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ELECTRÓNICA I INFORME 2 DE LABORATORIO No. 2, 3 DE JUNIO DE 2019

Laboratorio No. 2 Características del diodo y curva característica

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v semestre de Ingeniería Electrónica Tunja, Código xxxxxxx
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v semestre de Ingeniería Electrónica Tunja, Código xxxxxxxx

These text will show how the lab of diode characteristics and diode characteristic curve is done. The lab has as objective see the
diode behavior with A.C. and D.C. current and learn how to make measures on them, all this allowing us to get know the basic
electronic. The diodes are going to be analyzed with differents dispositives as oscilloscope, multimeter and with a sing generator as
power supply. With the different kind of display we have to prove and check the theoretical all this with the purpose of understand
how the diodes work, analyzing the recovery diode time, the diode resistance in direct current and on inverse current and how the
voltage change in the diode.

Palabras clave : Diodo, curva característica, corriente ac y dc

I. INTRODUCCIÓN teniendo en cuenta la corriente de saturación Is de la

hoja de datos con Tk = 293°K.

D ebido a los diferentes avances tecnológicos de la

humanidad esta se ha logrado avanzar en diferentes ámbitos,
trayendo consigo ventajas para la salud general, transporte
aereo maritimo y terrestre, entretenimiento y demás. Naciendo
esto con la revolución industrial y atravesando diferentes
momentos en su historia hasta mediados del siglo xx donde
todo esto se logró hacer posible gracias al uso del diodo,
componente que dió origen a la electrónica tal y como es
conocida hoy, y es que este pequeño componente al tener su
función de permitir o no el paso de la corriente puede tener
diferentes combinaciones con otros dando así origen al
transistor considerado el mejor invento del siglo XX y es que
gracias a este principio se lograron crear y mejorar un sin fin
de dispositivos electrónicos.
Debido a su importancia es por ello que es necesario tener un
correcto entendimiento del funcionamiento básico del diodo
dándonos a nosotros como futuros ingenieros electrónicos el
correcto entendimiento de cómo nuestra ciencia funciona.
Analizaremos los diversos comportamientos y operación del
diodo ante corrientes ac y dc con diferentes tensiones en
estos comprobando así la teoría, con el fin de adentrarse en
diferentes campos de la electrónica.
D) Obtenga el trazo de la curva característica del diodo
1N400X empleando el osciloscopio y el generador de
señales.
E) Compare la curva característica del diodo 1N400X
tomada a través del barrido de fuente de voltaje
(Figura 1 y Figura 2) y aquella obtenida mediante el
trazador de curvas.
F) Sobre las gráficas obtenidas con las mediciones,
realice el cálculo de la resistencia de diodo DC RD,
resistencia dinámica o en ac rac y resistencia ac
promedio rav, un punto de trabajo en la curva
positiva, compare resultados y formule conclusiones.
G) Con un generador de señales realice el montaje
propuesto con una señal cuadrada de 5Vp y
frecuencia de 1kHz, realice la medición de voltaje de
entrada en el generador y voltaje de salida en la
resistencia para observar la señal rectificada sobre la
resistencia.
H) Determine el valor del tiempo de recuperación en
inverso, tiempo de almacenamiento y tiempo de
transición, establezca el mecanismo por el cual ocurre
este fenómeno.

III. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

II. PROCEDIMIENTO
A) Polarice el circuito de la Figura 1 y realice la toma de
datos de la corriente y el voltaje del diodo (polarizado
en directo) 1N4007 ( u otra referencia), para esto
varié la fuente de voltaje V1 entre 0V y 12V.
B) Polarice el circuito de la Figura 2 y realice la toma de
datos de la corriente y el voltaje del diodo (polarizado
en inverso) 1N4007(u otra referencia), para esto,
varié la fuente de voltaje V1 entre 0V y 12V.
C) Realice la curva característica ID vs VD con los datos
obtenidos en la experiencia mediante Excel o alguna
otra hoja de cálculo, comparándola con la curva
característica realizada matemáticamente de acuerdo
con la función matemática de respuesta de diodo
La práctica inicia con la medición de los diferentes diodos, a
los cuales con ayuda del multímetro se les mide la resistencia
en manera directa e inversa de polarización al igual que se les
mide continuidad de la misma forma, esto con el fin de
observar de manera cuantitativa qué valor adquiere el diodo
según sea el caso.
Los datos de continuidad están en la tabla 1 y los de
resistencia en la tabla 2.
A) Posteriormente se realiza el montaje de la figura 1 el
cual consto de una resistencia de 1300 Ω y un diodo
de germanio (1N60) al cual se le aplicaron voltajes en
polarización directa de entre los 0v y los 12 v y se

ELECTRÓNICA I INFORME 2 DE LABORATORIO No. 2, 3 DE JUNIO DE 2019
tomaron los valores de las correspondientes
corrientes a través de la resistencia y voltaje en del
diodo, mostrados en la tabla 3.
B) Se realizó el montaje de la figura 2 el cual tenía como
objetivo observar el mismo diodo de gemanio (1N60)
ante un comportamiento de polarización en inversa al
cual se le realizo una conexion con una resistencia de
1300 Ω y se hizo el mismo procedimiento del
montaje 1 midiendo voltaje sobre el diodo y corriente
a través de la resistencia, resultados mostrados en la
tabla 4.
C) Para la obtención de la curva caracteristica del diodo
se realizo el montaje de la figura 1 el cual consistia
de un diodo de germanio (1N60), una resistencia de
1300 Ω y un generador de señales a 1Khz con una
amplitud de 5v pico a pico a manera de fuente de
alimentación al sistema. Se pone un par de sondas del
osciloscopio en paralelo al generador de ondas y otro
par en paralelo del diodo esto para obtener la señal
del diodo y como esta es rectificada, figura 5. Con la
opción menú en el osciloscopio accederemos a la
función XY la cual nos permite obtener la curva
característica del diodo, figura 7.
D) Se nos pidió obtener la curva de recuperación en
inverso del diodo, figura 4, para esto se realizó el
montaje de la figura 10, el cual contaba con una
resistencia de 1200 Ω, un diodo de silicio (1N4007) y
este montaje a su vez siendo alimentado con un
generador de señales a una fracuencia de 1 kHz,
mediante el osciloscopio obtendríamos de manea
grafica la curva de recuperación en inverso, esa
grafica se muestra en la figura 11.
En la figura 12, se usa la función de cursor del
osciloscopio para calcular el tiempo de conducción
de inverso del diodo, en ese caso el diodo alcanza a
conducir en inversa en un periodo de 2.8µS.
En la figura 13, se usa la misma función de cursor
pero ahora para hallar el tiempo de estabilización del
diodo, en que ya no conduzca, para este experimento
dio un tiempo de 5.56µS.
Todo para un tiempo de conmutación de 8.36 µS.
IV. PREGUNTAS
1) ¿Cómo se obtiene la curva característica de un diodo
por el modelo exacto?
Se le van dando distintos valores a la fuente de
alimentación y se miden voltajes y corrientes por el
diodo, como se realizó en la práctica, tomando datos
tanto de inversa como de directa, al graficar estos
datos debe dar la curva característica del diodo.
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2) Explique que es el voltaje pico inverso del diodo
semiconductor.
El valor del voltaje pico inverso (PIV, por las
iniciales en inglés de: Peak Inverse Voltage) (o PRV,
por las iniciales en inglés de: Peak Reverse Va/tage)
del diodo es muy importante en el diseño de sistemas
de rectificación y se trata del valor del voltaje que no
debe excederse en la región de polarización inversa,
pues de otra forma el diodo entrará en la región de
avalancha Zener.
3) ¿Cuál es la corriente promedio de los diodos
empleados en la práctica?
En la práctica, variando el voltaje de la fuente de 0 a
12 V, y promediando las corrientes obtenidas por el
simulador, nos da una corriente promedio de
3,12mA, mientras que en inverso el promedio seria 0,
ya que el diodo actúa como circuito abierto, lo que
causa que la corriente no fluya, por lo que será 0.
4) Consulte sobre el tiempo de respuesta a la
conmutación para los diodos empleados en la
práctica.
Un diodo, cuando se encuentra bajo una fuente de
frecuencia, que alterna polaridades, va alterando la
polaridad del diodo, es decir, alterna entre
conducción y no conducción, sin embargo, los diodos
tienen un periodo de conmutación en inversa, lo que
les hace conducir durante un periodo muy corto en
inversa, en la práctica se realizó y se encontró que el
tiempo que conmutacion era de 8.36 µS.
5) Para un diodo, ¿Que es la corriente de portadores
minoritarios?
En el estado intrínseco, el número de electrones libres
en Ge o en Si se debe sólo a aquellos electrones en la
banda de valencia que han adquirido suficiente
energía de las fuentes térmicas o lumínicas para
romper la unión covalente o a las pocas impurezas
que no pudieron eliminarse.
Las "vacantes" dejadas atrás en la estructura de
uniones covalentes representan una cantidad muy
limitada de huecos, En un material tipo n, el número
de huecos no ha cambiado de manera significativa de
su nivel intrínseco, El resultado neto, por tanto, es
que el número de electrones supera por mucho el
número de huecos. Por esta razón:
En un material tipo n (figura 9) al electrón se le llama
portador mayoritario y el hueco es el portador
minoritario.
Para el material tipo p el número de huecos supera
por mucho el número de electrones, como se muestra
en la figura 8. Por tanto:
En un material tipo p el hueco es el portador
mayoritario y el electrón es el portador minoritario.
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ELECTRÓNICA I INFORME 2 DE LABORATORIO No. 2, 3 DE JUNIO DE 2019

V. CONCLUSIONES

Los datos recolectados con el multímetro en la polarización

inversa y polarización directa en el diodo, así también como
los datos de resistencia corriente y voltaje son coherentes y
Tabla 2.
muestran claramente el funcionamiento del diodo.
Podemos dar por exitoso el laboratorio ya que se logró
contrastar, comprobar y observar de manera experimental lo
propuesto por la teoría, siendo coherentes los resultados
obtenidos.
La gráfica característica del diodo observada en el
osciloscopio es claramente igual a la teórica.
La curva de recuperación en inverso del diodo de silicio
(1N4007) muestra claramente los tiempos de almacenamiento
y tiempo de establecimiento del transistor y siendo estos
comparados con el análisis de circuito en el componente dan
valores que se toman como válidos loy exitoso
Hubo un problema con los diodos de silicio 1N4007 ya que al
parecer estuvieron defectuosos durante la práctica, por eso se
opto a usar un diodo de germanio 1N60. Figura 2.
Ubo otro problema al tomar la corriente de el diodo polarizado
correctamente ya que al parecer el fusible del multímetro
estaba quemado y no permitía medir correctamente la
corriente, se soluciono usando el multímetro del ingeniero y
comprobandolo con las medidas del simulador.

APPENDIX

Tabla 3.

Figura 1.

Tabla 4.

Tabla 1.
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ELECTRÓNICA I INFORME 2 DE LABORATORIO No. 2, 3 DE JUNIO DE 2019

Figura 6.

Figura 3.

Figura 7.

Figura 4.

Figura 8.

.
Figura 5.
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ELECTRÓNICA I INFORME 2 DE LABORATORIO No. 2, 3 DE JUNIO DE 2019

Figura 9.

Figura 12.

Figura 10.

Figura 13.

BIBLIOGRAFÌA
[1] Robert L. Boylestad, and Louis Nashelsky “Electrónica: Teoría de
circuitos”, 6th ed.

Figura 11.