejora es el más utilizado.? D ebido a que ahora se utiliza silicio policristalino para el m aterial de com puerta en lugar de j

m etal, estos dispositivos en ocasiones se conocen com o IGFET (FET de com puerta aislada),

efecto de cam po sem iconductor de óxido metálico) es otra cate­

Al term inar esta

Explicar la

sección, usted será capaz de:

operación de los M O S F E T

♦ D escribir la diferencia estructural n y uno de canal p (E-MOSFET).

entre un M O SFET de enriquecim iento de canal

L a

r e g ió n

ó h m ic a

3 9 7

♦ Identificar los sím bolos para los E-M O SFET de canal n de canal p

♦ Explicar el modo de enriquecim iento

♦ Describir las diferenciales estructurales entre de canal n y uno de canal p (D-M OSFET)

♦ Explicar el m odo de em pobrecim iento

un M OSFET

de em pobrecim iento