1. Propiedades ópticas de semiconductores.

1.1 Estructura electrónica de semiconductores.

1.2 Caracterización óptica de semiconductores

2. Propiedades eléctricas de semiconductores.

2.1 Mecanismo de conducción de electrones en semiconductores.
2.2 Caracterización eléctrica de semiconductores.

3. Generación de portadores de carga por radiación de luz en un dispositivo fotovoltaico

3.1 Niveles energéticos en una heterounión
3.2 Fotogeneración, recombinación y extracción de portadores de carga.
3.3 Eficiencia de conversión luz- electricidad.

4. Celdas solares orgánicas e híbridas

4.1 Clasificación de celdas solares
4.2 Celdas solares de perovskitas híbridas
4.3 Procesos de preparación de capas activas de celdas solares híbridas
4.4 Evaluación del desempeño fotovoltaico de celdas solares híbridas
• Algunas definiciones importantes
https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Electronic_structure_of_materials.jpg
Energía vs. momentum/número de onda EK = p2/2m = h2k2/(8π2m);
E = EK + V

https://www.google.com/search?q=electronic+structure+of+semiconductor+materials&rlz=1C1CHHM_esMX751MX755&source=lnms&t
bm=isch&sa=X&ved=0ahUKEwjW0Z7VqcbgAhUOW60KHX6qD_sQ_AUIDigB&biw=1920&bih=888#imgrc=tVZj99VNYxth9M:
http://gorgia.no-ip.com/phd/html/thesis/phd_html/node4.html
 Nivel de Vacío (EVAC)

Función de trabajo (WF)

Nivel de Fermi:

El nivel energético que tiene el 50% de probabilidad de

ser ocupado por un electrón.
Función de trabajo (WF):

• Energía necesaria para remover un electrón originalmente en el nivel de

Fermi (EF), muy adentro del material, y colocarlo en reposo en un punto en
el espacio libre justo afuera de la superficie, i.e. al nivel de EVAC.

WF = EVAC – EF : la barrera de energía para prevenir el escape de un

electrón en el nivel de Fermi del sólido.

• WF consiste en dos componentes: uno de bulto y uno de superficie. WF se

mide como la combinación de los dos, que experimentalmente no se
puede separar.
 Funciones de trabajo de algunos metales

http://pubs.rsc.org/en/content/articlehtml/2010/jm/b921624c#cit67
http://www.chegg.com/homework-help/questions-and-answers/1-describing-
photoelectric-effect-neamen-showed-figure-like-left-electron-maximum-kinetic--
q26280592
 EVAC : nivel de vacío. Nivel energético de un
electrón en reposo dentro de unos nanómetros
fuera del sólido (una distancia suficiente para el
electrón experimentar el impacto del dipolo
superficial).
Afinidad electrónica (EA o χ) de una superficie
semiconductor-vacío :
la energía para atraer un electrón del vacío al
nivel más bajo de la banda de conducción.

Energía de ionización (IE o IP):

la mínima energía necesaria para remover un
electrón del sistema al vacío.
(ignorando unos cuantos electrones que pudieran
presentarse en el nivel CBM o LUMO como
resultado del dopado o excitación térmica).
DOI: 10.1039/C5MH00160A, Mater. Horiz., 2016, 3, 7-10
Descripción de los fotones
Ondas electromagnéticas:
 El espectro solar
se puede
aproximar con la
ecuación de un
cuerpo negro

Ecuación de Planck:
relación entre la intensidad de la radiación
y la temperatura de un cuerpo negro:
Longitud de ondas de la radiación electromagnética, λ, en:

• nanómetro (1 nm = 10−9 m = 10−7 cm = 10−3 μm),

Ångström (1 Å = 10−10 m),
micrómetro (1 μm = 10−6 m).

• Número de onda (WN):

El inverso de la longitud de onda (1 WN = 1/λ).
Ley de Planck: 𝑬 = 𝒉𝝂.
_𝟑𝟒
𝒉 = 𝟔, 𝟔𝟐𝟔 070 15 × 𝟏𝟎 𝐉 ⋅ 𝐬, Constante de Planck.
: frecuencia en Hz (s-1).

ℎ𝑐
𝐸 = ℎ𝑣 =

h  6.626 x 10-34 Js,
c  3 x 108 m/s;
hc = 1.9864 x 10-25 J m
La energía de un fotón con una longitud de onda  (nm) en Jouls:

1.9864 x 10−25 J 1.9864 × 10−16 𝐽

ℎ𝑐
𝐸= = =
  (𝑚)  (𝑛𝑚)
• Unidad de energía:

Joule (J) = Coulomb (C) x Volt (V)

• Carga eléctrica elemental de un electrón:

e = 1.602176634×10−19 C

• 1 eV = 1.602176634×10−19 C x 1 V = 1.602176634×10−19 CV  1.602 × 10−19 J.

1 eV  1.602 × 10−19 J.
Combinando la ley de Planck con la definición de eV =>

Energía de un fotón en eV:

ℎ𝑐 1.9864 × 10−16 𝐽 1.9864 × 10−16 𝐽 1.9864 × 10−16 𝑒𝑉 1239.7
𝐸= = = = = 𝑒𝑉
  (𝑛𝑚) (𝑛𝑚)  𝑛𝑚 1.602 × 10−19  (𝑛𝑚)

Conversión de la energía de un fotón de longitud de onda  (nm) en eV:

1239.7 1240
ℎ𝜈 =  eV
𝜆 (𝑛𝑚) 𝜆 (𝑛𝑚)
(a) Absorción óptica de semiconductores

• Interacción de la luz con la materia

Absorción de la luz por la materia
http://slideplayer.es/slide/1479820/
22
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/mod3.html
 Interacción de la radiación con la materia
Onda E.M. () Respuesta ()
Materia
Técnica Rango de  Señales de salida Qué ocurrió Qué determina Tipo de materia
Espectroscópica
FT-IR 600-4000 cm-1 luz transmitida Cambio de dipolo enlaces químicos Orgánicas
Raman 100-10,000 luz transmitida Cambio de polarizabilidad enlaces químicos Orgánicas
cm-1 inorgánicas
UV-VIS-NIR 250-2500 nm luz transmitida Transición del estado basal al Coeficiente de Semiconductores
estado excitado absorción
Fotoluminiscen 200-800 nm luz emitida o Transición del estado basal a Brecha de energía, Semiconductores
cia absorbida estados excitados, luego la estados superficiales o
recombinación del electrón de defectos.
emitiendo la luz
Elipsometría 200-800 nm Cambio de Refracción de la luz Índice de refracción Películas delgadas
intensidad y fase polarizada compleja o espesor de de
películas semiconductores
https://public.wsu.edu/~scudiero/
https://xpssimplified.com/UPS.php
Métodos experimentales para determinar los niveles
energéticos:

1.EA (Ec): físicos (IPES), (indirectamente) electroquímicos.

2.IP (Ev): físicos (UPS), (indirectamente) electroquímicos.
3.EF (banda plana): físicos (UPS), electroquímicos (Mott-
Schottky).
4.Eg (ópticos), Coeficiente de absorción óptica,
Método de Tauc, fotoluminiscencia,
5. WF: físicos (Kelvin probe)
Coeficiente de Absorción (, cm-1)
Semiconductores: absorbedores de luz
(cambios de niveles electrónicos).
 Interrelación de Reflexión,
Ie absorción, transmisión y emisión
Ir
de la energía radiante sobre un
Ia It material semitransparente
I0

Conservación de energía de los fotones de entrada y salida:

I0 = Ir + Ia + It (tiene que ver con la fotovoltaica)

Equilibrio térmico del cuerpo (temperatura constante):

Ie = Ia (tiene que ver con la fototérmica)

31
I0 = Ir + Ia + It
𝐼𝑟 𝐼𝑎 𝐼𝑡
1= + + =𝑅+𝐴+𝑇
𝐼0 𝐼0 𝐼0

R() = Reflectancia espectral*

A() = Absorbancia espectral*
T() = Transmitancia espectral*
*en función de la longitud de onda 

32
Ley de Lambert: Teoría empírica de espectrofotometría y
colorimetría (*No se considera el efecto de la luz reflejada) :
Observación:
la rapidez de decrecimiento en la
luz monocromática intensidad de la luz con el espesor
() del medio es proporcional a la
I0 It intensidad de la luz:

x 𝑑𝐼
0 d − = 𝜅𝐼
𝑑𝑥
un medio transparente
(Ia  0)
𝐼𝑡 = 𝐼0 𝑒 −𝜅𝑑

33
 𝐼𝑡
= 𝑒 − 𝑑
La transmitancia T
𝑇=
(sin considerar la reflectancia): 𝐼0

: el coeficiente de absorción;
una función de ;
una propiedad intrínseca del medio/material.
(1) Medio líquido:
si el medio está formado por una especie que tiene
un coeficiente de absorción molecular  y una
concentración molar c,  = c, y:
𝐼𝑡
𝑇= = 𝑒 −𝑐𝑑
𝐼0

(2) Medio sólido:

Si el medio es una materia condensada (c = 1), el
coeficiente de absorción del medio  es igual a:

1
𝑇= 𝑒 −𝑑 𝛼 = − ln T
𝑑

35
 1.0

𝐼𝑡
t 1 𝑇= = 𝑒 −𝑑
0.5 𝐼0
𝐼 t= 𝐼0 𝑒 −𝛼𝑑

d
Espesor (d)

La conservación de energía nos 𝐼𝑎 = 𝐼0 − 𝐼𝑡

dice que la luz absorbida es: 𝐼𝑎 = 𝐼0 1 − 𝑒 −𝛼𝑑
Ley de Lambert-Beer:
Define la absorbancia en función de transmitancia
(sin considerar la reflectancia).

Transmitancia:
𝐼𝑡
𝑇= = 𝑒 −𝑑 = 10−0.4343𝜅𝑑
𝐼0
0.4343𝜅𝑑 ≡ Absorbancia (A, Abs)
= Densidad óptica (OD)
𝑇 10−𝐴 = 10−𝑂𝐷

37
Absorbancia A: 𝐴  − 𝑙𝑜𝑔10 𝑇

1
= 𝑂𝑝𝑎𝑐𝑖𝑑𝑎𝑑
𝑇
En un espectrofotómetro UV-VIS(-NIR):

Datos colectados:
Datos calculados: A = - Log (T)

39
https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Schematic_of_UV-_visible_spectrophotometer.png
40
41
Reflectancias

Cuando las películas tienen una reflectancia R

significativa, la ley de Lambert-Beer tiene que ser
modificada.

42
Superficie especular Superficie difusa
(se refleja a ciertas direcciones) (se dispersa a todas las direcciones)

https://www.quora.com/On-the-molecular-level-what-makes-a-material-look-glossy-matte-or-translucent

43
 Experimentalmente se puede
medir:

(1) la reflectancia especular,

(2) la reflectancia difusa,

con aditamentos especiales.

http://www.gusgsm.com/componente_especular_reflectancia
44
La reflectancia R tiene que ver con índice de
refracción de los medios.

n real:
Ley de Snell (para un medio transparente)
Algunos valores de n

https://socratic.org/questions/what-causes-reflection
 Con un coeficiente de absorción 

(material transparente)
Ley de Lambert-Beer con corrección
1 − 𝑅 2 𝑒 −𝛼𝑑
de reflectancia (R) para una película 𝑇≈
transparente y reflectiva: 1 − 𝑅 2 𝑒 −2𝛼𝑑

Película transparente no reflectiva: 𝐼𝑡

R=0 (Ley de Lambert-Beer): 𝑇= = 𝑒 −𝑑
𝐼0
Transparente

http://performativedesign.com/definition/light-reflectivity/ 53
Appendix 10.1
P.611-
Determinación del coeficiente de absorción de una película
semi-transparentes con reflectancia:

57
 Cuando incluye la reflectancia,
la conservación de energía nos
dice que:

R
𝐼 = (𝑅𝐼0 ) 𝑒 −𝛼𝑑
𝐼𝑎 = (𝑅𝐼0 ) 1 − 𝑒 −𝛼𝑑
d
Mediante la medición de la transmitancia y reflectancia
(propiedades extrínsecas) de las películas
semitransparentes de un material, se puede
determinar su coeficiente de absorción (propiedad
intrínseca) del material…..

59
 (Alejandro Baray)

Transmitancia+Reflectancia => Coeficiente de absorción

Figure 1. Transmittance (solid line) and reflectance (dash line) spectra of different CdS thin films. Figure 2 .Optical absorption coefficient versus photon energy plots for all films. (inset): band gap analysis for
all films.

60
Con las ecuaciones de Maxwell (Teoría de Electromagnetismo)…

Índice de refracción complejo ñ:

ñ = n + ik,

n = índice de refracción real,

k = coeficiente de extinción.
Correlación entre  y k..
k 0 materiales transparentes,
k > 0 materiales absorbedores.

De las soluciones de las ecuaciones para las ondas

4𝜋𝑘
electromagéticas se deduce que: 𝛼= .

Reflectancia, R = Ir/I0, de una En el caso de:
capa con ñ2 sobre un sustrato ñ3 1: aire => n1 =1, k1=0.
en contacto con un medio ñ1: 2: semiconductor => n + ik,
Ir
Ii
N1+ik1 la primera reflectancia de
superficie es:
d n2+ ik2

R = [(n-1)2 + k2]/[(n+1)2 + k2]

N3+ik3

63
Determinación del cociente de absorción/ dispersión
de una superficie rugosa:

Método de Kubelka-Munk
 2
𝐾 1−𝑅
𝐹 𝑅 ≡ =
𝑆 2𝑅
K = El coeficiente de absorción (cm-1)
S = El coeficiente de dispersión (cm-1)

F: adimensional
R = reflectancia difusa
(medida con esfera de integración)
https://www.pinterest.es/pin/562738915914741258/

65
 El coeficiente de
absorción  depende:
a) Del tipo de material
(Mayor , mayor #
fotones absorbidos.)

b) De la longitud de
onda de la luz
( < g no será
absorbido)

https://www.pveducation.org/pvcdrom/absorption-coefficient
66
 Profundidad de la absorción

El coeficiente de absorción determina qué tan profunda puede penetrar al

material por una luz de una logitud de onda particular antes de que sea
absorbida.

En un material con un coeficiente de absorción bajo, absorbe poca luz, y si el

material es suficientemente delgado, parecerá transparente a esa longitud
de onda.

https://www.pveducation.org/pvcdrom/absorption-coefficient
https://www.laserfocusworld.com/articles/print/volume-43/issue-5/features/semiconductor-detectors-
germanium-on-silicon-approaches-iii-v-semiconductors-in-performance.html

68