CRISTALIZACIN: INTRODUCCIN

La cristalizacin es una operacin de transferencia de materia en la que se produce

la formacin de un slido (cristal o precipitado) a partir de una fase homognea (soluto
en disolucin o en un fundido).
Destaca sobre otros procesos de separacin por su potencial para combinar
purificacin y produccin de partculas en un solo proceso. Comparado con otras
operaciones de separacin la cristalizacin en disolucin presenta varias VENTAJAS:
El factor de separacin es elevado (producto casi sin impurezas). En bastantes ocasiones se
puede recuperar un producto con una pureza mayor del 99% en una nica etapa de
cristalizacin, separacin y lavado.
Controlando las condiciones del proceso se obtiene un producto slido constituido por
partculas discretas de tamao y forma adecuados para ser directamente empaquetado y
vendido (el mercado actual reclama productos con propiedades especficas).
Precisa menos energa para la separacin que la destilacin u otros mtodos empleados
habitualmente y puede realizarse a temperaturas relativamente bajas.

Sus principales DESVENTAJAS son:

En general, ni se puede purificar ms de un componente ni recuperar todo el soluto en una
nica etapa. Es necesario equipo adicional para retirar el soluto restante de las aguas madres.
La operacin implica el manejo de slidos, con los inconvenientes tecnolgicos que esto
conlleva. En la prctica supone una secuencia de procesado de slidos, que incluye equipos
de cristalizacin junto con otros de separacin slido-lquido y de secado (ver esquema
general).
Esquema de un proceso completo de cristalizacin
 DISEO DE CRISTALIZADORES

CLCULOS DE EQUILIBRIO

(masa total de cristales)

CINTICA DE NUCLEACIN
CINTICA DE CRECIMIENTO
CSD

(tamao, forma y nmero de cristales)

 Cintica de Velocidad
crecimiento de crecimiento

Balance de Sobresaturacin
materia
Cintica de Balance de
Velocidad
nucleacin de nucleacin poblacin

rea de los
cristales

Interacciones que influyen en el comportamiento de un cristalizador

La cristalizacin es una operacin de transferencia de materia que depende de la

superficie del cristal. En la figura se muestra la compleja interaccin entre la distribucin de
tamao (CSD) y los factores que lo originan. Cada factor cintico de cristalizacin est
relacionado con los dems, con la velocidad de crecimiento y con el tiempo de residencia de
cada partcula (balance de poblacin). Existe una fuerte relacin entre la sobresaturacin
(fuerza impulsora) y el rea superficial de los cristales (relacionada con la CSD). Estas
interacciones cristalizador/CSD pueden influir profundamente en la operacin en estado
estacionario de un cristalizador en continuo.
DIAGRAMAS DE EQUILIBRIO: UN COMPONENTE

Clasificacin de algunas sales con la solubilidad

Tipo Sales Solubilidad

1 K2SO4, KNO3, NaNO3, NH4NO3, Aumenta con T
CuSO4, sacarosa, etc.
2 KCl, NaCl, (NH4)2SO4 Vara poco con T

3 Na2SO4, CaSO4, MgSO4H2O, Disminuye con T

FeSO4H2O
Ejemplos de curvas de solubilidad
 Sobresaturacin y cristalizacin:
Conc. Curva de
saturacin

Temperatura
 Sobresaturacin y cristalizacin:
Conc. Enfriamiento Curva de
saturacin

B A

Temperatura
 Sobresaturacin y cristalizacin:
Conc. Enfriamiento Curva de
saturacin

C B A

Temperatura
 Sobresaturacin y cristalizacin:
Curva de
Conc. Enfriamiento sobresaturacin Curva de
saturacin

C B A

Temperatura
 Sobresaturacin y cristalizacin:
Curva de
Conc. Enfriamiento sobresaturacin Curva de
saturacin

Zona

b le
lbil

sta
Zona

me n a
tae
no saturada

Zo
C B A

Diagrama de Miers
Temperatura
 Sobresaturacin y cristalizacin:
Evaporacin Curva de
Conc. sobresaturacin Curva de
saturacin
C

Zona

ble
lbil

s ta
Zona

me n a
tae
no saturada

Zo
B

A
Temperatura
c
RESUMEN b
Las disoluciones insaturadas y
a saturadas son estables. En general,
Inestable las sobresaturadas son inestables.
El grado de sobresaturacin
puede definirse como:
C
B A C = Csobresat - Csat
ta ble Estable
s
M e tae D S = Csobresat / Csat

t
El diagrama queda dividido en tres zonas:
1. Zona estable (subsaturada), donde no es posible la cristalizacin.
2. Zona metaestable (sobresaturada), entre las curvas de sobresaturacin y
solubilidad, donde la cristalizacin espontnea es improbable. S existe crecimiento
de cristales si ya estn presentes en la disolucin.
3.Zona inestable (sobresaturada), donde es probable la cristalizacin espontnea.
Solubilidad invertida
 Formas de expresar la sobresaturacin
Fuerza motriz termodinmica de la cristalizacin

= 1 - 2 > 0 = ln( a / a ) = ln( S )

= 0 + RT ln(a) RT eq

Expresiones prcticas

Relacin de sobresaturacin: S = C/Ceq

(Aplicaciones termodinmicas; cociente de coef. actividad = 1; S debe
definirse con las unidades de concentracin).
Fuerza impulsora de concentracin: C = C Ceq
(Estudios cinticos)
Fuerza impulsora en trminos de sobreenfriamiento:
T = Teq - T
Comparacin sistemas = C/Ceq = S-1
 Mtodos para crear sobresaturacin
Conc. 1) Enfriamiento
2) Evaporacin
3) Vaco
4) Reaccin
5) Drowning-out

Zona
lbil ble
sta
me n a
tae
Zo

Zona
no saturada

Temperatura
 TIPOS BASICOS DE CRISTALIZACION DESDE
SOLUCIONES
Tipo de Cristalizacin Sobresaturacin
producida por:
Cristalizacin por Reduccin de Temperatura
enfriamiento
Cristalizacin por Evaporacin de Disolvente
evaporacin
Cristalizacin por Reaccin Qumica
reaccin
Cristalizacin por salting- Adicin de otra sustancia
out
Cristalizacin al vaco Flashing y evaporacin

Mtodos combinados Combinacin de mtodos

anteriores
DIAGRAMAS DE EQUILIBRIO: SISTEMAS BINARIOS

Diagramas en Cristalizacin de Fundidos: Soluciones slidas

Solid solution system:

Phenanthrene and anthracene

Coeficiente de distribucin de impureza: ki = xi / yi ; ki < 1

Diagramas en Cristalizacin de Fundidos: Eutcticos

Simple eutectic binary system:

Phenol and naphtalene

Eutcticos: ki < 1
Diagramas en Cristalizacin de Fundidos: Eutcticos

Solubility of naphtalene in benzene

Diagramas en Cristalizacin en Disolucin: Formacin de Hidratos

Phase diagram for the system Na2SO4-water

Diagramas en Cristalizacin en Disolucin: Formacin de Hidratos

B, D, F: eutcticos
C, E: puntos congruentes
G: punto incongruente. Transicin
donde cambia la composicin, el
dihidrato pasa a monohidrato.

Phase diagram for the system Mn(NO3)2-water

DIAGRAMAS DE EQUILIBRIO: SISTEMAS TERNARIOS

Equilibrium data for System

KNO3-NaNO3-H2O.
a. Equilateral triangular
diagram at 50 C

Diagramas muy usados para cristalizacin a partir de disolucin. Propiedades

generales de procesos de mezcla y escisin.
a: solubilidad de KNO3 en agua; c: solubilidad de NaNO3 en agua; b: drying up point
Regin a-b-KNO3: mezclas de KNO3 puro y disolucin (ver rectas de reparto)
Regin c-b-NaNO3: mezclas de NaNO3 puro y disolucin (ver recta de reparto)
Regin a-b-c-H2O: disoluciones subsaturadas de ambas sales en agua
Regin KNO3-b-NaNO3: ambas sales en equilibrio con disolucin de composicin b
 Aplicacin de regla de la fases
L = C - F (T y P constantes) C=3
1) Disolucin no saturada F=1 => L = 2 Un rea
2) Disolucin saturada + sal F=2 => L = 1 Una lnea
3) Disoluc. Sat. + 2 sales F=3 => L = 0 Un punto
H2 O

L=2
Campo de cristalizacin
L=1 L=1 del slido S2

L=0
S1 S2
DIAGRAMAS DE EQUILIBRIO: SISTEMAS TERNARIOS

Equilibrium data for System

KNO3-NaNO3-H2O.
a. Equilateral triangular
diagram at 50 C

Diagramas muy usados para cristalizacin a partir de disolucin. Propiedades

generales de procesos de mezcla y escisin.
a: solubilidad de KNO3 en agua; c: solubilidad de NaNO3 en agua; b: drying up point
Regin a-b-KNO3: mezclas de KNO3 puro y disolucin (ver rectas de reparto)
Regin c-b-NaNO3: mezclas de NaNO3 puro y disolucin (ver recta de reparto)
Regin a-b-c-H2O: disoluciones subsaturadas de ambas sales en agua
Regin KNO3-b-NaNO3: ambas sales en equilibrio con disolucin de composicin b
 Equilibrium data for System
KNO3-NaNO3-H2O.
b. Right triangular diagram at
50 C

Eliminacin de agua de F seguir la lnea de dilucin H2O-F.

La evaporacin hasta G produce cristales de KNO3 puro y disolucin saturada H
La evaporacin hasta la lnea KNO3-b produce cristales de KNO3 puro y disolucin de
composicin b.
La evaporacin hasta ms all de la lnea KNO3-b produce mezcla de ambos
cristales en equilibrio con disolucin de composicin b.
En la regin b-c-NaNO3 el comportamiento es similar, producindose cristales de
NaNO3 puro al evaporar agua
 Equilibrium data for System
KNO3-NaNO3-H2O.
c. Data at 25 C and 100 C

Al disminuir T disminuye la solubilidad de ambas sales y de sus mezclas en agua

La sobresaturacin puede conseguirse mediante enfriamiento. Tambin por
evaporacin y por salting.out
La variacin de la solubilidad con la temperatura se usa para el fraccionamiento de las
dos sales, usando ciclos de temperatura.
Sistemas Ternarios con Formacin de Sales Dobles e Hidratos

Three-dimensional plot for equilibrium for the system Na2SO4-MgSO4-H2O (Fitch, 1970)
Sistemas Ternarios con Formacin de Sales Dobles e Hidratos

Projections for system Na2SO4-MgSO4-water (Fitch 1970. Ind. Eng. Chem., 62, (12), 6 (1970).
a. 50 C isotherm. b. 20 C, 10 C and 0 C isotherms

Fases slidas a 50 C: MgSO46H2O; Na2SO4MgSO44H2O (astrakanite); Na2SO4

Fases slidas a 20 C: MgSO47H2O; Na2SO4MgSO44H2O (astrakanite); Na2SO410H2O
Fases slidas a 10 C: MgSO47H2O; Na2SO410H2O
 CRISTALIZACIN FRACCIONAL

Batch fractional crystallization for ternary

systems without double salts or solid solution.
a. Schematic of basic process.

Se parte de disolucin de composicin b(T!) a T1. El objetivo es obtener las dos sales por
separado. Se realiza una cristalizacin fraccional cambiando T en alguna parte del ciclo.
Obtencin de una sal a una temperatura: Se aade agua hasta punto a. Al cambiar la
temperatura hasta T2 se producen cristales del hidrato en equilibrio con disolucin de
composicin b(T2). Se separan los cristales.
Obtencin de la otra sal a otra temperatura: Se evapora agua de la disolucin b(T2) hasta
punto c. Al cambiar la temperatura hasta T1 se producen cristales de la sal B pura en
equilibrio con disolucin de composicin b(T1). Se separan los cristales y se reanuda el ciclo.
 Batch fractional crystallization for ternary
systems without double salts or solid solution.
b. Application to system KNO3-NaNO3-water

El esquema general anterior es bsicamente el mismo que se emplea para fraccionar

NaNO3 y KNO3.
Se parte de disolucin b(100 C), se aade agua hasta alcanzar el punto a, se enfra hasta
25 C y se recoge la primera cosecha de cristales (en este caso KNO3).
Se evapora agua de la disolucin b(25 C) hasta punto c, se calienta la mezcla hasta 100
C y se separa una cosecha de cristales de NaNO3 en equilibrio con disolucin b(100 C).
El proceso puede hacerse continuo aadiendo alimentacin F a b(100 C) o a b(25 C).
 Cycle for fractional crystallization of KCl and
NaCl without evaporation or dilution.

Los esquemas anteriores utilizan las composiciones eutcticas [b(T1) y b(T2)] en el ciclo.
Con ello se consigue maximizar los rendimientos.
Sin embargo, hay veces que econmicamente es mejor prescindir del paso por alguna de
esas composiciones eutcticas. As sucede en el ejemplo que se recoge en la figura, donde,
en ningn momento del ciclo se aade o se evapora agua.
Se parte de disolucin b(2) que se enfra hasta 20 C, separndose as una fraccin de
cristales de KCl en equilibrio con disolucin de composicin a.
La disolucin a se mezcla con la alimentacin F hasta obtener el punto de composiscin c.
Se calienta entonces hasta 80 C y se separa una cosecha de cristales de NaCl en equilibrio
con disolucin b(2). Se reanuda el ciclo.
Process flowsheet for fractionation for Na2SO4 and MgSO4 (Fitch 1970)
 CINTICA DE NUCLEACIN

ETAPAS EN CRISTALIZACIN
1. Sobresaturar 2. Formar ncleos 3. Crecimiento

TIPOS NUCLEACIN
PRIMARIA SECUNDARIA
No cristales en el medio Inducida por la presencia de cristales en el
medio.

1. Homognea Es siempre heterognea

Se produce en el medio lquido, en ausencia
de cristales y de cualquier otra partcula.

2. Heterognea
Se produce sobre las partculas de polvo o las
paredes del recipiente
Nucleacin primaria homognea:
Ocurre en ausencia de una interfase slida. Los tomos o molculas se
combinan en una serie de reacciones para producir agregados ordenados o
embriones. Algunos de ellos superan un tamao crtico, convirtindose en
NCLEOS; el resto se redisuelven.
Crecimiento de clusters hasta
superar tamao crtico
Atomos Agregacin Clusters Clusters estables
Molculas o Crecimiento
In (c ) Embriones Redisolucin NCLEOS

Hay que vencer una barrera energtica para formar los ncleos. Por ello, se
postula una ecuacin tipo Arrhenius para expresar la velocidad de nucleacin:

B0: velocidad de formacin de ncleos

0 dN G
B homog = = Aexp B0 [=] n ncleos formados/tiempovolumen
dt nucleo kT
N: n de ncleos (sern cristales)/volumen
G: cambio de energa libre del sistema
A: factor preexponencial (del orden de 1025)
166 3
VM2
B 0 = Aexp 3 3 2
k: constante de Boltzmann = 1,3805 10-23 J/K
3k T (lnS) VM: volumen molar del cristal ; S: sobresaturacin
: energa superficial slido-lquido
 Hay un valor de S crtico para el cual G cambia de valores + a -, momento
en el que se produce nucleacin espontnea. Una vez lograda la sobresaturacin
crtica B0 aumenta muy rpidamente. Hace falta, por tanto, un valor alto de S para
que haya nucleacin homognea.

Cuando S<1, G(r) es siempre positivo, no se forma

una nueva fase espontneamente.
Cuando S>1, G(r) tiene un mximo positivo a un
cierto radio crtico r* La altura de este mximo es la
energa de activacin necesaria para la nucleacin.
Los embriones mayores que el tamao crtico
disminuirn su energa libre debido al crecimiento,
dando lugar a ncleos estables que crecen para formar
partculas macroscpicas.

RESUMEN: La velocidad de nucleacin primaria es altamente no lineal con

la sobresaturacin de la disolucin, siendo cercana a cero para bajos
valores de S (regin metaestable) y aumentando rpidamente cuando se
alcanza la sobresaturacin crtica (regin inestable). Por tanto, se espera un
dominio de la nucleacin primaria a elevadas sobresaturaciones.
Nucleacin secundaria:
Ocurre por varios posibles mecanismos:
En procesos con siembra de cristales: polvo del cristal que se suelta y hace de
ncleos (nucleacin aparente).
En cristalizacin muy rpida se generan agujas o dendritas en los cristales en
crecimiento, que se sueltan o rompen con facilidad y sirven como ncleos.
Nucleacin de contacto: Los cristales en crecimiento entran en contacto entre s,
con las paredes del recipiente o con el agitador. Se producen as pequeas partculas
por roturas, que sirven como ncleos.
Numerosas cristalizaciones dan lugar a aglomerados de cristales que se pueden
separar con facilidad generando ncleos.
La nucleacin secundaria depende tambin de la sobresaturacin: los ncleos
solo crecen si superan un tamao crtico.
Ecuaciones para el diseo:
(c)MAX: sobresaturacin mxima ; i: orden de nucleacin
B 0 = k N c iMAX
2 < i < 9 : nucleacin primaria heterognea (disoluciones acuosas)
Ec. vlida para nucleacin 0 < i < 3 : nucleacin secundaria
secundaria y primaria
heterognea

A veces es difcil medir la sobresaturacin. Por ello, la velocidad de nucleacin

se expresa en trminos de la velocidad lineal de crecimiento cristalino G,
definida como: G = dL/dt
 dN dN dL N: n ncleos / volumen
B0 = = = n 0G
dt L =0 dL L =0 dt n0: densidad de poblacin de ncleos

Generalmente Gsobresaturacin: G = kGc

B0 = kGi ; n0 = kGi-1
Por otra parte B0 = kN ci
Ecuaciones para correlacionar datos
Una expresin mejor para la velocidad de nucleacin considera tambin la
densidad del magma MT:
B0 = k(T, hidrodinmica, impurezas) Gi MTj
 CRECIMIENTO CRISTALINO

Formas cristalinas

CUBICO HEXAGONAL

TETRAGONAL TRIGONAL ORTORRMBICO

MONOCLNICO TRICLNICO
 LOS 7 SISTEMAS CRISTALINOS
CUBICO:
CUBICO Tres ejes de igual longitud y perpendiculares unos de otros. Se
a=b=c llama tambin sistema isomtrico o regular.
= = y = 90 Cloruro de sodio, cloruro de potasio, clorato sdico, aluminios,
diamante.

a=bc TETRAGONAL:
TETRAGONAL Tres ejes que intersectan en ngulos rectos. Dos de los
= = y = 90 ejes son de igual longitud. La forma ms simple es un prisma.
Calcopirita, pirolusita, casiterita, uraninita.

a=b=c HEXAGONAL:
HEXAGONAL Cuatro ejes, tres de los cuales son de igual longitud y
= = y = 90 estn en el mismo plano. Un cristal hexagonal es la forma ms simple.
Apatito, grafito, mercurio, esmeralda, vanadinita, zincita,
z = 120 molibdenita.

TRIGONAL:
TRIGONAL Se llama tambin rombodrico y se define como una
subdivisin del sistema hexagonal. Si no se realiza un examen
a=b=c cuidadoso no siempre resulta clara la distincin entre ambos.

= = y 90 Antimonio, arsnico, bismuto, calcita, chabazita, dolomita,

hematite, magnesita, cuarzo, rub, zafiro.
 LOS 7 SISTEMAS CRISTALINOS

RMBICO:
MBICO Tres ejes perpendiculares entre si, cada uno de
abc diferente longitud. Mximo planos de simetra 3.
= = y = 90
Alexandrita, anhidrita, aragonita, barita, celestina,
olivino, azufre, topacio.

abc MONOCL
MONOCLNICO:
NICO Tres ejes de diferente longitud, dos de ellos
perpendiculares entre s y el tercero inclinado. Mximo
= = 90 y planos de simetra 1.

Azurita, yeso, malaquita, tiosulfato sdico, azcar.

abc TRICL
TRICLNICO:
NICO Tres ejes de distinta longitud y ninguno
perpendicular entre ellos. Por ello, Maximo planos de
y simetra igual a 0.

Albita, amazonita, labradorita, sulfato de cobre.

 HBITO CRISTALINO
Cada sustancia tiene una nica forma cristalina correspondiente a alguno de los 7 sistemas
cristalogrficos. El aspecto nico de un compuesto es que los ngulos entre caras adyacentes son
constantes. Los ngulos no cambian (son caractersticos de cada sustancia), lo que puede
cambiar es el tamao de las caras.
Con ngulos constantes y caras de diferente tamao la forma de un cristal puede variar
mucho: HBITOS DIFERENTES

En la figura se muestran 3 modificaciones del hbito de un cristal perteneciente al sistema

hexagonal.

Hbito cristalino en un cristal hexagonal

La modificacin del hbito depende de numerosos factores ligados a las condiciones en las
que tiene lugar el crecimiento del cristal: sobresaturacin -enfriamiento brusco, siembra, -,
agitacin, presencia de impurezas, tipo de disolvente, etc.
 HBITO CRISTALINO

Hbitos cristalinos frecuentes en cristales de sulfato

potsico crecidos a partir de disolucin acuosa
 IMPERFECCIONES EN EL CRECIMIENTO
Dendritas: Se producen por una rpida cristalizacin a partir de disoluciones
sobresaturadas o de fundidos sobreenfriados o de vapores.

Crecimiento dendrtico

Cristales compuestos (agregados)

Crecimiento paralelo

Crecimiento paralelo sobre un cristal de sulfato de

potasio y aluminio (K2SO4Al2(SO4)324H2O

Maclas

Intercrecimiento simtrico de 2 Interpenetracin parcial (cuarzo)

cubos (fluorespato)
 CRECIMIENTO CRISTALINO
Para cumplir la ley de Hay los sucesivos desplazamientos de las caras al crecer han de ser
paralelos entre s. Ello implica un desarrollo diferente de las caras individuales, e.g., la
velocidad de crecimiento G es diferente para cada cara.

La Figura (a) muestra el caso ideal de un cristal que mantiene su geometra original mientras
crece (cristal invariante). Las 3 caras A crecen a igual G, lo mismo sucede con las 2 caras B,
aunque su velocidad de crecimiento es mayor, y la cara C es la que crece ms rpido.

En la prctica, un cristal no siempre mantiene su geometra similar durante su crecimiento.

Por ejemplo, en la figura (b) se observa la progresiva desaparicin de las caras menores (B),
que son las que crecen ms rpido que las A.
(a) (b)

Velocidades de crecimiento de las caras de los cristales: (a) cristal invariante; (b) solapante.
 CRECIMIENTO CRISTALINO
Los cristales crecen en el seno de una disolucin sobresaturada a travs de dos
etapas en serie: 1) difusin en la fase lquida de las unidades de soluto hasta
alcanzar la superficie del cristal (teora de difusin o de TM) + 2) integracin del
soluto y organizacin dentro de la red (teora de adsorcin o reaccin)

c, ck, ceq: concentraciones de soluto en disolucin:

global (sobresaturada), en la superficie de contacto
(desconocida) y en el equilibrio (saturada).
c
ck La etapa de reaccin no es infinitamente rpida y
requiere una FI igual a (ck-ceq) -sobresaturacin real-.
Por ello, la FI para la difusin externa se reduce
ceq desde un valor de la sobresaturacin aparente (c-ceq)
hasta un valor (c-ck).

Difusin
Integracin Capa de dm
= k d A c (c c k )
superficie difusin dt
(capa adsorbida)
Integracin superficie
Teora de difusin-reaccin dm
= k i A c ( c k c eq ) i
dt
 Si i = 1 (orden de reaccin superficial igual a 1)

dm Ac (c ceq )
= = K G Ac (c ceq ) m: masa de soluto transferida = masa de slido depositado
dt 1 1
+
kd ki

Para cristales donde sus caras crecen a la misma velocidad: m = kvL3s ; Ac = kAL2
Sustituyendo: dL kA (c c eq )
=
dt 3 s kV 1 + 1
kd ki
Simplificando: dL
G = k (c c eq ) = kc
dt

Si la sobresaturacin c es constante: L = G t Ley (L) de Mc Cabe

Si todos los cristales del magma, similares geomtricamente y del mismo

material, crecen en las mismas condiciones ambientales (idntica T y campo
de sobresaturacin uniforme) entonces todos ellos no slo sern invariantes
sino que tambin crecen a la misma velocidad lineal, independientemente
de su tamao
 La ley de Mc Cabe es una importante simplificacin que conlleva
numerosas suposiciones: orden de reaccin superficial igual a 1, crecimiento de
todas las caras a igual velocidad, coeficientes constantes y sobresaturacin
constante en todas las partes del cristalizador. A pesar de ello, tal vez por
cancelacin de errores, es suficientemente precisa para muchos procesos
industriales.
En ocasiones se observa que cristales del mismo tamao bajo idnticas
condiciones aparentes crecen a distinta G (fenmeno conocido como growth rate
dispersion). En estas circunstancias, y tambin en otros casos donde no se ajusta
la ley (L), se proponen en la bibliografa ecuaciones para crecimiento
dependiente del tamao: G = f(L)

Si i 1 (orden de reaccin superficial distinto de 1)

Ecuacin emprica para correlacin de datos
dm
= K G A c (c c eq ) n n: orden global de crecimiento
dt
1,5 < n < 2 para muchas sales inorgnicas