1.

- Introducción
2.- Clasificación de los materiales.
3.- Semiconductores intrínsecos. Estructura
cristalina.
4.- Semiconductores extrínsecos. Impurezas
donadoras y aceptadoras.
 4.1.- Semiconductores tipo n. Impurezas donadoras.
 4.2.- Semiconductores tipo p. Impurezas aceptadoras.
5.- Modelo de las bandas de energía.
6.- Conducción en metales y semiconductores.
 La gran mayoría de los dispositivos de estado sólido que
actualmente hay en el mercado, se fabrican con un tipo de materiales
conocido como semiconductores. De ahí que vamos a empezar
nuestro estudio examinando las propiedades físicas de dichos
elementos. Estudiaremos las características de los materiales que
nos permiten distinguir un semiconductor de un aislante y de un
conductor. Veremos, además, el dopado de un semiconductor con
impurezas para controlar su funcionamiento.
El estudio anterior puede abordarse desde dos puntos de
vista:
 Basándonos en la estructura cristalina de los semiconductores y,
más concretamente, en el enlace covalente.
 Desde el punto de vista energético, es decir, a través del modelo
de las bandas de energía.
 La materia, en general, está constituida por átomos
formados por un núcleo cargado positivamente
rodeado de los electrones necesarios que hacen que el
átomo sea eléctricamente neutro.
 Los electrones se distribuyen en órbitas que rodean al
núcleo.
 Los electrones de la última órbita se denominan
electrones de valencia.
 Las diferentes propiedades químicas de los
materiales se deben a que están formados por
átomos distintos, mientras que, las distintas
fases (sólida, líquida o gaseosa) de una misma
sustancia se deben a lo más o menos
fuertemente unidos que se encuentren sus
átomos, siendo en la fase sólida la distancia
interatómica menor.
 En un sólido la disposición espacial de sus
átomos juega un papel importante en la
determinación de sus propiedades específicas.
 Atendiendo a esta disposición atómica, un
sólido puede ser: amorfo, policristalino o
cristalino.
 Amorfo. No se reconoce ningún orden a largo
alcance, esto es, la disposición atómica en cualquier
porción de un material amorfo es totalmente distinta
a la de cualquier otra porción.
 Cristalinos. Se encuentran en el extremo opuesto: en
un material cristalino los átomos están distribuidos en
un conjunto tridimensional ordenado.
 Policristalinos. Constituyen un caso intermedio, en el
cual el sólido está formado por subsecciones
cristalinas no homogéneas entre sí.
 Según sus propiedades eléctricas (o
propiedades conductoras) pueden clasificarse
en tres grandes grupos:
 Conductores
 Semiconductores
 Aislantes
Conductores:
 Metales como Cu, Ag y Al
 Su estructura cristalina (disposición atómica) es
tal que los electrones exteriores (electrones de
valencia) están compartidos por todos los
átomos y pueden moverse libremente por todo
el material
 Esta situación se mantiene en un amplio rango
de temperaturas.
 En la mayoría de los metales cada átomo
contribuye con un electrón, por lo que el número
de electrones libres suele ser > 1023 e-/cm3.
Conductores:
 Los semiconductores más
habituales como el Si y el Ge
poseen 4 electrones de
valencia (en la última capa)
 Sólo tendremos en cuenta
estos 4 electrones así como las
cargas positivas del núcleo que
los compensan.
 Las barras de conexión de la figura pueden
considerarse como pistas a lo largo de cada
una de las cuales se mueven dos e- en uno y
otro sentido entre los átomos asociados.
 Esta disposición de pares de e- compartidos
es lo que se denomina enlace covalente.
 A una temperatura muy baja, todos los e- de
valencia permanecen ligados en los enlaces
covalentes no disponiéndose, por lo tanto, de
cargas libres que puedan moverse por el
cristal bajo la presencia de un campo eléctrico
externo aplicado.
 En este caso, el material es un aislante.
 A temperaturas superiores
la vibración térmica de los
átomos da lugar a
sacudidas en las que se
rompen algunos enlaces
covalentes
 Esto resulta en cargas libres
que pueden moverse por
todo el cristal.
 La energía necesaria para
romper un enlace
covalente, ha de ser > EG
 EG es una energía de ionización
 A temperatura ambiente (300 K):
 EG Si ≈ 1,12 eV
 EG Ge ≈ 0,7 eV
 La vacante dejada en el enlace covalente se
comporta como si fuese una nueva partícula
libre de carga positiva +q (=1,6 10-19 C) y
masa comparable a la del e-.
 Esta partícula aparente recibe el nombre de
“hueco” (h+)
 Cuando un enlace está incompleto de forma que haya un
hueco, es relativamente fácil que un e- ligado de un átomo
vecino abandone el enlace covalente para llenar el h+ .
 Un e- que deja su enlace para llenar un h+ deja, a su vez,
otro h+ en su posición inicial. Por tanto, el h+ se mueve
efectivamente en dirección contraria al e- ligado.
 el movimiento del h+ puede considerarse como la
transferencia de la ionización de un átomo a otro
efectuada por el movimiento de los e- ligados entre sus
enlaces covalentes.
 El e- liberado inicialmente por la vibración térmica no
interviene en este proceso y puede desplazarse de manera
totalmente independiente.
 Se ha convertido en un e- de conducción.
 En un semiconductor intrínseco entendiendo como tal a un
semiconductor en el que los átomos extraños se encuentran en una
proporción no mayor de un átomo por cada 109 átomos de Si, los e-
de conducción y los h+ se encuentran siempre en igual número, ya
que al romper un enlace covalente se crea un e- de conducción y un
h+ que pueden moverse con independencia uno de otro.

n = concentración de e- (nº de e- / unidad de volumen)

p = concentración de h+ (nº de h+ / unidad de volumen)
ni = concentración intrínseca.
El proceso de aniquilación de electrones y huecos se denomina
recombinación.
Semiconductores tipo n. Impurezas donadoras
Semiconductores tipo n. Impurezas donadoras
 Se ha sustituido uno de sus átomos por otro que
posee 5 e- de valencia.
 Dicho átomo encajará sin mayores dificultades
en la red cristalina del Si.
 Cuatro de sus 5 e- de valencia completarán la
estructura de enlaces, quedando el quinto e-
débilmente ligado al átomo.
 A temperatura ambiente este e- se libera con
facilidad y puede entonces moverse por la red
cristalina, por lo que constituye un portador.
Semiconductores tipo n. Impurezas donadoras
 Los elementos que tienen la propiedad de ceder e- libres
sin crear h+ al mismo tiempo se denominan donantes o
impurezas donadoras y hacen al semiconductor de tipo n
porque existen muchos más e- que h+
 Los e- de conducción son los portadores mayoritarios
(aunque no exclusivos), y los h+ son los portadores
minoritarios.
 El número de h+ disminuye por debajo del que tenía el SC
intrínseco, ya que el gran número de e- presentes
aumenta la velocidad de recombinación de los e- y los h+
Semiconductores tipo n. Impurezas donadoras

Ley de acción de masas:

Ecuación de neutralidad de carga:

N-Aceptadores + n = N+Donadores + p
Semiconductores tipo n. Impurezas donadoras

Impurezas pentavalentes (donadores): P, As, Sb

ND – NA ≈ ND >> ni n ≈ ND
n >> p

Como = 2 =
Semiconductores tipo p. Impurezas
aceptadoras
Semiconductores tipo p. Impurezas aceptadoras

Al dopar un semiconductor extrínseco con

impurezas aceptadoras aumenta la concentración
de huecos y disminuye la de electrones.
De manera opuesta a un semiconductor de tipo n,
en el tipo p los huecos son los portadores
mayoritarios y los electrones los portadores
minoritarios.
Semiconductores tipo p. Impurezas aceptadoras

Impurezas trivalentes (aceptadoras): B, Al, Ga

NA – ND ≈ NA >> ni p ≈ NA
p >> n

Como = 2 =
 Cuando el quinto electrón de un átomo donador abandona a
su átomo, el átomo restante adquiere una carga neta
positiva: de aquí el signo positivo en la representación ion
donador.
 De forma similar aparece el signo negativo en el ion aceptor.
 En un semiconductor intrínseco, los electrones de
valencia se encuentran ligados en sus enlaces
covalentes.
 Desde el punto de vista energético estos electrones se
encuentran en lo que se conoce como banda de
valencia, la cual se encuentra totalmente ocupada.
 La banda superior se conoce como banda de
conducción, que para un semiconductor intrínseco
está vacía ya que no hay electrones libres que puedan
moverse por el cristal.
 Entre ambas existe una banda de estados no
permitidos denominada banda prohibida o gap de
energías
 Aislantes: la banda prohibida es muy grande, de
ahí que a temperatura de 300 K se disponga de
muy pocos portadores libres, o lo que es lo
mismo, son malos conductores.
 Conductores: bandas prohibidas muy estrechas
o inexistentes, ya que la banda de valencia y la
banda de conducción se superponen, de ahí que
prácticamente siempre vamos a disponer de una
banda parcialmente ocupada en la que es
posible obtener un movimiento neto como
resultado de la aplicación de un campo eléctrico
 Semiconductores: a temperatura ambiente
es posible disponer de una cantidad
moderada de portadores libres porque su gap
energético no es excesivo. Es decir, a
temperatura de 300 K ni son buenos aislantes
ni excelentes conductores.
 Semiconductor
Aislante

Conductor
 Semiconductor a
temperaturas bajas,
sin portadores
 Semiconductor a
temperaturas altas,
electrón
 Semiconductor a
temperaturas altas,
hueco
Impurezas donadoras.
El quinto e- posee una energía que no
pertenece ni a la banda de valencia ni a la banda
de conducción del semiconductor puro. Sin
embargo, al suministrar una pequeña cantidad de
energía es capaz de convertirse en un portador
libre. Por lo tanto, si queremos indicar el estado de
dicho e- en el diagrama de bandas, lo debemos
situar muy cerca de la banda de conducción
E
Impurezas aceptadoras.
El estado energético del enlace covalente
no completo se situará muy próximo a la banda
de valencia para que a nada que se aporte
energía puedan pasar con facilidad e- de la
banda de valencia.
 A temperaturas muy bajas, próximas a 0 K todos los niveles
donadores están ocupados y los aceptadores vacíos, puesto que no
hay energía suficiente para que se realicen transiciones electrónicas.
 A al aumentar la temperatura, los e- de los niveles donadores pasan a
la banda de conducción y los e- de la banda de valencia a los niveles
aceptadores, creando h+ en la banda de valencia y produciéndose la
ionización de las impurezas correspondientes.
 A 300 K se puede asegurar la ionización total de las impurezas
aceptadoras y donadoras, o lo que es lo mismo, la totalidad de los e-
de la banda de conducción y de los h+ de la banda de valencia
proceden de la ionización de dichas impurezas. Decimos la totalidad
porque siempre se habrán creado pares e- - h+ que proceden de la
rotura estadística de enlaces covalentes.
Semiconductor tipo n, impurezas donadoras

Semiconductor tipo p, impurezas aceptadoras

Corriente de arrastre en metales
 En un metal el número de e- que se mueven en un sentido
será el mismo que los que lo hacen en sentido contrario.
 No habrá un movimiento neto de carga y por lo tanto no
habrá corriente eléctrica.
 Un aumento de la temperatura provoca un aumento del
número de choques de los e-, esto se traducirá en una
disminución de la velocidad neta de los mismos, con lo cual
la intensidad de corriente disminuirá.
 En los conductores sólo existe corriente al aplicar un campo
eléctrico
 Esta corriente se debe al arrastre de los electrones libres
Corriente de arrastre en metales

 F: Fuerza de atracción de los electrones

 q: Carga del electrón
 E: Campo eléctrico aplicado
 J: Densidad de corriente
 En los metales σ es alta (ρ baja)
 Si aumenta la temperatura σ disminuye (ρ aumenta) -> en
los metales la resistencia aumenta con la temperatura.
Corriente de arrastre en semiconductores
 En un semiconductor los e- libres se moverán como respuesta a la
acción del campo aplicado.
 A diferencia de los metales, tenemos otro tipo de portadores que
son los h+.
 Al aplicar campo eléctrico tendremos un movimiento de e- en
dirección contraria al campo y un movimiento de h+ en la misma
dirección del campo.
 Por eso la corriente de arrastre tendrá 2 componentes, una debida
al movimiento de los e- y otra debida al movimiento de los h+.
Difusión.
 Proceso irreversible por el cual un grupo de partículas se distribuye de
manera uniforme en un medio ya sea vacío o formado por otro grupo
de partículas. Después de un choque, cada partícula tiene la misma
probabilidad de dirigirse en cualquier dirección, lo que hace que haya
un flujo neto de partículas de las regiones más pobladas a las menos
pobladas con el fin de homogeneizar su concentración.
 La difusión se produce siempre que existan variaciones espaciales
(gradientes) de la concentración de partículas.
 Si las partículas tienen carga, los flujos por difusión transportan carga
eléctrica y constituyen, por tanto, corrientes eléctricas.
Corriente de difusión
 En un semiconductor extrínseco existirá
conducción por difusión
Corriente de difusión

= −

 Jdifusion: Densidad de corriente de difusión

 Jn: Densidad de corriente de difusión de electrones
 Dn: Cte de difusividad de los electrones
 n: Concentración de electrones
 Jp: Densidad de corriente de difusión de huecos
 Dp: Cte de difusividad de los huecos
 p: Concentración de huecos
 En un semiconductor la corriente total será la suma de las
corrientes debidas al movimiento de los dos tipos de
portadores presentes (huecos y electrones).
 Estas corrientes podrán ser de arrastre (debidas a la
aplicación de un campo eléctrico) y de difusión (debidas a un
gradiente de impurezas)
 Si aumenta la temperatura, σ aumenta (ρ disminuye) -> en
los semiconductores la resistencia disminuye con la
temperatura