Está en la página 1de 61

TEMA 2. INTRODUCCIN A LA FSICA DE LOS SLIDOS.

1. Estructura de los slidos. Grabacin y lectura en CD-RW y DVD-RW. 2. Modelo clsico del electrn libre. 3. Modelo cuntico del electrn libre; pozo de potencial tridimensional; estadstica de Fermi-Dirac. 4. Modelo de bandas de energa: conductores, aislantes y semiconductores; masa efectiva y hueco.

BIBLIOGRAFA para el Tema 2: Fsica, Volumen 2C, Tipler-Mosca, (5 edicin) Physics for Computer Science Students, (2 Edicin), Springer. Narciso Garca, Arthur Damask y Steven Schwarz. Fundamentos Fsicos de la Informtica y las Comunicaciones, Lus Montoto San Miguel, Editorial Thomson. Recursos de la Web Diapositivas de clase.
1

1. La estructura de los slidos.


La Fsica del estado slido constituye una parte importante de la Fsica cuntica. Con su ayuda podemos comprender las propiedades mecnicas, trmicas, elctricas, magnticas y pticas de la materia en sus tres estados conocidos. Aqu estudiamos algunas propiedades de las sustancias slidas.

LIQUIDOS

monocristales

MATERIA CONDENSADA

policristales SLIDOS:

amorfos.
2

La existencia de un estado u otro de la materia depende de las condiciones de presin (P), y temperatura (T) en las que se formaron. El grfico muestra un diagrama de fases P-T a Volumen constante. -En los estados sobre las P
fus in

Liquido, L
i ac iz or p va n

lneas coexisten ambas fases.

Slido, S
(a)
n c i a li m b su

Gas, G

-Si se calienta una sustancia a P constante, se puede pasar por una secuencia de estados (cambios de fases). La doble flecha a trazos (a) indica que podemos pasar del estado S al L si calentamos en torno al punto de fusin y del estado L al S si enfriamos. Mientras el slido funde su temperatura se mantiene constante.

T La grabacin y lectura en CD y DVD que veremos est relacionada 3 con el de cambio de fase y otras propiedades de los slidos.

En el diagrama P-T se observa que a altas presiones y bajas temperaturas predomina el estado slido, mientras que a bajas presiones y altas temperaturas el estado gaseoso. En un modelo de slido en el que los tomos estn conectados entre s mediante muelles, la energa interna del slido se compone de energa potencial elstica de sus tomos y energa cintica. La presin es una medida del grado de compresin de sus tomos y la temperatura una medida de su energa cintica interna.

ESTRUCTURA CRISTALINA Los slidos se clasifican segn se estructura cristalina que est caracterizada microscpicamente por la agrupacin de iones, tomos o molculas segn un modelo de repeticin peridica. El concepto de periodicidad es sencillo de entender si pensamos en los motivos de una alfombra oriental, dibujos de la Alhambra, una formacin de tipo militar ...

Red cristalina y celdilla unidad. Si nos fijamos con detenimiento, en estos dibujos hay siempre una fraccin de los mismos que se repite. Pues bien, en los cristales, los tomos, los iones o las molculas se empaquetan dando lugar a motivos que se repiten desde cada 5 hasta las centenas de (1 ngstrom, = 10-10 m), y a esa repetitividad, en tres dimensiones, la denominamos red cristalina. El conjunto que se repite, por traslacin ordenada, genera toda la red (todo el cristal) y lo denominamos celdilla elemental o unidad red : conjunto de puntos con repeticin peridica. motivo: tomos, iones o molculas asociados a los nudos de la red. el motivo que se repite, puede describirse por un punto (el punto reticular) que representa a todos y cada uno de los constituyentes del motivo. Por ejemplo en el dibujo anterior cada soldado repre6 senta un punto reticular.

estructura cristalina: distribucin real de los tomos en el espacio. Red + motivo Estructura cristalina celda unidad: la unidad mas pequea que se repite para formar la red Importancia de la celda unidad: A partir de ella podemos encontrar las propiedades del cristal en su conjunto. Por ejemplo, distancia entre tomos ms prximos, nmero de tomos por metro cbico, fuerzas que mantienen la red junta, propiedades mecnicas y elctricas, etc. Redes de Bravais. Existen 14 tipos de redes cristalinas y se conocen con el nombre de redes de Bravais. Slo veremos las redes cbicas.

I bcc

F fcc

bcc

fcc

b En realidad los tomos no estn tan separados sino lo ms prximo posible, como se observa en la estructura fcc. Obsrvese que las tres bolas indicadas por la recta ab son tangentes. a

p: primitiva o cbica simple, de forma que a cada punto reticular de la misma se le asocia un tomo. Por tanto, hay un tomo en cada vrtice. El polonio presenta esta estructura. bcc: red espacial cbica centrada en el cuerpo, de forma que a cada punto reticular de la misma se le asocia un tomo. Por tanto, hay un tomo en cada vrtice de la celdilla cbica y otro en el centro de dicha celdilla. Como ejemplo de metales que adoptan esta estructura se pueden citar el Na, K, Cr, Mo, W y Fe- fcc: Cbica centrada en las caras. Asocia un tomo por cada punto reticular de la misma. Por tanto, hay tomos en los vrtices y en los centros de las caras de dicha celdilla cbica. El Al, Cu, Au, Ag y Ni son ejemplos de metales que adoptan esta estructura. Redes de Bravais
9

Estructura tipo Silicio: dos redes ffc desplazada una de otra en la direccin de la diagonal principal (a/4, a/4, a/4), siendo a la arista del cubo.

a
a/4 a/4 a/4

Simulacin para el Si y otros.


10

Representacin planar de la estructura del Si. Obsrvese que es la estructura real vista, por ejemplo, desde arriba.
11

Nmero de tomos que contiene una celda unidad, nC:

nV nF nC = + nI + 8 2
nV, n de tomos en vrtices. A cada celda corresponde 1/8. nI, n de tomos en el interior. nF, n de tomos en las caras. A cada celda corresponde 1/2 As, la P contiene 8 tomos en cada vrtice x 1/8 = 1 tomo, equivale a tener un tomo completo en su interior. La bcc, posee 8 x 1/8 + 1 = 2 tomos en su interior. La fcc, posee 8 x 1/8 + 6 x = 4 tomos en su interior. Silicio, posee 4 tomos por cada fcc, en total 8 tomos.

12

Determinacin del n de tomos por metro cbico de las estructuras estudiadas. a) estructura cbica simple. El nmero de tomos de la celda unidad es nC = 1. Visto desde un lateral se observa que la distancia interatmica, d, separacin entre tomos ms prxima es d = 2R = a siendo R el radio atmico y a la arista del cubo. La vista desde un lateral sera equivalente a la de la figura.
R

El nmero de tomos por metro cbico se obtiene dividiendo nC entre la arista del cubo elevada al cubo. Si la arista a se expresa en , resulta:

d = 2R =a

n=

(a 10 )

nC

10 3

1 1030 = 3 = 3 30 a 10 a

tomos/m3

13

b) Estructura cbica centrada en el centro (bcc). En este caso nC = 2. El tomo interior estara tangente a los 8 tomos de los vrtices. La distancia interatmica, es d = 2D y se relaciona con la arista del cubo teniendo en cuenta que las 3 esferas son tangentes en la direccin de la diagonal principal del cubo D, de manera que a partir del teorema de Pitgoras resulta:

D = 2d
R D d a ()

D 2 = a 2 + a 2 + a 2 = 3a 2 D 2d a= = 3 3

el n de tomos n = por m3,n, vale: a 10 10

2 1030 = a3

Obsrvese ahora que los tomos visto desde un plano lateral no se tocan.
a

14

c) Estructura cbica centrada en las caras. En este caso nC = 4. La vista lateral de la estructura sera la de la figura. La distancia interatmica es d y su relacin con a es:

( 2 d ) 2 = 2a 2
d a Los centros de los 5 tomos estn sobre el mismo plano. El n de tomos por m3 es:

2d a= 2

4 4 10 n= = 10 3 3 (a 10 ) a

30

15

d) Estructura tipo Si, Ge, diamante. En este caso, nC = 8. La relacin entre la distancia interatmica, d, y la arista del cubo es: d a

d = 3(a / 4)
2
a/4

El n de tomos por m3, vale:

8 8 10 n= = 10 3 (a 10 ) a3

30

16

ANISOTROPIA. Es la dependencia que presentan ciertas propiedades fsicas de una sustancia con respecto a la direccin espacial. La causa de ello es la disposicin ordenada de los tomos. Por eso la anisotropa es caracterstica de los cristales. Slo muy pocas propiedades fsicas, en los cristales, no depende de la direccin, como le ocurre a la densidad y al calor especifico. En estos casos se dice que presentan isotropa. Desde un punto de vista matemtico las propiedades anistropas se caracterizan mediante vectores y otras magnitudes mas complejas. Una de las propiedades que ms nos interesa es la anisotropa ptica. Ello supone una manifestacin de distintas propiedades pticas del medio dependiendo del sentido de propagacin de la luz en su interior. Por ejemplo, el ndice de refraccin de un medio va a depender de la direccin espacial del cristal y de que ese medio pueda convertirse mediante un cambio de fase en un slido amorfo. Este hecho juega un papel fundamental en la 17 grabacin y lectura en CD y DVD regrabables.

CD-RW y DVD-RW
CD-RW son las siglas de CD ReWritable. Los discos CD-RW estn construidos de tal forma que es posible grabar encima de datos viejos.

Estos discos estn basados en una tecnologa de regrabacin por cambio de fase. Los fundamentos fsicos de la grabacin y lectura en DVD son los mismos que en CD pero con ms pistas y ms pits por pistas.
18

Aspecto de un corte transversal de un disco regrabable:

(hendidura)

19

Funcionamiento. Originalmente la capa de grabacin de un CD y de DVD regrabables es policristalina.

Grabacin: Durante la grabacin un lser de alta potencia (8-14 mW) lleva al material del disco, (recording layer) a su temperatura de fusin (500 -700 C) en una regin extremadamente pequea. Los cristales fundidos pasan a la fase amorfa porque el disco gira ms rpido de lo normal provocando que el material solidifique como amorfo. Si antes de que ocurra este proceso el material de registro era amorfo, continua en ese mismo estado. La reflectividad de la regin amorfa (5 %) es mucho ms pequea que la de una regin cristalina (20 %) lo que da lugar a un modelo de LANDS (crestas) y PITS (valles) de los CD- ROM.

20

Borrado: Las zonas amorfas que interesen de la pista son devueltas a la fase cristalina calentando con un lser de menor potencia (4 a 8 mW) de manera que pone esa zona a una temperatura del orden de los 200 C (temperatura de cristalizacin) y dejndola enfriar ms lentamente pasa a fase policristalina. Si ya estaba en esta fase continua igual. Lectura: El lser es de potencia 10 veces menor y va leyendo el disco de manera que las zonas policristalinas reflejan mucho comparadas con las zonas amorfas. Esa transicin de reflectividad es la que determina los 1, junto a la longitud del perodo entre las transiciones, de manera anloga a como en los CD-ROM los determinaban las transiciones entre los lands y los pits.

21

La potencia del lser para cada accin se refleja en el siguiente grfico:

22

Aspecto original de la publicacin realizada por Phillips

23

Igual que los CDs, los DVDs utilizan una pista de pits conteniendo informacin binaria en el disco, la cual es leda por un dispositivo ptico. El DVD tiene las mismas dimensiones que un CD, pero mucha mayor capacidad y razn de transferencia de datos. Las diferencias entre DVD y CD
Separacin entre pistas: DVD = 0.74m v. CD = 1.6m Longitud mnima de un Pit: DVD = 0.4m v. CD = 0.84m

24

DVD-ROM y CD-ROM

25

Diferencias CD-ROM / DVD

26

Todos los formatos de grabacin se basan en el mismo principio: la tecnologa de cambio de fase. Slo los DVD-RAM, adems del sustrato del disco, utiliza zonas magnticas para guardar parte de la estructura de los datos. De momento el sistema ms aventajado es el DVD+RW, ya que permite realizar grabaciones de video domestico compatibles con la mayora de los lectores DVD-ROM domsticos. Otro factor importante que influye en la grabacin y en la posterior lectura es el sistema de rotacin del motor de giro del disco, que es el que determina finalmente de qu forma pasa el lser sobre la superficie del disco. Existen tres modos de operacin distintos: CLV (DVD-RW): Constant Linear Velocity. Mantiene constante la velocidad de transferencia de datos independientemente de la zona del DVD. Ello supone aumentar la velocidad de giro cuando disminuye el radio del DVD. Z-CLV (DVD-RAM): Zone Constant Linear Velocity, Velocidad Lineal Constante por Zonas, nuevo sistema basado en CLV pero que, en este caso, la velocidad de transferencia constante se realiza a travs de 4 zonas diferenciadas, permitiendo grabar a mayor velocidad que con CLV. La velocidad es constante en cada una de las zonas pero diferente entre cualquier par de ellas.
27

CAV (DVD+RW): Constant Angular Velocity, Velocidad Angular Constante, sistema de rotacin que mantiene el giro del motor a velocidad constante, por lo que la velocidad de transferencia es mayor en los extremos del CD que en el interior, ya que recorre mayor cantidad de espacio y por tanto datos- en el mismo tiempo. Hoy en da el nico formato de DVD regrabable compatible con los lectores de DVD-Vdeo de saln es el DVD+RW DVD-RAM: su mayor desventaja es que los discos utilizados no son compatibles con los lectores DVD-ROM tradicionales.

28

Qu sistema de grabacin elegir de los que existen en el mercado?


Cualquiera de ellos le va a ofrecer una solucin de almacenamiento de alta capacidad con discos regrabables, pero adquirir una tecnologa que pueda quedar en desuso en poco tiempo no parece buen negocio. El formato DVD-RAM no parece que vaya a imponerse sobre sus competidores. Su futuro est ms orientado a convertirse en una solucin profesional de almacenamiento masivo. Sobre los otros dos sistemas DVD-RW y DVD+RW no se puede realizar un pronstico fiable. Ambos tienen ventajas e inconvenientes propios, pero ninguno de ellos es tan definitivo o excluyente como para decantarse por alguno de estos formatos. Sus tecnologas de grabacin son fcilmente incorporables en los futuros lectores, y los soportes en los dos casos disponen de la capacidad estndar de 4,7 GB para DVD-Vdeo, con discos que no requieren proteccin externa, como en el caso del DVD-RAM. Lo ideal para el usuario sera que hubiese un nuevo consenso entre empresas como ocurri en su da con el DVD, aunque tampoco parece probable, ya que lo que est en juego es la propiedad de un sistema que, adems de las enormes ventas que puede tener en el sector informtico, est llamado a convertirse en el heredero de los sistemas de grabacin de vdeo domstico VHS. Si puede esperar un ao hgalo, se habr aclarado la situacin porque habr habido un vencedor. A lo mejor no sale elegido el mejor sistema pero si el que es 29 comercialmente mas fuerte, como ocurri con el sistema BETA y VHS.

2. Modelo clsico del electrn libre. Gas de electrones.


Un modelo que explica la conduccin en metales desde la perspectiva de la Fsica clsica es el modelo de Drude (1900). Debido a que los electrones de conduccin son los que provienen de las rbitas ms externas de los tomos que forman el metal y estn distribuidos en el espacio que existe entre los tomos, se les conoce como nube o gas de electrones. Hiptesis del modelo: (a) El metal est formado por una red de iones con electrones de valencia movindose libremente a su travs con la nica condicin de que no escapen. Estn inmerso en un pozo de potencial finito. (b) Los electrones de valencia (conduccin) no interaccionan entre ellos, son por ello independientes. Adems se considera que la energa potencial de la red de iones es constante en cualquier punto que se considere, por lo que el fondo del pozo de potencial es plano. (c) En ausencia de campo elctrico aplicado los electrones se mueven al azar debido a la agitacin trmica con velocidades que dependen de la temperatura. (d) Al aplicar un campo elctrico E, los electrones adquieren una velocidad opuesta al campo, va, generndose una densidad de corriente J. E 0 E = 0, va = 0, J = 0 va 0, J 0 30

E>0 dN/dE + + + + + + + + + + + + EP <0 EC E

La figura representa la red de iones positivos que estn en posiciones fijas del cristal. Los electrones se mueven libremente entre los iones y colisionan con ellos. Debido a la agitacin trmica se mueven al azar mientras no exista campo E aplicado. Tampoco pueden escapar libremente porque el conductor quedara cargado positivamente atrayndolos de nuevo. Se dice que estn en un pozo de energa. Estos electrones poseen energa cintica, EC. Algunos de ellos poseen energas elevadas, otros ms pequeas. Los que poseen ms energa son los que lo tienen ms fcil para salir del pozo. La energa mnima necesaria para que un electrn libre salte la barrera de potencial se denomina energa de extraccin o funcin de trabajo del metal, e, y se mide en eV. Suele valer entre 1 y 10 eV. Se suele medir mediante el efecto fotoelctrico. La figura tambin nos muestra como se distribuyen las energas de los electrones por intervalos de energa. Vemos que existen muchos electrones con poca energa y muy pocos con mucha energa. Esta forma de distribucin siguen la estadstica clsica de 31 Maxwell- Boltzmann. Cuando se tengan en cuenta hiptesis cunticas veremos que no siguen este tipo de distribucin energtica, sino la estadstica de Fermi-Dirac.

La densidad de corriente se determina fcilmente teniendo en cuenta que al aplicar el campo E los electrones adquieren una fuerza F = -eE = mea y por tanto poseen una velocidad de arrastre debido al campo, va = a , siendo el tiempo medio que tarda el electrn entre colisin y colisin con los iones de la red. Por todo ello tenemos:

eE e 2 n J = env a = en = E = E me me
que es la conocida ley de Ohm. siendo

e 2 n = me

(-m)-1

La conductividad, , es una de las magnitudes que varan ms ampliamente en los materiales, de tal forma que la conductividad del Cu en relacin a la del diamante llega a ser del orden de 1028. Algunos valores de la conductividad a temperatura ambiente en unidades de (-m)-1 son: Metales: Ag = 6,7107, Cu = 6107, Al = 3107, Fe = 1107 Semiconductores: Si = 410-4, Ge = 210-2 Aislantes: Vidrio = 210-11, Tefln = 10-14, Poliestireno = 10-20 Diamante = 10-21

32

Un parmetro importante que se relaciona con la conductividad es la movilidad, . Representa la facilidad con que se puede mover un electrn en presencia de un campo elctrico, E, en el interior de un material y se define por la relacin:

va = E

(m2/Vs) de manera que:

v a = E

as la densidad de corriente J para portadores de carga, q, es:

J = qnv a = qnE = E
de forma que la conductividad se puede expresar como:

= qn

o bien recordando que el coeficiente Hall, RH = 1/qn, resulta: = /RH En materiales semiconductores los portadores de carga son de dos tipos, electrones que son negativos, cuya concentracin se expresa por n (m-3) y huecos que son positivos, cuya concentracin se expresa por p (m-3). La movilidad para ambos tipos de por tadores son diferentes aunque la carga en valor absoluta es la misma. Por esta razn la conductividad en semiconductores se expresa como:

= q ( n n + p p )

33

3. Modelo cuntico del electrn libre; pozo de potencial tridimensional; estadstica de Fermi-Dirac. El modelo de Drude fue capaz de explicar la ley de Ohm y otras leyes, pero fall al intentar explicar la variacin que la conductividad experimenta con la temperatura. Este modelo predice que la conductividad es proporcional al inverso de la raz cuadrada de la temperatura absoluta, 1 / T , cuando la experiencia demuestra que 1 / T . El fallo de esta prediccin y de otras encontradas tiene su origen en que los electrones son partculas cunticas y no obedecen la distribucin estadstica de Maxwell-Boltzmann. Sommerfeld (1928) desarrolla el modelo cuntico del electrn teniendo en cuenta los principios de la mecnica cuntica. Aadi al modelo clsico de Drude dos hiptesis fundamentales: (a) Los electrones deben ser tratados segn la mecnica cuntica. Se rigen por la Ecua. de Schrdinger tridimensional y verifican la estadstica de Fermi-Dirac. (b) Obedecen los principios de Pauli y de Heisenberg. Adems de estos principios cunticos, se considera que los electrones, como en el modelo clsico son libres, esto es, no interaccionan entre s. Tambin se consider que el potencial electrosttico en el interior de la red de iones era independiente de la posicin elegida. Por ello es como si los electrones estuviesen en un pozo de potencial de fondo plano pero con una distribucin de energas muy diferentes a las consideradas por el modelo de Drude.
34

Las energas de los electrones en un pozo tridimensional deben seguir siendo anlogas a las del pozo monodimensional, de forma que si se considera un pozo cbico de lado L, la energa vale:

En1 ,n2 ,n3

h 2 2 2 2 2 = (n1 + n2 + n3 ) 2me L2

El estado fundamental se caracteriza por valer 1 los tres nmeros cunticos correspondientes a las tres direcciones espaciales. As E1,1,1 = 3 E0, donde E0 vale:

h 2 2 E0 = 2me L2
Por el principio de Pauli en ese estado de energa slo puede haber como mximo dos electrones, uno con espn 1/2 y otro con espn -1/2. El siguiente electrn, debe estar en otro estado de energa superior. Ese otro estado puede ser: (1,1,2), (1,2,1), (2,1,1), ya que para todos ellos la energa vale lo mismo, es decir, 6E0. Son estados degenerados pues les corresponde la misma energa pero se representan por funciones de onda de materia distintas. De esta forma se van rellenando de electrones los estados de energa en un slido, de acuerdo con los principios cunticos.

35

Energa de Fermi: Representa la energa cintica ms alta ocupada por los electrones a cero grados kelvin. Es relativamente fcil demostrar a partir de todo lo expuesto que la energa de Fermi a cero Kelvin vale:
2 h2 3n 2 3 esta expresin es equivalente a estas otras: E F = 2me 2 2 h 3n 3 EF = 2me 8 Como puede observarse la energa de Fermi es proporcional a la concentracin de electrones que posee el material elevado a dos tercios. En la figura se observa como se van rellenando los niveles de energas discretos con 9 electrones a diferencia de cmo era en el modelo clsico.

h 3n EF = 8me
2

2 3

E>0

e
EP <0

EF

En esta figura podemos ver que la funcin de trabajo del metal la podemos determinar por diferencia entre la energa potencial del fondo del pozo y la energa de Fermi: = |EP| EF. A efectos prcticos la energa del fondo del pozo coincide con el trabajo necesario para alejar un electrn del metal que ocupa un nivel de energa en la banda de energa ms externa o banda de conduccin como ya veremos.
36

Densidad de estados: La densidad de estados nos proporciona el nmero de estados de energas por unidad de energa comprendidos entre dos niveles energticos prximos entre s, E y E+dE. Estos estados pueden estar ocupados por electrones o estar vacantes. Se representa por la funcin g(E) = dN/dE y se demuestra que la funcin densidad de estados g(E) varia proporcionalmente con la raz cuadrada de la energa: g(E) CE1/2 E g(E) = C E1/2 donde la constante C vale:

(2me )3 / 2 C =V
2h
3 2

= 1,06 1056 J 3 / 2 = 6,8 10 27 eV 3 / 2

E E+dE

siendo V = a3 = 1 m3, el volumen del conductor.

El nmero de estados entre dos niveles de energa prximos se determina por el producto de g(E) por el intervalo de energa E dE, esto es determinando el rea del rectngulo sealado. Naturalmente el nmero de estados de energa entre el origen de energas y un valor cualquiera de la energa, E, se determina integrando la funcin g(E) entre cero y E. Como es deducible para altas energas hay ms estados disponibles.

37

Qu ocurre para temperaturas superiores a cero Kelvin? En este caso el nmero de electrones, dn(E), disponibles con energas comprendidas entre E y E+dE va a depender de dos factores: (a) del nmero de estados posibles entre E y E+dE, esto es: dN(E) = g(E)dE (b) de la probabilidad de que esos estados de energa estn ocupados. Esta funcin de probabilidad viene determinada por la estadstica de Fermi-Dirac, fF (E), de forma que el nmero de electrones que hay en un nivel de energa dE vale: dn(E) = g(E)fF(E)dE Funcin de probabilidad de estados ocupados de Fermi-Dirac. Fue deducida para tener en cuenta que los electrones son partculas cunticas indistinguibles con espn 1/2 que verifican el principio de exclusin de Pauli. A este tipo de partculas con espn semientero se les llam fermiones. La funcin de Fermi-Dirac es:

fF = e

1
E EF k BT

Nos da la probabilidad de que un estado de energa E este ocupado, kB es la constante de Boltzmann y vale 8,6210-5 eV/K y T la temperatura absoluta. Naturalmente como la suma de que un estado de energa E est ocupado con la probabilidad de que est vacante debe ser la unidad, tambin sirve para determinar la probabilidad de que los estados estn vacantes: focupados + fvacantes = 1. 38

+1

La probabilidad de encontrar un electrn con energa E = EF independientemente de la temperatura es 1/2, ya que el exponente E EF de la exponencial se anula. Por esta razn otra definicin de energa de Fermi es que representa aquella energa para la cual la probabilidad de que el estado est ocupado es 1/2 independiente de la temperatura del material. La energa de Fermi juega un papel importante en la caracterizacin de materiales. Estudiemos los valores que puede tomar la funcin de distribucin de Fermi a T = 0 K. (a) para E > EF

fF = e

1
E EF k BT

+1 1

1 = =0 e +1 1 = =1 e +1

(b) para E < EF

fF = e

E EF k BT

+1

Esto significa que para T = 0 K, los estados de energa por debajo del nivel de Fermi estn ocupados por electrones, y por encima de ste nivel estn vacantes. Para valores de T > 0 K, si el slido posee una energa trmica definida por la expresin: U = kB T
39

y el nivel del estado energtico que estamos analizando vale E = EF 2kBT, la probabilidad de que ese estado est ocupado vale:

fF = e

1
E EF k BT

= +1

1 = 0,88 2 e +1

Si la energa del estado es E = EF + 2kBT, la probabilidad de ocupacin vale:

fF = e
fF(E)

1
E EF k BT

+1

1 = 2 = 0,12 e +1

Todos estos resultados obtenidos se pueden expresar grficamente:


E = EF 2kBT

1 1/2

T=0K T>0K

EF
E = EF + 2kBT

E
40

Como puede observarse en la grfica slo aquellos electrones con energas prximas a la de Fermi tienen probabilidad de pasar a estados de energa superiores EF pero con poca probabilidad. En resumen el producto de la funcin densidad de estado g(E) por la funcin de distribucin de Fermi nos proporciona el nmero de electrones por unidad de energa. Graficamente se representa as: fF(E) dn(E)/dE g(E) T=0K T=0K 1 1 CE1/2 T>0K T>0K 1/2 = 1/2 E EF E EF E

Segn este nuevo modelo, cuando se aplica un campo elctrico, E, todos los electrones reciben energa externa del campo. Los electrones adquieren una velocidad de arrastre de sentido opuesto al del campo. Esto da lugar a un incremento de energa que ser positivo o negativo dependiendo del sentido de movimiento del electrn en el interior del campo porque ste podra acelerarlos o frenarlos. Los electrones que ganan energa colisionan con los iones de la red. En este momento se dispersan y slo los estados prximos al nivel de Fermi poseen estados vacantes para poder ser ocupados por estos electrones. Los electrones de energa inferior a EF continan ganando energa hasta que
41

de nuevo se dispersan por colisin con la red y vuelven a ocupar estados de energas que fueron desocupados previamente por otros de manera que nunca se viole el principio de exclusin e Pauli. De esta forma todos los electrones de valencia intervienen en el proceso de conduccin cuando se aplica un campo elctrico. El asunto es muy diferente si de lo que se trata es de activar los electrones mediante calentamiento. En ese caso slo los electrones de valencia con energas prximas a las del nivel de Fermi son los que se ven afectados y podrn ocupar estados de energas vacantes por encima de EF. Los electrones alejados del nivel de Fermi no se vern afectados fcilmente. Recurdese tambin por lo comentado anteriormente que la energa de los electrones es cintica, ya que como dijimos EF representaba la energa cintica mxima. Por esto la velocidad de Fermi que corresponde a los electrones que colisionan y se dispersan puede obtenerse a partir de la expresin:

vF =

2 EF me

Este modelo s proporciona una buena prediccin para la variacin de la conductividad con la temperatura, obteniendo que 1 / T como debe ser.
42

Sin embargo el modelo es incapaz de explicar porqu los materiales se comportan como conductores, aislantes y semiconductores. Por ello hizo falta un modelo conocido como modelo de bandas de energas que en esencia es el que utilizamos actualmente para poder explicar la conduccin en los slidos habituales y que tambin explica el comportamiento de las uniones entre los mismos. Esto es esencial porque sino no podramos explicar el funcionamiento de los dispositivos de unin PN, como diodos, transistores, dispositivos lser, etc. 4. Modelo de bandas de energa: conductores, aislantes y semiconductores. Masa efectiva y hueco. Para poder comprender porqu algunos materiales conducen y otros no lo hacen, ha habido necesidad de refinar el modelo cuntico del electrn libre y considerar el efecto de la red de iones sobre los niveles de energa de los electrones. Existen dos aproximaciones para determinar los niveles energticos de los electrones en un cristal: (a) Modelo de Bloch: Considera al electrn movindose en un pozo de potencial peridico, en lugar de un pozo de fondo plano, y determina las energas posibles resolviendo la ecuacin de Schrdinger. (b) Modelo de enlace fuerte: Consiste en hallar los niveles de energa de los electrones en un slido siguiendo el comportamiento de los tomos individuales cuando se aproximan suficientemente para formar el slido.
43

Ambos modelos conducen al resultado de que los niveles energticos se agrupan en bandas permitidas de energas y bandas prohibidas. Abordamos brevemente el modelo de enlace fuerte. Cuando se aproximan varios tomos para formar un slido hay que tener en cuenta que cada tomo tiene sus propios niveles de energa. As si se trata de aproximar dos tomos iguales, los electrones de un tomo podrn ocupar los mismos niveles de energa que los del otro tomo pareciendo que se contradice el principio de exclusin de Pauli. Pero esto no es as porque al aproximar dos tomos iguales cada nivel de energa original de uno de los tomos aislados, se divide en dos subniveles diferentes que tienen valores casi iguales al original. Esto puede observarse en la figura donde se muestran las funciones de onda de dos tomos separados en el estado de energa fundamental y qu ocurre cuando se aproximan si los electrones en tomos se representan por pozos de potencial finitos. (a) dos tomos muy separados. A B La funcin de ondas del conjunto puede venir dada por una funcin suma (simtrica) o diferencia (antisimtrica) pues ambas son soluciones de la ecuacin de onda de materia de Schrdinger..
44

A B

Solucin simtrica s = A+ B.. Representa un electrn que puede encontrarse con igual probabilidad en uno de los pozos en el estado fundamental de energa. Se obtiene la misma densidad de probabilidad para ambos pozos como se muestra en la figura.

s = A+ B s2

Solucin antisimtrica a = A- B. Tambin representa un electrn que puede encontrarse con igual probabilidad en uno de los pozos en el estado fundamental de energa. Se obtiene la misma densidad de probabilidad para ambos pozos como se muestra en la figura. En conclusin, slo existe un nivel de energa.

a = A- B

a2
45

(b) Dos tomos muy prximos. Qu ocurre cuando se aproximan? Los dos pozos de potencial que los representan se aproximan y las dos soluciones de la ecuacin de onda de materia, simtrica y antisimtrica en el estado fundamental toman la forma representada en la figura.

s = A+ B

B a = A- B

Ahora la funcin antisimtrica se parece al primer estado excitado de un pozo finito pero de longitud doble. Si ahora determinamos las densidades de probabilidad para ambas situaciones, la densidad |s |2 es distinta que la |a |2. Esto significa que en el primer caso la probabilidad de encontrar al electrn entre los dos tomos es alta, mientras que en el segundo caso es mnima. Esto da lugar a dos situaciones energticas distintas. Por tanto ahora con dos tomos obtenemos dos niveles de 46 energas diferentes..

Bandas de energa permitidas y prohibidas en los slidos. Como hemos estudiado, si los tomos estn muy separados la energa de un nivel particular es la misma en cada tomo. Cuando los tomos se aproximan entre s, el nivel de energa en cada tomo cambia debido a la influencia del otro tomo. Lo que se ha mostrado para dos tomos se podra haber hecho para tres, cuatro, o N tomos. En la siguiente figura se muestra un esquema del desdoblamiento de niveles para el caso de seis tomos en funcin de la separacin de los mismos.

47

Si tenemos N tomos idnticos, un nivel determinado de un tomo aislado se divide en N niveles energticos distintos, pero muy prximos, cuando los tomos se aproximan para formar un cristal. En un slido, N es un nmero muy grande, del orden de 1022 tomos por cm3, de modo que cada nivel energtico se divide en un nmero muy grande de niveles llamado banda de energa. Por ello los niveles dentro de una banda estn tan prximos que la energa varia de forma casi continua.

El conjunto de N tomos que forma el slido se puede caracterizar desde el punto de vista energtico por los mismos niveles de los tomos aislados Ea que es funcin de n, y m , adems de s y el nmero del tomo referenciado de 1 a N. En cada nivel de energa del tomo E1a, E2a, etc. puede haber 2N electrones debido al espn. Esto es cierto siempre que los tomos estn lo suficientemente separados para que no exista solapamiento de sus orbitales respectivos. Pero si existe superposicin, los nuevos orbitales son compartidos por varios tomos y pierde sentido la especificacin de los electrones de acuerdo con el tomo al que pertenecan. Hay necesidad de buscar otros parmetros para representar estados de los electrones en un cristal, distintos a los nmeros cunticos n, y m , que son adecuados para los electrones ligados a tomos aislados.
48

En la figura se muestra un esquema del desdoblamiento de niveles de energa de un conjunto de N tomos que forman un cristal, en funcin de la separacin r entre tomos prximos. La zona de la derecha corresponde a tomos muy separados entre s, prcticamente aislados. Esta situacin se mantiene hasta que la distancia entre tomos es del orden del dimetro de las rbitas externas que corresponden a los niveles de mayor energa. Al ir aproximando ms y ms los tomos podremos decir que los electrones comienzan a pertenecer al conjunto de tomos y la especificacin de su estado deber hacerse en funcin de un parmetro que tenga en cuenta la estructura cristalina. En la figura a representa la separacin en la estructura cristalina estable. E
Banda 3 Banda 2 Banda 1

E3a E2a E1a

a r Obsrvese en el esquema que las bandas de mas baja energa correspondiente a los niveles de menor energa del tomo en la red, son mas estrechas y estn llenas de electrones ligadas al tomo y por eso se desdoblan menos que las bandas de energa mas altas donde los electrones de los orbitales atmicos ms externos se solapan y 49 forman una banda ms ancha.

Desde el punto de vista de la conduccin slo nos interesa las dos ltimas bandas. Estas se conocen como banda de valencia, (BV), y banda de conduccin, (BC), separadas por un intervalo de valores de energas no permitidos para los electrones del slido, que se llama banda prohibida, (BP). Es habitual representar esta situacin en un diagrama de bandas. BC Anchura de la BP, Eg BP BV El ancho de la BP, Eg, (Energy gap) se suele expresar en eV y es una caracterstica muy importante de los materiales. La BV es la banda de energa ms alta que contiene electrones. Puede estar completamente o parcialmente llena de electrones dependiendo del tipo de tomo y el tipo de enlace del slido. Por debajo de la BV todas las bandas estn ocupadas por electrones ligados a los tomos y no participan en procesos de conduccin. La BC es aquella que posee estados libres de energa y por tanto pueden ser ocupados por electrones. 50

Ahora podemos explicar porqu algunos slidos conducen y otros son aislantes. En el siguiente esquema podemos ver el diagrama de bandas de conductores, aislantes y semiconductores y explicar sobre el mismo los procesos de conduccin. BC BP
Eg

BC BC BP BV (2) (3)
Eg

BC BP
Eg

BV (1)

BV (4)

BV

(1) Conductor tpico. La BV est slo est parcialmente llena, de modo que los electrones pueden fcilmente excitarse a estados energticos prximos por la accin del campo elctrico externo, E, debido a que existen muchos estados vacos. Puede decirse en este caso que la BV es de hecho un banda de conduccin. Ejemplos: Cu, Na, etc. 1s2 2s2p6 3s1 en el caso del Na, Z = 11, su configuracin electrnica sera: Un esquema de ocupacin de sus bandas por los electrones en un cristal de Na formado por N tomos sera: EF La banda superior 3s, est semillena, 3s N por ello el Na es monovalente. La banda 6N 3s es la banda de conduccin del Na. E 2p
2s 1s 2N 2N 51

(2) Conductor con su BV saturada, pero solapada con la BC. Las dos bandas forman una banda de conduccin-valencia que est slo parcialmente llena. Ejemplo: el Mg, de nmero atmico Z = 12. Veamos su configuracin electrnica y su estructura de banda:. 1s2 2s2p6 3s2 Al tener la banda 3s completa, el Mg debera ser un aislante, pero al solaparse los orbitales 3s y 3p se generan orbitales vacantes y de esta forma se hace conductor. Tanto en (1) como en (2) los electrones pueden ser acelerados por el campo elctrico y no tienen que superar una banda prohibida, BP.

3p 3s

EF 2N 6N 2N 2N

2p 2s 1s

(3) Aislante, en ellos la BV que est completamente llena a T = 0 K est separada por una BP muy grande de la BC que posee estados energticos vacos. A temperaturas ordinarias muy pocos electrones pueden excitarse y pasar a la BC. La mayora no puede hacerlo porque la energa que poseen por excitacin trmica es insuficiente para poder saltar la gran anchura energtica de la BP, Eg. Al mismo tiempo si se aplica un campo E de valores normales los electrones no pueden acelerarse, ya que no hay estados de energa disponibles en la BV y la energa que podra suministrar un campo E .normal es insuficiente para superar Eg. Si se observa una pequesima conductividad es debida a los pocos electrones que saltaron la barrera Eg por excitacin trmica. De otro lado si 52 el campo E es suficientemente intenso como para que un electrn supere la BP hasta

alcanzar la BC, entonces es que se ha producido la ruptura dielctrica. (4) Semiconductor, en ellos la BV y la BC estn separadas por un intervalo de energa prohibido, Eg, que es pequeo comparado con el del aislante. A temperatura T = 0 K, la BV est llena y la BC vaca, y el semiconductor se comporta como un aislante. A temperaturas ordinarias, existe un nmero importante de electrones que por excitacin trmica han superado la pequea BP del material semiconductor. La BP para el Si y el Ge, semiconductores tpicos es del orden de 1 eV. En presencia de un campo E, los electrones de la BC, que ya estn en ella por excitacin trmica, pueden acelerarse ya que existen estados energticos vacantes prximos. Estos materiales son semiconductores intrnsecos. En ellos por cada electrn que existe en la BC es porque se ha producido la rotura de un enlace en la BV prxima, producindose un enlace incompleto al haber superado el electrn la BP. En ese caso se dice que se ha generado un hueco en la BV. Esto hace que al haber quedado en la BV un hueco si se aplica un campo elctrico, otro electrn en la BV pueda ocupar el hueco y as se genera otro hueco en el lugar donde estaba el electrn. Todo ello ocurre en la BV. De manera que ahora la corriente es doble, por un lado la de electrones en la BC y la electrones que tambin ahora se pueden excitar en la BV. Ambas corrientes contribuyen a la corriente elctrica. Sin embargo la corriente de electrones en la BV se describe ms fcilmente como el movimiento de huecos en la direccin del campo, esto es, opuesto al movimiento de los electrones. El hueco acta as como una carga positiva. .
53

Podemos visualizar la conduccin por huecos si imaginamos una calle de una sola direccin con dos carriles, uno llenos de coches aparcados y el otro vaco. Si un coche pasa del carril lleno al vaco, se mueve libremente haca adelante y el del espacio vaco hacia atrs en sentido opuesto al sentido del movimiento de los coches. Ambos movimientos, el del coche en el carril vaco hacia delante y el del espacio vaco hacia atrs contribuyen a la propagacin neta de los coches hacia delante. BC BV
(1) (2) (3) (4) (5) (1) (2) (3)

(4) (h) (5)

(a) BC BV
(1) (2) (h) (3)

(b)
(4) (5) (1) (h) (2) (3) (4) (5)

(c) (a) Toda la fila del carril inferior est ocupada.

(d)

(b) Se genera un hueco, un coche sale hacia adelante. (c) El coche (3) pasa a ocupar el hueco y se desplaza el hueco hacia atrs. (d) El coche (2) se traslada hacia adelante y el hueco contina hacia atrs.
54

Puede deducirse de las figuras anteriores que los coches de la fila superior se mueven libremente mientras que los de la fila inferior se mueven ms lentamente. Tienen que esperar que se produzca una vacante para poder moverse. Podemos decir que unos se mueven en la BC y los de abajo en la BV. Por ello la movilidad de los electrones en la BC es ms elevada que la de huecos en la BV. Por supuesto que la movilidad de los electrones y la de huecos en la BV es la misma. Pero en los clculos de corrientes en semiconductores las movilidades usadas son la de electrones en la BC y la de huecos en la BV. La representacin figurada que se ha realizado puede servir para hacer un esquema en funcin de las bandas BC Eg BV electrn hueco A la temperatura de 0 K la BV estara completamente llena y la BC vaca. Sin embargo a T ordinarias muchos electrones pasan a la BC y se genera el mismo nmero de huecos en la BV.

55

Corriente por huecos.


En cuanto a la corriente debemos observar que a T = 0 K la BV al estar completa no puede generarse traslados de electrones por lo que la densidad de corriente, JT, debe ser nula: JT = 0. Si la temperatura es distinta de cero y aplicamos un campo elctrico entonces aparte de la corriente generada en la BC debida a los electrones que saltaron la BP por efecto trmico, est la corriente de electrones en la BV debida a los huecos generados. Si imaginamos que salta un electrn i de la BV a la BC entonces el campo E puede ya generar movimiento de carga en la BV. Pero en lugar de fijarnos en el movimiento de la mayora de electrones de la BV nos fijaremos en el hueco que ha dejado el electrn i al marcharse porque va a ser equivalente: Sea JR la densidad de corriente de los electrones que permanecen en la BV. sta ser la JT total menos la contribucin de la densidad de corriente del electrn i que ya paso a la BC, Ji y est ausente en la BV. Podemos escribir: JR = JT Ji. Pero JT era cero, por tanto JR = - Ji = - (-e)vi = +evi donde vi es la velocidad de arrastre del electrn i dentro del campo aplicado. Esto equivale a considerar, en lugar del movimiento de todos los electrones menos uno en la BV, el movimiento de una carga positiva, hueco, en la BV. Desde ahora tendremos en cuenta que la conductividad del slido est formada por la contribucin de la conductividad de los electrones o portadores negativos y cuya concentracin es n, que estn en la BC y de los huecos que se comportan como portadores positivos y de concentracin p huecos por unidad de volumen que estn en la BV. Por ello se tiene:

J = J n + J p = ( n + p ) E = q (n n + p p ) E

56

Algunas propiedades interesantes a considerar en los materiales semiconductores.


Una caracterstica importante de los materiales semiconductores es que la conductividad aumenta con la temperatura en lugar de disminuir como le ocurre a los conductores. Ello es debido a dos efectos en el que uno de ellos es predominante: (a) De un lado se producen ms choques debido a la temperatura y por tanto debera disminuir la conduccin a consecuencia de la mayor dispersin de los electrones por parte de los iones de la red debido a las mayores vibraciones trmicas. (b) De otro lado a consecuencia del aumento de energa trmica se liberan ms electrones hacia la BC aumentando la concentracin de portadores, electrones en la BC y huecos en la BV. De los dos efectos sealados, el (b) es superior al (a) y de aqu lo indicado al principio.. Otra propiedad muy interesante es que suelen ser fotoconductores. Esto significa que por efecto de la luz visible (tambin ocurre con otros fotones del espectro EM) la energa de los fotones h es suficiente como para romper un enlace y hacer saltar un electrn de la BV a la BC, generndose un par electrn-hueco. Para ello debe cumplirse la condicin:

h E g

hc 1240 (eV nm) = Eg E g (eV )


57

de esta manera el material al absorber la luz y no transmitirla se ve opaco. Si h es inferior a Eg el material es transparente a la luz visible.

Conductividad en el carbono, el diamante, el silicio y el germanio. En algunos materiales cristalinos no se puede analizar la conductividad mediante un estudio cualitativo de las bandas de energa sin ms. En ellos hay que tener en cuenta que es posible el solapamiento de las bandas si queremos explicar porqu en un estado cristalino conducen y en otro son aislantes excelentes, como le ocurre al carbono, que cuando cristaliza como grafito es un conductor y cuando lo hace como diamante es un aislante. El carbono, C, de Z = 6 tiene como configuracin electrnica: 1s2 2s2p2. Si se unen N tomos para formar carbono, en total hay 6N electrones. El orbital 1s se llena con 2N electrones, el 2s tambin con 2N y el 2p que podra haber hasta 6N slo tiene 2N, esto nos dice que el carbono al tener muchos estados de energa vacantes debera ser un conductor. Sin embargo, los niveles 2s y 2p se solapan cuando el C forma enlaces covalentes (donde cada tomo de carbono comparte un electrn por cada enlace con los 4 tomos vecinos). A este solapamiento de orbitales atmicos se le llama hibridacin sp3. Por todo ello, en la BV de los 8 estados posibles slo 4 estn ocupados quedando vacos otros 4 y estn separados por una BP del orden de 1 eV.
2p 2N electrones 6N estados BP 2s 2N electrones 2N estados

BC

0 electrones 4N estados

Energa

BV Cristal

4N electrones 4N estados

tomos muy separados

58

En el siguiente esquema podemos ver el solapamiento de las bandas de energa.

vaco

7 eV

Eg = 1,09 eV

Desdoblamiento de los estados 2s y 2p para el carbono, o los estados 3s y 3p para el silicio, en funcin de la 3 estados por tomo separacin de los tomos. El intervalo vaco de energa entre los 4 estados 2p o 2p llenos en la BV y los estados vacos de la BC es de Eg = 7 eV para la 3 estados por tomo separacin correspondiente a la red del diamante, 1,54 . En el caso de la red 1 estado por tomo del Si, Eg = 1,09 eV. El desdoblamiento es semejante en el caso de los niveles 2s o 3p 4s y 4p del germanio, que tiene una separacin entre tomos de 2,43 , dando un Eg = 0,7 eV. 1 estado por tomo
8

Lleno

distancia interatmica () RD = 1,54 RSi = 2,35

Si: 1s2 2s2p6 3s2p2 Ge:1s2 2s2p6 3s2p6d10 4s2p2

El diamante que es carbono puro tendra que ser conductor y sin embargo es aislante, con Eg del orden de 7 eV. Tambin aparece el solapamiento en el Si y el Ge pero en estos casos los cristales son semiconductores porque Eg es del orden de 1 eV. 59

Concepto de masa efectiva. Cuando se aplica un campo elctrico a un slido cristalino las fuerzas que actan sobre el electrn son de dos tipos: (a) fuerzas externas procedente del campo elctrico, Fe, (b) fuerzas internas debida a la red de iones positivos y que procede de un potencial peridico de la red, Fred. Si aplicamos la segunda ley e Newton al movimiento del electrn resulta:

Fe + Fred = ma
donde m es la masa del electrn y a la aceleracin que adquiere. Debido a que el conocimiento de las fuerzas de la red sobre el electrn es muy difcil, se opta por eliminarla de la ecuacin y para compensar este efecto sustituir la masa del electrn libre m por una masa efectiva m* de manera que se siga obteniendo la misma aceleracin a en la ecuacin. Por ello la masa efectiva sera:

Fe m = a
*

Se demuestra que esta masa depende esencialmente del tipo de estructura del slido y tambin, dentro de cada slido, de la direccin de aplicacin de la Fe.. Por ello, la masa efectiva es una magnitud compleja que va a depender de las direcciones 60 espaciales elegidas.

La masa efectiva puede tomar valores: (a) mayores que la masa del electrn libre, incluso aproximarse a un valor infinito y (b) menores que la masa del electrn libre e incluso valores negativos. Para entender de manera intuitiva porqu toman estos valores debemos tener en cuenta la superposicin de las dos fuerzas sealadas anteriormente. As si la fuerza externa que acta sobre el electrn tiene la misma intensidad que la fuerza de la red pero esta acta en sentido opuesto la resultante de ambas es nula y por ello la aceleracin tambin lo es. En este caso la masa efectiva del electrn es infinita, porque as la fuerza externa no podra acelerarlo. De otro lado si la fuerza de la red es mayor que la fuerza externa del campo elctrico entonces el electrn se movera en el mismo sentido del campo. Esto equivaldra a tener una masa negativa. Si las fuerzas del campo elctrico y las de la red son opuestas pero la externa es mayor que la de la red, entonces la masa efectiva sera positiva pero inferior a la del electrn libre. Por ltimo si la fuerza elctrica externa y la de la red son del mismo sentido entonces la masa efectiva es mayor que la del electrn libre. Las masas efectivas se determinan experimentalmente por varios mtodos. Uno de ellos se conoce como resonancia ciclotrnica. Valores de masa efectivas para electrones y huecos usados habitualmente en materiales semiconductores a 300 K con relacin a la masa del electrn libre m0 son:
Material Si Ge AsGa
* mn / m0

m* / m0 p
0,81 0,36 0,52

1,15 0,55 0,066

61

También podría gustarte