INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL.

UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE INGENIERÍAS

Y TECNOLOGÍAS AVANZADAS.

Tópicos Avanzados de Electrónica.

“Práctica 5: Fuente de corriente Widlar”.

 Alumnos:

o Ortiz Castillo Marco Antonio.

o Venegas Pineda Luis Guillermo.

o Vizuet España Alitzel Saraí.

Profesor: Peza Tapia Juan Manuel.

Grupo: 3MM8.

8 de junio de 2015.

Instituto Politécnico Nacional. Página 1

ÍNDICE:

o Introducción. Página 3.

o Objetivos. Página 3.

o Materiales. Página 3.

o Marco Teórico. Página 4.

o Resultados y análisis de resultados. Página 11.

o Conclusiones. Página 12.

o Hoja de firmas. Página 13.

o Referencias. Página 13.

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INTRODUCCIÓN:

En el siguiente reporte se presenta el desarrollo de una fuente de corriente tipo Widlar. Se

presentan los materiales a utilizar, los cálculos necesarios para alcanzar los objetivos
establecidos, el proceso de desarrollo y las pruebas a las que se somete el circuito para
comprobar su funcionamiento.

Además se presenta un marco teórico donde se explica la operación del circuito así como sus
ventajas y desventajas respecto a los espejos de corriente y a las variables entre su
construcción con transistores y con MOSFET.

OBJETIVOS:

El alumno aprenderá a desarrollar los cálculos necesarios para implementar una

fuente de corriente tipo Widlar.

El alumno practicará sus habilidades en el armado de circuitos eléctricos.

El alumno comprobará la funcionalidad y utilidad de las fuentes de corriente tipo

Widlar.

MATERIALES:

2 IRFZ44.

1 Resistencia de 12.7 kΩ.

1 Resistencia de 1.5Ω, 5Ω, 10Ω, 330Ω, 470Ω, 1kΩ y 10kΩ.

Fuente de alimentación.

Protoboard.

Alambre.

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MARCO TEÓRICO.

Las fuentes de corriente son ampliamente utilizadas en circuitos electrónicos integrados

como elementos de polarización y como cargas activas en etapas amplificadoras. Estas
fuentes en polarización resultan más insensibles a variaciones de las tensiones de
polarización y de la temperatura, y son más económicas que los elementos resistivos en
términos de área de ocupación, especialmente cuando las corrientes son bajas. Las fuentes de
corriente como cargas activas proporcionan resistencias incrementales de alto valor
resultando etapas amplificadoras con elevada ganancia operando incluso con bajos niveles
de tensiones de polarización. Así, la ganancia típica en tensión de una etapa en emisor común
es:

ℎ𝑓𝑒 𝑅𝐶
𝐴𝑉 = − … (1)
ℎ𝑖𝑒

Para obtener una gran ganancia, debe utilizarse una RC muy grande que resulta una solución
inviable en un circuito integrado por dos motivos: una resistencia de difusión alta ocupa un
área prohibitiva y una RC grande tiene una caída de tensión muy elevada que complicaría la
polarización del amplificador. Las fuentes de corriente eliminan ambos inconvenientes y
permiten lograr ganancias del orden de 10.000 en una simple etapa con carga de corriente.

Espejo de Corriente bipolar.

Se trata de la forma de fuente de corriente más simple. El espejo de corriente está constituido
por una asociación de dos transistores idénticos que tienen la misma tensión VBE, tal como se
muestra en la figura 1.a. El transistor Q1 está operando en modo diodo (colector y base en
corto circuito) y por ello en numerosas ocasiones se puede representar como el circuito
presentado en la figura 1.b. Ambos circuitos se comportan como una fuente de corriente de
valor I0.

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Figura 1: a) Espejo de corriente, b) Representación simplificada de un espejo de corriente.

Para el análisis de esta fuente de corriente es preciso utilizar la ecuación de Ebers – Moll
simplificada de un transistor en la región lineal que relaciona la IC con la tensión VBE de
forma que:

𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑇 … (2)

𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝑇 ln … (3)
𝐼𝑆

En un espejo de corriente las tensiones VBE de Q1 y Q2 son iguales y, al ser transistores

idénticos, IS1=IS2. Por consiguiente, la ecuación 3 indica que ambas intensidades de colector
deben ser iguales IC1=IC2=Io. De ahí el nombre de espejo de corriente: la corriente de colector
de ambos transistores es la misma, de forma que si varía la corriente de uno de ellos tiene
“reflejo” en el otro. En la base de estos transistores se verifica que:

𝐼𝑟𝑒𝑓 = 𝐼𝐶1 + 𝐼𝐵1 + 𝐼𝐵2 … (4)

Y como la corriente de colector es idéntica en ambos transistores y dado que operan en la

región lineal (IC =ßIB), se puede despejar IC1 de la ecuación 4 resultando que:

𝐼𝑟𝑒𝑓
𝐼𝐶1 = 𝐼𝐶2 = 𝐼𝑜 = … (5)
2
1+
𝛽

Donde:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝑟𝑒𝑓 = … (6)
𝑅

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En el caso en que β >> 1, la ecuación 5 se reduce a:

𝐼𝐶1 = 𝐼𝐶2 ≅ 𝐼𝑟𝑒𝑓 … (7)

La ecuación 7 se cumple siempre que Q1 y Q2 sean transistores idénticos con las mismas
características eléctricas. En general, no es posible conseguir un buen espejo de corriente
utilizando transistores discretos debido a la dispersión de parámetros que tienen estos
dispositivos. Los mejores resultados se obtienen en circuitos integrados cuando se fabrican
situando a los transistores muy próximos entre sí con idéntica geometría.

Figura 2: Características eléctricas del transistor real y el ideal.

Una fuente de corriente ideal debe suministrar una corriente constante con independencia de
la tensión de salida. Sin embargo, en las fuentes de corriente reales su corriente de salida
varía con la tensión de salida. Esta dependencia está relacionada con la resistencia de salida
del transistor. La figura 2 representa la curva de operación de Q2 con VBE2=Cte. fijada por la
corriente del transistor Q1 en el espejo de corriente de la figura 1.a, suponiendo al transistor
ideal y real. Si se considera un transistor ideal sin resistencia de salida, la intensidad I o es
independiente de la VCE, es decir, de la tensión de salida. Por el contrario, un transistor tiene
una resistencia de salida de forma que la IC2=Io es variable con la VCE. En cualquier caso,
este transistor deja de comportarse como elemento lineal cuando entra en la región de
saturación, siendo éste el límite de operación de cualquier fuente de corriente.

Una fuente de corriente tiene dos modelos en función del tipo de análisis que se realice. En
DC puede ser sustituida por el equivalente Norton de la figura 3 a constituido por una fuente

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de intensidad Io y una resistencia Ro; en el caso ideal Ro  ∞ se cumple que Iio=Io . En
alterna se comporta como un elemento resistivo Zo (figura 3 b) obtenido a partir de los
modelos de pequeña señal de los transistores. No hay que confundir Ro con Zo. El primero
es un parámetro DC y el segundo AC. Sin embargo, en muchos casos se suele hacer la
siguiente aproximación Ro »Zo cuando no se dispone de datos para calcular ambas
resistencias equivalentes. El valor de I io, Ro y Zo va a depender del tipo de fuente de
corriente. En el caso concreto de la fuente de la figura 1 es fácil comprobar que Zo =hoe-1.

Figura 3: a) Modelo de análisis en DC, b) Modelo de análisis en CA.

El principio de espejo de corriente se puede extender a múltiples transistores obteniéndose el

circuito denominado repetidor de corriente mostrado en la figura 4.a. En este circuito todos
los transistores tienen la misma VBE, y por consiguiente, la intensidad de colector es idéntica
en todos ellos (Io). Sin embargo, el efecto de intensidad de polarización de base (NIB) es
importante y puede degradar las características del espejo de corriente. En este circuito, la
intensidad de referencia Iref tiene dos componentes: la intensidad de colector de Q1 y las
intensidades de polarización de base, de forma que:

𝐼𝑟𝑒𝑓 = 𝐼𝐶1 + 𝑁𝐼𝐵 … (8)

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Figura 4: a) Diagrama de circuito repetidor de corriente, b) Versión mejorada de circuito
repetidor de corriente.

La segunda componente es importante si N es elevado o ß es pequeña y puede reducir

significativamente el valor de Io. Para este circuito, se puede demostrar fácilmente que la
intensidad de salida viene dada por:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝑟𝑒𝑓 𝑅
𝐼𝑜 = = … (9)
𝑁 𝑁
1+ 1+
ß ß

La figura 4 b presenta una versión mejorada del repetidor de corriente que minimiza el efecto
de las corrientes de polarización de base a través del transistor QB. En este circuito se verifica
que:

𝑁𝐼𝐵
𝐼𝑟𝑒𝑓 = 𝐼𝐶1 + … (10)
1+ß

Resultando que:

𝑉𝐶𝐶 − 2𝑉𝐵𝐸
𝐼𝑟𝑒𝑓 𝑅
𝐼𝑜 = = … (11)
𝑁 𝑁
1+ 1+
ß(1 + ß) ß(1 + ß)

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En el denominador de la ecuación 11, N se encuentra dividido por ß (ß+1)»ß 2 (si ß>>1)
frente a ß en la ecuación 7. Como resultado, el circuito de la figura 4.b funciona
correctamente con ß pequeñas y admite un número mayor de salidas.

Fuente de corriente Widlar:

En muchos amplificadores integrados se requieren fuentes de corriente con niveles de

polarización muy bajos (del orden de 5µA) y alta impedancia de salida. Generar estos valores
con fuentes de corriente basadas en espejos de corriente exige que la resistencia de
polarización sea del orden de 600kW; estas resistencias son muy costosas de integrar porque
ocupan demasiada área. Estos valores de corriente se pueden generar con un coste más bajo
en la fuente de corriente Widlar, cuya estructura se muestra en la figura 5.a. Esta fuente utiliza
una resistencia de emisor de pequeño valor de forma que los transistores están trabajando
con diferentes valores de VBE.

Figura 5: Fuente de corriente Widlar basada en a) transistores bipolares y b) MOSFET.

En este circuito, si se suma las tensiones en la base de los transistores, y asumiendo que ß
>>1, se obtiene:

𝑉𝐵𝐸1 = 𝑉𝐵𝐸2 = 𝐼𝐶2 𝑅𝐸 = 0 … (12)

Sustituyendo las tensiones VBE por las expresiones de las ecuaciones de Ebers – Moll
indicadas en la ecuación 1 y suponiendo transistores idénticos IS1=IS2=IS, resulta:

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 𝐼𝐶1 𝐼𝐶2
𝑉𝑇 ln = 𝑉𝑇 ln = 𝐼𝐶2 𝑅𝐸 = 0 … (13)
𝐼𝑆 𝐼𝑆

Al simplificar y agrupar la anterior ecuación y teniendo en cuenta que IC2=Io se obtiene la

ecuación característica de la fuente Widlar:

𝐼𝐶1
𝑉𝑇 ln = 𝐼𝑜 𝑅𝐸 … (14)
𝐼0

Donde:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶1 = … (15)
𝑅1

La resistencia de salida de esta fuente se puede aproximar mediante la expresión:

−1
𝛽𝑅𝐸
𝐼𝐶1 = ℎ𝑜𝑒2 (1 + ) … (16)
ℎ𝑖𝑒2 + 𝑅𝐸

Que como se puede observar su Zo es mucho más elevado que el correspondiente a la fuente
de corriente basada en espejo de corriente.

La fuente de corriente Widlar basada en MOSFET se presenta en la imagen 5 b y verifica las

siguientes ecuaciones:

𝛽
𝐼𝐷1 = (𝑉 − 𝑉𝑇 )2 … (17)
2 𝐺𝑆1

𝑉𝐷𝐷 = 𝐼𝑟𝑒𝑓 𝑅1 + 𝑉𝐺𝑆1 … (18)

𝑉𝐺𝑆1 = 𝑉𝐺𝑆2 + 𝐼𝑜 𝑅𝑠 … (19)

𝛽
𝐼𝑜 = (𝑉 − 𝑉𝑇 )2 … (20)
2 𝐺𝑆2

Con una resistencia de salida:

𝑍𝑜 = 𝑟𝑑2 + (1 + 𝜇)𝑅𝑆 … (21)

(Ruiz Robredo, 2015)

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RESULTADOS Y ANÁLISIS DE RESULTADOS:

Tabla 1: Resultados obtenidos para fuente Widlar.

RS (Ω) VGS1 (V) VDS1 (V) VDS2 (V) VRS (mV) Iout (μA) Iref (μA)

5 3.2 3.2 10 0 167 560

10 3.2 3.2 10 17 152 541

330 3.2 3.2 10 44 123 543

470 3.2 3.2 10 55 112 541

1.5 3.2 3.2 10 0 175 542

1k 3.2 3.2 10 87.5 68 545

10k 3.2 3.2 10 227 21.8 546

El circuito fue alimentado con 10 V de CD. Como se puede apreciar en la tabla 1, conforme
los valores de la resistencia de carga RS aumenta el valor de su voltaje aumenta y la corriente
de salida aumenta, sin embargo la corriente de referencia siempre se mantiene en un rango
de operación estable, con lo que se demuestra que la fuente de Widlar funciona, sin embargo
tiene aún ligeras variaciones y para ello existen fuentes con mayor precisión. De acuerdo a
la ecuación 22 la resistencia de referencia usada fue de 12.7kΩ.

1 𝑊
𝐼𝑅𝐸𝐹 = ( ) 𝜇𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇ℎ )2 … (22)
2 𝐿

Figura 6: Medición de Vout con 330Ω.

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 Figura 7: Medición de VDS2.

Figura 8: Medición de Iout con 10kΩ.

CONCLUSIONES:

Ortiz Castillo Marco Antonio:

La fuente de corriente Widlar es un circuito de gran utilidad ya que con variaciones en el

voltaje que recae sobre la resistencia de carga la corriente de la referencia no tiene variaciones
importantes, cabe aclarar que hay circuitos que tienen una mejor respuesta y que por tanto
son más estables, sin embargo la fuente de Widlar es una primera aproximación y un claro
ejemplo de los espejos de corriente.

Durante la realización de la práctica encontramos muchos inconvenientes sobre todo con el

funcionamiento del circuito ya que en gran parte del tiempo el circuito no demandaba
corriente y por tanto no había mediciones correctas; creemos que se debe a fallo de algún
componente.

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Venegas Pineda Luis Guillermo:

La implementación de la fuente de corriente Widlar es muy simple y su funcionamiento es

muy bueno a pesar de que sabemos que existen mejores modelos de espejos de corriente que
tienen mayor estabilidad, sin embargo requieren de arreglos más complejos y de una mayor
cantidad de componentes para su realización.

Durante la práctica tuvimos muchos problemas con el circuito ya que no teníamos mediciones
adecuadas y no sabemos aún el por qué ya que verificamos cada componente y su
funcionamiento y alambramos el circuito repetidas ocasiones en distintas protoboards.

Vizuet España Alitzel Saraí:

El circuito que se desarrolló mostró una buena estabilidad para ser un modelo tan simple, es
decir, se logran ver variaciones en la corriente de salida cuando se cambia el voltaje de la
resistencia de carga, sin embargo las variaciones son muy reducidas.

Esta es una buena opción cuando se requiere mantener un nivel constante de corriente, sin
embargo sería bueno considerar otras opciones de espejos de corriente dependiendo la
situación a la que se enfrente, ya que si se requiere un nivel más preciso de corriente lo mejor
será implementar otra opción con menor variación.

Figura 9: Hoja de firmas.

Referencias
Ruiz Robredo, G. A. (2015). Slideshare. Obtenido de Slideshare:
http://es.slideshare.net/kirios7/electronica-basica-para-ingenieros

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