INTRODUCTORIO

Micro y Nanosistemas
5.1. MICRO Y NANOSISTEMAS

Introduccin

Esta rea del conocimiento se dedica a investigar y desarrollar micro y nanosistemas que
trabajan dentro de los campos de la energa, los alimentos, la biomedicina, la ptica, el reci-
clado de basura, los sensores y los detectores. Segn el enfoque que se tome de los nanosis-
temas nos podemos referir a sistemas integrados por nanomateriales funcionalizados, mejo-
rados y adaptados a sus aplicaciones visin de abajo hacia arriba (Bottom-up) o mirando los
nanosistemas desde el dispositivo, sistemas nano electromecnicos (Top-down). Actualmente
se trabaja en la integracin de estas dos reas, con el objetivo de lograr un desarrollo colabo-
rativo que permita potenciar la nanoescala.

Nanosistemas

Estos nanosistemas estn actualmente en auge y se ocupan de transportar y liberar frma-

cos o agentes teraputicos de manera controlada, facilitando la administracin de medica-
mentos y su asimilacin, logrando mejorar su selectividad y eficacia, buscando reducir las
dosis y bajar su toxicidad. Dentro de esta rea se potencia el desarrollo de nanosistemas
efectivos para enfermedades de difcil curacin y de elevada incidencia, como lo son, cncer,
enfermedades neurodegenerativas y cardiovasculares.

Figura 5.1.1.: Nanosistema para medicina

El nanosistema de la Figura 33 incluye adems de un frmaco, un agente fotosensible, un

agente magntico y agentes de contraste para permitir tanto la orientacin selectiva como el
diagnstico y la monitorizacin de la terapia. http://www.anales.ranf.com/ojs/2011/04/09.htm
Sistemas Micro/Nanoelectromecnicos (Micro/Nanoelectromechanical Systems, MEMS /
NEMS).

Los sistemas Micro/Nano electromecnicos (MEMS NEMS por sus siglas en ingls) se forman
de la integracin de elementos mecnicos, sensores, actuadores y electrnica en un sustrato
comn. En tanto los componentes electrnicos se fabrican utilizando la tecnologa de circuitos
integrados (IC), por ejemplo, CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), Bipolares o
BICMOS, los componentes micro/nano mecnicos son fabricados usando procesos de
micromecanizado compatibles, que tallan selectivamente distintas partes del sustrato o
agregan nuevas capas estructurales para formar los dispositivos mecnicos y elec-
tromecnicos. Los NEMS prometen revolucionar todas las ramas de la produccin, reuniendo
la nanoelectrnica basada en silicio con la tecnologa micro/nano mecanizado posibilitando la
realizacin de sistemas completos e integrados.

Los sistemas Nano electromecnicos estn avanzando y se suman al uso cotidiano integrn-
dose a gran variedad de productos, tambin cabe destacar que la oferta de esta tecnologa
aumenta y permite la creacin de nuevas categoras y subproductos. Este impulso ha sido dado
a travs de la miniaturizacin, la fabricacin por lotes, y la integracin con la electrnica, esta
tecnologa permitir el desarrollo de productos inteligentes, proporcionando la interfaz nec-
esaria entre la potencia computacional disponible y el mundo fsico a travs de las capacidades
de percepcin y control de dispositivos micro/nano (por ejemplo, sensores y actuadores).
Los dispositivos y sistemas micro/nano electromecnicos son inherentemente ms pequeos,
livianos y rpidos que sus contrapartes macroscpicas, y en muchos casos, tambin son ms
precisos. Estos dispositivos se estn convirtiendo en un diferenciador de productos en numer-
osos mercados. Se espera que la tecnologa NEMS tenga grandes oportunidades en el futuro,
debido a las ventajas del tamao, bajo costo, alta funcionalidad y bajo peso. Esta rama de la
nanotecnologa permite incrementar la funcionalidad de equipos debido a sus ventajas com-
parativas, tamao reducido, bajo peso, bajo consumo, fabricacin por lote.

Los sistemas nano electromecnicos (NEMS) permiten explorar el campo mecnico en la

escala nanomtrica. En este rgimen de tamao, es posible alcanzar frecuencias fundamen-
tales extremadamente altas, preservando al mismo tiempo alta capacidad de respuesta
mecnica. Esta combinacin de atributos se traduce directamente en una alta sensibilidad de
la fuerza, la operatividad en bajo consumo de energa, lo que lleva a beneficios potenciales de
una amplia gama de campos de la medicina a la biotecnologa.

Uno de los dispositivos nanotecnolgicos que ms ha avanzado en los ltimos aos son los
nanopticos (NOEMS Nano Optics Mechanical Systems). Estos dispositivos se han convertido
cada vez ms importante en el desarrollo redes, telecomunicaciones y sistemas pticos. Las
aplicaciones potenciales incluyen nanosistemas de almacenamiento ptico de datos, sensores
pticos, pantallas y sistemas de proyeccin, Tambin se suman a los dispositivos antes men-
cionados espejo de torsin, dispositivos de micro/nano espejos, escneres, lseres, obtura-
dores pticos, interruptores y reflectores de cubos nanomaquinados (Nano Corner Cube
Reflectors).

Resolver cuestionario 5.1

5.2: MICRO Y NANOSISTEMAS: Proceso de diseo, clculo y fabricacin. Mod-
elado virtual. Procesos de fabricacin en nanotecnologa, reas de manufactura
(salas limpias).

Los diferentes procesos realizados para obtener micro y nanodispositivos se llevan adelante a
travs de software de clculo y simulacin que entregan aproximaciones numricas utilizando
maquetas virtuales. Estas herramientas permiten realizar clculo numrico sobre modelos
llamados multifsica que pueden entregar soluciones a varios fenmenos fsicos en el mismo
modelo. Tambin existen herramientas computacionales capaces de proponer resultados
sobre procesos de micro/nanofabricacin a travs de las misma se obtienen maquetas elec-
trnicas de los dispositivos diseados.

Luego de realizado el proceso de diseo y simulacin del nanodispositivo la manufactura de los

mismos se lleva a cabo en salas limpias (llamadas en ingls clean room).

Software de Clculo y Simulacin.

Simuladores de Procesos de Fabricacin

Aces (software libre): Este software realiza la simulacin de los procesos de comido qumico
en inmersin en lquido (wet-etch), posee la capacidad de trabajar con varias mscaras a la vez
superponiendo pasos de fabricacin, se pueden definir diferentes sustratos y sus respectivas
orientaciones cristalogrficas segn los ndices de Miller. Los algoritmos de clculo utilizados
son el mtodo cintico de Montecarlo (KMC) y el mtodo de Autmata Celular (CA). Este pro-
grama computacional permite un mejor entendimiento de los procesos de grabado aplicados
en microsistemas, se obtienen aproximaciones numricas y semi-empricas de los procesos de
fabricacin realizados para construir el modelo virtual.

Coventorware 2008-2010: La herramienta Designer permite modelar microsistemas desde

el proceso de fabricacin, simulando cada paso como si se realizara en una sala limpia de con-
struccin de microsistemas, tambin permite disear la mscara ptica que se utilizar junto
con el proceso de fabricacin para construir un modelo virtual del microdispositivo. Adems
posee una amplia biblioteca con los procesos estndar utilizados por las fbricas de microfab-
ricacin ms renombradas, de esta forma permite disear un dispositivo siguiendo las reglas
de produccin de las mencionadas fbricas (foundries en ingls), posibilitando si se deseara la
produccin masiva del diseo.

Simuladores de Clculo numrico

Gmsh Mesh Generator: Este es un programa que permite generar volmenes mallados para
utilizar en software de clculo por elementos finitos a partir de modelos virtuales obtenidos de
programas de diseo (CAD), adems permite realizar el posprocesado de los datos calculados
con software de elementos finitos (software libre). La malla es el conjunto de nodos en los que
se divide un slido, adems se contempla la relacin con los nodos vecinos.
http://geuz.org/gmsh/
Simion 8: Este paquete de clculo se utiliza para modelar la trayectoria de partculas cargadas
que se mueven en campos elctricos o magnticos, permite cargarle a las partculas condi-
ciones iniciales. El software se aplica al diseo de equipos de espectrmetro de masas, movili-
dad inica y lentes electrostticas y magnticas para sistemas pticos.

LTspice: es un simulador de circuitos electrnicos que permite armar en forma fcil y sencilla
a travs de los componentes discretos un circuito como si se tratara de plaqueta de pruebas
(protoboard), luego se realiza el modelado de las seales obtenidas del dispositivo (software
libre). http://www.linear.com/designtools/software/

Klayout: programa libre utilizado para visualizacin de mscaras pticas en formatos gds,
gds2, dxf, OASIS, CIF, Gerber PCB. http://www.klayout.de/

Comsol Multiphisics, simulacin de modelos multifsica: este programa permite modelar en

forma rpida dispositivos que incluyen varios fenmenos fsicos al mismo tiempo o interrela-
cionados, posee una interfase que admite diseos CAD, utiliza un mayador automtico propio,
una extensa biblioteca de materiales, adems cuenta con infinidad de tutoriales que estn
incluidos en el paquete de software sobre los que se puede trabajar adaptndolo a las necesi-
dades del usuario. Adems permite utilizar el software como un programa de clculo de ecua-
ciones diferenciales, de esta forma el usuario puede agregar y relacionar estas ecuaciones con
fenmenos diversos fsicos.

Elmer Multiphisics CSC: Esta es una herramienta de simulacin de ecuaciones diferenciales

parciales que incluye modelos de fluido dinmica, mecnica estructural electrosttica calor y
acstica que a su vez son calculados por el mtodo de elementos finitos (software libre).
http://www.csc.fi/english

Figura 5.2.1: Simulacin numrica realizada con el software

Elmer multiphisics (software libre) a travs del mtodo de los
elementos finitos sobre un actuador trmico.
Coventorware 2008/2010: la herramienta Analizer realiza clculo numrico de modelos mul-
tifsica, el programa cuenta con gran nmero de tutoriales de ejemplos resueltos y manuales
descriptivos para resolver las problemticas presentadas.

rea de fabricacin en micro y nanotecnologa (salas limpias).

Los dispositivos en nanotecnologa se construyen dentro de reas llamadas salas limpias

(clean room en ingls), estos son espacios fsicos en los cual la concentracin de partculas en
el aire es medida y controlada, dentro de ella se pueden tener habitaciones con distinta calidad
de aire. Tambin se controlan otros parmetros como temperatura, humedad y presin, bajo
norma ISO 14644-1, adems existen otras normas como la BS 5295, britnica o la americana,
Federal Standard 209. La sala limpia es la herramienta mas importante en la fabricacin de
microsistemas, es un espacio fsico donde se encuentran los equipos de micro y nanofabri-
cacin, normalmente constan de una rea de fotolitografa, una rea de deposicin de pelculas
delgadas, una rea de ataque qumico y una rea de limpieza de sustratos, adems consta de
los servicios necesarios como, agua desionizada, lineas de nitrgeno, de vaco y los gases utili-
zados por los diferentes equipos. Tambin suele contar con reas de microscopa y de carac-
terizacin de componentes.

Figura 5.2.2: En estas imgenes vemos una sala limpia, all se aprecian los lugares de
trabajo, los operarios estn ataviados con la vestimenta adecuada para proteger al aire
de la sala de las partculas de polvo, a la izquierda la zona de fotolitografa y a la derecha
la zona de fabricacin.
Actualmente existe la posibilidad de realizar el diseo y simulacin del nanodispositivo y envi-
arlo para su construir a nanofbricas situadas en el exterior y luego de realizados son enviados
por va postal. En este caso los diseos fsicos deben adaptarse a los procesos de fabricacin
establecidos por la fbrica, los usuarios de este servicio de fabricacin envan va web los archi-
vos CAD donde detallan la geometra deseada, existen una gran cantidad de ofertas de procesos
de fabricacin aqu se detallan las empresas mas conocidas:

Memscap: http://www.memscap.com/
TowerJazz: http://www.jazzsemi.com/
IMTMEMS: http://www.imtmems.com/
MOSIS: http://www.mosis.com/

Otro detalle importante es el aire ambiental de la sala limpia, este es filtrado y controlado me-
ticulosamente, la cantidad de partculas y su tamao reciben rigurosas verificaciones, a fin de
cumplir las normas vigentes, el objetivo a lograr es evitar que los dispositivos fabricados sean
daados por las partculas de polvo presentes en el aire. Los operarios reciben vestimenta ade-
cuada para evitar que el polvo que despiden entre en contacto con el aire del laboratorio.

En este link se puede apreciar cual es el proceso de preparacin para ingresar a la sala limpia.
https://www.youtube.com/watch?v=ggG_smKxEBI

Figura 5.2.3: El laboratorio Microlab es una rea limpia de medicin y caracterizacin

construida en el campus Miguelete de la UNSAM .
(http://www.unsam.edu.ar/escuelas/ciencia/microlab/galeria.htm)
Tcnica de Fotolitografa

Este proceso de fabricacin logra transferir un patrn, diseado en una mscara ptica, sobre
un sustrato, que puede tener una capa superficial de unos cientos de nanmetros de metal,
xido o nitruro, aplicado por procesos de deposicin, PVD (Physical Vapor Deposition) o CVD
(Chemical Vapor Deposition). Luego se realizan procesos de limpieza superficial al sustrato
para eliminar cualquier resto de suciedad o humedad; a continuacin se aplica una capa de
resinas fotosensibles, el equipo utilizado recibe el nombre de spinner, esta mquina aplica la
resina sobre el sustrato y al mismo tiempo se aplica un giro (aproximadamente 2000 rpm). La
altura de la capa depende de la resina y de las revoluciones por minuto que se apliquen con el
spinner, luego se somete a la oblea a un recocido trmico durante algunos minutos, despus
se coloca la oblea en el alineador de mscaras, previamente se coloc una mscara ptica con
el patrn que se desea transferir, esta mscara est realizada en vidrio y el patrn en cromo.
Luego se coloca la mscara sobre la oblea y se irradia con luz ultra violeta. La posicin y distan-
cia entre la oblea y la mscara caracterizan el proceso de fotolitografa.

La mscara posee zonas opacas y zonas transparentes, al hacer pasar la luz a travs de la
mscara las zonas trasparentes logran que la resina fotosensible sea irradiada cortando las
cadena de la resina, para el caso de que la resina sea positiva, de ser negativa, su composicin
es distinta y la luz ultravioleta logra polimerizacin logrando su cohesin en los lugares donde
incide la luz UV. Despus se vuelve a calentar la oblea para mejorar la estabilidad de la resina,
posteriormente se coloca la oblea en un recipiente donde se la sumerge en un revelador, gen-
eralmente cido clorhdrico o cido ntrico, luego de este proceso se aprecia visualmente el
patrn de la mscara transferido sobre la oblea, as se completa el proceso de fotolitografa
quedando la oblea lista para el proceso siguiente.

La luz que se utiliza tiene una longitud de onda en la zona ultravioleta (UV) del espectro. Cuanto
ms corta la longitud de onda, mayor la resolucin que se puede alcanzar, por lo que siempre
se han buscado fuentes de luz (lmparas o lseres) con menor longitud de onda. Inicialmente
se utilizaron lmparas de mercurio (Hg), y posteriormente empezaron a utilizarse lmparas del
tipo lser, con longitudes de onda ms cortas. Actualmente se utilizan principalmente los
lseres de KrF (fluoruro de kriptn), con la longitud de onda de 248 nm y ArF, con una longitud
de onda de 193nm, que es lo que se conoce como Ultravioleta profundo (Deep UV o DUV en
ingls).

Aqu adjunto un video explicativo del proceso de fotolitografa filmando en las instalaciones de
la Universidad de Cornel (Cornell Nanoscale Facility).
https://www.youtube.com/watch?v=9x3Lh1ZfggM
Deposicin de capas:

Tcnica de Pulverizacin catdica (Sputtering o PVD): Este proceso de fabricacin es conocido

bajo su nombre en ingls Sputtering o PVD (Physical Vapour Deposition), es una deposicin
fsica en fase vapor, esta tcnica junto con la evaporacin (CVD) son los mas usado para deposi-
tar capas funcionales (metlicas u xidos) sobre sustratos. A diferencia de la evaporacin, en el
proceso de sputtering las capas obtenidas presentan mayor uniformidad, el material deposi-
tado generalmente es menor y permite mejor control sobre el espesor del depsito respecto
del mtodo de evaporacin (CVD).

Figura 5.2.4: Podemos apreciar las operaciones realiza-

das para deponer capas en un equipo de Sputtering (PVD)
que se encuentra en CNEA-CAC.

En este proceso de fabricacin el material slido usado como blanco es arrancado a travs del
bombardeo con iones energticos. Estos iones se obtienen de un plasma, existen gran varie-
dad de tcnicas para modificar las propiedades del plasma, con el objetivo de aumentar su
densidad y as mejorar las condiciones de volatilizacin. Entre estas variantes se puede nom-
brar, el uso de corrientes alternas de radio frecuencia, uso de campos magnticos y la apli-
cacin de un potencial de volatilizacin. Este proceso es causado por el intercambio de
momento entre los iones y los tomos del material debido a las colisiones entre ambos. El
material vaporizado se deposita sobre la oblea en capas muy delgadas, los tomos no estn
en equilibrio termodinmico, por esto tienden a condensarse y volver a su estado slido al
impactar con cualquier superficie. Los factores que ms influyen en este proceso de fabri-
cacin son, la energa, la masa de los iones incidentes, los tomos usados como blanco y la
energa de enlace del slido.
 Figura 5.2.5: Este diagrama describe la tcnica PVD, primero se genera un
plasma a partir de molculas de argn las cuales bombardean un material
de aporte, este sale despedido y se deposita sobre el substrato generando
una capa delgada. Esta tcnica posibilita buen control del espesor de la
capa depositada.

Aqu tenemos un link donde se puede apreciar el armado del equipo y su funcionamiento.
https://www.youtube.com/watch?v=Ukvs6Rct4w8

Deposicin de Qumica de Vapor CVD: Esta tcnica denominada CVD (de sus siglas en ingls
Chemical Vapor Deposition) es un proceso fsico-qumico para depositar capas delgadas de
diversos materiales. En un proceso tpico de CVD el sustrato es expuesto a uno o ms precur-
sores en fase gaseosa, que se ionizan dando lugar a la formacin del plasma sobre la superfi-
cie del sustrato originando las reacciones qumicas necesarias para producir el depsito
deseado. Los elementos no intervinientes en la formacin del recubrimiento son eliminados
por el sistema de bombeo.

Tcnicas de deposicin de capas gruesas:

Electrodeposicin: Una de las tcnicas utilizadas para fabricar capas metlicas de espesores
del orden de micrmetro o superior es la electrodeposicin (tambin llamado electroplateado).

Figura 5.2.6.: En la imagen se ve una cuba de electrodeposicin, el material depuesto es

cobre, esta tcnica es utilizada para depositar capas metlicas micromtricas o superiores.
Tcnica de fresado:

Ataque qumico: Comido por inmersin en un lquido de ataque (wet-etch): este proceso con-
siste en la eliminacin selectiva de material, se coloca el sustrato dentro de un recipiente junto
con un lquido capaz de disolverlo; algunas reas del mismo son protegidas por una mscara
(que ha sido transferida al sustrato), otras se presentan aptas para ser atacadas, se debe elegir
cuidadosamente el material usado como mscara para lograr una alta tasa de ataque entre la
mscara y el sustrato a ser atacado. Ciertos materiales presentan diferente velocidad de
ataque segn su orientacin cristalogrfica, como es el caso del silicio monocristalino.
Esto se conoce como grabado anistropo y uno de los ejemplos ms comunes es el grabado del
silicio en KOH (hidrxido de potasio), donde los planos cristalinos 111 del Silicio se graban
aproximadamente 100 veces ms lento que otros planos (orientaciones cristalogrficas). Por lo
tanto, grabando un agujero rectangular en un plano 100 una oblea de silicio resulta en un
grabado de ranuras en forma de pirmide con paredes en ngulo de 54,7, en lugar de un agu-
jero con paredes curvas como ser el caso de un comido anistropo en el que las velocidades
de ataque son iguales en todas las direcciones.

Grabado por plasma (Dry etch): en este caso el comido se realiza en un plasma, donde se
forman iones, los cuales bombardean toda la superficie del sustrato, el que es protegido por
una mscara. Uno de los ejemplos que se puede citar es el ataque por iones reactivos RIE
(Reactive Ion Etching en ingls) el sustrato se coloca dentro de un reactor en el que se introdu-
cen varios gases. La fuente de radio frecuencia pulsada (RF) genera los iones a partir de gas en
es reactor. Los iones son acelerados y interactan con la superficie del material formando
otros gases, parte qumica del proceso de RIE, este proceso tiene adems una parte fsica simi-
lar al proceso de Sputtering, si los iones poseen muy alta energa pueden impactar fuera del
material a ser grabado sin reaccionar qumicamente, este proceso se basa en equilibrar el
grabado qumico y fsico, modificando este equilibrio se puede lograr procesos ms isotrpicos
(parte qumica) o ms anisotrpicos (parte fsica), con esta combinacin se pueden lograr pare-
des verticales rectas o curvas.

Figura 5.2.7: Esquema de funcionamiento del equipo en el cual se genera un plasma desde el gas de aporte y una
fuente de radio frecuencia (RF) acelera los iones del plasma hasta el sustrato, logrando el grabado del mismo.
DRIE (RIE profundo) es una subclase del anterior: En este proceso, las profundidades de
grabado son de cientos de micrmetros y se alcanzan con paredes casi verticales. La
tecnologa ms conocida se llama proceso Bosch, donde la combinacin de gases diferentes se
alterna en el reactor. Actualmente hay dos variaciones de la DRIE. La primera modificacin
consiste en tres pasos (herramienta UNAXIS), mientras que la segunda variacin tiene dos
pasos (ASE utilizado en la herramienta de STB). En la primera variante el ciclo de procesado
comienza con un grabado isotrpico con SF6, luego se utiliza C4 F8 como pasivante y final-
mente SF6 ataque anisotrpico para limpieza de la superficie. La segunda modificacin com-
bina los pasos 1) y 3). En ambos casos el C4 F8 crea un polmero sobre la superficie del sustrato
y el (SF6 y O2) graba el sustrato. El polmero se utiliza para detener el ataque anisotrpico
sobre las paredes verticales. Como resultado de ello, el grabado se alcanzar relaciones de
aspecto de 50 a 1. El proceso puede ser utilizado fcilmente para grabar completamente a
travs de un sustrato de silicio, y las tasas de grabado son 3 - 4 veces ms altas que el grabado
lquido de inmersin.

Figura 5.2.8: En esta imagen se esquematiza en detalle como se produce el ataque con iones
liberados del plasma permitiendo grabar la superficie del sustrato no protegidas por la ms-
cara que fuera transferida sobre el sustrato.

Equipo de maquinado y deposicin de capas, FIB (Focousing Ion Bean).

Este equipamiento trabaja con un haz de iones de alta energa focalizados (aprox. 5 manmet-
ros) esto produce un comido de las muestras que puede ser usado para realizar diseos geo-
mtricos tambin permite realizar deposicin de capas por el mtodo de PVD (pulverizacin
andica).

Figura 5.2.9: A la izquierda una foto del FIB instalado en la sede del INTI en San Martn y a la
derecha vemos el smbolo de la institucin fabricado en platino por el mismo equipo.
Implantador de iones: La implantacin inica consiste en bombardear iones seleccionados en
una cmara de vaco (<10-4 mbar) sobre la superficie de un material, con una energa situada
entre 50 a 200 KeV. Los iones penetran fuertemente la superficie del material, y a continuacin
se detienen y pierden su energa mediante colisiones y acomodndose en la estructura cris-
talina del sustrato.

El proceso de plasma fro, que se lleva a cabo a baja temperatura (<100 C) en una cmara de
vaco, modifica la estructura del material a una profundidad de una fraccin de un micrn, sin
necesidad de aadir una capa adicional (no se trata de un proceso de revestimiento).

La implantacin de iones es un proceso propio de la ingeniera de materiales por el cual los

iones de un material pueden ser implantados en otro slido, cambiando por tanto las propie-
dades fsicas de ste ltimo. La implantacin de iones es utilizada en la fabricacin de disposi-
tivos semiconductores y en el revestimiento de algunos metales, as como en diversas aplica-
ciones orientadas a la investigacin en ciencia de materiales. Los iones provocan, por una parte
cambios qumicos en el objetivo, ya que pueden ser de un elemento distinto al que lo compone,
y por otra un cambio estructural, puesto que la estructura cristalina del objetivo puede ser
daada o incluso destruida.

Aqu tenemos un link del proceso de fabricacin de microelectrnica incluyendo implantacin

inica https://www.youtube.com/watch?v=35jWSQXku74

Hornos de difusin

Difusin en estado slido: En la fabricacin acta circuitos integrados uno de los procesos es la
difusin. Era una tcnica muy empleada en los aos 1970 para definir el tipo (N o P) de un semi-
conductor. Hoy en da tambin se usa aunque de forma diferente.

Consiste en la insercin de tomos dopantes dentro del semiconductor debido a la alta tem-
peratura a que ste es sometido. Con ello se consigue un perfil en la concentracin de
dopantes que disminuye proporcionalmente.

El proceso consiste en introducir las obleas de semiconductor en un horno y dejar pasar a

travs de ellas un gas, el cual contiene las impurezas. La temperatura del horno es de 800 a
1200C para el Si (Silicio) y de 600 a 1000C para el Gas (Arseniuro de galio). Las impurezas que
se emplean para dopar Si (Silicio) son, P (Fsforo) y As (Arsnico) para crear semiconductores
tipo N, B (Boro) para semiconductores tipo P.

La difusin en estado slido puede ser clasificada en, concentracin constante en superficie, se
mantiene constante la concentracin de impurezas en la superficie del semiconductor y desde
ah son difundidas al interior, o por concentracin constante total, se deposita la cantidad final
de impurezas en la superficie de la oblea y desde ah se difunden.

Resolver cuestionario 5.2

5.3: APLICACIONES ACTUALES DE LOS NANODISPOSITIVOS. LAB ON CHIP,
DRUG DELIVERY, NANOSENSORES, ACELERMETROS

El uso de este tipo de dispositivos se ha diversificado en los ltimos tiempos, sus principales
aplicaciones son: laboratorios en un chip lab on a chip, sistemas de liberacin controlada de
medicamentos drug delivery y sensores.

Laboratorios en un chip: Estos dispositivos permiten anlisis rpidos con pequeas cantidades
de muestra, combinando fludica, electrnica, mecnica y tcnicas de manufactura. Las
tecnologas lab on a chip desplazan a grandes equipos, muchas veces reemplazan a equipos
multianlisis por nanodispositivos de aplicaciones especficas.

Liberacin controlada de medicamentos: Esta tecnologa utiliza microelectrnica para sumin-

istrar compuestos farmacuticos en el tracto gastrointestinal o la vagina de los seres humanos
y los animales. Ofrece ventajas notables sobre medicina tradicional. En los ltimos aos han
aparecido los primeros sistemas de drug delivery de administracin oral algunos de ellos
incluyen monitoreo del paciente, un ejemplo es la capsula inteligente IntelliCap de la em-
presa Medimetrics. http://medimetrics.com/Electronic-Drug-Delivery

Tambin existen algunos desarrollos como los propuestos por la universidad de Purdue, que
present un parche con microagujas que controla el suministro de medicamentos.
http://www.purdue.edu/newsroom/research/2010/100831ZiaiePatches.html

Figura 5.3.1: Estudiante de doctorado de Purdue Charilaos Mousoulis demuestra

una bomba prototipo de parches de liberacin de frmacos que podran utilizar
las matrices de microagujas para ofrecer una gama ms amplia de medicamentos
que ahora es posible con parches convencionales. (Universidad de Purdue foto /
Birck Centro de Nanotecnologa)

Nanosensores: estos pueden clasificarse segn su campo de aplicacin en, pticos, qumicos,
electroqumicos, sensores de masa, biosensores y aplicaciones electrnicas. Al igual que el
resto de nanotecnologa el campo de los nanosensores tiene carcter transversal y las reas
estancas no existen, cada una de las nanomquinas est conformada por ms de un campo del
conocimiento e implica gran especializacin para resolver los problemas tecnolgicos plantea-
dos.

Refirindonos especficamente a los nanodispositivos estos se denominan, switches pticos,

narices electrnicas, acelermetros, girscopos y filtros.

Resolver cuestionario 5.3

5.4. PERSPECTIVAS FUTURAS

El desafo ms importante con el que se encuentra esta rea del conocimiento es convertir
los desarrollos cientficos de los ltimos aos en productos tecnolgicos que lleguen al
mercado de consumo. De esta forma modifiquen la realidad cotidiana de las personas. La
nanotecnologa futura se presenta desarrollndose en todo el espectro cotidiano como lo
son, las energas, la medicina, los alimentos, los materiales, el transporte, las comunica-
ciones y los sistemas informticos entre otros.

Energa: este punto es sumamente importante en el desarrollo futuro y se apunta a generar,

almacenar y transferir energa en forma ms segura y eficiente. Entre las aplicaciones que
permitiran lograrlo se cuentan el uso masivo de las tecnologas LED, desarrollos actuales
plantean colocar entre dos electrodos pelculas nanomtricas de compuestos orgnicos,
estos dispositivos utilizaran el 10% de la energa que actualmente consumen los sistemas
incandescentes para generar iluminacin. Tambin se trabaja actualmente en mejorar la
eficiencia de las celdas combustibles con la incorporacin de nanotecnologa mediante
catalizadores molecularmente formulados otro de los tpicos en los que tambin se trabaja
es en la acumulacin de energa a travs de materiales nanoporosos.
http://academiadeingenieriademexico.mx/archivos/ingresos/meneses/trabajo_final_dr_me
neses.pdf
Tambin se cuentan entre las futuras aplicaciones del rea de energa al grafeno para fabri-
cacin de celdas fotovoltaicas.
http://www.suelosolar.es/newsolares/newsol.asp?id=7113

Medicina: los sistemas NEMS se aplican cada vez ms en estas rea un ejemplo de esto son
los parches adhesivos electrnicos para el monitoreo de la salud.
https://www.youtube.com/watch?v=dxhoLxRYsRU
Tambin se han presentado patentes de dispositivos mdicos de aplicacin quirrgica, la
propuesta contempla almacenar informacin del paciente y el seguimiento a travs de
sistemas radio frecuencia (RFID).
http://www.google.com.ar/patents/US8753344

Comunicaciones e informtica: Grafeno aplicado a dispositivos, actualmente se trabaja en a

este material a sensores, bateras, materiales compuestos, telfonos inteligentes, computa-
doras y monitores. El grafeno es un conductor de la electricidad mejor que el cobre, es
resistente, delgado y puede ser el reemplazo del silicio, es un material capaz de convertirse
en monitor y un procesador. Adems ofrece oportunidades de investigacin bsica, este
material permite el estudio de fenmenos de la mecnica cuntica. Sus propiedades con-
ductoras permiten suponer que los transistores de grafeno sern ms rpidos que los del
silicio, con lo que se obtendrn computadoras ms eficientes y veloces. Su condicin de casi
transparente apunta a la produccin de mejores pantallas tctiles, pantallas de dispositivos
elctricos.
http://grafeno.com/

Realizar cuestionario 5.4.