U.N.M.S.

M
FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE
TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

 

CURSO TEMA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS El Diodo Rectificador

INFORME FECHAS NOTA

REALIZACIÓN ENTREGA
FINAL

25 DE JUNIO DEL 27 DE JUNIO DEL

NUMERO
2016 2016
5

GRUPO PROFESOR

8
ING. LUIS PARETTO QUISPE
Luness de 8 am – 10 am
 EXPERIMENTO DE LABORATORIO N°3

I. TEMA: CARACTERÍSTICAS BÁSICAS DEL DIODO

SEMICONDUCTOR (SILICIO Y GERMANIO).

II. OBJETIVOS:

1. Utilizar las características de operación de los diodos semiconductores.

III. INTRODUCCION TEORÍCA:

DIODO

Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica en una

única dirección. De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V)
consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta
como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito
cerrado con muy pequeña resistencia eléctrica. Debido a este comportamiento, se
les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir
una corriente alterna en corriente continua.

DIODO PN Ó UNIÓN PN:

Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n,

por lo que también reciben la denominación de unión pn. Hay que destacar que ninguno
de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en cada cristal, el número
de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales,
tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0). Al unir ambos cristales, se
manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je).

Formación de la zona de carga espacial

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de
la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de
agotamiento, de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso de difusión, la zona
de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a
ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n
y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se
opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.

Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre
las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3
V si los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el
otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal
que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no está
polarizado. Al extremo p, se le denomina ánodo, representándose por la letra A,
mientras que la zona n, el cátodo, se representa por la letra C.

A (p) C (n)

Representación simbólica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo
está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.

POLARIZACIÓN DIRECTA:

En este caso, la batería disminuye la barrera

de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de
electrones a través de la unión; es decir, el
diodo polarizado directamente conduce la
electricidad. Para que un diodo esté
polarizado directamente, tenemos que
conectar el polo positivo de la batería al
ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo.
En estas condiciones podemos observar
que:

 El polo negativo de la batería repele

los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la
unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona
de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p
 convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es
atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta
llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega
hasta la batería.

De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo

electrones de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente eléctrica
constante hasta el final.

POLARIZACIÓN INVERSA:

En este caso, el polo negativo de la

batería se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace
aumentar la zona de carga espacial, y
la tensión en dicha zona hasta que se
alcanza el valor de la tensión de la
batería, tal y como se explica a
continuación:

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona
n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de
su electrón en el orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la
capa de valencia, ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1,
con lo que se convierten en iones positivos.
 El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de
la zona p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia,
con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de
silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los átomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.

En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al

efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos
lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada
corriente inversa de saturación. Además, existe también una denominada corriente
superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequeña
corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no
están rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie del
diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo
que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No obstante, al igual que la
corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fugas es despreciable.
CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO:

 Tensión umbral, de codo o de partida

(Vγ). La tensión umbral (también llamada
barrera de potencial) de polarización
directa coincide en valor con la tensión
de la zona de carga espacial del diodo
no polarizado. Al polarizar directamente
el diodo, la barrera de potencial inicial se
va reduciendo, incrementando la
corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal.
 Corriente máxima (Imax). Es la intensidad de corriente máxima que puede
conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la
cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del
mismo.
 Corriente inversa de saturación (Is). Es la pequeña corriente que se establece al
polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido
a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la
temperatura.
 Tensión de ruptura (Vr). Es la tensión inversa máxima que el diodo puede
soportar antes de darse el efecto avalancha.

Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de

saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodo
normal o de unión abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro
tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

 Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan

pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la
tensión inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energía
cinética de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su
salto a la banda de conducción
 Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor
es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede
expresarse como cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo
esté muy dopado, y por tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será grande,
del orden de 3·105 V/cm. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de
estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos.

OTROS TIPOS DE DIODOS SEMICONDUCTORES:

 Diodo avalancha
 Fotodiodo
 Diodo Gunn
 Diodo láser
 Diodo LED
 Diodo p-i-n
 Diodo Schottky
 Diodo Shockley
(diodo de cuatro
capas)
 Diodo túnel
 Diodo Varactor
 Diodo Zener
 IV. MATERIAL Y EQUIPO A UTILIZAR

1. Una Fuente de Corriente Continua

Variable.

2. Un Multímetro digital.

Marca: Fluke
Nº de serie: 64680428

3. Un Miliamperímetro y un Micro amperímetro.

Marca: Yokogawa

Modelo: 510B

Sensibilidad: 0.1 Ω /V

Marca: Yokogawa

Modelo: 500B

Sensibilidad: (1/15) Ω /V

4. Un Diodo Semiconductor de Si y uno de Ge.

Diodo de silicio Diodo de germanio

 5. Un Voltímetro de c.c.

Marca: Yokogawa

Modelo: 2011

Nº de serie: 84AA2174

Sensibilidad: 1000 Ω /V

6. Resistencia de 100 Ω.

7. Cables y conectores. (cocodrilo/banano)

V. PROCEDIMIENTO:

1. Usando el OhmÍmetro, medir las

resistencias directa e inversa del
diodo.
Registrar los datos en la tabla 1.
2. Armar el circuito de la figura 1.

a. Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y

el voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la tabla 2. (usar
miliamperímetro)
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los
instrumentos, proceder como en a), registrando los datos en al tabla 3.
(usar micro amperímetro)

3. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de

Germanio. Registrar los datos en la tabla 4.

4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de Germanio, de manera similar al

paso 2, proceder a llenar las tablas 5 y 6.
 VI. DATOS OBTENIDOS:
TABLA 1(Si)

R directa(Ω) R inversa(Ω)

542 Ω >30M Ω

TABLA 2:

Vcc(V.) 0.438 0.501 0.588 0.737 0.745 0.845 1.098 1.456 1.582 1.752 2.18 2.7

Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v.) 0.479 0.510 0.540 0.572 0.614 0.632 0.659 0.683 0.689 0.695 0.706 0.717

TABLA 3:

Vcc(V.) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(V.) 0 2.366 4.98 7.64 10.33 13.03 15.35 18.97 25.22

Id(  A.) 0 0 0 0 0 0 0 0 0

TABLA 4 (Ge)

R directa (Ω) R inversa(Ω)

0.268 Ω 20.5 K Ω

TABLA 5:

Vcc(V.) 0.19 0.25 0.38 0.58 0.6 0.75 1.27 1.78 2.12 2.48 3 3.68

Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v.) 0.151 0.189 0.244 0.311 0.403 0.478 0.679 0.855 0.970 1.081 1.237 1.455

TABLA 6:

Vcc(V.) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0

Vd(V.) 0.009 0.969 1.962 3.95 5.91 7.91 9.87 11.86 14.80 17.76 19.69

Id(  A.) 0 4 4.5 5.4 6 6.58 7.56 8.5 10 12 13.5

 VII. CUESTIONARIO FINAL

1. Construir el grafico Id = f (Vd) con los datos de las tablas 2 y 3. (Si.)

Calcular la resistencia dinámica del diodo.(Usar papel milimetrado)

Vdn  Vd n1
rdn 
I dn  I d n1
Calculando la resistencia dinámica:
TABLA 2

Vcc(V.) 0.438 0.501 0.588 0.737 0.745 0.845 1.098 1.456 1.582 1.752 2.18 2.7

Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v.) 0.479 0.510 0.540 0.572 0.614 0.632 0.659 0.683 0.689 0.695 0.706 0.717

Primer caso: Quinto caso: Noveno caso:

0.717  0.706 0.683  0.659 0.572  0.540

rdn  rdn  rdn 
20.0m  15.0m 8.0m  5.0m 0.8m  0.4m
rdn  2.2 Ω rdn  8 Ω rdn  80 Ω

Segundo caso: Sexto caso:

0.706  0.695 0.659  0.632 Décimo caso:

rdn  rdn 
15.0m  12.0m 5.0m  2.5m 0.540  0.510
rdn  3.7 Ω rdn  10.8 Ω rdn 
0.4m  0.2m
Tercer caso: Séptimo caso: rdn  150 Ω

0.695  0.689 0.632  0.614

rdn  rdn 
12.0m  10.0m 2.5m  1.6m Undécimo
rdn  3 Ω rdn  20 Ω caso:

Cuarto caso: Octavo caso: 0.510  0.479

rdn 
0.2m  0.1m
0.689  0.683 0.614  0.572
rdn  rdn  rdn  310 Ω
10.0m  8.0m 1.6m  0.8m
rdn  3 Ω rdn  52.5 Ω
 TABLA 3:

Vcc(V.) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(V.) 0 2.366 4.98 7.64 10.33 13.03 15.35 18.97 25.22

Id(  A.) 0 0 0 0 0 0 0 0 0

Primer caso: rdn   Ω

25.22  18.97
rdn 
00
Sexto caso:
rdn   Ω
7.64  4.98
rdn 
Segundo caso: 00
18.97  15.35 rdn   Ω
rdn 
00

rdn   Ω
Séptimo caso:
Tercer caso: 4.98  2.366
rdn 
15.35  13.03 00
rdn 
00 rdn   Ω
rdn   Ω

Cuarto caso: Octavo caso:

13.03  10.33
rdn 
00
2.366  0
rdn 
rdn   Ω 0  0u

Quinto caso

10.33  7.64 rdn  

: rdn 
00
 2. Construir el grafico Id = f (Vd) con los datos de las tablas 5 y 6. (Ge.)
Calcular la resistencia dinámica del diodo. (Usar papel milimetrado)

Vdn  Vd n1
rdn 
I dn  I d n1
Calculando la resistencia dinámica:

TABLA 5:

Vcc(V.) 0.19 0.25 0.38 0.58 0.6 0.75 1.27 1.78 2.12 2.48 3 3.68

Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v.) 0.151 0.189 0.244 0.311 0.403 0.478 0.679 0.855 0.970 1.081 1.237 1.455

Primer caso:

1.455  1.237 Quinto caso:

rdn 
20.0m  15.0m 0.855  0.679
rdn  43.6 Ω rdn 
8.0m  5.0m
rdn  56.67 Ω
Noveno caso:
Segundo caso:
0.311  0.244
rdn 
1.237  1.081 Sexto caso: 0.8m  0.4m
rdn 
15.0m  12.0m 0.679  0.478 rdn  125 Ω
rdn  52 Ω rdn 
5.0m  2.5m
rdn  80.4 Ω
Décimo caso:
Tercer caso:
0.244  0.189
rdn 
1.081  0.970 Séptimo caso: 0.4m  0.2m
rdn 
12.0m  10.0m 0.478  0.403 rdn  275 Ω
rdn  55.5 Ω rdn 
2.5m  1.6m
rdn  83.3 Ω
Undécimo caso:
Cuarto caso:
0.189  0.151
rdn 
0.970  0.855 Octavo caso: 0.2m  0.1m
rdn 
10.0m  8.0m rdn  380 Ω
0.403  0..311
rdn  57.5 Ω rdn 
1.6m  0.8m
rdn  143.75 Ω
 TABLA 6:

Vcc(V.) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0

Vd(V.) 0.009 0.969 1.962 3.95 5.91 7.91 9.87 11.86 14.80 17.76 19.69

Id(  A.) 0 4 4.5 5.4 6 6.58 7.56 8.5 10 12 13.5

Primer caso:

19.69  17.76
rdn 
13.5u  12u Sexto caso:
rdn  1286.67K Ω 7.91  5.91
rdn 
6.58u  6u

Segundo caso: rdn  3.45M Ω

17.76  14.80
rdn 
12u  10u Séptimo caso:
rdn  1480K Ω 5.91  3.95
rdn 
6u  5.4u

Tercer caso: rdn  3.267MK Ω

14.80  11.86 Octavo caso:
rdn 
10u  8.5u
3.95  1.962
rdn 
rdn  1960K Ω 5.4u  4.5u

Cuarto caso: rdn  2.09M Ω

11.86  9.87 Noveno caso:
rdn 
8.5u  7.56u
1.962  0.969
rdn 
rdn  2.18M Ω 4.5u  4u

rdn  1.986M Ω
Quinto caso: Décimo caso:
9.87  7.91 0.969  0.009
rdn  rdn 
7.56u  6.58u 4u  0u
rdn  2M Ω rdn  240 K Ω
 3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

Para ambos casos (diodo de silicio y diodo de germanio) se dan dos situaciones
cuando se encuentran polarizados directamente e inversamente.

 Cuando se encuentran polarizados inversamente la resistencia dinámica

es grande por lo que se comportara como un circuito abierto impidiendo
el paso de la corriente.

 Cuando se encuentran polarizados directamente la resistencia dinámica

es pequeña por lo que se comportara como un circuito cerrado dejando
que fluya la corriente.

4. Explicar los controles de operación de la fuente DC utilizada.

Controles de la fuente dc:

1. Controles para Voltaje:

- Control grueso: Sirve para aumentar o disminuir la cantidad de voltaje de salida

de la fuente de poder en una mayor escala que la del control fino. Tiene un rango
de variación de 0 a 30 V
- Control fino: Sirve para aumentar o disminuir la cantidad de voltaje de salida de
la fuente de poder en una escala pequeña, que permite ajustar valores más exactos
de voltaje que no se pueden obtener con el control grueso.

2. Controles para Corriente:

- Control grueso: Sirve para aumentar o disminuir la cantidad de corriente eléctrica

de salida de la fuente de poder a una escala de Amperios. Este control no ha sido
empelado por ahora en los experimentos anteriores del laboratorio.

VIII. CONCLUSIONES:

 Para realizar estos circuitos siempre debe de quedar muy claro que siempre se
va a trabajar con diodos reales así que no siempre se debe esperar los
resultados teóricos.
 Tal como se esperaba, el los diodos actuaron tal como lo aprendido
teóricamente: Conduciendo en polarización directa y abriendo el circuito en
polarización inversa.
 Un diodo impedirá la conducción de corriente cuando se encuentre polarizado
inversamente. Se comportara como un circuito abierto.

 Un diodo permitirá la conducción de corriente cuando se encuentra polarizado

directamente. Se comportara como un circuito cerrado.
IX. BIBLIOGRAFÍA:

 Guía para mediciones electrónicas y prácticas de laboratorio. Stanley

Wolf y Richard Smith.
 http://www.unicrom.com
 Millman J., Halkias Ch.C. Dispositivos y Circuitos Electrónicos. 5ta edición. Mc.
Graw Hill, 1983.
 http://es.wikipedia.org
 Lob U. Funcionamiento del diodo semiconductor ep 14. Marcombo Boixareu
Editores, 1987.
 Boylestad R., Nashelky L. Electrónica teoría de Circuitos, Prentice Hall int.1992.