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Ejercicios Resueltos BJT PDF
Ejercicios Resueltos BJT PDF
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
TOMO
11I
- TRANSISTORES BIPOLARES
- TRANSISTORES UNIPOLARES
~
Autor:
Jos Miguel LOPEZ HIGUERA
Ingeniero
de
Telecomunicacin
por la U.P.M.
Ingeniero
Tcnico de Telecomunicacin por la U.LA.
Profesor Titular de Universidades Laborales.
Profesor Titular de E.U. en la
E.U.I.T.T. de la Universidad
Politcnica de Madrid.
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COMPONENTES ELECTRONICOS
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PROLOGO
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DEDICATORIA:
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INDICE
Pginas
TRANSISTORES BIPOLARES
Fsica Electrnica
Concentraciones
Parmetros
Corrientes
7 a 27
28 a 41
42 a 54
55 a 77
Influencia de la temperatura en
parmetros y corrientes
78 a 84
85 a 93
94 a 96
Captulo 11
7 a 123
TRANSISTORES UNIPOLARES
. TRANSISTORES F.E.T.
97 a 123
124 a 198
125 a 151
125 a 131
134 a 138
138 a 140
140 a 151
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Captulo I
Pginas
. TRANSISTORES M.O.S.T.
152 a 198
Estructuras
152 a 160
De deplexin
160 a 164
Su circuito equivalente
164 a 167
167 a 177
Inversor C.M.O.S.T.
177 a 181
182 a 198
Captulo III
EJERCICIOS PROPUESTOS
. APENDICE
. BIBLIOGRAFIA
198 a 210
219 a 215
216
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De acumulacin
CAPITULO I
- Transistores Bipolares
. Concentraciones
. Parmetros
. Corrientes
1.- Al polarizar las dos uniones PN indicadas en la figura 1.1,
IT,
---+
T,
fig.l.l
stas presentan el diagrama linealizado de concentracin de portadores, indicados en la citada figura. A la vista de dicho diagrama, responda razonadamente:
a) Cmo estn polarizadas las uniones T 2 - T 1 YT 3 - T 2 ?
b) Calcular la corriente In que circular por el terminal T 1
Datos:
b = 1 micra,
a = 10- 3 cm,
Pn(O)
D p = D n = 10 cm 2js,
~(O) = 1001 ~o
=
2000Pno'
S = A = Jj16cm 2
Pn(b) = O,
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FISICA ELECfRONICA
Solucin
fig. 1.1,
encuenb), por
en di-
In = I~(O) + 1<4(0)
(1)
Sabemos que:
(2)
dx
dPn(x)
(3)
dx
d"J,(x)
Ix = O
dx
Y
dPn(x)
Ix = O
dx
(Pn(o) - Pn(b)) / b
1 {lA
+ 1 mA
Esto es:
IT 1
1,001 mA
-0000000-
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I
I
Al
IL....
..JI
Vc = 4 0 V.
L __
VS
I
I
r-~I~~~-{==}-:;'T---'
I
I
_-.J
= O, 4 V.
fig.2.1
El resistor R es una pastilla de silicio de rea transversal 0,01 cm 2 y
longitud 1,12 cm. La pastilla est dopada con una concentracin de 101 6 cm- 3
tomos donadores y se dispone de las grficas de la figura 2.2.
....
'0000
.000
100
.:
600
4000
'~
400
~=101'
>
"'E
200
r-- t- N,.,=10"
>
<,
2000
a,
1000
600
600
~NI~ -.....
o
o
a
::;
5
t-~
r-- t--.
1--
r---
;;:-
--;=::
o
o
o
N.... z 10'9
.00
1O
so
-'0
100
TEMPERATURA
V
V
10 11
E
u
10 .0
.0
100
200
150
TEMPERATURA (! e)
/
V
50
c ci
-.0
200
150
'0"
'"-;
o
R
o;-
::---
60
, r--
~0"01..
ro- t--
100
O
NO:::' 10 11
200
-.......
r---
N A =10 11
~
RO-lO"
400
No=10 '4cm- J
--
N....=lO 14 c m ' )
6000
./
V
/
10' 6
a.
ID' s
r
4
V
/
V
-
V
-
10 13
"10
690
750
810
870
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ITAmb.
13~K
r--------,
10
Las corrientes de emisor y colector del transistor siguen las ecuaciones:
lE = - lEO ( e VBdVI - 1 ) - 36/ 41. le
(Amp.)
f3 F
40
Sabemos que:
p(T) tendremos el
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(Amp.)
11
p(T)
~o
1/ (No' q , .m)
1016 cm -3 y T
87 -c, deter-
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Resultando, aproximadamente:
12
Por lo que:
40 Ycalculando, resulta:
lEO = 0,9 nA
Calculando:
y como
VI
KT / q
0,03096
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Introduciendo el valor de f3 F
13
2,5 mA
Calculando resulta
VBA
-250 mV
Fig.3.1
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Por lo que:
14
PORTADORES
I
I
I
le
1......~-o
0--1
I---------J
I
I
w,
B
Fig.3.2
Las rectas en trazo continuo fmo son tangentes a las curvas de distribucin de minoritarios en los puntos de las uniones.
En base
En emisor
En colector
Wz
18
Jm
D pe '" 13 cm
2/s
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lE
---+ I
I cm'
15
En las condiciones del enunciado, determine:
a) Tipo de transistor
b) El mdulo de la corriente Ilpe(O) I debida a los huecos en el emisor en
el punto de la unin.
Solucin
dx
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c) El mdulo de la corriente
sor, y calculada en la unin.
16
Calculando:
Luego:
As que:
Luego:
I~e(O) I =
15,09 mA
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17
lE = -15,11 roA
Resultado que nos dice que la corriente del emisor sale por el citado
terminal.
Situando el punto x
Sustituyendo valores:
ly,e(O)
35 . 1,6 . 10- 19
10- 2
. (
-(4,6 .1014
106)/19 .10- 4 )
Calculando:
ly,e(O) = -13,55 roA
Por lo que:
le = + 13,55 roA
Cuyo signo indica que es una corriente que entra por el colector.
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18
f.- La corriente de la base la calcularemos de la relacin:
lB = 1,56 mA
Pe(O)
Peo . e
v 1 IV I
, en que VI = KT/q
De donde deducimos:
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Sustituyendo y calculando:
19
Sustituyendo los valores obtenidos anteriormente:
QF =
-(13,55/-15,11)
QF =
0,896
Sustituyendo y calculando:
lES =
3i,14 pA
x/Lp e
Pne(x) - P nO. e
+ Pno
X<O
....------t------r-O
fig.3.3
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Calculando:
20
de la
fig.3.4
Por el modelo del Control de la Carga, la corriente de recombinacin de
electrones en la base se puede escribir:
(1)
Q""
~ q. '" J{.<X) dx
cuya integral representa el rea entre la curva nb(x) Y nbo' Por ello se
puede escribir:
Onb = q. S,.
2
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21
Sustituyendo en (1) y calculando, resulta:
I r nb = 1,47 mA
fig.4.1
Se pide:
a) Tipo de transistor
b) Calcule literalmente:
b.1.- La eficiencia del emisor ( "Y).
b.2.- La corriente de recombinacin en base
transporte.
(Irb)
y el factor de
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-0000000-
22
e) Sabiendo que el parmetro QF de un transistor se define por el producto QF = QT 't , conteste al interrogante: Qu condiciones deber reunir
un transistor que presente un alto valor del parmetro f3 F ?
a.- Como los portadores minoritarios de base son huecos y los del emisor
son electrones, podemos afirmar que se trata de un transistor
PNP
Por lo que:
-y=-----
Ipe(O) + ~e(O)
dne(x)
~ed(O)
= q. S . Dnb - - Ix = O
dx
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Solucin
23
Las derivadas son las pendientes de las curvas en x = O, por lo que:
q . S . D ne .
Lne
1+
D pb . pbo . Lne
b.2.- A la vista de que el perfil de minoritarios en base est idealizado,
podemos escribir:
Ipc(O)
QT
= -- =
Ipe(O)
q . S.p,(x) dx
Integrando:
Por lo que:
1
W2
b
1+
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ne(O) - neo
I.teiO) =
24
Como:
Lpb
J Tpb' D pb
,nos queda:
1+
y como el parmetro
1+
fiF de define:
G:F
-0000000-
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25
5.- Se ha fabricado un transistor bipolar, del cual se conocen los siguientes datos:
Coeficientes de difusin:
D pb
25 cm 2js',
Areas transversales:
Anchura de la base:
Determine:
a) Tipo del transistor.
b) Sus parmetros a R, a F
c) Sus parmetros lES' les
d) Corriente que circular por el colector, si se polariza en inverso con
una tensin de 2 V de la unin C - B Y por base se inyecta una corriente de
-1 J.lA
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26
Solucin
a.- Los minoritarios en el emisor son los electrones, en base los huecos y
en el colector son los electrones. Se trata, pues, de un transistor:
1+
1+
QR =
0,97
c.- Se puede deducir que las corrientes lES e les tienen por expresiones:
D pb . q . Se . Pbo
Dne . q . neo' Se
lES = -
Wb
e
D nc . q . Sc . nC o
~e
D pb . q . Sb . Pbo
les = -
~c
Wb
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PNP
27
lES
= -0,40 nA
y que:
En la que:
QF
fJ F
= -- =
99
1- QF
le = -99 jjA
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les = -0,411 nA
28
les < O
les> O
lE = O, luego:
-a F
= - aF
en que:
V EB
(KTjq) . Lo ( 1- a F )
a F = flF
j (fl F + 1)
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PARAMETROSYZONASDETRABAJO
29
Sustituyendo y calculando:
V EB = -0,06 V
V BE
-0,0778 V
-0000000-
2 mA, Yuna le
Ileo I =
2 p.A;
crF = 0,98;
Solucin
Como en el enunciado no se especifica el tipo de transistor, podemos
considerar dos casos:
a) Que el transistor sea PNP
b) Que sea NPN
a.- Sabemos que:
(1)
(2)
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Para el NPN:
30
Por enunciado Ic
Sustituyendo valores:
VEB = 0,026 Ln ( 1 - 2.10- 3/(-1,6.10- 6 ) )
y
VCB = 0,026 Ln (1- 0,98.2.10- 3/(-2.10- 6) )
Calculando:
VEB = 180 mV
VCB = 179mV
Sustituyendo valores:
VBE = 0,026 Ln ( 1- 2.10- 3/1,6.10- 6 )
y
VBC = 0,026 Ln ( 1- 0,98 .2.10- 3/2.10- 6 )
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31
0,98;
QR =
0,5;
leo = 20 p.A;
-1 V, a
0K
Solucin
Las ecuaciones de Ebers-Moll para un transistor NPN se pueden escribir:
le
= QF
lE = -2,019 mA
le = 2,003 mA
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-0000000-
32
y recordando que:
-0000000-
9.- Un transistor PNP trabaja con uniones E-B y B-C polarizadas con
tensiones V BE Y V BC positivas y elevadas. Hallar las corrientes lE' lB' le,
sabiendo;
Ilcol
+ 5 J.LA;
llEOI
+ 3,57 J.LA;
QF = 0,98
Solucin
Las ecuaciones de Ebers-Moll para un transistor PNP se pueden escribir:
(1)
(2)
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Calculando:
33
y, por definicin:
les = leo /.( 1 - a R a F)
lES = lEO / ( 1 - aR a0
le = -4,766 Jl-A
Calculando:
Comentario
A la vista de los signos de las corrientes, podemos afirmar que las corrientes de emisor y colector son salientes y la de base, entrante.
-0000000-
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34
= 0,9;
QR
= 0,7;
Ileol
0,1 mA
Solucin
Podemos escribir:
Como le
0, no quedan:
(1)
(2)
Recordando que los leo e leo son negativas, y que esta ltima se puede
escribir:
V EB = 126,47 mV
VeB = 117,']jI, mV
-0000000-
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a la temperatura de 300 0K, para que la corriente de colector sea nula? Indicar las polarizaciones de las dos uniones.
35
11.- En el montaje de la fig. 11.1 se efectan a la temperatura de 300 K
las siguientes medidas:
"b" cerrado:
"b" abierto,
le = 20,867 roA
Calcular:
lE = -4,382 roA;
e lE
-21,076 roA
at,
Yo.,v
fig. 11.1
Solucin
a.- Del enunciado se deducen los circuitos de las figuras 11.2, 11.3;
IE=-4.382mA
....-
4--
le =20,86
fig.11.2
mA
fig.11.3
Despejando y sustituyendo:
lEO =
Calculando:
4,382 . 10-3
D(0,2)
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"a" en posicin 2,
36
De la figura 11.3 se deduce:
(2)
e
De (2) se despeja:
lES =
-r, / D(BE)
Sustituyendo y calculando:
Sustituyendo y calculando:
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(3)
37
les
11,89 J.LA
e
leo = 2,475 J.LA
lE
= -
V BE = -0,119 V
-0000000-
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38
/IC/ = 1000/37 ;A
fig.12.2
fig. 12.1
fig.12.3
Solucin
De la figura 12.1;
12.2;
le = les = -1000/37 ;A
12.3;
lE
= lES = -7000/37.9 ;A
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39
-0000000-
0,015, se le han
15
20= Ve
lE
=-1,3
mA
IB=O,025mA
fig.13.1
fig.13.2
fig. 13.3
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40
Calcule:
a) La corriente de colector le
Solucin
(1)
Sabemos que:
Luego:
Sustituyendo y calculando:
f3 F
51
le
= leo = 8j.lA
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b) La tensin VeB
41
IC
2,966 mA
De donde:
Sustituyendo valores:
Calculando:
V CB = + 15,401 V
-0000000-
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Luego:
42
Ilcol
49;
v.
4K
fig. 14.1
Calcular en el circuito citado Ic YVCE
Solucin
El circuito de la figura 14.1 se puede dibujar segn se indica en la figura
14.2.
Re
Re
fig.14.2
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43
(1)
(2)
le = - 1.552 mA
(3)
lB
-26,57 jJA
VeE = -13,68 V
-0000000-
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44
l_JIE=
-0,016mA
le =0,02mA
20V.
20 V.
1
le =0,216 mA
fig.15.2
fig.15.1
9V.=
Ve
6V. = Va
fig. 15.3
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Calcular:
45
Solucin
Observando la figura 15.2, se deduce que:
le
De donde:
y que:
(1)
En la que:
(2)
e
(3)
QF
obtenemos:
(4)
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46
Sustituyendo valores y calculando, resulta:
0F =
0,98
y
= 49
(6)
leo = 4,32 .A
lES =
16,32 .A
lEO =
3,52 .A
VC=9
fig. 15.4
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f3 F
47
En este caso se cumplir:
D(BC) = -1,
I C = 0,216 roA
Sustituyendo y calculando:
V CE = 8,136 V
Calculando resulta:
VBE = 67,22 mV
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Por lo que:
48
b.2.- En este caso, el circuito puede quedar (fig. 15.5)
le
ir-
L......-......
Ve
fig. 15.5
Del citado, se puede deducir:
lB = 35,606 .LA
le
1,96 mA
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49
Sustituyendo y calculando:
V CE = 1,16 V
-0000000-
Re
200K
20V=
Ve
fig. 16.1
Solucin
(1)
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Comprobemos el supuesto:
50
Suponiendo que D(BC)
le = -2,626 mA
La corriente lE la obtendremos por la relacin:
Calculando:
lE = 2,669 mA
Pasemos a continuacin a calcular las tensiones y a comprobar la veracidad del supuesto utilizado.
De la malla de salida se puede deducir:
y del transistor:
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En la que:
51
Sustituyendo valores y calculando, resulta:
VEC = 9,32 V
= -
9,924 V
-0000000-
-4 V Y las curvas
= 300 K
Calcular:
a) Las corrientes lE'
lB'
Ic
QF
Y QR
-Ic(mA)
VCC=12V.
IS=-SOpA
1s= - 40pA
IS=-JOpA
IS=-20JJA
IS=-10JJA
fig.17.1
fig.17.2
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
VCB
52
Solucin
4---
le
Tv
cc
fig. 17.3
Del citado se desprende que:
-2 mA
-le
.... - :;..;:.--_.,.---
18 =- 2 o ~ A
+
-VeE
fig.17.4
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53
La corriente por el emisor la determinamos por la relacin:
lE = 2,02 mA
(1)
Como la umon emisor-base se encuentra polarizada en directo ( supongamos que en ella caen 0,6 V ), podemos aproximar:
f3 F
f3 F
Calculando:
f3 F
QF
90,59
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54
Sustituyendo y calculando:
QF =
0,989
Sustituyendo y calculando:
De la cual se deduce:
VEB = 156 mV
-0000000-
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55
18.- Se han conectado: un transistor bipolar, 5 resistores, dos condensadores y dar bateras, tal y como se muestra en la fig. 18.1. Del transistor se
conocen las curvas caractersticas de entrada y de salida, sobre las que se han
trazado las correspondientes rectas de carga estticas del circuito.
e
T
2R
c(mA)
20
~~....--
fig 18.1
16
I B =(~A)
[\~
v
r> i>
50
40
r--.
........
............
t----....:
----;
--
"--
.....
............
~ ..... 1
--
r--.......
.............,....,J
o
0,2
0,4
11
..........
..........
r-i,
11
f7
./"
...-
Se pide:
a) Tipo de transistor utilizado. Razone la contestacin.
-..-
...- .2:.. 1-
l-
10
l-
...- ..--
r\ ...'\
.-
20
\.
r-..........
L-
..- ..-
r-..........
1'-00.....
10
1/
JO
.........-
l\.
12
.....
20
L.-
5=IB(~)
1\.
\.
f'\
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
56
c) Valor de la resistencia R B
Solucin
a.- De las grficas deducimos que las tensiones VCE' VBE Y las corrientes lB e I c son positivas, por lo que las caractersticas de entrada y salida
pertenecen a un transistor:
NPN
b.- En esttica, el circuito de salida de la fig. 18.1 se puede reducir a la
figura 18.2
2R
fig.18.2
Para t, = O; VCE = Vz
Para VCE = O; Ic = Vz/3R
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
57
Como en la grfica de salida nos dan trazada la recta de carga, no tenemos ms que identificar los citados cortes con los ejes, y resultar:
V 2 = 10 V
10/ (16 . 3)
208,3 ohmios
1lB
0 B
r'
Re
----jc=}---o E
fig. 18.3
La ecuacin del citado ser:
Para trazar la recta de carga de entrada, buscamos los cortes con los
ejes. As:
Para
lB =
Para VBE
O; Vi
=
O;
= VBE
lB =
V dRB
Vi
0,75 V,
RB
V l/lB
y
=
0,75/20
37,5 KO
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
58
d.- Recordamos que la ganancia esttica de corriente en emisor comn
hFE vale:
fig 18.4
fig 18.5
Para N
1; hFE1
= 6,1~ mA
Para N
4: hFE4
15 J1.A
1230
14 mA 130 J1.A
-0000000-
466
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
(1)
59
19.- Se tiene el circuito de la figura 19.1
fig.19.1
Las caractersticas de los diodos son las de la figura 19.2
Vz =6,2 V.
VRM = SOY.
V, = 0,6
fig.19.2
Las ecuaciones de Ebers-Moll del transistor T son:
(Amp)
Calcular la corriente 1
Solucin
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
V2 = O,2 V.
60
o,
v,
~---------L---oE
fig. 19.3
Del cual se deduce que la tensin VBE vale:
Sustituyendo valores:
le =
-10- 6 (eO,2/0,02 - 1)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
61
Y, como se ha de cumplir que:
lE + le + lB = O,
en que lB = I,
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
nos queda:
1= 2,20mA
-0000000-
R 1 =10 K
la
---.
le
T2
T]
T1
Va = 20V.
R2
flE
Ve =20V.
fig.20.1
62
Las ecuaciones de Ebers-Moll, vlidas para cada uno de los transistores,
Se pide:
a) Los parmetros
0R' 0F'
e) La resistencia R z
d) La tensin V BE del T 4
e) La tensin V BE del T 3
f) La tensin VeE del T 1
Solucin
a.- Literalmente, las ecuaciones de Ebers-Moll para un transistor NPN se
pueden escribir:
lE = -lES D(BE) +
le =
0F
0R
les D(BC)
0R
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
son:
63
Aplicando el teorema de Reciprocidad:
lES
b.- Para poder calcular las corrientes en el T l' hemos de conocer las
tensiones en las uniones. ( YBE YBC ).
El circuito de entrada del T 1 se puede dibujar segn la fig. 20.2.
fig 20.2
Del citado se deduce:
YBE
-10 Y
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Deducimos:
64
-1
..--
e
B
TI
f
Ve =20V.
fig.20.3
V BC
-28,8 V
D(BC)
-1
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
D(BE)
65
e
le = 3J.lA
Recordando que:
lB
-3,7 J.lA
A la vista de los signos, podemos decir que, tanto la le como la lE' son
corrientes entrantes, mientras que la lB es saliente
<>--------<> B
10
-----'--------<> E
fig.20.4
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
66
R z = 10037 ohmios
d.- Como el T 4 tiene el colector y la base cortocicuitados, su ecuacin
de Ebers-Moll para la lE ser:
-lES D(BE)
De donde deducimos:
V BE
8,48 mV
o=
Cl:F lES
Operando, deducimos:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
R z = VEB /IRZ
67
Sustituyendo valores y calculando, resulta:
VBE = 18,56 mV
-0000000-
(Re
le
T1
Re
IDEAL
lB
1K
2 V.
=V,
+
1nF
fig. 21.1
Las ecuaciones de Ebers-Moll del transistor T 1 son:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
68
Re=O
VI
2 V.
fig.21.2
De este ltimo, vemos que la unin C-B est polarizada en inverso.
Supongamos, en principio, que esta polarizacin es suficientemente grande
para poder afirmar que:
D(BC) = -1
Como VBE
le
0, podemos escribir:
=
9/8.10- 7
(1)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Solucin
69
Luego la tensin entre el colector y la base se podr escribir:
-0000000-
01
e,
DIODOS:
----+-
V1
RS = 100K
D,
15
Re =IOOK
=02
= 3,9)JA
= 300
Vee = 10 V.
VS S = 10 V.
fig.22.1
Sobre el circuito se realizan las siguientes operaciones y medidas:
1.- Se cierra el interruptor Cl' se abren el C z y el C 3 , y se obtiene que
la corriente de emisor es de 10 microamperios y la de colector es de -9,1
microamperios.
0K
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
70
Determinar:
a) Los parmetros QR y QF del transistor.
b) Las corrientes de saturacin Ico YlEO del transistor.
Calcular;
c1.- Las corrientes 11 e 12 , tal y como estn indicadas en la figura 22.1.
c2.- Las tensiones V 1 en cada diodo, y la V CE' as como la V BE en el
transistor, teniendo en cuenta lo especificado en el apartado c.
Solucin
a.- Efectuando la operacin "1", nos queda el circuito de la figura 22.2.
Re
i
fig.22.2
A la vista de ste, deducimos que la unin colector-base est cortocicuitada, y
la de emisor-base en inverso, y de valor:
y que:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
71
De donde se deduce:
QF =
0,91
fig.22.3
De l se deduce que los diodos D 1 y D 2 se encuentran polarizados en
directo, por lo que:
Sustituyendo valores y suponiendo que en cada diodo "caiga" aproximadamente 0,6 V, obtendremos:
VCB = 7,1 V
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
72
3,63 J.'A
leo
4,719 J.'A
Ra
Vea
fig.22.4
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
73
cl.- SuponKamos que ambas uniones se encuentran polarizadas y con
valores de tensin suficientemente grandes para que se cumpla:
D(BE) = -1 Y D(BC) = -1
VBE
-V BB - R B lB
-10 + 0,48
-9,52 V
V BE
-9,52 V
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
74
Como sabemos la corriente que circula por los diodos, podemos calcular la
tensin que "cae" en cada uno. As:
IC = Is D(V 1~
18mV
Calculando:
V CE
9,592 V
-0000000-
DATOS
R1 = 14,58
.n.
e = l}JF(IDEAL)
Va = 12 v.
fig.23.1
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
V1 = (KT/q). Ln (Icfls + 1)
75
lEO
10,1 ;.A
leo
12 ;.A
Despejamos (XF:
G:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
76
De donde:
VCl
Va - V b
12 - 9
3V
QF QR) =
68,57 I-'A
Vc
VBE
Q 1C
= (
2,792/1
Va - Vb
) -
Ve
2,972 V
3 - 2,792
0,208 V
y podemos escribir:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
77
-172 mA
R3
Ve /
r, =
2,792/172
16,23 ohmios
le
Vp
J) le
fig.23.2
De ella, suponiendo el zener en el codo, deducimos:
Sustituyendo valores:
I z = 4,36 mA
Resultado que nos confirma que todas las suposiciones anteriores son
veraces.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
78
INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA
Solucin
Las ecuaciones de Ebers-Moll para un transistor bipolar NPN, son:
lE
-lES D(BE) + QR
les D(BC)
(1)
(2)
En las que:
D nb . q . Sb . nbo
D p e . q . P eo
Se
lES =
(3)
Lp e
Wb
Dnb . q . Sb . nbo
Dp c . q . Sc . P co
les =
Wb
1
QF = - - - - - - - - 1+
(4)
Lp c
(5)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
EN PARAMETROS CORRIENTES
79
1
(6)
1+
cte
(9) K3 = cte
(10) K4
cte
(12)
(13)
1ES(T)
- 1 (T) (T2 /T)3
e-(EGO/K) (l/T 2 - liT 1)
2 - ES 1
1
.
(14)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
D(V) = e q V / KT _1
80
Lo mismo podramos decir para la les'
(15) con K5
cte
(16) con K6
cte
K6 > K5
Tomando K5
(300 K)
0,98
ClF (
350 K)
0,978
ClF (
400 K)
0,976
ClF
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
81
En general, diremos que decrece con T, y este decrecimiento es tanto
mayor cuanto mayor sea la polarizacin. As, por ejemplo, para V = 0,5, resulta:
D( 300 K)
2,5 . 108
D( 350 K)
1,57 . 107
-0000000-
metros:
lES =
les
1 nA;
1125 nA
25.3.
Re=l.n.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
D( 250 K) = 1010
Ve -= zc
2V.
fig.25.1
Ve
fig.25.2
fig.25.3
82
Solucin
Calculando, resulta:
En que:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
83
Introduciendo valores y calculando:
lES
en el apartado anterior y
c.- A la vista del circuito de la figura 25.3, podemos suponer que la unin
B-C colector se encuentra inversamente polarizado, por lo que el trmino
D(BC) = -1.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Utilizando las expresiones (15) y (16) del ejercicio anterior, calculemos los
valores de las constantes K5 y K6 .
84
As, podemos escribir:
IE
= - IES
(1)
Calculando resulta:
les (350 K)
1,315 J-lA
Como el resto de parmetros que intervienen en (1), ya los hemos calculado a 300 y 350 0K, sustituirnos sus valores en la citada y, calculando, resulta:
lE ( 300 K)
-224,81 mA
lE (350 K)
-16,71 A
-0000000-
-1
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
85
Solucin
Sabemos que, para un transistor NPN, las corrientes inversas de saturacin son todas positivas, y se puede escribir:
---.
O~---~--1N----O
e
15
IR = les D(BC)
1= Is D(V)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
86
....-
IF
IR
--.
lES
les
-----.
Ic
lE
lB
ocF IF
O<R IR
fig.26.1
Veamos cmo queda el modelo en las diferentes zonas de funcionamiento:
a.- En la zona activa, la unin emisor-base se encuentra polarizada en
directo, y la colector-base en inverso. As que:
IF
= +lES D(BE);
Ics
..-Ic
()(R IcS
B
fig.26.2
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
87
b.- En la regin de corte, ambas uniones se encuentran en inverso. Supongamos que el valor sea suficientemente grande para que los trminos exponenciales valgan -1. En este supuesto:
r----; -
1------,
r----1 . -
r------,
les
L..-.-----i _
O<R
}-_ _---'
les
B
fig.26.3
c.-En la regin de saturacin ambas uniones se encuentran en directo, y
el circuito equivalente ser el de la figura 26.1.
Comentarios:
1- En la regin activa ( en un NPN), las corrientes de colector y de base
son entrantes, y la emisor, saliente.
2- En el corte y ( en un NPN), las corrientes de colector y emisor, son
entrantes, y la de base, saliente.
3- En la zona de saturacin, las corrientes de emisor y de colector son
salientes, y la de base, entrante.
-0000000-
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
IR= -les
88
27.- Un circuito equivalente de un transistor bipolar en baja frecuencia,
puede ser el de la figura 27.1
e
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
_ ic
hie
hoe
fig. 27.1
Obtenga el significado fsico de cada uno de los parmetros.
Solucin
ib
--+
_ ic
hfeib
e
fig.27.2
De l se desprende que:
(1)
(2)
89
De (1) se desprende que "hre" representa la GANANCIA de corriente en
directo (f) y en emisor comn (e) cuando la salida se encuentra en cortocircuito.
hre Vce
hoe
fig.27.3
(3)
(4)
-0000000-
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Dejando en circuito abierto la base, y atacando la salida con un generador de tensin, obtenemos el circuito de la fig. 27.3
90
28.- El modelo hbrido en p de Giacoletto de un transistor es el de la
figura 28.1. Defina cada uno de los elementos que lo integran.
rbb
r b'c
b'
r b'e
===
+ gm.
cb'e
Vb'c
rce
fig.28.1
Solucin
El punto b' representa la base interna del dispositivo, no siendo accesible.
rbb'.- Es la resistencia lateral de base, la existente entre el terminal
externo de base y el punto "ficticio" de la citada.
rb'e.- Es la resistencia de difusin entre la base ficticia y el emisor. Con
ella se refleja la corriente de recombinacin en base, como consecuencia del exceso de minoritarios en ella.
Cb'e.- Es la capacidad equivalente entre la base y el emisor. Si la umon
se encuentra polarizada en directo, representa su capacidad de
difusin.
Cb'c.- Es la capacidad entre colector y base. Cuando esta umon se encuentre inversamente polarizada, representa su capacidad de transicin.
rb'c.- Es la resistencia equivalente entre el colector y la base. En ella se
tienen en cuenta los efectos de modulacin de la anchura de base
(efecto Early).
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
1I
11
91
rce.- Representa la resistencia equivalente entre el colector y el emisor y
que, asmismo, tiene presente el efecto Early.
&ill.- Transconductancia en directo con la salida cortocicuitada. Fsica-
-0000000-
_ ic
ib
---.
Yie
fig.29.1
Solucin
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
mente, nos indica que los electrones que inyectamos en base y que
llegan al colector, dependen de la tensin entre la base y el emisor.
92
ib
ic
fig.29.2
De l se deduce que:
para
(1)
para
(2)
'v.:
--+
Yoe
e
fig.29.3
ic
.--
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Yie
93
(3)
-0000000-
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
(4)
94
Transistor A
Transistor B
w s s t,
Transistor e
w e e t,
Transistor D
Solucin
El "A" Y el "B" tienen la W > > ~, por lo que no ofrecern efecto transistor, ya que los mayoritarios que se inyecten desde el emisor a la base, se
recombinarn en sta, y no alcanzarn el colector.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
-0000000-
31.- Para ser utilizado en un circuito electrnico (figura 31.1) es necesario seleccionar un transistor bipolar que cumpla las siguientes especificaciones:
-----.
CIRCUITO
12
-----.
12 < O
E 2 .-
IVcal
= 30 V
E 4 .- Temperatura ambiente
25 "C
1
1"'"
ELECTRONICO
fig.31.1
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
95
96
Se dispone de los transistores indicados en la tabla 31.1
VALORES MAXIMOS
VCEO(V)
VCBO(V)
70
Pt(W)
hFE
fT(MHZ)
250
BC174
NPN
64
BC414
NPN
45
0,24
850
300
BC556
PNP
65
0,5
250
150
BD 135
NPN
45
BD242
PNP
45
45
0,3
6,5
40
tabla 31.1
Solucin
Como 11 > O e 12 < O, (sale por el emisor), estando polarizado en zona
activa, deducimos que el transistor ha de ser NPN.
La potencia que ha de poder disipar es de:
-0000000-
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
TRANSISTOR TIPO
97
220
I
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
I
I
I
I
100
- - - - -1- - - - I
J
I
I
I
0-+------1------+------....3'--_ _- .
40
100
T (.!oC)
o
fig.32.1
Calcule:
a) Temperatura mxime de la unin.
b) Resistencia trmica entre la unin y el ambiente.
e) Potencia que puede disipar a una temperatura de 120 oc.
Solucin
=
T a - Tao
= -2 (mwOc)
40 - 100
de donde:
(1)
98
La temperatura mxima de la unin ( T a
punto en el que la Potencia a disipar sea cero.
T j mx
),
se producir para el
(2)
Qja =
500 C/W
P( 120 OC)
= -2.120 + 300 = 60 mW
-0000000-
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
As pues:
99
IVBB=
3V.
-r-
"7
fig.33.1
1 jJA a 20 oc.
Se pide:
a) La corriente de colector en el punto en que se produzca el escape
trmico.
b) Calcular la temperatura ambiente a la que se produce el escape.
nota: para su resolucin suponga QF
-->
Solucin
(1)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
100
Siendo
IPeal = Il e, Vea I
(2)
(3)
Por lo que:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
101
Vee
fig.33.2
De donde:
QUf>.
PT
As l'0demos operar:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Re
102
IcOT ~ 3} 10 mA
b.- Conocida la corriente (lcOT) a la que se produce el escape, podemos
calcular la temperatura de la unin T = T j a la que se produce el mismo,
siendo la temperatura ambiente T o = 20 oc. Esto es:
T
~OTj -
I
COTo
0,07 ( T j
e
De donde:
T o)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
103
De donde:
Sustituyendo valores:
-0000000-
Se pide:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
104
c) Obtenga las ecuaciones en emisor comn y con parmetros ADMITANCIA
Solucin
a.- A la vista de las notaciones de las tensiones y de las variables dependientes e independientes, podemos afirmar que las ecuaciones son las lubridas
en Oh" y en la configuracin de emisor comn. De las mismas se desprende r 1
circuito equivalente de la figura 34.1.
le
+
IV
hfe ib
hrevee
+ 100. ib
1O- 4.V e e
l/h o e
v ee
1M
flg.34.1
UP"
carga R L
1 K, nos quedara el
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
105
hie
c.::J-
v]
Iv"
R L =h II:"\L
oe
fig.34.2
G = -101
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
lb
106
Vce
(v. )
fig.34.3
(Cl)
(C.2)
Ecuaciones a las que tenemos que llegar, partiendo de los datos del
enunciado.
(C3)
(CA)
De la C.3, obtenemos
lb
mos:
(CS)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
107
De la C.3 se obtiene:
(C.6)
Yfe
0,1 (Ohmj':
d.- En este caso, las ecuaciones de partida son las mismas (C.3, CA) y las
de llegada:
(D.l)
(D.2)
De CA obtenemos:
(D.3)
(DA)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
108
Zi~ =
-lOO M
Zoe =
1M
Zie =
-9 K ;
Zre =
0,1 K
(E.1)
(E.2)
Las ecuaciones de partida o "madres" son los C.3 y CA, Y sabemos, adems, que:
(E.3)
(EA)
(E.5)
(E.6)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
109
(E.7)
h ih
9,9 (Ohmios);
hfb
0,99;
hoh
-0000000-
35.- Suponga que conoce los parmetros del transistor que hay dentro de
la caja negra de la figura 35.1.
!11
v:
cr
12
?.
fig.35.1
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
110
I
I
TR 2
--------
I-----------<:r----1-------I ! :
I
T R EQUIVALENTE
I
.J
fig.35.2
Solucin
Con el circuito equivalente con parmetros "Z" nos quedan los elementos
en serie; parece en primera instancia que nos puede simplificar clculos. As
pues, podemos dibujar el circuito de la figura 35.3.
e,
___________ J
fig.35.3
Las ecuaciones en "Z" del cuadrpolo total resultante sern:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
: I
TR 1
111
As tendremos:
para ie 2
para ie 2
(1)
(2)
(3)
(4)
De la malla central se desprende que:
(6)
De la misma forma, atacamos el circuito de salida con un generador de
tensin ve e 2 y:
para ib 1 = O
para ib 1 = O
(7)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
112
De la central:
(8)
(9)
(10)
Pero ie l
-0000000-
se
36.- Un transistor
36.1.
~--------------,
vcc I
: To = 25 C
I
I
I
Re C2 I
:
Cl
o--~I--I
I
I
1:
C3
I
I
fig.36.1
I
I
I
vs(t)DRL
I
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
113
Se sabe que: Vcc = 18 V; RE = 0,2 K, VCE = 8 V, Ic = 10 mA, Y
que las capacidades son de valor muy elevado ( C .... <Xl) Y que la impedancia de
entrada debe ser mayor de 5 K.
a) La ganancia en tensin del circuito, en el supuesto de que el interruptor I se encuentre abierto, y que hoe = h re = O.
b) Lo mismo que en el apartado anterior, pero con el interruptor I cerrado.
e) Calcule las impedancias de entrada y salida.
d) Determine los valores numricos de R 1, R z Y Re> as como de las
ganancias en tensin e inpedancias de entrada y salida, en los supuestos de los
apartadoa a y b.
e) Determine los factores de estabilidad SICO' SVBE' SI3' del circuito, y la
variacin de la corriente de colector, si la temperatura vara desde 25 OC a 55
oc.
Solucin
(1)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
114
ic
lb
-.hie
--,
S
e __
Re
vl
Re
'
1
L
.J1
.:..
fig.36.2
En que:
---:----------------------..,
le 1
lb
-+
hie
I
Ve
Re
(h fe + 1) R E
I
I
hfei b
Re
Vs
I
I
I
I
ZeL _
_ _ _ __ _
fig.36.3
J Zs
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
I i
1e_
115
(2)
b.- Si el interruptor 1 se cierra, entonces el condensador queda en paralelo con RE' y lo cortocicutar en seal, por lo que la ganancia ser la expresada en (2), pero con RE = O. Esto es:
(3)
(4)
(5)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
y que:
116
SlO
0, por lo que la
(6)
---
0,5
fig.36.4
10
le (mAl
Ve E
fig.36.5
(7)
(8)
(V
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
117
Sustituyendo valores:
h f e ( 2 mA, 5 V)
222
h i e ( 2 mA, 5 V}
2,7 K
hi e
1,48 K
h FE nor.
1,2
lc(mA)
fig.36.6
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
h i e ( 10 mA, 8 V) = h i e ( 2 mA, 5 V)
118
Siendo:
h f e ( 2 mA, 5 V)
180
Luego:
Podemos escribir:
Por lo que:
Re
= 7,99 K"" 8K
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
hfe( 10 mA, 8 V)
119
O,o4 6 I-----t_"
0,68
VBE (V)
fig.36.7
As pues:
V BE = 0,68 V
ze'
por lo que:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
IB(mA)
120
Podemos escribir:
V B = 0,68 + 2 == 2,68 V
Luego:
(9)
R 1 = 37,19 K
De (9) deducimos:
Calculando:
R z = 6,8 K
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Sustituyendo y calculando:
121
I abierto
I cerrado
Gv
-38,7
-1345,9
Ze
5,2 K
1,17 K
Zs
8K
8K
De forma que:
(10)
En la que:
bIcib V BE
SVBE
En la que:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
TABLA I
122
-+
0, se dedu-
ce:
( V BB - V BE ) ( RE + R B)
(12)
As mismo:
( 1 + f3 ) (RE + R B )
(13)
SICO =
f3
SvBE
(14)
= - ------
Se = 29,48 jjA
SICO =
26,84
SvBE
-4,46 mA/V
Para calcular Lil c, hemos de calcular adems /::"13, Lilco, /::,. VBE' a travs
de las relaciones:
/::"f3 =
f3 ro . K 1 (T - T o);
leo 25 -c =
10 nA
K 1 = 1/75 para Si
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
( R B + RE (,8 + 1))2
123
Por lo que, sustituyendo valores y calculando, podemos configurar la
siguiente tabla 11.
s,
x
f3
leo
VBE
29,48 .LA
26.84
-4,46mA/V
fJ. re
fJ. x
Sx fJ.x
89,27
2,63 mA
656,8mA
1,76 .LA
-0,075 V
0,3345 mA
= L Sx . fJ. x = 2,96 mA
Conclusiones
A la vista de los resultados literales obtenidos en los apartados a, b, e ,
y de los clculos numricos reflejados en la tabla 1, as como del clculo de la
estabilidad realizado en e, podemos concluir:
1- Para que la ganancia del paso sea elevada, interesa que la resistencia
de emisor est cortocicuitada en "seal", y que la resistencia Re sea lo ms
elevada posible.
2- Para que la impedancia de entrada del paso sea elevada, interesar que
la RB y la RE sean lo mayores posibles. Para que la impedancia de salida sea
baja, nos interesar que Re sea pequea.
3- Para que la estabilidad del paso sea buena, deber cumplirse que RE
sea elevada, y que R Bbaja.
4- A la vista de la tabla 11, el factor de estabilidad ms desfavorable en
este circuito y con este transistor, resulta ser el Sa, por lo que interesar
minimizarlo.
5- De todo lo anterior se desprende que, a la hora de realizar el diseo
del "paso amplificador", se han de considerar todos los factores mencionados y,
dependiendo de los requisitos (ESPECIFICACIONES) que tenga que cumplir,
TOMAR DECISIONES DE COMPROMISO.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
TABLA 11
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
125
CAPITULO II
- Transistores Unipolares
s
2
V1
fig. 1.1
a) La intensidad 1, cuando V 2
= 2 V Y VI = 0,2 V
b) La intensidad 1, cuando V 2 = 5 V Y VI = 5 V
e) La intensidad 1, cuando V 2 = 12 V Y VI = 3 V
d) La intensidad 1, cuando V 2
-2 V Y VI
3V
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
126
Solucin
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
y que:
loSS = IOSAT IV
- O
GS -
Vp
-4,5 V
loSS = 15 mA
Vos = 2 V
VGS
-0,2 V
y que:
lo
.4,5) - 1] (mA)
(1)
127
Calculando:
lo = 9,7mA
5V
V GS = -5 V
Vos
12 V
V GS
-3V
Por lo que:
(3)
Es decir:
12~
-3-(-4,5)
1,5
(4)
lo = IosS< 1- VGs/Vp)2
Introduciendo valores:
lo = 15 ( 1 - (-31 -4,5))2
(mA)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Vos
128
Calculando resulta:
VDS
-2 V
V GS = -3
ID
Introduciendo valores:
Calculando resulta:
ID
-7,4 roA
-0000000-
(roA)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
ID = 1,66 roA
129
fig.2.1
a) 1, cuando V 2 = 2 V Y V 1 = 0,2 V
b) 1, cuando V 2 = 5 V Y V 1 = 5 V
e) 1, cuando V 2 = 12 V Y V 1 = 3 V
d) 1, cuando V = -2 V Y V 1 = 3 V
e) Obtenga conclusiones comparando los resultados obtenidos con los del
problema anterior.
Solucin
A la vista del circuito de la figura 2.1, deducimos que el F.E.T. es de
canal P. Adems, sabemos que:
y que:
IDSS
= IDSA!
IVGS --
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
V1
130
Vp
4,5 V
V GS = 0,2 V
Vos = -2 V
Con estos datos, veamos en qu zona se encuentra polarizado el dispositivo. Como no se cumple la relacin:
Ya que:
Y, adems:
Diremos que se encuentra polarizado en zona lineal, por lo que se cumplir la expresin:
(1)
Sustituyendo valores:
(mA)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
I oSS = -1.') mA
131
Calculando resulta:
ID = -9,77 iDA
VDS
-5V
ID
V GS = 3 V
VDS = -12 V
Como se cumple que:
(3)
Y, adems:
V GS < V p
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
132
Sustituyendo valores:
=
-15 ( 1 - 3/4,5)2
(mA)
Calculando resulta:
ID
-1,66 mA
3V
Vos
2V
ID
7,4mA
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
ID
133
C
O
R
T
E
CONDICIONES
CORRIENTE (ID)
VGs < Vp
(V p < O)
VGS >
v.
(V p > O)
O
H
M
I
C
VGS > Vp
N
T
U
R
VGS < V p
VDS ~ VGS - Vp
VGS > Vp
N
C
I
O
N
VGS < Vp
P
VDS ::5 VGS - Vp
-0000000-
3.- Se ha construido un F.E.T. de canal P (sobre Si), cuya forma geomtrica se indica en la figura 3.1.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
I
Z
O
N CANAL
A
TABLA 2.1
134
n+
fig.3.1
El canal'se ha dopado con una concentracin de aceptores de 1016 cm- 3 ,
siendo los parmetros a = 1,2615J.lm, h = a, L = 2 h.
La constante dielctrica relativa del Si vale 12, y la movilidad de los
huecos 450 cm2/V s.
Calcule:
a) La tensin pinch-off (V p)
b) "Anchura efectiva" (ae) del canal, con ID = O
Sl
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
135
fig.3.2
Siendo la unin n+p, se deduce que la anchura
aproximadamente:
L
= L p = (a - ae) / 2
Que vale:
2
L = [ - - (Vo + VGS )F/2
qNA
(O)
Suponiendo que:
Nos queda:
L = 2/q NA) VGS )1/2
(1)
)1/2
De donde:
(2)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
136
p12
(3)
3 = 1 V,
Calculamos que:
ae
0,532 p.m
c.- En este supuesto, el F.E.T. se comportar como una resistencia hmica, cuya forma geomtrica ser la de la figura 3.3
d
11
.:-.
-
Vos
fig.3.3
De la figura se desprende que la intensidad ID vale:
ID
.-O
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
137
(4)
Siendo Ro
L
Ro
= p
y la resistividad p valdr:
1
p= - - - NAq~p
ID =
(5)
ID = 5,02 ~A
RDON(O)
(VOS/ID) IV -O
GS -
q . NA . ~p . h . a
Por lo que, para una VGS cualquiera (dentro de la zona lineal), podemos
deducir que:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
h. ae
138
RDON (O)
RDON
Solucin
Sabemos que la corriente por el drenador depende de la zona de polarizacin. AS, para la zona hmica, se puede escribir:
2V GS
(--
(1)
Vp
y para la de saturacin;
(2)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
-0000000-
139
Los exponentes e y d, dependen del tipo de portador y del sustrato base.
As, se cumple que, aproximadamente:
Ge
Si
1,66
2,5
2,33
2,7
2,1
Por lo que se puede decir que IDss ex: (l/Te) y que IDss ex: ( l/T d )
los FET's de canales N y P respectivamente.
en
Dependencia de la Vp con la temperatura.- En una union P-N inversamente polarizada (puerta-canal en un FET),la tensin que acta sobre la zona
de transicin se puede escribir:
Como cabemos, en un FET, cuando VGS = V p' se produce el estrangulamiento del canal; tomando entonces V o ' el valor de Vpi' que se puede considerar CONSTANTE. Con estos razonamientos previos, podemos expresar:
d Vp i
dT
d V o d Vp
=--+--=0
dT
dT
De donde:
dV p
dT
2 mV OC
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
As Ga
140
Las dependencias de los dos parmetros con la temperatura, se pueden
resumir dibujando las funciones de transferencia para dos temperaturas diferentes.(figura 4.1).
1101
1055Tl
fig.4.1
De lo estudiado se deduce que, al contrario de lo que ocurre en los
diodos de unin P-N y en los transistores bipolares, en los FET's el C.T.I. es
negativo, por lo que, aumentos de temperatura producirn disminuciones de
intensidad.
-0000000-
VOO= 2V.
fig.5.1
20 mA;
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
I055T2
141
Teniendo en cuenta lo descrito, se pide:
a) La tensin VD si se sabe que VG
-12 V
Solucin
A la vista de la figura 5.1, deducimos que el componente activo
F.E.T. de canal N.
es un
(1)
y que:
(2)
co
ID
= O
(3)
y que
(4)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
142
Que no cumple la condicin
corte.
(5)
y que:
(6)
Resolvindola, resulta:
(7)
V GS
-3,06 V
ID = 0,3 mA
los
28,3 V
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
143
Resultados que confirman el cumplimiento de la condicin dada en (5), por
lo que podemos afirmar que el F.E.T. se encuentra en zona de saturacin.
VD = 19,3 V
b.- Para que VD ,;, Voo' se tendr que cumplir que ID = 0, es decir, que
el FET se encuentre en el corte, para lo cual se tendr que cumplir la expresin (4). Por ello, y a la vista del circuito de la fig. 5.1, podemos escribir:
(9)
De donde:
VG = -13,5 V
-0000000-
6.-Se tienen dos diodos idnticos, Di = D z, Y un FET (cuyas caractersticas se adjuntan) conectados con cuatro resistores y dos generadores de
tensin, tal y como se indica en la figura 6.1.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
(8)
144
V2= 10 V
o,
v, =1V.
RJ=590 ..n
fig.6.1
'ol(mA)
Io(mA)
1------ ..
1------ .
f--.
--
---
- - c--
f-----
......-
typ
/1
o
0.2
0.4
0,6
o.e
-4
Determinar:
a) La corriente I oss
b) La tensin pinch-off (V p)
e) La tensin en bornas del diodo D 1
d) La corriente que circula por el drenador.
e) La tensin de drenador surtidor ( o fuente ) Vos
-2
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
R,=666,6.n
145
Solucin
lo
IVGS --
Io SS = 4mA
c.- Como por la puerta del F.E.T. no hay corriente, el circuito de entrada
se puede reducir al de la figura 6.2.
V1
fig.6.2
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Ioss
fig.6.3
VDl = 0,65 V
d.- Para calcular la corriente que circula por el drenador, podemos dibujar
la figura 6.4.
VOl =O.65V.
fig.6.4
De ella se deduce que:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
146
147
ID = -
VG~
--+
VOl
R3
R3
ID
-2
fig.6.5
ID =
2mA
(1)
trazamos una vertical y el cruce con la ordenada nos dar la tensin buscada,
es decir:
V0 2
0,675 V
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
148
Introduciendo datos en (1) y calculando, nos resulta:
VDS =
5,07
Dz
VD ='5 V
Vs =5 V.
fig.7.1
Del F.E.T.:
IDSS =
-10 mA
Del zener:
Vz = 5V
I S = 10 .tA
Resistores:
R1
1M
Rz
100 K
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
-0000000-
149
En las condiciones del enunciado, determine:
Corriente que circula por el drenador, regin de funcionamiento y la
tensin VDS.
Como I G
A la vista del circuito y de los datos, por el zener, que est polarizado
en inverso, pueden ocurrir dos casos:
a- Que no est polarizado en el codo zener.
b- Que 10 est.
Sustituyendo valores:
(1)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Solucin
150
Sustituyendo valores:
lo = -277,7 A
Vos
22,5 V
V GS
-(
Vp
y que:
Combinndolas obtenemos:
(2)
Vp
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
lo
151
V DS 2
.2,7.10- 7 +
VDS'
ID
= -49
J.'A
-0000000-
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
152
fig.8.1
W = 100..m
tox
0,1 ..m
L = 10 ..m
fox
..n = 450 cm 2 / V s
Calcule:
a) La corriente I Dss
b) La corriente del drenador, la gm y la gd, cuando se polariza con una
tensin VDS = 1 Vy una VGS = 5,54 V.
e) La corriente ID' la gm y la gd, cuando VDS = 5 V YVGS = 4 V.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
153
Solucin
Corriente:
(1)
(1')
eo s ox / tox
Corriente:
lo = (W J.m Cox / 2L ) ( VGS - VT )2
(2)
(2')
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Condiciones:
154
IDSS = ID IV --V
D -
(3)
T
(4)
I DSS = 1 mA
Sustituyendo valores:
1 < 5,54 - 3,54
Por lo que nos encontramos en zona hmica, y podemos aplicar la ecuacion (1) que, puesta en funcin de IDss' nos queda de la misma que en la
ID = I DSS
2V DS VGS
VDS
-- ( - 1 - --)
VT
VT
2VT
(5)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Corriente:
155
Sustituyendo valores y calculando:
ID = 237,9 J.lA
MD
""
!J.V IVDS
GS
cte
(6)
gm
d ID
gd=-I
_
d V VGS - cte
DS
Derivando la ecuacin (5) respecto de VDS' nos queda:
(8)
gd = 158,45.10- 6 (ohmios)"!
5~4-2V y 4>2["if
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
d ID
gm=-I
d V VDS - cte
GS
156
(9)
ID
= 16,48 J1.A
dIo
gm=-d VGS
gm =-
Vos = cte
2 Ioss
(10)
gm
128,3.10- 6 (ohmios)"!
gd=~1
d Vos
V
GS
cte
Calculando resulta:
gd
Comentario;
Comparando los resultados de las transconductancias y conductancias de
los apartados b y e, deducimos que las citadas son ( como era lgico pensar),
mayores en las zonas lineales que en la saturada.
-0000000-
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
157
9.- Un MOST de acumulacin, de canal p, se construye segn se indica en
la figura 9.1.
fig.9.1
De la mencionada estructura, se conocen los siguientes parmetros:
W = 200 J.'m;
Vr
= -2 j;;v;
L = 10 J.'m;
eox = 4;
Calcule:
a) La corriente IDSS
b) La corriente del drenador, cuando se polariza con una tensin de
Solucin
La corriente que circula por un MOST de canal p, depende de la zona en
que se polarize. As podemos decir:
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
158
1. En zona lineal u hmica:
Condiciones:
w ~pCoX
ID = -
[ ( V GS - V T ) VDS - VDS
12 ]
(1)
F 1m 2
2. En zona de saturacin:
Condiciones:
Corriente:
w ~pCox
ID = -
V GS - V T )2
2L
3. En zona de corte:
Condicin:
Corriente:
ID =
(2)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Corriente:
159
Aplicando sta a la ecuacin (2), nos queda:
,-w J.lpCOX
- - - - VI 2
2L
(4)
IDSS = -1 mA
b.- Comprobemos en qu zona se encuentra polarizado, comprobando si se
cumple la desigualdad:
Sustituyendo valores:
-1 -5,54 - 2 ;
-2
Como no se cumple, y VGS < VI' nos encontramos en una zona hmica.
La ecuacin (1) se puede escribir en funcin de la (4), de la siguiente forma:
(5)
ID
= -237,9 J.lA
SI
se cumple la
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
I DSS =
160
Sustituyendo:
-5 -s -4 + 2 ;
-0,455
(6)
In
-16,48 J.lA
-0000000-
10 J.lm
eox = 3
tox
O,l1!m
ID
Vo= 5V.
fig.10.1
Calcule la corriente que circula por el drenador.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
161
Solucin
Sustituyendo valores:
5~0-(-1)=1
(1)
En la que:
W ln Cox
los s =
VI
(2)
2L
Cox
eox
O /
tox
F/m2
lo
= I oss = 1 mA
-0000000-
(3)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
162
11.- Un MOST de deplexin, de canal p, presenta los siguientes parmetras:
W = 1S0 ..m
L = S..m
e ox = 4
a)ConVos=-SV
b) Con Vos =
-s V
yVGS = -SV
e) Con Vos = -S V
yV GS=+1V
d) Con Vos = -1 V
y V GS = -1 V
e) Con Vos = -S V
Solucin
En la que:
IoSS = - (W . ..p.
OX.
e o , V T2
) /
2L tox
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
(relativa)
163
Sustituyendo valores y calculando, resulta:
I DSS = -1 mA
b.- Vemos que VGS < VI y que VDS ~VGS - VI' por 10 que la corriente
la calcularemos segn (1).
Sustituyendo valores y calculando:
ID = -14,59 mA
c.- Vemos que VGS < VI y que VDS -s VGS - VI' por 10 que la ID la
calcularemos con la expresin (1).
Sustituyendo valores y calculando, obtenemos:
ID = -189,9 jjA
d.- Se cumple que VGS < VI y VDS ~ VGS - VI' por lo que nos encontramos en zona lineal. En sta, se cumplir:
2VDS
VGS
( - -1VI
VI
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
164
Sustituyendo valores y calculando, resulta que:
ID = -1,12 mA
-0000000-
100 J.Lm;
L = 6J.Lm;
tox
0,2 J.Lm;
V T=-2V;
J.Ln
500 cm 2 j V s;
eox = 3
Se pide:
Solucin
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
e.- Como VGS > V T' el dispositivo se encuentra en corte, por lo que:
165
~I
fig.12.1
La capacidad que presenta se puede calcular segn la expresin:
Cmost =
OX O
L W / tox
(1)
Cox. L . W
(2)
Vos = cte
(3)
(4)
Para la de saturacin:
(5)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
166
c.- Para baja frecuencia, despreciamos todos los efe~tos capacitivos, por
lo que podemos dibujar el siguiente circuito equivalente. (fig. 12.2)
gd
o-----------'--------~-----__o
fig.12.2
En el que gd es la conductancia drenador-surtidor. Esto es:
gd
(6)
9d
0------''----------'------"'-------'------05
fig. 12.3
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
,----------.---------0 d
9 o
167
De donde:
fm = gm / (2 11" C g s )
(7)
-0000000-
fig.13.1
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
(8)
168
Del T 1 se conoce la curva de transferencia (figura 13.2), y del T 4 sus
curvas de salida (figura 13.3).
1o(mA)
lo(mA)
60 f--~-----'r-------'-~----.------.------.-----'
VGS=7
V
./
3O
10
fig.13.3
fig. 13.2
0,9;
Ilesl =
100 nA e
Ileol
= 32,5 nA.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
5O
169
Solucin
R1=SO.n.
VI
fig.13.4
Del mencionado se puede obtener la ecuacin:
De donde:
ID
20mA:V GG/ R1
fiz, 13.5
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
170
19 roA
VDS
= 10
b,- Para calcular VR3, hemos de calcular primero la corriente que circula
por el colector de T 2' que es la misma que circula por la R 3 , En un NPN, la
ecuacin de colector se puede escribir:
le = -les D(BC) +
QF
lES D(BE)
De donde:
QR = (l/QF) (1 - leo/les) = 0,75
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
ID
171
Por lo que nos quedar:
Sustituyendo y calculando:
Ic = - Ics D(CB),
Despejando:
VCB
(KT/q) Ln (- Ie/l cs + 1)
0,39 V
VCB
IT
=
2
V 3 + VR3-VCB
S1
18-6-0,39
el supuesto realizado en
11,61 V
-0000000-
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
IC = 360 mA
172
14.- Un transistor T 1 se conecta tal y como se muestra en la figura 14.1.
Realizando medidas, obtenemos:
1121
Id
300 mA;
= 270 mA.
),
V~KT/q
fig. 14.1
R,=SK
1",
fig. 14.2
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Del circuito 14.1, y con los interruptores en la posicin "b", 111 / = 10 jjA
173
fig. 14.3
a) Determinar los parmetros 0F e leo del T l' sabiendo que 0R
0,75
Resolucin
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
IO(mA)
174
QR'
Por lo que:
leo = -3,9 J1.A
f3 F lB + (f3F + 1) leo
Ecuacin en la que:
Sustituyendo obtenemos:
le = -219 J1.A
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
175
Sustituyendo valores, tendremos:
V BE
-0,081 V
Rl
o B
Vl
1v,
R2
[3
--.
fig. 14.4
c.- Como
figura 14.5.
~S2
Rs
fig. 14.5
VGS
-le R 3
219.13,7
3V
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
c::::J
176
30mA
Vos
fig.14.6
de la que obtendremos:
ID
30 mA
Con lo que:
= -R 4 ID = -2,46 V
V4
c.- Como
~S3
fig.14.7
Teniendo en cuenta que el T 3 est en saturacin, podemos escribir:
ID
V GS3
= -10 2 R s = -2,46 V
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
177
Y, sustituyendo valores, obtendremos:
ID = 0,087 roA
Vs = -R s . ID = -0,87 V
-0000000-
Voo=5V
fig.15.1
Los parmetros de los transistores son:
VIl = 1 V
IOSS 1 = +8 nA
V I 2 = -1 V
Ios s 2 = -10 nA
Si en la entrada la Ve puede tomar los valores
tensin de salida correspondiente a las entradas citadas.
VDO' calcule la
Solucin
Cuando Ve = VDO' en T 2 se cumplir que la VGS2 = 0, por lo que, observando la funcin de transferencia del citado transistor, (figura 15.2)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
VT2
fig. 15.2
IDs s 2
-10 nA
(1)
V GS1
( -
v..
v..
V DS1
1-)
2V n
(3)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
178
179
VGSI
(_
VGSI
Ioss2
- 1)2 + p/2
VT1
IOSSI
-1) [( -
VT1
(4)
V OS l = 0,15 V
VOSI=~
De las dos soluciones, despreciamos la segunda, por no pertenecer a la
zona hmica. Tomando la primera, COMPROBAMOS que la condicin (2) se
cumple, por lo que el TI se encuentra en zona OHMICA. Podemos, pues, concluir que cuando:
Cuando Ve =
V, el TI se encontrar cortado, circulando a travs de l
la I OSSI (que, como sabemos, en este transistor es una corriente inversa de
saturacin) tal y como se puede ver en la grfica de la figura 15.3.
10551
fig. 15.3
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
VOSI = VT1
180
Esta corriente (por encontrarse el terminal de salida en circuito abierto)
deber circular por el T 2' que se encuentra en zona hmica, ya que, realizando
razonamientos similares a los del caso primero, se cumplir que:
V nS2 ~ V GS2 - V T2
I n2 = -I nss1 = Inss2
V T2
VGS2
V nS2
( - - 1- )
V T2
2V T2
(5)
V nS2
V nS1
= V nn + V nS2 = 4,9 V
Por lo que:
= O V, entonces V s = 4,9 V
VDD
fig. 15.4
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
y que:
181
En ella se cumple:
R OS i = V OSi
(6)
10 1
Sustituyendo los valores obtenidos para cada valor de la tensin de entrada, resulta:
para Ve
5V
R OS i = 15 M;
R DS2
485 M
para Ve
OV
R DS i = 612,5 M;
R OS2
12,5 M
Comentario final
A la vista de los resultados obtenidos (puesto que las resistencias drenadar-surtidor son elevadas), comprobamos que la potencia que se disipa (para
cualquier valor de la tensin de la entrada) es MUY pequea, y que la clula
compuesta por dos transistores Complementarios MOST (uno de canal n y otro
p), funciona invirtiendo la tensin de entrada en la salida, por lo que la citada
clula se conoce con el nombre de INVERSOR C MOST.
En la clula descrita se considera que el consumo en reposo es nulo, y
que ste se produce al efectuarse la transicin de un estado a otro. Por ello,
el consumo crece con la frecuencia.
-0000000-
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
(7)
182
DE CONJUNTO
s
e
o~-----j f--~.Ir-~
1
o-
---L
----'L-
'----
----..
fig.16.1
Del transistor se conocen las curvas de la figura 16.2.
20
BFW10
ID
mA
Vos =15V.
Tj
ical
vol~
-25C
10
1V
2V
l'
3V
10 VOS(V) 20
fig. 16.2
Determinar:
a) El tipo de transistor.
b) Punto de polarizacin nominal y sus valores extremos a 25 "C
e) Valores de la transconductancia gm y de la resistencia dinmica r d s
nominales del transistor.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
183
o) Rectas de carga estticas y dinmicas, con los interruptores i1 e i2
abiertos y cerrados.
12
RS
'----------'------<]m
fig. 16.3
Del circuito de entrada, se desprende que:
Por lo que:
(1)
Que representa una recta de carga, trazada sobre la funcin de transferencia (figura 16.4)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
f) Ganancias en tensin G
abiertos y cerrados.
-1
fig.16.4
Trazndola, se obtiene que:
Inn = 8 mA
IDmi n = 5,1 mA
I Dma x = 11,6 mA
6V
VOSmx =
7,45
V OSmin = 4,2 V
gm=
(3)
V OSn
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
184
185
10(mA)
+--of-------=_t---
Alo
r-+---:::;;;oo--t--
O =VGS1
fig.16.5
Luego:
gm
= POi - I OZ )/(
VGSi
- VOZ)
4mA/V
(4)
IOS2
10Sn
los1
VGS=-1V
7
1
VOS
fig.16.6
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
10 1 =12,5
186
De ella se deprende:
7,9)
Calculando resulta:
'e
fig. 16.7
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Sustituyendo valores:
187
2. En el caso de que el interruptor est cerrado, resulta que R s
lo que:
o, por
Como sabemos que las rectas de carga en alterna deben de pasar por el
punto de funcionamiento del transistor, trazando las rectas de cargas esttica y
dinmica sobre las curvas de salida, podemos dibujar la figura 16.8
-1 /(R c+Rs)
20
10
VoS(V)
fig.16.8
e.- Para efectuar el anlisis en "pequea seal", hemos de susutuir el
transistor por su circuito equivalente; los generadores por su resistencia interna, y los condensadores por cortocicuitos. Realizando lo citado, podemos
dibujar el circuito de la figura 16.9, en que:
ie
ii;
is
i,
ve
Vi;
Vs
Vo
--
- --
ie
i1
1'.
's
R)
's
rds
Rc
R,//R2
m
Ze=Z
fig. 16.9
RL
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
(7)
188
e.l. Clculo de impedancia de entrada (Zi)
La impedancia de entrada se define:
(8)
RcI!r d s
Re!! (r d s + R s)
o (por
serlo vJ,
y
=
f.- A la vista del circuito de la figura 16.9, deducimos que la posicin del
interruptor i 1 no influye sobre la ganancia, cosa que si realiza el izo
Sabemos que la ganancia se defme:
(8)
y
(9)
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Calculando, resultar:
189
Combinando (8) Y(9), obtenemos:
G v = -gm . . . . . - - - - - - - rd s
Rs
(10)
+ (1 + - )
R e / /R t
o,
y la expresin 10 se convierte en
(11)
g.- Conclusiones:
-0000000-
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
R e / /R L
fig. 17.1
De los transistores T 1 Y Tz se conocen las curvas de las figuras 17.2 y
17.3, respectivamente. Del T 3 se sabe que, en el punto en el que se encuentra
polarizado, ofrece una transconductancia gm = 10 mA/Y, Y una resistencia
dinmica de 1 M (r d s )
!ID
(mA)
40
/,
zo 5
.-
- -
"'3=
+
~ .-
o5
! 1
"-
>--r--
+1 5
~2-
...-
r-
1. S
-~ ..-
--
(mA)
~ 11
1/
IIDI
I
~2
~
'1/
20
---
" bl...
I
-8
-4
fig.17.2
fig. 17.3
Otros datos:
Rz
0,35 K;
R s = 10M;
D = D z de Silicio = D 3 ;
R7 = 1 K
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
190
191
Se pide:
a) Sobre la grfica de la figura 17.2, tache los signos que no procedan.
b) Corriente 11, sabiendo que la tensin en bornas del diodo D 2 es de
c) Corriente inversa de saturacin de diodo D 2 a la temperatura de
300 0K.
Vsm/ vem )
Solucin
-ID
VGS<O
VGS=O
-----VGS>O
-vos
b.- A la vista de la figura 17.1, en rgimen estacionario, y teniendo en
cuenta que las corrientes de puerta de los unipolares son despreciables, el
circuito del transistor TI se puede dibujar segn la figura 17.4.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
O,5V.
. V1
fig. 17.4
y que:
Trazando esta recta sobre la curva de salida del T l' Y buscando la interseccin con la curva correspondiente aVGs = 1 V, deducimos:
-[o
(mAl
30
"-
+1
15
10,5
fig.17.5
Luego:
-VOS
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
192
193
Sustituyendo valores y calculando:
Is
66,72 pA
e.- Observando la figura 17.1, y concretamente el circuito del T 2' podemos escribir:
5,25 - 5,25
= - 12 =
12
20 mA
Luego:
-20 mA
= (
V3 - V z ) - (R 3 + R 4 ) ID
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
194
d
------,----9
r~'m
r--------.,--_-......,------.. S
fig.17.6
g.l.- A la vista del circuito, la impedancia de entrada ser:
Ze = vgm/i g Ip = R s/ R 6
Calculando:
-0000000-
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
195
,-------,
I
I
I
I
I
V,=3V
-r-c
I
I
I
I
L
I
I
I
L.---t--o-----'---------'---.L.I
J
---L..,
fig.18.1
ro5
R
en )
ro
ID
(mA )
1
35
3
io
25
NI.
~II
r ~ ~'N.lN.11
:JL
...t.III~:;~~
io
o
20
1111I I
lO 3
60
1.5
"
'!>DA
N.'-N.N
~1~33
1 -VGS
22.
o ..
""
10
I
lO
15
20
25
30
35
VDS eV)
fig.18.2
Se pide:
a) Tipo de termistor utilizado.
b) Misin del diodo Di en paralelo-con el rel.
e) Tipo de transistor utilizado.
~3.3.n.
-,
10
-100
11I11I1111111
O
100
fig.18.3
T('C)
200
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
I
I
196
SI
Solucin
--
ID
G
VDD
R,
fig.18.4
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
197
En el circuito de entrada, podemos formular:
(1)
VGS
27,5
JO
Vos (V)
fig. 18.5
De lo que se deduce que:
IDQ = 6,66 mA
VOQ = 27,5 V
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
198
ID
(mA)
1.5 V. =VGS
Vos
fig.18.6
De la expresin (1) se deduce que:
(3)
Con este valor nos vamos a las curvas de la fig. 17.3, Y deducimos
18.7) que el termistor seleccionado debe presentar a 25 OC una resistencia de:
R 25
(fig.
1,5 K
RT
(K)
0.41--'-~1I.
1.5 K
60
T (!c)
fig. 18.7
f.- Utilizando la expresin (3), obtenemos:
R T = R 3 (3 - 1,5 ) / 1,5 = 1,2 K
Con este valor, y sobre la curva correspondiente del termistor seleccionado (R 2 5 = 1,5 K ) de la figura 18.3, encontramos que la temperatura que
hace que el termistor tome una resistencia de 1,2 K resulta ser de:
T = 30C
-0000000-
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
26t---~~
CAPITULO III
EJERCICIOS PROPUESTOS
1.- Se han conectado dos pilas, dos resisto res y un transistor, segn se
undica en el circuito de la figura 1.1. Las curvas caractersticas del tranistor
son las de la figura 1.2.
Re =(10/7)K.
T
Re =(1/e)M.
Ve=10 V.
Ve =1V.
fig. 1.1
-lB
-Ic
(mA)
(pA)
8
7
1/
2
1
J..,..;
0,1
"
0,3
0,5
07
09
- VBE (v.)
fig. 1.2
f-
6-~
-- ....- 7J.....
....1
5- ~
4 l--
3f-'+
2-+-
ro- l~~=IB
123456
9 10
- VCE
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
199
200
Determine:
a.- Tipo del tranistor utilizado. Razone la respuesta.
-0000000-
Re
Re
Vaa
lB = lmA
le=100mA
fig.2.2
le
fig..
23
lB
i
0,6 v.
VBE
g.l
0,2 v,
VeE
g.2
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
201
S V: V ee
1 K, hallar el punto de
10 V Y Re
a.1.- R B = 1 K
a.2.- R B = SO K
b.1.-VBB=O
y Vee=lOV
b.2.-VBB= SV y Vee=O
b.3.- VBB = -SV y Vee = lOV
bA.- VBB = SV y Vee = -10 V
-1Vs
Vcc
fig.3.1
Del circuito se sabe que:
VBB
2 V;
Vee = 11 V;
V eE = S V;
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
202
Del transistor se conocen las curvas del apndice A,4 y que, en el punto
de funcionamiento Ic = 2 mA Y VCE = 5 V, presenta los siguientes parmetros:
Ganancia de corriente hFE = 145,5
hie
2,7 K
h f e = 222
As mismo,se conoce que Ico = 0,15 nA Y que, en el punto de funcionamiento en que est polarizado en el circuito de la figura, su hFE = 160.
Se pide:
VS/VE,
0, para el punto
en el punto Q, a una
-0000000-
4.- Sea el circuito de la figura 4.1, donde ambos transistores son idnticos, y de los que se sabe que:
I VCEsat I =
I f3 F I =
10
0,2
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
203
Vcc
fig.4.1
o O,
calcular
f( VBE, VBEZ)
-0000000-
Ve =13, 5 v.
vo: ='5 V.
Re =10 K
fig.5.1
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Ro
204
del transistor T 1
En la base
En el colector
Dopados cm- 3
J.lp e =
Tiempos de
vida media (s)
pe
346,154
10- 8
J.lnb =
%1,54
J.lp e =
pe
615,39
10-8
Areas transversales
(cm)
-0000000-
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
En el emisor
205
V= lOV.
fig.6.1
Datos:
Se pide:
a.- Indique, en el espacio reservado dentro del crculo de la figura, la
polarizacin que deber existir entre la puerta y el surtidor. Razone la respuesta.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
~----r-------------QG
206
b.- Polarizando el FET, de forma que el canal quede tal y como se indica
en la figura 6.1, Qu corriente circular por el drenador? Indique su sentido.
datos: En una union P-N la anchura de la zona de transicin al polarizada con una tensin V, se puede escribir:
1 = [(2E;fq NJ . (V o - V)]1/2
Vo=0,8V;
8,85.10- 12 F/m
-0000000-
7.- Sea el circuito de la figura 7.1, del que se sabe, aparte de los datos
reseados sobre el mismo, lo siguiente acerca de los transistores:
T 2 ..... /Vp /
4V
T 3 ... /Vr/ = 4 V
T 1..... Configuracin de minoritarios y datos de la figura 7.2.
V,
R 4 =' OK /\
e
T,
Rs = 20K/\
T2
R,
Vcc
5 V.
6V.
fig.7.1
T3
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
W7
I
I
I
I
I
I
I
E I
o--l
I
I
fig.7.2
datos:
Peo = 106 cm- 3
Dnb = 30 cm2/s
Ec. de Ebers-Moll ~
para unnpn
fJ F
= 49
Calcular:
a.- La intensidad por R 3
b.- Del transistor T l' calcular: QF' QR' les, lES' leo, lEO
c.- Valores de R 1 y V 1 en el circuito de polarizacin.
d.- Calcular la zona de trabajo de T 2 para los distintos valores de Vee
positivos, teniendo en cuenta que nunca Vee ser tan grande como para sobrepasar la VDS de ruptura.
.
e.- Igual que en el apartado anterior (d), para el transistor T 3
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
I Peo
208
8.-
Rl
=100
Dl
.n.
lig.8.1
-le
(mAl
T1:: T2 :T3
-lB
(mAl
30 O
20 O
.12 1-------1
- 3
15 O
10 O
5O
-6
-5
-4
1
11
25 O
-2
/
/
- 1
10
0,6
lig.8.3
ftg.8.2
ID
JFET
D1
+---4----:f--+----1 30 mA.
-+-----4--+---+-~ 20 mA.
-+---i--+---::il"'f:'---
0,6
lig.8.4
VOl
-8
-6
-4
lig.8.5
-2
1O m A.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Vl =10 V.
209
a.- El punto de polarizacin de TI (lB' VBE' le> VeE ) sobre las grficas. Indicar zona de funcionamiento y hallar hFE> as como f3 F (si Ileo I = 10 .lA)
para ese punto de polarizacin
b.- Si se superpone una seal variable simtrica a la lB' Cul ser la
mxima variacin de la seal variable (sobre la componente continua) de la
tensin colector-base a la salida, sin que halla corte en la misma?
c.- En el FET, obtener V p , loss, ID, Vos Y V Gs. Indicar zona de funcionamiento.
d.- Explicar, a nivel cualitativo y de manera muy breve, qu suceder con
le e lo (en TI Y el FET, respectivamente) si hay una disminucin considerable
de la temperatura.
-0000000-
9.-
Rl=10K
V1
Oz
Ve
2
R 2= 2K
fig.9.1
RL=100K
Vs
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
210
-ID
(mA )
VOS = VGS - Vr
If
iI
5
lA
I I J I
VGS = -15 v.-I-
./~
V 1/
o, 6
!...;",.......
I~-
~
~/
VGS=-13V.- -
VGS=-11V.- 1--
".-
- - - -...
lL
- VOS (V.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
/1
211
APENDICE
PIHER
Aol
SC107
DIE SIZE
17 x 17 mils.1I "'~O.OOl"l
DIMENSIONES
mm
MECHAN/CAL OUTLlNE -:c:
VCEO
m ax.
45
te
m.k
100
mA
I CM
max.
200
mA
Pt Ot
max.
250
mW
m.k
150
-c
-65 150
-c
500
CW
Conector
la
ermtter
vo/rage
currenr
(peak. vaJueJ
Juncnon temp.,.tu.'e
Temperatura de almlcenami~nto
Slo'~ge
tllmp.r.tur.
TU 9
RI1'lj-.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
NPN
212
A.2
CARACTERISTlCAS ESTATICAS la 25CI
5TAT/C CHARACTERIST/CS (al-25Ci
---Par ame no
p.".mtler
m..
Unidad
Umr
15
nA
de
colector
Collectol cut-off
Ve.
" "O
45v
'C80
V,BRICEO
45
JVIBRIEBO
current
lenslon de ruo\ur.
cotectce-ermsoCatte ctor la emiuer
'c:0 2 m A ; /e .:... O
015
bre.kdpwn voltage
Tensin de I\.Iplura
emisor-base
Emitter la base
bre.kdown vOIC6gt!
lE ::::.l;JA: le
Tensin de saturacin
'(=10m,4,;/.=lm'"
VOl""1
colector-emisor
fe o-=-10mA'
=O.5mA V Ch ll
Conector
lO
emurer
sacuraran volrage
Tensi6n de
utUfilCin
le
1DOmA: /8
:E
:=;
SmA
base-ermscr
'c:IOrnA; '.=I""A
le ....lOmA: /e=O.5mA
Sue to emitter
slIlur.t;on voltagr
le .. 100mA:/8
Tensin base-emisor
81se to eminer
volt.ge
'a
~5mA
= 5V
'0:,'" : Ve,
le'
2mA; V CE ....SV
le :;
'c'
tOmA: Vc ,
'C = toomA:VCE
= 5V
= 5V
V C EW1
V1t<_,
VaEUI
V..
V ..
0.56
V
V
0.5
0.62
0.66
0.76
V"
0.6
0,7
,VQE
0.6
0.25
0.66
0.9
VBEuI
0,15
0.06
0.22
V
V
V
V
V
0.66
Grupo
C/us
G,n.nci, estaliea
de comente
'c'c
le -=
le
s:
t O:"A YCE
= 5V
20mA;VCf
J::"
SV
lOOmA:Ve E ... 5V
hfE
h"
hfE
hfE
90
160
225
210
1501401
290
350
300
h,.
i.s
3.3
" I t50
330
MHz
pF
--
Ganlnc.a de corriente
a peauefl, seal
'c :
5m6" signll
1= lOOMHz
sv
curreru g6m
rrecoenc.e de
IranS1CIon
le
lOmA; VCE ~ 5V
Treristtion IreQveney
Cap~c'dad
em.s or-be se
fmirler
ro b,He
C e eo
2.6
4.5
pF
la
d6
VES,=O.5V. 1= 140khz
CEeo
= 1QV:!=-14OkI-l.z
csos cn ence
Capacidad
ccrector base
Conector ro O.se
Ves
cclpac/tdnce
Factor Ce rUIdo
No/sr f'9vrr
t ; HHz.)f= 200Hz
Rs
=2k~:
GeuDO
Clus
-;
P,rimetrO$ hibr,dO$
H~b"d ;;o.r.mrr.rs
le ~ 2mA
f",-1kHz
V CE -= 5V
A
6
2.7
'.5
1164.51 3.2 .85
h ..
15
h ,
330
222
111Ll601 1H,L 1001
h~
, 8
lo.
10 .... 20
ll.
lO ....
'U
:J.$
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Curoerue de
rrun 1 nom
mm 1 lVP
213
Caractersticas de salida
Output ctierecteristics
Output cherscteristics
l-+f-fV'--,.oY-7"'l-~-;:--:;"""~--f
40
I+--+--l--+
20
0~..L-l----lL.-..l-...l..-..l._.l-...l-~--l
10
1.6
1.2
0.8
0.4
20
30
40
VCE IV)_
VCEIVI-
Transconductancia
Trensconductence
T ranscooductaocia
Trerisconductence
10'
lO'
m.o~
-Typi(;MVM~
V.lor
IclmAI
Velores lmites
lO
50
'cl mA l
--Lmll! vMfH.S
" //
Vcr - 5V:T'mb ~ 25"e!'
lO
I
I
lO'
100-<:
1'/
T
-50-<:
25-<:
1-
:r
1/
--
- l- .
VCf- 5V
lO'
I
I
I
I
;I
! i
!
10~
i
o
0.2
0.4
'" 0.1\
0.8
0.2
0.4
!
!
0.6
08
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
80
lel mAI
214
Caracterstica de entrada
Input chorocteristic
0.4
V CE"" 5V
'sImA)
hfEnorm
0.3
1.2~~
0.2
I
I
/
1/
0.1
2S'C
f--+-+-H+I-t"1----j--+-H-
0.4
./
O
0.2
0.4
1111\
111\11
10'
0.6
10'
'e mAI-+
O.S
0.4
..-.-
h'O:20
VCEut(VI
.-
2S~
0.3
lQOOC
f-"
'"./
0.2
0.4
2.=?-
h FE :.20
0.1
0.2
O
10'
lO'
10'
10'
lO'
10'
le (mAl .....
10'
~
1---
1---
'"
ih,.
...-
,1---llL
h. fiel
H =--- h.(lc",2mAI
1.6
Veo sv
f
1.2
~ -:
-f
"..-
0.6
1kHz
......-
-----
~ f-"
he h 1e
h~
r-
I 11
H e = ~iVCE""5V)
0.4
10'
10'
10'
oo
r-
--
I 1I1
h _
...-
h..lVCEI
I
10- 1
I
I
h<
.......
'c=2mA
f= 1kHz
10
30
20
V CE (Vj-+
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
O.S
215
Potencio 10101 disipoble
Loto! power dissipotion
260
ICa
n' 78
h\TTI-
10'
(l.
L-
PolmW) 2.0
220
\.
1\\
.5 \\
180
10'
r-r,...
1--
I~
120
\\1
100
CEBo/VEe'
C_ m CEBoIVEe-0.5VI
\1\
80
60
.0
io-,
O
O
50
100
,
150
200
250
TArC) -
ro
Transi,ion frequency
fadar de ruido
Noi,e figure
500
10'
/ ' -....,
6d8
VeE K SV
300
10'
1/ 111
le Ip.AI
I
10
10'
V
---
\0'
.1
....
lO'
ID'
lO'
,1
10'
~I
10'
mm
"1""
lOd8
VeE - 5V
' f= 1kH~
3d8
fll_I~1
"l-...
~
~
"'-.11'r\1.75dB I 11I
1"
10'
le lmAl-
10'
IIIIIIIIN
,
11I
1-1--
1111111
10'
Frecuencia de transicin
200
f-- f-I
:=
\ 1\
20
lOO
CeBo/Vee'
Cn..... - CeeolVee-l0Vl
1-
Rrh ;-0
1.0
1--
Cno<m
''\-
160
'Ca, .\\
200 n'
Colleetor
1J~""l-J
10'
l'
I1III1
10'
RSIQ,-
Factor de ruido
Noise figure
100mIIB
10'~""
lO'
10'
10'
RSIOI-
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
300
280
Capacidad erniscr-bcse
Emitter to bale coocc.rcoc e
Capacidad rotectcr-bcse
216
BfBLIOGRAFIA
Tomo II
T. Luxon.
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
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1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009