UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA.

MANEJO DE EQUIPOS DE LABORATORIO

Carlos Hernando Bautista, David Rafael Castellar, Javier Eduardo Gutiérrez
{chbautistaa, drcastellarm, jaegutierrezser}@unal.edu.co

Abstract—This document presents a small analysis of the

behavior of a semiconductor device, also known as a diode, which
can behave differently depending on the variation of frequencies
and temperatures. The basic characteristic of the diodes is also
identified. semiconductors managed as the voltage-current (VI)
relationship, the reverse recovery times and their applications.
Index Terms—Diodo, Corriente de saturación inversa, Tiempo
de recuperación inversa, Tiempo de almacenamiento, Tiempo de
caida.
Fig. 1: Circuito para la caracterización del Diodo.
I. I NTRODUCCI ÓN

E N la vida práctica de la electrónica existen distintos

componentes semiconductores que se originarón para el
desarrollo de nuevas tecnologias. Uno de estos componentes es
Teniendo en cuenta que la diferencia de potencial máxima
que va a generar la fuente V1 es de 25 V y útilizando la ley
el Diodo semiconductor, el cual en la actualidad se encuentran de ohm.
con diferentes tipologias los cuales son útiles según el fin que
se deseé emplear esté componente. Durante el transcurso de V = I ·R
la práctica se entenderemos el funcionamiento de los diodos,
el cúal se infiere mediante la determinación de la curva en donde:
caracteristica I-V que poseen estos elementos. Las curvas V max
caracteristicas son importantes debido a que con ellas se R =
Imax
entiende lo que le ocurre al diodo cuando se trabaján con
Tenemos que la resistencia necesaria para el circuito va a
señales alternas (AC). Durante la duración del laboratorio, se
ser de:
identifica experimentalmente los eféctos que sufre el diodo
al experimentar una variación de frecuencia y temperatura, 25 V
debido a que elló afecta el tiempo de recuperación inversa del R1 =
50 mA
diodo teniendo claro que estos dispositivos no son ideales lo
cual durante el desarrollo de la práctica se puede demostrar. R1 = 500 Ω

II. R ESULTADOS Y AN ÁLISIS DE RESULTADOS

Para el desarrolló de la práctica de laboratorio de electrónica
análoga se requirieron los siguientes elementos:
Con el valor de la resistencia determinado se obtuvo las
• Generador de Señales
datos de las tablas I y II los cuales corresponden respectiva-
• Osciloscopio digital de doble traza.
mente a los valores experimentales y los valores de simulación
• Dos multı́metros (uno de ellos True RMS)
sobre el Diodo 1N4004.
• Dos sondas
• Fuente Dual
• Diodos 1N4004 y 1N4148 Vf uente (V) Vd (mV) Id (mA)
• Cautin 0,0 0 0
La práctica se dividió en dos partes: 1,1 601 1
3,2 672 5
5,9 704 10
A. Parte I 8,5 720 15
10,7 731 20
Se varia lentamente, desde 0V, la tensión de la fuente DC 13,2 740 25
en el circuito de la figura 1, para obtener un buen número 15,7 748 30
18,1 754 35
de pareja de valores (Vd ,Id ) hasta llegar a I = Imax (carriente 20,2 758 40
máxima dada por el diseño inicia, el cual debe ser de 50 mA). 22,4 760 45

Para el circuito de la figura 1, se calcula R1 para que la TABLA I: VALORES EXPERIMENTALES DE

corriente ID = Imax = 50 mA CORRIENTE Y VOLTAJE EN EL DIODO 1N4004
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Vd (mV) Id (mA) Vf uente (V) Vd (mV) Id (mA)

0 0 0 0 0
591 5 3,4 709 5
627 10 5,8 747 10
649 15 8,5 774 15
664 20 11,0 794 20
676 25 13,5 810 25
687 31 16,1 824 30
694 35 18,1 835 35
702 41 20,6 845 40
707 45 22,5 853 45
713 50
TABLA III: VALORES EXPERIMENTALES DE
TABLA II: VALORES DE SIMULACIÓN DE CORRIENTE CORRIENTE Y VOLTAJE EN EL DIODO 1N4148
Y VOLTAJE EN EL DIODO 1N4004
Vd (mV) Id (mA)
0 0
636 4
665 9
674 11
688 15
701 19
718 25
733 31
742 35
752 38
765 44
773 48

TABLA IV: VALORES DE SIMULACIÓN DE

CORRIENTE Y VOLTAJE EN EL DIODO 1N4148

Fig. 2: CURVA DE CARACTERIZACIÓN DE LOS

VALORES DE SIMULACIÓN. A partir de los datos experimentales y de simulación detalla-
dos en las tablas III y IV se obtuvieron las curva caracteristicas
respectivamente en las figuras 4 y 5.

De acuerdo con los datos recolectados experimentalmente

A partir de los datos experimentales y de simulación detal-
lados en las tablas I y II se obtuvieron las curva caracteristicas
respectivamente en las figuras 2 y 3.
Del mismo modo, con el valor de la resistencia determi-
nado, se obtuvó las datos de las tablas III y IV los cuales
corresponden respectivamente a los valores experimentales y
los valores de simulación sobre el Diodo 1N4148.
sobre el diodo 1N4004 a temperatura ambiente, se obtuvierón
datos muy similares a los datos arrojados por el simulador,
teniendo una diferencia entre ambos datos entre 47 mV a
80 mV. Esto nos indica, que el diodo 1N4004 en la realidad
necesita mas diferencia de tensión para conducir aproximada-
mente la misma cantidad de corriente que en modelo ideal de
las simulación. Este analisis se desarrolla en base a los datos
consignados en las tablas I y II y las curvas caracteristicas de
las figuras 2 y 3.

Para el diodo 1N4148, se le realiza el mismo procedimiento

Fig. 3: CURVA DE CARACTERIZACIÓN DE LOS Fig. 4: CURVA DE CARACTERIZACIÓN DE LOS

VALORES EXPERIMENTALES. VALORES DE SIMULACIÓN.
ELECTRÓNICA ANÁLOGA I 3

Fig. 5: CURVA DE CARACTERIZACIÓN DE LOS

VALORES EXPERIMENTALES. Fig. 7: CURVA DE CARACTERIZACIÓN DE LOS
VALORES EXPERIMENTALES EN ESCALA
SEMI-LOGARITMICA.

Fig. 6: CURVA DE CARACTERIZACIÓN DE LOS

VALORES DE SIMULACIÓN EN ESCALA Fig. 8: CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO 1N4004
SEMI-LOGARITMICA. A ALTAS TEMPERATURAS.

que para el diodo 1N4148, de acuerdo con los resultados de Is = 0

las tablas III y IV, se evidencia que se presenta el mismo De igual forma, si Y0 = -376,08 en el diodo 1N4148,
fenomeno que en el diodo 1N4004, en el cual el diodo necesita entonces:
en el modelo real aproximadamente 88 mV mas de diferencia
de potencial para que esté conduzca la misma cantidad de Is = 10−376,08
corriente que en el modelo ideal de la simulación. Un causal de
estas diferencias entre el modelo ideal de las simulaciones y el Is = 0
modelo real de la practica, puede deverse a la temperatura a la
Al realizar la segunda parte experimental del laboratorio
cual se encuentre el sitio donde se realiza la experimentación,
realizando las mediciones necesarias para la caracterización de
el método de fabricación del componente dado que estos
un diodo expuesto a altas temperaturas aproximadamente de
poseen diferencias por mas motivos que se realice de igual
180 grados celsius que es la temperatura que provee el cautin
forma su construcción.
utilizado; las mediciones tomadas se encuentran incluidas en
la tabla VI.
Las graficas semi-logarıtmicas presentadas anteriormente
figura 6 y figura 7 de la caracterización del los diodos 1N4004 Vf uente (V) Vd (mV) Id (mA)
y 1N4148, se utilizan principalmente para encontrar de forma 0 0 0
3,2 618 5
experimental las constantes del diodo, ya que una vez conocida 5,8 640 10
el punto de corte y la pendiente de la recta semi-logaritmica 8,3 670 15
por el metodo de los minimos cuadrados, se pueden conocer 11,2 689 20
13,5 698 25
los valores de dichas constantes. 15,9 715 30
Si sabemos que: 18,0 720 35

Is = 10Y o TABLA V: VALORES DE CORRIENTE Y VOLTAJE EN

EL DIODO 1N4004 A ALTAS TEMPERATURAS
y tenemos que en el diodo 1N4004 Y0 = -381,15, entonces:
En la figura 8 podemos evidenciar curva carateristica del
Is = 10−381,15 diodo 1N4004 a altas temperaturas. Al comparar los resultados
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Fig. 9: Circuito para visualización del tiempo de
recuperación inversa
Vvs I del diodo a distintas temperaturas, se puede evidenciar
claramente que un diodo expuesto a altas temperaturas posee
una resistividad mucho menor ya que al aumentar la temper-
atura a mas de 100 grados celsius se necesitan un promedio de
120 mV menos en los terminales del diodo para conducir la
misma cantidad de corriente, incluso un poquito mas como se
puede evidenciar en la tabla VI, esto ocurre ya que al realizár
aumentos de temperatura en el diodo la cantidad de electrones
que fluyen libremente en diodo tambien presentan un aumento,
en consecuencia al haber una mayor cantidad de portadores de
carga electrica el trabajo necesario para llevar una carga de un
lado a otro disminuye, es decir se necesita menos tension en
los terminales del diodo para conducir la misma corriente.
Útilizando el circuito de la figura 9, se visualiza el tiempo
de recuperación de cada uno de los diodos. Luego se varia
la frecuencia de la señal de alimentación para ası́ percibir
el comportamiento de los diodos a altas y bajas frecuencias,
teniendo en cuenta que despues de cierta frecuencia el tiempo
de recuperación inversa no puede ser medido.
Al realizar la medicion para una frecuencia de 1kHZ se
determina que el tiempo de recuperacion de la señal es
de aproxı́madamente 10s. De la grafica 10 arrojada por el
osciloscopio podemos observar que el tiempo de recuperacion
inversa que tiene el voltaje no se presenta de forma exponen-
cial sino que tiene un comportamiento un poco sobre amor-
tiguado; este fenomeno ocurre debido a las caracter ısticas
in-trisecas de los electrones, ya que al quitar el la diferencia
potencial ya no se pueden mover de la misma manera. Este
comportamiento genera que el voltaje empiece a variar su
sentido hasta que logra estabilizarse en 0V. Estos resultados no
son muy equivalentes a los arrojadospor la simulacion, ya que
en esta el tiempo de recuperación medido del diodo 1N4004
es de 35 s y en el laboratorio dio un valor de 10 s.
El valor entregado por el fabricante es aproximadamente 35
s el cual coincide con el valor arrojado por la simulacion. Estas
diferencias de datos entre los encontrados en la practica, las
simulaciones y los datos aportados por el fabricante se pueden
dar a la forma como son fabricados los diodos ya que pueden
variar sus propiedades intr ınsecas por errores pequenos de
fabricación. Ademas, la manipulación de estos elementos hasta
que llega a manos del comprador; por otro lado algunas veces
los datasheets no tienen la misma informacion, ya que esta
puede variar dependiendo de la empresa que los fabrique, al
Fig. 10: Tiempó de recuperación inversa con 1 KHz
haber tantas empresas no se puede tomar como referencia solo
los datos entregados por una de ellas, en fin son muchos los
factores que pueden llegar a afectar estas mediciones, por lo
que se puede esperar que tenga un alto porcentaje de error al
comparar los resultados. El ultimo paso de la practica se baso
en observar que le pasa al tiempo de recuperacion inversa si
se varia la frecuencia con la que se alimenta el diodo 1N4004.
Analizando los datos de la tabla V.
Frecuencia (HZ) Tiempo de Recuperación inversa (S)
1K 9,5 u
10 K 9,5 u
100 K 5u
500 K 990 n
1M 484 n
10 M no definido
TABLA VI: VALORES DE CORRIENTE Y VOLTAJE EN
EL DIODO 1N4004 A ALTAS TEMPERATURAS
Se puede observar que a medida que se aumenta la frecuen-
cia, el tiempo de recuperacion Inversa del diodo disminuye;
todo esto se da debido a que una senal con mayor frecuencia
fuerza al diodo a responder de forma mas rapida, hasta que
llega el punto en que la senal de la tensión medida en los
terminales del diodo ya no tiene su forma original cuadrada en
este caso, sino que por el contrario presenta una deformacion
hasta tal punto que parece mas una senal senoidal como se
puede observar en la figura 11. que es la medicion del diodo
a una frecuencia de 10 MHz y como se puede observar el
tiempo de recuperacion ya es demasiado pequeno en el orden
de los 98 ns.
III. R ESPUESTA A LAS PREGUNTAS SUGERIDAS
1) En el circuito de la Figura 2, ¿Qué ocurre con la
resistencia cuando circula la corriente máxima (con la
fuente en 25 V)?: Cuando circulaba la corriente máxima la
resistencia tendı́a a quemarse (dañarse). Esto se puede explicar
por el hecho de que al elegirse la resistencia que estarı́a en el
circuito, no se tomó en cuenta la resistencia que ésta disiparı́a.
2) ¿Qué cambio obtuvo al variar la temperatura en el
diodo? ¿Este cambio era predecible? Justifique su respuesta.:
ELECTRÓNICA ANÁLOGA I
Fig. 11: Tiempó de recuperación inversa con 1 MHz
Al observar los datos que tomamos, nos percatamos de que, al
aumentar la temperatura el diodo necesita menos voltaje para
conducir la misma corriente que conducirı́a a una temperatura
más baja. Al revisar la curva de voltaje vs corriente de un
diodo, la cual está dada por la fórmula
qVd
I = Is e nKT
confirmamos que los resultados sı́ son los esperados con los
obtenidos en el laboratorio.
3) Según el modelo ideal del diodo (Vd=0), ¿Cómo
considera que el diodo funciona ante bajas temperaturas?
¿Más o menos cerca del comportamiento ideal? Justifique
su respuesta.: Por los resultados obtenidos en el laboratorio
podemos suponer que a bajas temperaturas el diodo en vez
de acercarse al modelo ideal, se aleja de éste, algo que
concuerda con la teorı́a del comportamiento del diodo a bajas
temperaturas.
4) ¿Cuáles son las consecuencias de cambiar de polaridad
la fuente que alimenta el circuito de la Figura 2? ¿En
este caso, se debe tener alguna restricción en la tensión
para el correcto funcionamiento del diodo?: Al cambiar la
polaridad el diodo se encuentra en polarización inversa. En
esta configuración el diodo permite el paso de una corriente
tan pequeña, que no fue posible medirla con el multı́metro,
por lo que comunmente se toma como cero.
Cuando el diodo está en polarización inversa se tiene que
restringir el voltaje a un determindado valor. Este valor es
comunmente conocido como el voltaje de ruptura, y viene
dado por el fabricante. De sobrepasarse este valor, el dido
funcionarı́a como un si estuviera en polarización directa, esto
es, un cortocircuto.
5) ¿Por qué es necesario alimentar el circuito de la Figura
3 con una señal cuadrada?: La señal cuadrada, a diferencia
de las señal sinusoidal, cambia de polaridad inmediatamente.
Por esto se hace necesario usar la primera en lugar de la
segunda, para hallar el tiempo de recuperación inversa, pues
este se manifiesta cuando hay un cambio en la polarización
de un diodo.
5
6) ¿Qué pasa con los tiempos de recuperación inversa si
se varı́a la resistencia R1?: Al variar la resistencia R1 la
corriente a través del diodo también varı́a. De manera similar,
el tiempo de recuperación inversa, que es el tiempo que tarda
en llegar a la corriente de saturación inversa, varı́a al variar
la corriente en el diodo. Luego entonces, si aumentamos la
resistencia, la corriente en el diodo aumentará y el tiempo
de recuperación inversa aumentará. Lo contrario ocurre si
disminuimos la resistencia.
7) ¿Los tiempos de recuperación inversa concuerdan con
los valores suministrados por el fabricante? ¿Si no con-
cuerdan, a qué se debe este fenómeno?: Los tiempos no
concuerdan. Esto se podrı́a deber a muchas causas, tales como
la incertidumbre en las mediciones, la temperatura dada por el
fabricante no era la misma que en condiciones de laboratorio,
entre otros.
IV. C ONCLUSIONES
Las conclusiones que podemas sacar de esta práctica son:
• Los diodos nunca se comportan de manera ideal, asunción
que muchas veces se hace para facilitar los calculos.
Los diodos siempre se comportan de manera real, esto
es, siempre hay una caı́da de potencial en el diodo, a
diferencia del modelo ideal donde siempre se comporta
como cortocircuito.
• Los cambios de temperatura pueden alterar el compor-
tamiento del diodo. Si se sube la temperatura éste tiende
a comportarse más como un diodo ideal (corto circuito).
Por el contrario si se disminuye la temperatura, el diodo
se aleja más del comportamiento ideal.
• Experimentalmente se comprobó que el diodo es un
elemento semiconductor. Cuando se cambió la polaridad
de la fuente, el diodo pasó de ser un conductor a ser un
no conductor, como se esperarı́a.
• El tiempo de recuperación inversa del diodo se ve alterado
en menor medida por la corriente que circula por éste
mientras se encuentra en polarización directa.
R EFERENCES
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