Electrnica de dispositivos Dr. C.

Reig 05/06

Tema 2: Semiconductores intrnsecos y extrnsecos

Cap. 3: K. Kano

Introduccin
Densidad de Estados (DeE)
Funcin de distribucin de Fermi-Dirac
Densidad de portadores en semiconductores intrnsecos.
Nivel de Fermi
Semiconductores extrnsecos: tipo p y tipo n
Densidad de portadores en semiconductores extrnsecos
Nivel de Fermi en semiconductores extrnsecos

Tema 2: Semiconductores intrnsecos y extrnsecos 1/13

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Introduccin
Objetivo
Calcular la densidad de portadores en semiconductores puros y poco dopados

Motivo
Poder determinaran los comportamientos caractersticos tensin/corriente de los dispositivos

Esquema

Densidad de estados

Densidad de portadores
Probabilidad de ocupacin

Concepto: Equilibrio trmico

Es el estado en que un proceso es acompaado por otro, igual y opuesto (estado dinmico),
mientras que el sistema se mantiene a la misma temperatura, sin intercambios de energa
con el exterior.

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Densidad de estados
Definicin
La densidad de estados es el nmero de
estados electrnicos posibles por unidad
de volumen y por unidad de energa.
En un metal (los electrones son libres):
3
8m 2
N (E ) = E [1]
2 h2 Apndice C
K. Kano

Puede considerarse como una funcin continua en E

Est expresin tambin ser vlida para un semiconductor
cristalino (electrones quasi-libres, ligados a un potencial peridico)
Para adaptarla, hemos de introducir EC, EV y m*
3
8m 2
Nn (E ) = 2 n
E EC para E > EC [2]
2 h
3
8m
2

N p (E ) = p
EV E para E < EV [3]
2 h 2

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Funcin de distribucin de Fermi-Dirac

Los electrones son fermiones, i. e., partculas que cumplen
el principio de exclusin de Pauli
As, vendrn gobernados por la estadstica de Fermi:
1
f (E ) = E EF [4]
e kT
+1
f(E) es la probabilidad que un estado de energa E est
ocupado, EF es el nivel de Fermi, k es la constante de
Boltzmann y T es la temperatura absoluta.
http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/semicon/fermi/functionAndStates/functionAndStates.html
Comentarios
Un estado con energa E>EF tendr mas posibilidades de ser ocupado a mayor temperatura.
A una temperatura T, la probabilidad de ocupacin disminuye si aumenta la energa
Para cualquier T, la probabilidad de encontrar un electrn con una energa EF es 1/2.
A T=0, la probabilidad de encontrar un electrn con E>EF es 0 y con E<EF es 1
Si la probabilidad de encontrar un electrn es f(E), la probabilidad de no encontrarlo es 1-f(E)
Aproximacin de Boltzmann (facilitar los clculos posteriores)
electrones fC (E ) = f (E ) exp[ (E EF ) kT ] para (E EF ) > 3kT [5]

huecos fV (E ) = 1 f (E ) exp[ (EF E ) kT ] para (EF E ) > 3kT [6]

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Densidad de portadores
3
E EF 2m kT 2
n = Nn (E ) fC (E ) dE = ... = NC exp C con NC = 2 n
[7]
kT 2
EC
h
Densidad efectiva de estados
de la banda de conduccin
3
EF EV 2m kT 2

p = N p (E ) fV (E )dE = ... = NV exp

EV
con NV = 2

p [8]
kT
2
h
Densidad efectiva de estados
de la banda de valencia

semiconductor N C (cm -3) N V (cm -3) E g (eV)

Si 3.2210 19 1.8310 19 1.12
Ge 1.0310 19 5.3510 18 0.66
GaAs 4.2110 17 9.5210 18 1.42

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Densidad de portadores (cont.)

Densidad intrnseca de portadores: ley de accin de masas
3
Eg
2kT E
(m m )
E E 2 3
C V
ni = 2 2 4
exp g [10]
n p = NC NV e kT
=n np =n
2
i
2
i
[9]
h
n p
2kT
Posicin del nivel de Fermi
De ecuaciones anteriores:
EC + EV kT NV
EF = + ln [11]
2 2 NC
Si usamos la relacin ni(Si,300K)=1.451010cm-3
3
2
3

NV mn
2
m
= = p [12]
NC mp m
n
Entonces
EC + EV 3 mp EC + EV 3 mn
EF = + kT ln = kT ln [13]
2 4 m
n 2 4 mp
EC
Para un semiconductor intrnseco:
Eg
E F=E i
3 Eg mn
E i = EF = EV + kT ln [14]
2 4 EV
mp

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Semiconductores extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos se forman aadiendo pequeas cantidades de impurezas
a los semiconductores puros. El objetivo es modificar su comportamiento elctrico al alterar la
densidad de portadores de carga libres.
Estas impurezas se llaman dopantes. As, podemos hablar de semiconductores dopados.
En funcin del tipo de dopante, obtendremos semiconductores dopados tipo p o tipo n.
Para el silicio, son dopantes de tipo n los elementos de la columna V, y tipo p los de la III

II III IV V VI

p n

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Semiconductores tipo n y tipo p

Tipo n En general, los elementos de la columna V convierten al Si en
tipo n. Estos elementos tienen cinco electrones de valencia en
su ltima capa y se les llama impurezas dadoras.
electrones
no generan
huecos!

estados localizados
(cargas fijas)

ionizacin completa

Tipo p En general, los elementos de la columna III convierten al Si en

tipo p. Estos elementos tienen tres electrones de valencia en
su ltima capa y se les llama impurezas aceptoras.

estados localizados
(cargas fijas)

huecos
no generan
ionizacin completa electrones!

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Densidad de portadores en semiconductores extrnsecos

En los semiconductores tipo n, los electrones son los portadores mayoritarios.
En los semiconductores tipo p, los huecos son los portadores mayoritarios.
La ley de accin de masas se cumple para semiconductores extrnsecos, en equilibrio trmico
Nc, Nv = ctes.
Eg f(n)
n0 p0 = ni2 [15]
Dependencia
Para cumplir la neutralidad de la carga: de la
concentracin
q (n0 + N A ) = q (p0 + ND+ ) [16] de portadores
con la
temperatura
De ambas:
1
ND N A ND N A
2 2

n0 = + + ni
2
[17]
2 2

Condicin de ionizacin completa Para un semiconductor tipo n, ND>>NA, y ND>>ni :

ni2
n0 N D y p0 [18]
ND
Para un semiconductor tipo p, NA>>ND, y NA>>ni :
tipo n tipo p ni2
n0 ND p0 NA p0 N A y n0 [19]
T~300K NA
Tema 2: Semiconductores intrnsecos y extrnsecos 9/13
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Nivel de Fermi en semiconductores extrnsecos

semiconduc tor tipo n [22] semiconduc tor tipo p [23]
Nivel de Fermi
n N p N
y EF Ei = kT ln 0 kT ln D E i EF = kT ln 0 kT ln A
ni ni ni ni
densidad de portadores

De las ecuaciones [7] y [8]: EC EC

EF Eg
E Ei E F-E i Ei
n = ni exp F Ei
= n0 [20] Eg EF E i-E
kT
EV EV
E EF
p = ni exp i = p0 [21]
kT
cambiando: n, p ni http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/semicon/fermi/bandAndLevel/fermi.html
EF Ei

desde otro punto

de vista ...

http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education
/semicon/fermi/levelAndDOS/index.html

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Ejemplo
Sea una muestra de silicio a 300K.
a) Calcule la densidad de portadores intrnsecos.
b) Calcule la densidad de electrones y huecos si se dopa con fsforo en una
concentracin de 1017 cm-3.
c) Calcule la posicin de los niveles de Fermi intrnseco y extrnseco.
a) Utilizando la ecuacin [9]:
Eg 1.12 eV
6
ni2 = NC NV e kT
= 3.22 1019 cm 3 1.83 1019 cm 3 e 86.2 10 eV K -1 300K
ni 1010 cm 3

b) El P dopa el Si tipo n. A 300 K, habr ionizacin completa se da: ND>>ni (1017>>1010).

= (10 cm 3 )
2 10 2
n0 ND = 10 cm 17 -3
; p0 n i = 10 3 cm 3
17 3
ND 10 cm
c) El nivel de Fermi intrnseco se localizar en el
centro de la banda prohibida. El extrnseco: EC
n N
EF Ei = kT ln 0 kT ln D EF
ni ni Ei 0.403 eV
1 1017 E g= 1.12eV E g/2 = 0.56 eV
= 86.2 eV K 300 K ln 10 EV
10
17
10
= 0.025 eV ln 10 = 0.403 eV
10
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Hoja de datos 2.1

En fermiones: En semiconductores intrnsecos:
1
f (E ) = 3Eg mn
n p = ni2
E EF E i = EV + kT ln
e kT
+1 2 4 mp

Densidades efectivas de estado

semiconductor N C (cm -3) N V (cm -3) E g (eV)
Si 3.2210 19 1.8310 19 1.12
Ge 1.0310 19 5.3510 18 0.66 ni(Si,300K)=1.451010cm-3
GaAs 4.2110 17 9.5210 18 1.42

En semiconductores extrnsecos:
n0 p0 = ni2
semiconduc tor tipo n semiconduc tor tipo p
n N p N
EF E i = kT ln 0 kT ln D E i EF = kT ln 0 kT ln A
ni ni ni ni
ni2 ni2
n0 ND y p0 p0 N A y n0
ND NA
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Tema 3: Tcnicas de dopado

Bibliografa diversa

Varias tcnicas:
Durante el crecimiento
Difusin
Implantacin inica

Estudiaremos:
Aplicaciones
Sistemas/mtodos/tecnologas
Teora
Ejemplos

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