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LASER DE POZO CUÁNTICO

Autores: javier salgado, diego restrepo, José Jiménez, jaider jerez, Daimer Domínguez
Universidad del magdalena

Resumen: En el siguiente escrito se muestra la estructura, historia y la fundamentación de los laser de pozo
cuántico, además se infiere sobre los procesos de fabricación y sus principales a aplicaciones en las
industrias. Así mismo se muestran las principales diferencias que poseen este tipo de laser semiconductores
con respecto alos laser convencionales.

Abstract: The following document shows the structure, history and the foundation of the quantum well laser, in
addition it is inferred about the manufacturing processes and its main applications in the industries. Likewise, the
main differences that this type of semiconductor laser has with respect to conventional lasers are shown.

I. INTRODUCCIÓN.
Para conocer el funcionamiento de un láser de pozo cuántico es necesario conocer que es un láser, la palabra láser
es un acrónimo que significa Light Amplified by Stimulated Emission of Radiation (Luz amplificada por emisión
estimulada de radiación). Un láser es básicamente una fuente de luz. Lo que diferencia a un láser de otras fuentes de
luz, como las bombillas, es el mecanismo físico por el que se produce la emisión de luz, que se basa en la emisión
estimulada, en contra de la emisión espontánea que es la responsable de la mayor parte de la luz que vemos. Para
entender lo que es la emisión espontánea y la emisión estimulada hay que conocer un poco la física de la interacción
de átomos con fotones.

Tan solo diremos aquí que este particular mecanismo de emisión confiere a la luz unas propiedades muy interesantes,
como son la alta potencia (y su capacidad para ser amplificada), la direccionalidad (emisión en forma de "rayos"), la
frecuencia de emisión bien definida (color de la luz), la capacidad de emitirse en pulsos de muy corta duración, y una
propiedad llamada coherencia que significa que las onda electromagnéticas que forma el haz de luz marchan "al
paso[ CITATION Pri10 \l 3082 ].

A. ORIGEN DEL CONCEPTO DE POZOS CUÁNTICOS


En 1972, Charles H. Henry, físico y recién nombrado Jefe del Departamento de Investigación de Electrónica de
Semiconductores en los Laboratorios Bell, tenía un gran interés en el tema de la óptica integrada, la fabricación de
circuitos ópticos en los que la luz viaja en guías de onda.
Más tarde ese año, mientras reflexionaba sobre la física de las guías de onda, Henry tuvo una visión profunda. Se dio
cuenta de que una doble heteroestructura no es solo una guía de ondas para las ondas de luz, sino simultáneamente
para las ondas de electrones. Henry se basaba en los principios de la mecánica cuántica, según los cuales los
electrones se comportan como partículas y como ondas. Percibió una completa analogía entre el confinamiento de la
luz por una guía de onda y el confinamiento de los electrones por el pozo potencial que se forma a partir de la
diferencia en los intervalos de banda en una doble hetero estructura.

CH Henry se dio cuenta de que, al igual que hay modos discretos en los que la luz viaja dentro de una guía de ondas,
debería haber modos discretos de función de onda de electrones en el pozo potencial, cada uno con un nivel de
energía único. Su estimación mostró que si la capa activa de la heteroestructura es tan delgada como varias decenas
de nanómetros, los niveles de energía de los electrones se dividirían por decenas de voltios de mili-electrones. Esta
cantidad de división de nivel de energía es observable. La estructura que analizó Henry hoy se llama " pozo
cuántico”.

Henry procedió a calcular cómo esta "cuantización" (es decir, la existencia de funciones de onda de electrones
discretas y niveles discretos de energía de electrones) alteraría las propiedades de absorción óptica (el "borde" de
absorción) de estos semiconductores. Se dio cuenta de que, en lugar de que la absorción óptica aumentara
suavemente como lo hace en los semiconductores ordinarios, la absorción de una heteroestructura delgada (cuando se
representa en función de la energía del fotón) aparecería como una serie de pasos.
Además de las contribuciones de Henry, el pozo cuántico (que es un tipo de láser de doble heteroestructura) fue
propuesto por primera vez en 1963 por Herbert Kroemer en Proceedings of the IEEE y simultáneamente (en 1963) en
la URSS por Zh. I. Alferov y RF Kazarinov. Alferov y Kroemer compartieron un Premio Nobel en 2000 por su
trabajo en heteroestructuras semiconductoras[ CITATION Wik191 \l 3082 ].

Si bien el término "láser de pozo cuántico" fue acuñado a fines de la década de 1970 por Nick Holonyak y sus
estudiantes en la Universidad de Illinois en Urbana Champaign, la primera observación de la operación de láser de
pozo cuántico se realizó en 1975 en los Laboratorios Bell. El primer láser de pozos cuánticos de "inyección"
bombeado eléctricamente fue observado por P. Daniel Dapkus y Russell D. Dupuis de Rockwell International, en
colaboración con la Universidad de Illinois en Urbana Champaign (Holonyak) en 1977. Dapkus y Dupuis había sido,
para entonces, pionero en la epitaxia de fase de vapor metalorgánicoMOVPE (también conocida como OMCVD,
OMVPE y MOCVD) para fabricar capas semiconductoras. La técnica MOVPE, en ese momento, proporcionó una
eficiencia radiactiva superior en comparación con la epitaxia de haz molecular (MBE) utilizada por los laboratorios
Bell. Más tarde, sin embargo, Won T. Tsang en los Laboratorios Bell logró utilizar las técnicas MBE a fines de los
años 70 y principios de los 80 para demostrar mejoras espectaculares en el rendimiento de los láseres de pozos
cuánticos. Tsang demostró que, cuando los pozos cuánticos están optimizados, tienen una corriente de umbral
extremadamente baja y una eficiencia muy alta para convertir la entrada de corriente en luz, lo que los hace ideales
para un uso generalizado[ CITATION Wik191 \l 3082 ].

La demostración original de 1975 de los láseres de pozo cuántico bombeados ópticamente tenía una densidad de
potencia umbral de 35 kW / cm 2. En última instancia, se encontró que la densidad de corriente de umbral práctica
más baja en cualquier láser de pozo cuántico es de 40 amperios / cm 2, una reducción de aproximadamente 1,000x.

Se ha realizado un extenso trabajo con láseres de pozo cuántico basados en arseniuro de galio y obleas de fosfuro de
indio. Sin embargo, hoy en día, los láseres que utilizan pozos cuánticos y los modos de electrones discretos
investigados por CH Henry a principios de la década de 1970, fabricados mediante las técnicas MOVPE y MBE, se
producen en una variedad de longitudes de onda desde el régimen ultravioleta al régimen THz. Los láseres de
longitud de onda más corta se basan en materiales a base de nitruro de galio. Los láseres de longitud de onda más
largos se basan en el diseño de láser cuántico en cascada

B. ¿QUÉ ES UN LÁSER DE POZO CUÁNTICO?


Un láser de pozo cuántico es un diodo láser en el que la región activa del dispositivo es tan estrecha que se produce el
confinamiento cuántico. La longitud de onda de la luz emitida por un láser de pozo cuántico está determinada por el
grosor de la región activa en lugar de solo el intervalo de banda del material a partir del cual se construye. Esto
significa que se pueden obtener longitudes de onda mucho más cortas a partir de láseres de pozo cuántico que a partir
de diodos láseres convencionales que utilizan un material semiconductor particular. La eficiencia de un láser de pozo
cuántico también es mayor que la de un diodo láser convencional debido a la forma gradual de su función de
densidad de estados.

Los láseres de pozo cuántico tienen regiones activas de aproximadamente 100 Å de espesor, lo que restringe el
movimiento de los portadores (electrones y agujeros) en una dirección normal al pozo. Esto da como resultado un
conjunto de niveles de energía discretos y la densidad de estados se modifica a una densidad de estados de dos
dimensiones. Esta modificación de los estados de densidad da como resultado varias mejoras en las características
del láser, como un umbral de corriente más bajo, una mayor eficiencia y un mayor ancho de banda de modulación y
un menor ancho espectral dinámico y CW. Todas estas mejoras se predijeron primero teóricamente y luego se
demostraron experimentalmente

Una de las condiciones a satisfacer en los láseres semiconductores está relacionada con la consecución de reducidas
dimensiones en la zona activa donde se producen las recombinaciones de portadores de carga y la correspondiente
emisión estimulada.

Láser de pozo cuántico


Figura 1: Láser de pozo cuántico [ CITATION bra14 \l 3082 ][ CITATION Val11 \l 3082 ]

Si se dispone de una capa activa extremadamente delgada, por debajo de la décima de micrómetro, la luz generada en
esta capa experimentará fenómenos de difracción que producen como consecuencia fugas de luz de la zona,
obligando al umbral de densidad de corriente a aumentar su valor, esto es problemático.
Por otra parte, una zona tan delgada trae ventajas, pues una reducción en la zona de confinamiento para los
portadores de carga produce mejoras en la densidad de corriente, beneficiando la operación del dispositivo.

Los láseres de pozo cuántico requieren menos electrones y agujeros para alcanzar el umbral que los láseres de
heteroestructura doble convencionales. Un láser de pozo cuántico bien diseñado puede tener un umbral de corriente
extremadamente bajo.

Además, dado que la eficiencia cuántica (salida de fotones por entrada de electrones) está limitada en gran medida
por la absorción óptica por los electrones y los agujeros, se pueden lograr eficiencias cuánticas muy altas con el láser
de pozo cuántico. Para compensar la reducción en el espesor de la capa activa, a menudo se usa un pequeño número
de pozos cuánticos idénticos. Esto se llama láser de pozo multi-cuántico.

C. ¿FUNCIONAMIENTO?
Para lograr reducir las dimensiones de la capa activa sin que se perjudique el dispositivo por pérdidas de radiación se
fabrica una región activa delgada (10nm) para los portadores de carga, otra más gruesa (100nm) para la luz
generada, permitiéndose un solapamiento entre las dos regiones para garantizar que la luz pueda cumplir su papel de
interactuar para estimular las transiciones electrónicas. La región delgada de confinamiento para los electrones y
huecos, que por su reducido espesor tiene un tratamiento cuántico, toma el nombre de pozo cuántico, mientras que la
región para luz, la cual contiene en su parte central la región delgada, se denomina región de confinamiento separada.
En el pozo cuántico se genera luz por la recombinación de electrones y huecos, mientras que en la región de
confinamiento separada dicha luz es atrapada y guiada. A pesar de que la luz se genera en la capa fina donde existe
recombinación, para luego quedar confinada en la capa separada, se garantiza que dicha capa fina, al estar localizada
en el centro de la capa separada, se mantenga expuesta a la luz, condición necesaria para mantener la operación del
láser, pues se requieren suficientes fotones para mantener la emisión estimulada.

Figura 3. En este esquema se puede ver una capa de confinamiento separada, encargada de confinar la luz.
Para obtener un pozo cuántico, se requiere intercambiar una capa con un gap(banda prohibida) de energía de un
ancho pequeño entre capas más gruesas con gaps mayores. Los electrones poseen energía suficiente para permanecer
en la banda de conducción del material que conforma la capa delgada con gap de energía pequeño, pero no poseen la
energía necesaria para poder ingresar en la capa de mayor gap, lo que garantiza su confinamiento.

Figura 2. En este esquema se muestra la formación de un pozo cuántico de 10 nm, el cual se consigue colocando una
delgada capa de AlGa entre dos capas de AlGaAs al 20%, las cuales a la vez están entre dos capas de AlGaAs al 85%. El gap de
energía del pozo cuántico es menor que el de las capas de AlGaAs al 20%, mientras que estas últimas poseen un gap menor de
las capas de AlGaAs al 85%.

Al ser la zona activa una capa muy delgada, los electrones de dicha zona se encuentran en un confinamiento
bidimensional, a diferencia del caso en el cual la zona no es tan delgada y permite un confinamiento tridimensional.
La diferencia entre estos dos confinamientos puede ser apreciada si se analiza la forma como se distribuye la
densidad de estados de energía para los electrones.

Los electrones que alcanzan la banda de conducción ocupan una serie de estados en la banda que se van llenando
sucesivamente desde los valores más bajos permitidos. Algo similar ocurre para los huecos en la banda de valencia.
Cuando la región de confinamiento es mucho mayor que la longitud de onda de Broglie (2.5 picómetros), es posible
tratar los estados de los portadores en términos de variables continuas. En estas condiciones, la densidad de estados
es función de la energía tiene la forma:

con m*: masa efectiva de cada portador.

Figura 4. Este esquema se muestra la densidad de estados para una región de confinamiento tridimensional.

Para el caso en que una de las dimensiones se hace lo suficientemente pequeña para que se pueda considerar
bidimensional, caso del pozo cuántico, la densidad de estados en términos de energía cambia considerablemente, esto
en respuesta a la cuantización que experimenta la cantidad de movimiento en la dirección en la cual la dimensión se
ha hecho pequeña (perpendicular a la capa delgada, Z). La densidad de estados presenta un comportamiento
escalonado, en donde inicialmente la energía se mantiene constante en un intervalo de ρ (E) dado por [ CITATION
Val11 \l 3082 ].
Figura 5. En este esquema se muestra la densidad de estados para una región de confinamiento bidimensional.

Este comportamiento de transición discreta que presenta la energía para el pozo cuántico tiene sus beneficios. En
una configuración de capa activa tridimensional (bulk), los estados de energía en la banda correspondiente se llenan
desde los valores más bajos permitidos produciendo un rango de energía en los portadores que han sido excitados, los
cuales luego de recombinarse producen la emisión de radiación. Como se cuenta con una amplia gama de energía
para los portadores, no todos están en el rango adecuado para la emisión estimulada, pues el electrón excitado y el
fotón incidente que estimula la transición deben estar en condiciones resonantes (la frecuencia del fotón emitido debe
ser igual a la del fotón incidente).

En el proceso de inversión de población (creación de parejas electrón-hueco), solamente una porción de


electrones puede aportar a un haz de emisión estimulada. Esta situación se puede ver ampliamente mejorada con el
hecho de que en un pozo cuántico la densidad de estados no se incrementa gradualmente, esto permite un llenado de
los electrones en rangos de energía mucho más reducidos. Esta transición discreta de niveles de energía depende
además del espesor de la capa activa, lo que proporciona una valiosa herramienta de sintonización de la longitud de
onda emitida por el dispositivo[ CITATION Val11 \l 3082 ].

Figura 6. En el siguiente esquema se muestra la de fabricación de un pozo cuántico de GaAs.


CARACTERÍSTICAS
 Luz sincronizada.
 Luz con misma frecuencia y fase.

APLICACIONES
 Comunicaciones de datos por fibra óptica.
 Lectores de CD, DVD, Blu-rays, HD-DVD, entre otros.
 Interconexiones ópticas entre circuitos integrados.
 Impresoras láser.
 Escáneres o digitalizadores.
 Sensores.
 Tratamiento con láser odontológico.
 Depilación corporal.
 Pantalla láser
 Odontología
 Oftalmología

VENTAJAS
 Son muy eficientes.
 Son muy fiables.
 Tienen tiempos medios de vida muy largos.
 Son económicos.
 Permiten la modulación directa de la radiación emitida, pudiéndose modular a décimas de Gigahercio.
 Su volumen y peso son pequeños.
 El umbral de corriente que necesitan para funcionar es relativamente bajo.
 Su consumo de energía es reducido (comparado con otras fuentes de luz)
 El ancho de banda de su espectro de emisión es angosto (puede llegar a ser de sólo algunos kHz)

DESVENTAJAS
 Una baja potencia a consecuencia de las bandas de energía ocupadas por los electrones.
 Una alta sensibilidad a los cambios de temperatura.
 Alto calentamiento al pasar corriente sobre el material diodo.
 Poca colimación en el haz obtenido.

Un concepto importante en los laser de pozo es La densidad de corriente de transparencia que representa un límite
fundamental para lograr el umbral de láser más bajo para los láseres de semiconductores en general.

La corriente necesaria para el láser se compone de dos partes: la primera parte es la corriente necesaria para mantener
la densidad de electrones en el nivel de transparencia óptica, y más allá de eso, una segunda parte para lograr la
ganancia necesaria para superar todas las pérdidas en la cavidad del láser. Se puede argumentar (y en realidad se
puede demostrar experimentalmente) que una cavidad láser puede diseñarse de manera que las pérdidas sean
mínimas, pero esto solo puede reducir la segunda parte del corriente umbral mientras que la primera parte,
responsable de la transparencia óptica, es inafectado.

Por lo tanto, la clave para construir un láser de umbral ultra trabajo es diseñar una cavidad láser con una pérdida muy
baja, con un material que tenga la densidad de corriente de transparencia más baja. Una sola estructura de pozo
cuántico posee ambas cualidades y, cuando se combina con recubrimientos de alta reflectividad para minimizar la
pérdida del espejo, da como resultado algunas de las corrientes de umbral de menor duración alcanzadas hasta la
fecha.
Otro tipo de laser de pozo cuántico tensos. Los láseres de pozo cuántico también se han fabricado utilizando una
capa activa cuya constante de red difiere ligeramente del sustrato y las capas de revestimiento. Tales láseres se
conocen como láseres de pozos cuánticos tensos.

En los últimos años, los láseres de pozo cuántico tensos se han investigado ampliamente en todo el mundo. Muestran
muchas propiedades deseables como Una densidad de corriente de umbral muy bajo Un ancho de línea más bajo que
el de los láseres de pozo múltiple cuántico (MQW) normales tanto en funcionamiento de onda continua (CW) como
en modulación El origen del rendimiento mejorado del dispositivo radica en los cambios en la estructura de la banda
inducidos por la cepa inducida por falta de coincidencia. La deformación divide las bandas de valencia de orificios
pesados y orificios ligeros en el punto Τ de la zona de Brillouin, donde el espacio entre bandas es mínimo en los
semiconductores directos de espacio entre bandas.

Se han utilizado ampliamente dos sistemas de materiales para láseres de pozos cuánticos tensos InGaAs cultivados
sobre InP por la técnica de crecimiento MOCVD o CBE
InGaAs cultivados sobre GaAs por la técnica de crecimiento MOCVD o MBE
El primer sistema de material es importante para el láser semiconductor de bajo chirp para aplicaciones de sistemas
de ondas de luz. El segundo sistema de material se ha utilizado para fabricar láseres de alta potencia que emiten cerca
de 0.98um, una longitud de onda de interés para bombear amplificadores de fibra dopados con erbio (EDFA).

CONCLUSIÓN
Podemos concluir que los laser de pozo cuántico o diodo laser; que a pesar de las desventajas que presenta este
dispositivo, este láser semiconductor es el segundo más vendido después del láser He-Ne por sus usos en
computadoras, impresoras, medios de comunicación, tratamientos médicos, etc.

En cuanto a la importancia de los diodos láser podemos decir los láseres de pozo cuántico son importantes porque
es el elemento activo básico (fuente de luz láser) de la comunicación de fibra óptica de Internet. El trabajo inicial en
estos láseres se centró en los pozos basados en arseniuro de galio de GaAs limitados por las paredes de Al-GaAs,
pero las longitudes de onda transmitidas por las fibras ópticas se logran mejor con paredes de fosfuro de indio con
pozos basados en fosfuro de arseniuro de indio galio.

Referencias
[1] P.-f. version, «cplu,» cplu, 14 octubre 2010. [En línea]. Available:
https://www.clpu.es/divulgacion/bits/que-es-un-laser. [Último acceso: 26 mayo 2019].
[2] Wikipedia®, « Wikipedia®,» Wikipedia®, marzo 13 2019. [En línea]. Available:
https://en.wikipedia.org/wiki/Quantum_well_laser. [Último acceso: 27 05 2019].
[3] brady-logan, «SlideServe,» SlideServe, 19 Noviembre 2014. [En línea]. Available:
https://www.slideserve.com/brady-logan/quantum-well-lasers. [Último acceso: 20 mayo 2019].
[4] J. E. Valenzuela, «Estudio sobre las aplicaciones industriales del láser,» 13 Marzo 2011. [En
línea]. Available: http://oa.upm.es/322/1/JOSE_MARIA_ULLOA_HERRERO.pdf. [Último acceso: 10
mayo 2019].

T. Makino, "Fórmulas analíticas para la ganancia óptica de pozos cuánticos", IEEE J. Quantum Electron. 32, 493
(1995), doi: 10.1109 / 3.485401
[2] PS Zory (ed.), Láseres de pozo cuántico: principios y aplicaciones , Academic Press, Nueva York (1993)

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