ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE:
CIRCUITOS DE ALTA FRECUENCIA

INFORME X PREPARATORIO

Práctica #: 13
Tema: MEZCLADOR DE ALTA FRECUENCIA
Realizado por:
Alumno (s): María José Proaño Grupo: GR3

Diego Velásquez

Fecha de Entrega: 21 / 02/ 2018 f.

Recibido por
Sanción:

Semestre: 2017 B
 1. Tema:

Mezclador de alta frecuencia

2. Objetivos:

Observar el funcionamiento de los mezcladores en alta frecuencia.

3. Desarrollo:

3.1 Utilizando el transistor 2N3904 diseñe un mezclador para obtener el mayor voltaje a
la salida, considerando las siguientes señales a la entrada:
Señal 1 (obtenida de los generadores de funciones) f = 3MHz Zo = 50Ω
Señal 2 (obtenida de un oscilador diseñado por el estudiante) f = 8MHz Zo = 50Ω
3.2 Simular en el tiempo el mezclador y comprobar su correcto funcionamiento.
3.3 Observar la respuesta en frecuencia del mezclador

Oscilador
C obo=Cbc =4 pF 1 1
fo= X C 2=
2 π √ L C1 2 πfo∗C 2
Cibo =C be =8 pF
1 X C 2=19.9 Ω
β=h fe=100 L=
( 2 πfo )2 C T
Y out =hoe =10us
1 Asumo Av ≥10
L=
V CE−sat =0.3 V ( 2 π∗8 M )2∗100 p
I c ≥i op
I C −max =200 mA L=3.95 uH
V op
Pdis−max =625 mW L=3.3 uH Ic≥
RL
3V
Ic≥
C1 ≫C bc C2 ≫C 1 1KΩ

C1 ≫ 4 pF C2 ≫100 pF I c ≥3 mA

I c =5 mA

C1 =100 pF C2 =1nF

1 26 mV 26 mV
X C 2= re= = =5.2Ω
2 πfo∗C 2 Ic 5 mA
 RL 1 K Ω V CC ≥ 9V
Av = = =192.3
r e 5.2 Ω X C 5 ≪ Rc
Av ≥10 V CC =10V 10
C5 =
2 πfo∗R L

V E ≥ 1V + V op 10
V 4.7 C5 =
R2 ≤ B ≤ ≤ 9.4 K Ω 2 π∗8 M∗1 K
V E ≥ 1V + 3V ≥ 4 V I 2 500uA
C5 =1nF
V E =4 V
R2=9.1 K Ω
RL 1KΩ
V 4 QOscilador = =
R E= E = =800 Ω X L 2 π∗8 M ∗3.3 u
I E 5 mA V CC−V B
R1 ≤ QOscilador =6.03
I1
R E=820 Ω 10−4.7
R1 ≤
550uA RTI :
R1 ≤ 9.6 K Ω RS =1 K Ω, R L=50 Ω
RE≫ XC 2
QRTI =6.03
R1=9.1 K Ω QResistencia =Q RTI 2
V B =V E + 0,7

V B =4 +0,7=4.7 V QResistencia=(6.03)2
X C 3 ≪ R1 QResistencia=36.36
10
I 5 mA
I B= c =
β 100
=50 μA
C3 =
2 πfo∗R1

10
QResistencia 1=
√ RS
R central
−1

I 1 =11 I B=550 uA C3 =

I 2 =10 I B =500 uA
2 π∗8 M ∗9.1 K
C3 =0.1 nF
36.36=
√ 1K
Rcentral
−1

Rcentral =0.756
V CEQ ≥ ( V op +V CE−sat )∗fs

V CEQ ≥ ( 3V +0.3V )∗1.25

V CEQ ≥ 4.125 V
X C 4 ≪ R 1∨|R2|∨Z ¿−osc

10
QResistencia 2=
√ RL
R central
−1

C 4=
V CEQ =5 V

V CC ≥V CE +V E
2 πfo∗R 1∨|R2|∨ β ( r e )

10
Q Resistencia 2=
√ 50
R central
−1

C 4= QResistencia 2=8.07
2 π∗8 M∗9.1 K ||9.1 K||520
V CC ≥5 V + 4 V
C 4=1 nF
 X S 1=± 27.5 Ω C P 1=0.7 nF

X ∗R L
2
R ∗X
2
1
Z der = P 22 + j L 2 P 22 C P 2=
XP 2 + RL
2
XP2 + RL 2 πfo∗X P 2

2 1
X ∗50 C P 2=
0.756= P 22 2
2 π∗8 M∗6.19
X P 2 +50

Red Tipo π: X P 2=∓ 6.19 Ω

C P 2=3.2 nF
2 2 2
X P 1 ∗R S R ∗X R ∗X P 2
L
Z izq = 2 2
+ j S 2 P 12 j X S 2= j 2 2
X P1 + RS X P1 + RS XP2 + RL
XS
X ∗1 K
2 X S 2=± 6.1 Ω LS =
0.756= P 12 2 πfo
2
X P 1 +1 K 1
C P 1= 27.5+6.1
2 πfo∗X P 1 LS =
X P 1=∓27.5 Ω 2 π∗8 M
2 1
R ∗X C P 1=
j X S 1= j S 2 P 12 2 π∗8 M∗27.5
X P 1 + RS LS =0.67 uH
 Circuito Oscilador

Diseño del mixer realizado en clases:

Circuito Mezclador
 Simulación en tiempo

Simulación en frecuencia

BIBLIOGRAFÍA

 Apuntes en clase Doc. Pablo Lupera, semestre 2017B