FISICA DE SEMICONDUCTORES (PROBLEMAS).

P.01.- El Al cristaliza en una red fcc. Cuando se hace incidir rayos X de 3,30 = ngstrom, los planos.
(111) producen difraccin de 1er orden para = 45. (a) Determinar la constante de la red del Al, Calcular
la densidad superficial de (tomos/cm2)en el plano (1,00)
DATOS
Tipo de red para el Al es. Fcc
3,30 = ngstrom longitud de los rayos X
(111) plano cristalogrfico.

Orden de reflexin: n=1

Angulo de reflexin: = 45

Despejando d = n/2 sen

d = 2,33x10-10 m.

SOLUCIN
b) 2 tomos

2a

..

X tomos 1cm2

X=

2
8 2

( 4,035 x 10 )

SOLUCIN
a) Frmula: n = 2dsen

comparando con la distancia

interplanar d se tiene:

d=

atm /cm2

a
a
=
2
2
h +k +l 3
2

10

a=2,33 x 10

3 m

X =8,7
x 1014 atm/cm 2
P.03.Demostrar que: (x+L,y,z) = (x,y,z) en el modelo de electrones libres cuando los tomos estn
restringidos a moverse en un cubo de arista L.
SOLUCION

k (r )=e i K .r
Donde:

Kx =

2 n
,n=0,1,2,3,4,5,6, ..
L

(x+L,y,z) = (x,y,z

exp [ i K x ( x + L ) ]=exp i

exp ( i2 n ) exp i 2 n

2n
( x+ L )
L

x
=exp [ i K x ]
L

Por tanto:
(x+L,y,z) = (x,y,z)
P.05.- Hallar la concentracin de electrones y huecos para el Si en las circunstancias siguientes. ( a ) Si puro a
300 k (b) a 300K dopado con As en una concentracin de 5x10 20 electrones /m3. (c) A 300K dopado con In a
una concentracin de 2x1020 electrones /m3; (d) Si puro a 500K ni (500K) = 3,7,x1020 electrones /m3
SOLUCION
USAMOS LA LEY DE ACCION DE MASAS.

Concentracin intrnseca= producto de concentracin d electrones por concentracin de huecos

np = ni2
a) Concentracin de huecos = concentracin de electrones
n = p = 1.5 x 1016 electrones o huecos /m3
b) El As es elemento donador por tener valencia 5
Concentracin que genera el Arsnico: n
n = 5 x 1020 electrones/m3
LEY DE ACCION DE MASAS: np = ni2
2

ni2 ( 1.5 x 1016 )

p= =
=4,5 x 1011 electrones/m3
20
n
5 x 10

c) El In es elemento aceptor por tener valencia 3

Concentracin que genera el Arsnico: n
n = 2 x 1020 huecos/m3
LEY DE ACCION DE MASAS: np = ni2
2

ni2 ( 1.5 x 1016 )

p= =
=1,125 x 1012 huecos /m 3
20
n
2 x 10
d) La concentracin del silicio puro a 500K es un valor experimental adems de ser un semiconductor
intrnseco.
n = p = 3x1020 (electrones o huecos/m3)
FISICA DE SEMICONDUCTORES (TEORIA).
2.- RELACIONE, la informacin de la columna 1 con los de la columna 2 colocando la letra en los
recuadros vacios segn corresponda.

SOLUCION (jihgfedccbaf)

COLUMNA 01
Los ngulos que forman entre ellos no generalmente son de 90
Se forma de la unin de cada punto de la red con una base.
Forma geomtrica definido por puntos.
Representan adecuadamente los planos cristalogrficos.
Es aquel que tiene mayor densidad atmica.
Relacin entre Volumen ocupado a volumen de la celda.
Propiedad de un sistema que sometido a ciertas transformaciones
de rotacin o traslacin sigue siendo el mismo.
Permite reproducir el cristal en todo su volumen.
Aquella que tiene un tomo por celda
Puede tener uno o ms tomos por celda elemental
Tipo especial de Red.
Se representa por los ndices de Miller.

a
b
c
d
e
f
g

COLUMNA 02
Red de Bravais
Celda convencional
Celda unitaria
simetra
Factor de empaquetamiento
Plano atmico
ndices de miller

h
i
j

Red cristalina
Estructura cristalina
Ejes cristalogrficos

4.- Relacione correctamente los enunciados de la columna segunda con la primera columna y escoja la
alternativa correcta en la tercera columna.
1. Semiconductor.
2. Tipos de semiconductores.
3. Concentracin electrnica.

SOLUCION B) 1a,1b,3d,2c,2e

a) Su conductividad varia con la

temperatura.
b) Segn la temperatura se comporta como
aislante o como conductor.

A)1a,2b,3c, 1d,2e
B) 1a,1b,3d,2c,2e
C)1e,2a,3b, 1d,2c
D),3e,2a,1a,3d,1e

c) Extrnsecos e Intrnsecos.
d) numero de electrones por unidad de
volumen..
e) dependiendo del tipo de portados puede
ser n o p

E)1d,2e,3a,