II.

Dispositivos fotonicos para la generacion y la deteccion de luz (Figuras)

Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 34: Un laser se compone de un medio material (semiconductor, en el

caso de los laseres de diodo) en el que se va a producir una amplificacion de
la luz y una cavidad optica resonante para alimentar esa ganancia. 1991
c
B.E.A Saleh, Fundamentals of Photonics (John Wiley and Sons)

Figura 35: Laser de diodo con una cavidad tipo Fabry-Perot de dimensiones
L, H y W . 1999
c S.O Kasap, Optoelectronics (Prentice Hall)

URJCE.T.S.I.T 21 Fotonica 2006-2007

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 36: Dimensiones tpicas de la cavidad resonante tipo Fabry-Perot

de un laser de diodo. 2000
c G. Keiser, Optical Fiber Communications
(MacGraw-Hill)

URJCE.T.S.I.T 22 Fotonica 2006-2007

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 37: Estructura de un diodo laser (cavidad tipo FabryPerot) de doble

heteroestructura nAlGaAs/pGaAs/pAlGaAs. El contacto superior tiene
forma de tira o banda (stripe geometry). 1999
c S.O Kasap, Optoelectronics
(Prentice Hall)

URJCE.T.S.I.T 23 Fotonica 2006-2007

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 38: Esquema de la estructura de (a) laser DFB (Distributed

feedback) y (b) laser DBR (DistributedBragg Reflector). 1992
c J.M Senior,
Optical fiber communications (Prentice Hall)

URJCE.T.S.I.T 24 Fotonica 2006-2007

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 39: Dependencia con la energa de la densidad conjunta de estados,

(); del factor de inversion de Fermi, fg (); y, del coeficiente de ganancia,
0 (), a T = 0K (lnea continua) y a temperatura ambiente (lnea discon-
tinua). Los fotones con energas Eg < h < Efc Efv sufren amplificacion.
1991
c B.E.A Saleh, Fundamentals of Photonics (John Wiley and Sons)

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 40: (a) Coeficiente de ganancia, 0 (), en funcion de la energa,

tomando como parametro la concentracion de portadores inyectados n
para un amplificador laser de InGaAsP a T = 300K. (b) Maximo del coefi-
ciente de ganancia, p en funcion de n. 1991
c B.E.A Saleh, Fundamentals
of Photonics (John Wiley and Sons)

Figura 41: Maximo del coeficiente de ganancia, p , como funcion de la

densidad de corriente J segun un modelo lineal. Cuando J = JT el material
es transparente, ni amplifica ni absorbe. 1991
c B.E.A Saleh, Fundamentals
of Photonics (John Wiley and Sons)

URJCE.T.S.I.T 26 Fotonica 2006-2007

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 42: Potencia emitida en funcion de la intensidad de corriente y

espectros de emision correspondientes a un LED y un laser. 1999
c S.O
Kasap, Optoelectronics (Prentice Hall)

Figura 43: Perfil de ganancia, modos de la cavidad Fabry-Perot y dis-

tribucion espectral de un laser de diodo. 1998
c M. FUKUDA, Optical
Semiconductor Devices (Wiley Interscience)

URJCE.T.S.I.T 27 Fotonica 2006-2007

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 44: Distribucion espectral para tres intensidades de corriente difer-

entes de un laser de InGaAsP ( = 1.3 m). El numero de modos decrece al
aumentar la corriente de inyeccion. 1981
c IEEE; (IEEE Journal of Quan-
tum Electronics, QE17, pp.202207)

Figura 45: Espectro de emision del laser de AlGaInP (HL6724MG de Hi-

tachi, = 670 nm) para tres valores de la potencia emitida
.

URJCE.T.S.I.T 28 Fotonica 2006-2007

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 46: Potencia optica emitida por un LED en funcion de la intensi-

dad de corriente por el dispositivo. 1991
c B.E.A Saleh, Fundamentals of
Photonics (John Wiley and Sons)

Figura 47: Potencia optica emitida por un laser de semiconductor en funcion

de la intensidad de corriente por el dispositivo. 1991
c B.E.A Saleh, Fun-
damentals of Photonics (John Wiley and Sons)

URJCE.T.S.I.T 29 Fotonica 2006-2007

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 48: Dependencia con la temperatura de la curva caracterstica P I

de un laser de semiconductor. 2000
c G. Keiser, Optical Fiber Communi-
cations (MacGraw-Hill)

Figura 49: Dependencia con la temperatura de la corriente umbral en

dos tipos de laseres de semiconductor. 2000
c G. Keiser, Optical Fiber
Communications (MacGraw-Hill)

URJCE.T.S.I.T 30 Fotonica 2006-2007

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 50: Distribucion espacial de la emision de un laser de semiconduc-

tor: emision de campo cercano (near field) y de campo lejano (far field).
(www.nanoics.co.il)

Figura 51: Patron de emision de campo lejano del laser de AlGaInP

(HL6724MG de Hitachi, = 670 nm)
.

URJCE.T.S.I.T 31 Fotonica 2006-2007