TRABAJO COLABORATIVO 2

FERNANDO ANATONIO PABA BARRERA – 72215386

201419_69

TUTOR

JAIRO LUIS GUTIERREZ

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

UNAD

MAYO 14 de 2013
 INTRODUCCION

Existen dos familias de transistores de efecto de campo: Los JFET y Los

MOSFET. Pese a que el concepto básico de los FET se conocía ya en 1930, estos
dispositivos sólo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la década de
los 60. Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET han alcanzado una
enorme popularidad. Comparados con los BJT, los transistores MOS ocupan
menos espacio, es decir, dentro de un circuito integrado puede incorporase un
número mayor. Además su proceso de fabricación es también más simple.
Además, existe un gran número de funciones lógicas que pueden ser
implementadas únicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Esto
ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrónica digital.
 Guía de actividades

FASE 1: EL FET

Dadas Las Formulas:

VGS (off) = - VP

RD = (VCC – VD) / ID

VGS = - ID*RS

AV = -Gm*RD

RS = VGS (off) / IDSS

RG ≫ 500 KΩ

Gm = ID / VGS

1.1 Diseño de un Amplificador De RF con JFET

Los amplificadores de RF son usados para restaurar señales débiles que son
captadas por una antena en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de
información, un ejemplo de esto es la radio FM.
Construir en el simulador el siguiente amplificador con JFET que supondremos se
aplicara para restaurar la baja amplitud de la señal recibida por la antena de un
receptor de radio FM cuyas frecuencias de operación se ubican en la banda de
VHF. Se debe polarizar el Amplificador en un punto Q llamado también punto
estable para que el JFET logre amplificar linealmente la señal. Basándonos en las
características de transferencia del JFET 2N3819 optamos por elegir los
siguientes parámetros para el diseño:

ID= 2mA

VD= 9V

VCC= 20V

IDSS=16mA

VGS(off)=-8V
 (𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐷) (20𝑉 − 9𝑉)
𝑅𝐷 = =
ID 2𝑚𝐴
11𝑉
𝑅𝐷 = = 5.5𝐾Ω
2𝑚𝐴

𝑅𝐷 = 5.5𝐾Ω

𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) −8V
𝑅𝑆 = =
𝐼𝐷𝑆𝑆 16mA

𝑅𝑆 = −0.5𝐾Ω

𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆

𝑉𝐺𝑆 = −2𝑚𝐴 ∗ −0.5𝐾Ω

𝑉𝐺𝑆 = 1𝑉

𝐺𝑚 = 𝐼𝐷/𝑉𝐺𝑆
2𝑚𝐴
𝐺𝑚 = = 2𝑆𝑖𝑒𝑚𝑒𝑛𝑠(𝑇𝑟𝑎𝑛𝑠𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎)
1𝑉

𝐴𝑉 = −𝐺𝑚. 𝑅𝐷

𝐴𝑉 = −2 𝑆𝑖𝑒𝑚𝑒𝑛𝑠 ∗ 5.5𝐾Ω

𝐴𝑉 = −11(𝐺𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎)

Completar luego de los cálculos La Tabla:

RS RD RG VGS Gm Av
-0.5KΩ 5.5KΩ 700KΩ 1V 2Siemens -11
Circuito de RF con JFET

VCC VCC

20.00V
20.00V
V1 2.979mA
20Vdc RD

5.5K
2.979mA C2
0V
3.618V 0V
50p
C1 JFET 2.979mA
V
0V 753.9nV -1.077pA
50p
J2N3819 RL
-2.979mA
250k
V
1.489V 0A
0A 1.077pA
VI RG 700k 2.979mA C3
VOFF = 0 RS
VAMPL = 0.25 0.1u
FREQ = 100MEG 0.5k

0V

Simular en análisis transitorio dibujando al menos 3 periodos de la señal

de 100 MHz de frecuencia generada por Vi, incluir pantallazo de graficas
para las marcas de diferencia de potencial.
1.2 ¿comente que cambio aprecia con respecto a la señal de entrada y la de
salida del circuito?
Se observa que la amplitud de la señal de salida es más alta que el de entrada
con una ganancia de -11, el cual nos indica que su comportamiento es como el de
un inversor.

1.3 ¿Cuál es el tipo de Polarización aplicada al JFET del Circuito?

El esquema es de auto polarización con el diseño de resistencia Rs a tierra y a la

vez es un modelo de polarización por divisor de tensión.

1.4 ¿Cuál es la función de los condensadores en el circuito?

Como notamos en la simulación el voltaje Ac no es rectificado así que el trabajo de

los condensadores es suministrar la corriente exacta cuando el periodo del
alternador en un determinado nodo está apagado o nulo y el condensador se
descarga en ese instante para suministrar corriente.

1.5 Cuál de las siguientes igualdades es verdadera:

A. IG = ID
B. IG = IS
C. ID = IS (V)
D. IG = ID = IS

1.6 La resistencia RS puesta a tierra en un JFET elimina la necesidad de utilizar

una fuente adicional para polarizar el pin Puerta.

Verdadero (X) Falso ( )

1.7 Realizar una presentación de cada una de las polarizaciones que puede tener
un FET.

Introducción.

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son

particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos:
transistor de efecto de campo de unión o JFET y transistor de efecto de campo
metal-óxido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por tensión
con una alta impedancia de entrada (1012Ω). Ambos dispositivos se utilizan en
circuitos digitales y analógicos como amplificador o como conmutador. Sus
características eléctricas son similares aunque su tecnología y estructura física
son totalmente diferentes.
Polarización de los FET.

Autopolarización

Con esta disposición de resistencias conseguimos polarizar el JFET de una

manera sencilla, económica y sin complicaciones en su obtención de valores.

Circuito de Autopolarizacion

Para obtener la tensión entre puerta y fuente utilizaremos la siguiente ecuación

VGS = VG – VS = 0 – (ID RS) = –ID RS (1)

Si operamos con la ecuación, nos queda

Sustituyendo en esta ecuación los valores de la ecuación 1, nos queda

Resolviendo esta ecuación de segundo grado, obtendremos dos valores de ID,
uno de ellos lo deberemos despreciar, ya que no tendrá sentido físico para el
circuito.

Polarización por divisor de tensión

Para mejorar la dispersión de características de los JFET, se puede utilizar la

polarización por divisor de tensión, también llamada de cuatro resistencias o, por
comparación con la polarización de los BJT, polarización de fuente.

Polarización por división de tensión de un JFET

Para calcular esta polarización, seguimos con el procedimiento habitual es decir,
calculamos la tensión puerta-fuente y posteriormente, la corriente de drenador. Por
tanto, la tensión VGS valdrá, utilizando el equivalente Thevenin.

Para obtener la recta de carga en este circuito utilizaremos la curva de

transferencia del JFET. Debido a la dispersión de características de la mayoría de
los JFET, nos saldrían dos puntos de trabajo; Vgs (off) puede estar entre dos
valores muy diferentes entre sí (-0.25V y -8V). Como es de suponer, esto
acarreara dificultades en el cálculo exacto del punto de polarización del circuito.
Esta polarización de divisor de tensión atenúa en gran medida esta dispersión,
que afecta en mayor medida a las configuraciones de Autopolarizacion.

El punto de partida de Vgs, con signo positivo, será el valor de la tensión Thevenin
en continua, es decir, aplicando su respectiva formula. Y el corte con el eje de
ordenadas (ID) será el definido por el valor de Vgs= 0V, es decir:

0V= VTH-ID*RS
Dependiendo de la inclinación de la recta de carga, el corte con las dos curvas de
transferencia será mayor o menor. Para esta polarización, como se muestra, la
diferencia no es muy acusada, es decir, la estabilidad de la corriente de drenador
es de tipo medio.

POLARIZACION POR FUENTE DE CORRIENTE

Esta disposición es bastante sencilla y está basada en la explicación de las

propias curvas del JFET sin tensión entre puerta y fuente, es decir con V GS = 0V.
La curva del JFET en estas circunstancias tiene un comportamiento resistivo hasta
alcanzar el punto de estrangulamiento o VP. A partir de aquí la corriente que
atraviesa el JFET es prácticamente constante, hipótesis de canal largo.

El único cuidado que debemos tener es mantener la tensión V DS por encima del
valor VP. Este valor de estrangulamiento viene especificado en las hojas de datos
del componente como VGS (OFF).
FASE 2 TIRISTORES.

2.1 Análisis del disparo o activación de un SCR con Diodo Zener Dada la Ecuación
para el disparo del SCR con diodo Zener: VCC= VZ + VGT simular en siguiente
circuito. Tenga en cuenta que VCC es la fuente relacionada a la puerta del SCR.
En este caso VCC = V1

Circuito diseñado para el disparo del SCR con Diodo Zener.

Grafica generada en la simulación del circuito.

2.2 ¿A qué valor de VCC se dispara el SCR? Justifique su respuesta.

El SCR se dispara a 5.4Vdc este valor se calcula sumando el voltaje del diodo
Zener según hoja de fabricante y el voltaje de disparo del SCR según hoja del
fabricante.

Vcc= VZ + VGT = 4.7V+ 0.7V= 5.4V

2.3 Cuando un SCR se dispara este permanece como un interruptor cerrado y

para apagarlo se debe interrumpir la corriente que lo atraviesa disminuyendo el
valor de VCC logrando que la corriente que circula sea inferior a la corriente de
mantenimiento IH especificada por el fabricante.

Verdadero (X)

Falso ( )

2.4 Proponer un circuito de control de potencia utilizando Tiristores. Anexe el

diagrama esquemático y su teoría de funcionamiento.

Control de potencia y regulación del ángulo de conducción.

Variadores de potencia por ángulo de fase

El TRIAC del esquema está gobernado por un DIAC y alimenta a la carga en

corriente alterna. La potencia que se aplica a esta última varia efectivamente con
el ángulo de conducción.

Esquema básico del control por DIAC de un TRIAC.

El condensador C empieza a cargarse en cuanto se conecta el circuito o, para ser
más exactos, en cuanto se presenta la primera semionda, a través del resistor R.
Cuando la tensión alcanza en el condensador el umbral de disparo del DIAC (de
unos 30V), este conduce, descargándose el condensador sobre el circuito de
puerta del TRIAC. Este último se ceba entonces alimentando la carga.

Cuando menor sea el valor del resistor serie antes se alcanzara en el condensador
la tensión de 30V y antes se disparara el TRIAC. Inversamente, una elevada
resistencia serie tendrá por efecto reducir la potencia entregada a la carga.
 CONCLUSIONES

 El MOSFET gracias a su gran velocidad de conmutación presenta una gran

versatilidad de trabajo; este puede reemplazar dispositivos como el JFET.

 Los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia esto es una
gran ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de
aplicaciones.

 Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva

se debe aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente
(source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por
el canal P entre ellos.

 Gracias a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el

semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula
entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.