Características Generales:

Los láseres de semiconductores se pueden agrupar en dos clases:

 Láseres emisores de bordes, donde la luz láser se propaga paralela a la superficie de
la oblea del chip semiconductor y se refleja o acopla a un borde cortados
 Los Láseres emisores de superficie, donde la luz se propaga en la dirección
perpendicular a la superficie del substrato (water surface) del semiconductor.
Los láseres emisores de superficie son el tipo más nuevo de láseres semiconductores. En la
clase pasada se habló sobre los láseres de cavidades acopladas, estos planteaban una serie
de ventajas con respecto a la mono cromaticidad, pero al mismo tiempo daban lugar a un
conjunto de problemas. Estos problemas se refieren al de las características espaciales del
haz de salida, debido a la propia estructura del semiconductor la radiación óptica obtenida
del mismo configuraba una especie de cono de luz con una sección transversal elíptica y
debido a esto el enfoque sobre una fibra óptica convencional no era optimo a adaptar una
superficie elíptica a una circulo conduce a perdidas de potencia y por otro lado la mayor o
menor facilidad que se puede tener en su proceso de fabricación también juega un papel
importante.
Estos hechos dan lugar a la creación de los láseres de emisión de superficie, debido a que
las estructuras convencionales emitan la radiación a través de alguna superficie lateral. La
diferencia en la estructura de los láser de emisión de superficie es que la luz se propaga en
la dirección perpendicular a la superficie del substrato (water surface) del semiconductor.
Los láseres semiconductores emisores de superficie se subdividen en dispositivos
monolíticos y de cavidad externa:
 Monolítico significa que el resonador láser se realiza en forma de dos espejos de
Bragg semiconductores con la sección del pozo cuántico en medio. Tal dispositivo se
denomina láser emisor de superficie de cavidad vertical (VCSEL) y se bombea
eléctricamente en la mayoría de los casos. Se pueden obtener varios milivatios de
potencia de salida en un haz de salida de difracción limitada.
 Los dispositivos de cavidad externa, llamados láseres emisores de superficie de
cavidad externa vertical (VECSEL), tienen un solo espejo de Bragg en el chip, y el
resonador se completa con un espejo externo. Tales láseres permiten un
rendimiento mucho mayor en haces con difracción limitada, especialmente cuando
son bombeados ópticamente.

Una ventaja particularmente de VCSEL es que muchos láseres pueden fabricarse en

un solo chip. Después del crecimiento epitaxial, el chip solo debe cortarse en
rodajas, y los láseres individuales se pueden empaquetar sin más interfaces ópticas
de procesamiento.
Estructuras de los láser de emisión por superficie
De acuerdo con el planteamiento anterior, las estructuras que podían en principio satisfacer
algunos de los requisitos mencionado, tendrían que emitir su radiación a través de la cara
superior del dispositivo y no por alguna de las superficies laterales como lo hacen los otros
tipos de láseres. Por ello las soluciones que se propusieron fueron las siguientes estructuras
En la primera la radiación se forma simplemente por el tallado de una superficie reflectora,
que forme 45º con respecto a la superficie de emisión de un láser convencional y sobre el
propio material que la constituye. Esta configuración, como puede verse satisface algunos
requisitos, pero mantiene la forma elíptica de la sección del haz emitido y la longitud de la
cavidad sigue siendo comparable a de los ya conocidos, además tiene una serie de perdidas
bastantes significativas. A este tipo de láseres se le conoce como laser con espejo de 45º.
La segunda posibilidad es muy similar a la anterior con la diferencia de que la reflexión hacia
una dirección ortogonal de emisión se logra mediante una hendidura en el material. Esta
configuración amplía el tamaño de la cavidad con el recorrido con el que hace el haz, una
vez reflejado, hasta la superficie horizontal. Por ello suele denominársele como de cavidad
doblada hacia arriba. Las perdidas mencionadas en el caso anterior no están presentes aquí,
pero si se mantienen los dos problemas que en aquel se mencionaron.
El tercer caso, adopta una solución diferente. La salida del haz se logra mediante difracción,
por encima de una guía por la que se desplaza la radiación generada. Aunque no presenta
las desventajas de los dos casos anteriores es lo suficientemente compleja como para tratar
de encontrar una solución más sencilla. Estos láseres reciben el nombre de acoplo por red
de difracción.
La cuarta forma planteada es la más ampliamente empleada. La constituyen los láseres de
cavidad vertical y como puede verse están configurados de manera que la cavidad
resonante se forma gracias a las superficies horizontales de la zona activa. Además, gracias
a esta estructura se pueden conseguir todos los requisitos mencionados anteriormente, el
haz de salida tendrá la forma que adopten dichas superficies horizontales, finalmente, dada
la configuración que posee, podrá ser probado sobre la propia oblea lo que permite una
tecnología monolítica.
Aplicaciones
Esta tecnología tiene varias aplicaciones potenciales entre esas:
 Aeroespacial
 Relojes atómicos
 Redes de interconexión ópticas
 Receptores de placa de conexiones de fibra óptica
  Transceptores de telecomunicaciones
El láser emisor de superficie (SEL) se considera uno de los dispositivos más importantes para
interconexiones ópticas y LAN, permitiendo la transmisión de información ultra paralela en
ondas de luz y sistemas informáticos. Presentamos su historia, tecnología de fabricación y
discutimos las ventajas. Luego, revisamos el progreso del láser emisor de superficie y el láser
emisor de superficie de cavidad vertical (VCSEL), que cubre la banda espectral de infrarrojo
a ultravioleta al presentar su física, materiales, tecnología de fabricación y rendimiento,
como umbral, salida potencias, polarizaciones, ancho de línea, modulación, confiabilidad,
etc.

Lilia
Ivelys
Guillermo