MATERIALES ELECTRNICOS

Tipos de sustancias

Son sustancias inorgnicas unidas mediante enlaces covalentes altamente direccionales.

Son bsicamente elementos del grupo 14 (Si o Ge) que pueden tener impurezas de
elementos de los grupos 13 (B,Al y Ga) y 15 (P,As y Sb).

Clasificacin

Los materiales electrnicos estn formados por semiconductores fundamentalmente.

Los semiconductores se pueden clasificar en:

Semiconductores Intrnsecos
Son aquellos materiales cuyas conductividades elctricas se encuentran entre la
de los metales, altamente conductores y la de los aislantes, pobremente conductores.
Son semiconductores puros cuya conductividad elctrica est determinada por sus
propiedades conductoras innatas. Los elementos Si y Ge puros son materiales
semiconductores intrnsecos.

Semiconductores Extrnsecos
Son soluciones slidas muy diluidas donde existen impurezas con caractersticas
de valencia distintas a las de la red que acta como disolvente. La concentracin de las
impurezas est entre 100 y 1000 partes por milln.
Pueden ser de dos tipos:
Tipo n: En las redes de Si o Ge se introducen elementos del grupo 15 los
cuales debido a que tienen un electrn mas en su capa de valencia que los
elementos del grupo14 se comportan como impurezas donadoras de
electrones o portadores negativos.
Tipo p: En este caso se introducen elementos del grupo 13 que presentan
un electrn menos en su capa de valencia, por lo que se comportan como
aceptores o captadores de electrones.

Estructura Cristalina
Los semiconductores intrnsecos presentan estructura cristalina cbica compacta donde
los tomos de Si o Ge se unen mediante enlaces covalentes altamente direccionales.

Propiedades Fsicas
CONDUCTIVIDAD ELCTRICA

Semiconductores intrnsecos: La conductividad elctrica se produce cuando un

electrn de la banda de valencia (llena) absorbe la suficiente energa para saltar a
la banda de conduccin (vaca) creando dos portadores de carga, un electrn y
un hueco positivo.
 Semiconductores extrnsecos: La conductividad elctrica se ve favorecida por la
accin de las impurezas existentes en estos materiales.
Tipo n: Se crea un nivel donor donde encontramos el electrn extra que
poseen las impurezas. Este nivel energtico se encuentra cerca de la
banda de conduccin facilitando el salto electrnico.
Tipo p: Se crea un nivel aceptor por la adicin de un elemento del grupo
13, muy prximo a la banda de valencia, de forma que con una pequea
cantidad de energa el electrn puede saltar al nivel aceptor. Al suceder
esto se crea un hueco positivo en la banda de valencia, cuya movilidad
produce la conduccin elctrica.

Relacin Conductividad/Temperatura

Semiconductores intrnsecos
La conductividad aumenta con la temperatura de forma lineal rpidamente, ya
que los electrones de la banda de valencia se activan trmicamente saltando a la banda
de conduccin.
Semiconductores extrnsecos
En la relacin conductividad/temperatura podemos diferenciar tres rangos:
Rango extrnseco: Se da a bajas temperaturas, la conductividad no se ve muy
afectada por el aumento de la temperatura.
Rango de agotamiento ( tipo n) o Rango de saturacin (tipo p): donde la
conduccin se mantiene constante debido a que los tomos donores y aceptores se
encuentran todos ionizados.
Rango intrnseco: Se da a altas temperaturas, se comporta igual que un
semiconductor intrnseco.

CONDUCTIVIDAD TRMICA

Son malos conductores trmicos debido a que los tomos de la red cristalina estn
unidos mediante enlaces covalentes que impiden la movilidad de los tomos y por lo
tanto la difusin del calor. Esta propiedad es importante de cara a sus aplicaciones como
componentes electrnicos.

Propiedades Mecnicas

Son consecuencia de las uniones covalentes altamente direccionales entre sus tomos, lo
cual no permite su deformacin, haciendo que estos materiales sean poco dctiles y por
tanto son frgiles.

Aplicaciones

Tienen multitud de aplicaciones en el campo de la electrnica.

A partir de obleas de Si se fabrican:
Chip de Si
Memorias digitales a gran escala (LSI) por ejemplo memorias RAM
Diodos de Si rectificadores que transforman la corriente continua en corriente
alterna y diodos de avalancha que se usan como limitadores de tensin