Ejercicios resueltos de tecnologa electronica.

Tema 3. Transistor bipolar.

29 de abril de 2008

Feb-96. En el circuito de la figura, determinar:

a) Punto de funcionamiento del BJT y valor de Vo , con el interruptor S en la po-
sicion 1, si ha permanecido en dicha posicion tiempo suficiente para alcanzar las
condiciones finales.
b) Punto de funcionamiento del BJT y valor de Vo , con el interruptor S en la
posicion 2, si ha permanecido en dicha posicion tiempo suficiente para alcanzar las
condiciones finales.
c) Valor de Vo para t = 1mseg. y para t = 10mseg, si en t = 0mseg el interruptor
S pasa de la posicion 1 a la 2 despues de permanecer elevado tiempo en la 1.
VCC = +15V

C = 1F
1 2
RB = 2K Vo

DZ RE = 1K

VZ = 4,7V
DZ IZ min = 1mA
RZ = 0



V = 0,5V
VBE = VBE SAT = 0,7V

BJT

VCESAT = 0V
= 200

Soluci
on:

a) Pto. funcionamo con S = 1 y Vo (Reg. permanente)

QueGrande.org 1 QueGrande.org
 VCC = +15V

RB = 2K Vo

0,7V DZ RE = 1K

Vo = Vcc = 15V

15 4,7
IRB = = 5,15mA
2
VE = VB VBE = 4,7 0,7 = 4V

4V
IE = = 4mA
1k
VCE = 14 4 = 11V
 
IC
IC IE IB =

IRB >> IB IRB IZ > 1mA

b) Pto. funcionamiento y Vo con S = 2 (Reg. est. perm.)

VCC = +15V

RB = 2K Vo
IB

0,7 IE
0,7V RE = 1K

IC = 0; BJT = sat VCE = VCE SAT = 0V

4,7 0,7
IE = IB = = 4mA
1
15 4,7
IRB = = 5,15mA
2
IZ = IRB IB = 5,15 4 = 1,15mA > IZ min


1ms
c) Vo para t = , si en t = 0 S pasa de 1 a 2 (reg, est. en 1)
10seg.

QueGrande.org 2 QueGrande.org
 Vo |t=10s = . . . = 4V

Vo = VE + VCE = 4V

Sep-93. En el circuito de la figura y suponiendo T1 y T2 transistores de silicio con 1 = 50

y 2 = 20, determinar:
a) Punto de funcionamiento (IC , VCE ) de cada uno de los transistores para Vi = 10V .
b) Valor mnimo de Vi que satura a alguno de los transistores y punto de funciona-
miento en este caso de T1 y T2 .
VCC = 30V

RE = 10K

T2
R1 = 20K
Vi T1
Vo
R2 = 80K RC = 10K

IC1 = 1 IB1
T1 = VBE1 = 0,7V
IE1 = (1 + 1 )IB1


IC2 = 2 IB2
T2 = VBE2 = 0,7V
IE2 = (1 + 2 )IB2

Soluci
on:

a) Pto. trabajo / Vi = 10V

Thevenin en la base de T1 :
1600
R1 RT = R1 k R2 = = 16K
100

R2 80
Vi R2 VT = Vi = 10 = 8V
R1 + R2 100

QueGrande.org 3 QueGrande.org
 VCC = 30V
IE2
10K
IC1 = IB2
T2

16 IC2
T1
IB1 Vo
IE1 + IC2

Ecuacion malla base T1

0,8Vi = IB1 RT + VBE1 + (IE1 + IC2 )RC = IB1 RT + VBE1 + ((1 + 2 )IB1 +
2 1 IB1 )RC

((Es un montaje Darlington en el sentido de que = 1 2 ))

Para Vi = 10V :

8 = IB1 16 + 0,7 + (51IB1 + 1000IB1 ) 10

IB1 = 0,693A

IC1 = 1 IB1 = 0,0346mA = IB2

IC2 = 2 IB2 = 0,693mA

Malla de colector de T2

VCC = IE2 RE + VEC2 + (IE1 + IC2 ) RC

VEC2 = . . . = 15,45V Activa.

VCE1 = VEC2 = VEB2 = . . . = 14,75V Activa, suposicion correcta.

b) Valor de Vi quesature al grupo de los transistores y pto. func.

IC1 = IB1
T1 SAT VCE1 = 0,8V
VBE1 = 0,8V

Malla colector T1 :
VCE = (1 + 2 )1 IB1 RE + VEB2 + VCE1 + [(1 + 1 )IB1 + 1 2 IB1 ] RC

30 = 21 50 IB1 10 + 0,7 + 0,2 + [51IB1 + 1000IB1 ] 10

QueGrande.org 4 QueGrande.org
 IB1 = IB1 SAT = 1,385A

IC1 SAT = IB1 SAT = 0,0692mA

IC2 = IB2 = 1,385mA

VCE1 = VCE SAT 1 = 0,2V

VEC2 = VEB2 + VCE1 = 0,7 + 0,2 = 0,9V

0,8Vi = IB1 RT + VBE1 SAT + (IB1 + IC2 ) RC

Vi = 19,22V

QueGrande.org 5 QueGrande.org