UNIDAD 2

DEFECTOS CRISTALINOS
objetivo general

Distinguir y explicar los diferentes defectos cristalinos existentes en la
materia.
Unidad 2: Defectos Cristalinos
CRISTALOGRAFA
Slidos
Orden de largo alcance (long range order): al
solidificar el material, los tomos se sitan segn
un patrn tridimensional repetitivo, en el cual
cada tomo est enlazado con su vecino ms
prximo

Sin orden (short range order): carecen de un
ordenamiento atmico sistemtico y regular a
distancias atmicas relativamente grandes.
En el ao 1912, Von Laue comprob, mediante rayos X, que los metales
estn fundamentalmente compuestos de tomos dispuestos en redes
geomtricas especficas.
Cristal Vidrio
Imagen de microscopa electrnica de alta resolucin de una nanopartcula
de Hematita (Fe2O3) rodeada por una matriz polimrica de poliestireno.
Red cristalina (crystalline lattice): disposicin tridimensional de puntos
coincidentes con las posiciones de los tomos (o centro de las esferas). Los
tomos estn ordenados en un patrn peridico, de tal modo que los
alrededores de cada punto de la red son idnticos
La Red Cristalina no considera los tomos
Celda unitaria (unit cell): unidad de repeticin en la red (subdivisin de
una red que sigue conservando las caractersticas generales de toda la
red)
Al apilar celdas unitarias idnticas se puede construir toda la red.
Parmetros de red (lattice parameters):
longitudes a, b y c de las tres aristas de la celda
unitaria, y los tres ngulos o, | y entre las
aristas
En 1850 Bravais demostr que solo
existen 14 redes cristalina
Cbico
a = b = c
= | = = 90
Simple Centrado en las caras (fcc) Centrado en el cuerpo (bcc)
1811-1863
Sistemas cristalinos
Estructuras cristalinas de elementos metlicos a 25C y 1atm

Estructura cristalina Elemento
Hexagonal compacta Be, Cd, Co, Mg, Ti, Zn
Cbica compacta Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt
Cbica centrada en el cuerpo Ba, Cr, Fe, W, alcalinos
Cbica-primitiva Po
Factor de empaquetamiento
Es la fraccin de espacio ocupado por tomos, suponiendo que son esferas
duran que tocan a su vecino ms cercano
( ) ( )
unitaria celda la de volumen
tomos de volumen celda por tomos de cantidad
iento empaquetam de Factor =
Ejercicio: Determine el factor de empaquetamiento en una celda cubica
simple, fcc y bcc.
F.E = 0.52
F.E= 0.68
F.E= 0.74
Ejercicio: Determinar la densidad terica de Fe el cual tiene un parmetro de
red de 2,866 A y un masa atmica de 55,85 g/ mol.
Respuesta:
tomos por celda= 2
Masa atmica= 55,85 g/g mol
Volumen de celda= (2,866 10
-8
)
3
= 25,55 10
-24
cm
3
/celda
Nmero de Avogadro= 6,02 10
23
tomos/g mol
( )( )
3
23 24 -
/ 879 , 7
10 02 . 6 10 x 55 . 23
) 85 . 55 )( 2 (
cm g
x
= =
( ) ( )
( ) ( ) Avogadro N unitaria celda la de volumen
atmica masa celda por tomos de cantidad
Densidad

=
Ejercicio 3: Determine la contraccin o expansin de volumen cuando 1 cm
3
de Fe
bcc pasa a Fe FCC. a0 fcc 0,3591 nm , ao bcc 0,2863 nm
( )
( )
3
3
3
3
0, 2863 0,023467 2
0,3591 0,046307 4
BCC
FCC
V nm nm por tomos
V nm nm por tomos
= =
= =
Respuesta:
(0,046307 0,046934)
*100 1,34%
0,046934
Cambio deVolumen

= =
3 3
1,34
1 1* 0,0134 0, 2375
100
Contraccin de cm cm cm = =
ndices de Miller para direcciones (Miller indices of the directions):
Direcciones cristalogrficas (Directions):
Ciertas direcciones en la celda unitaria son de particular importancia, ya que los
metales se deforman, por ejemplo, en las direcciones a lo largo de las cuales
los tomos estn en contacto ms estrecho.

1. Determinar dos puntos que se encuentren en la direccin a estudiar.

2. Restar las coordenadas del punto cabeza menos cola, (cabeza-cola)

3. Convertir el resultado por medio de multiplicacin o divisin a los menores enteros
posibles.

4. Nmeros negativos se denotan con una barra sobre el nmero.

5. Encerrar los nmeros en [ ].

Direcciones
1). cabeza = 0 1 0
2). cola = 0 1 1
3). Resta = [0-0 1-1 0-1]
[0 0 -1]
4). Convertir enteros [0 0 -1]
5). Direccin ] 1 0 0 [
0,0,0
x
y
z
Direcciones sistema hexagonal.
(111) Direccin:
(011)
(1-1; 0-0; 1-0)
(0 0 1)
Generalmente se utiliza a
1
, a
2
y c
Direcciones
Familia de direcciones (directions of a form): dos o ms direcciones son
estructuralmente equivalentes cuando los espaciados atmicos a lo largo de cada
direccin son iguales
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ]
1 1 1 , 1 1 1 , 1 1 1 , 1 1 1 , 1 11 , 1 1 1 , 11 1 , 111 111 >= <
La direccin [a b c] es idntica a la direccin [na nb nc]
Una direccin y su negativa no son idntica , son direcciones opuestas.
0,0,0
x
-y
-z
-1/2
1). Anotar intersecciones = -1/2
-1/2
2). Recprocos = 1/ -2 1/
3). Multiplicar MCM = 0 -2 0
4). Plano
Planos
( )
0 2 0
Planos
El plano (h k l) es paralelo al plano (nh nk nl) y estn separado por d
hkl
/n.
Familia de planos (planes of a form): son planos que geomtricamente son
idnticos pero poseen diferentes ndices de Miller.
) 1 00 ( ), 0 1 0 ( ), 00 1 ( ), 001 ( ), 010 ( ), 100 ( } 100 { =
Ejercicios en clases:
Determine los ndices de las siguientes direcciones y planos
Dibuje las direcciones y los planos
Ejercicios en clases:
Determine los ndices de las siguientes direcciones y planos
Dibuje las direcciones y los planos

A = [100]
B= [111]
C=
A = (111)
B= (210)
C=(0-10)

1895: descubrimiento de los rayos X
(W. C. Roentgen). 1 premio Nobel de
Fsica 1901.


1912: aplicacin de los rayos X para
revelar la estructura interna de los
cristales (Max Von Laue). 1914 recibe
premio Nobel de Fsica.

1913: La ley de Bragg la cual permite predecir los ngulos en los
que los rayos X son difractados por un material con estructura
atmica peridica. por los fsicos britnicos William Henry Bragg y su
hijo William Lawrence Bragg. 1915 Padre e hijo recibieron el premio
Nobel de Fsica.

K
M
L
NUCLEO
M
1

M
2

M
3

M
4

M
5
L
2

L
1

L
3

K
K
M
L
NUCLEO
M
1

M
2

M
3

M
4

M
5
L
2

L
1

L
3

K
K

1
E
Produccin de Rayos X
La diferencia de recorrido
entre las dos ondas,
despus de la reflexin es
la suma de los trazos MP
y NP
MP = NP = d senu
MP+NP=2dsen u
Para que exista
interferencia constructiva:
n = 2dsen u
= 2d
hkl
sen u d
hkl
=d/n

Ley de Bragg


Ejercicio: Determine en que ngulo 2 difractar el plano (111) del Cu, cuando se
utiliza radiacin de Cu ( = 1,5406 A). Recuerde que el Cu presenta un parmetro
de red de 3,6151 A.
2 2 2
2 2
1 h k l
d a
+ +
=
Respuesta:
1
2 2
2
sen
d

u

| |
=
|
\ .
(111)=> d = 2,087 A = 43,31
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 105
I
n
t
e
n
s
i
d
a
d

c
p
s

2 Tetha

- Son interrupciones localizadas en los arreglos atmicos
- La alteracin afecta una regin donde intervienen uno varios tomos
DEFECTOS PUNTUALES
Defectos puntuales:
Defecto de vacancia (a)
Defecto Insterticial (b)
Defecto sustitucional (c, d)
Ejercicio en clase

Si la densidad real de un alambre de cobre, de 100 m de largo y
1 cm de dimetro, es 8,93 g/cm
3
, determine:

a) El porcentaje de vacancias por cada celda unitaria
b) La cantidad de vacancias contenidas en el alambre
c) La cantidad de tomos de cobre en el alambre

Estructura Masa
atmica
Radio
atmico
Cobre FCC 63,54 g/mol 0,1278 nm
Respuesta:
(a)
(b)
Respuesta:
(c)
A temperatura ambiente, la concentracin de vacancias es pequea,
pero aumenta en forma exponencial con la temperatura.
El nmero de vacancias en equilibrio a una determinada temperatura
en una red cristalina metlica puede expresarse por la siguiente
ecuacin:
|
|
.
|

\
|

=
T R
Q
exp n n
v
v
n
v
: cantidad de vacancias por cm
3
n : cantidad de tomos por cm
3
Q : energa para producir un mol de vacancias
(cal/mol o joule/mol)
R : constante de los gases (1,987 cal/mol K;
8,31 joule/mol K)
T : temperatura en grados Kelvin
Ejercicio: Determine la T necesaria para aumentar la concentracin
volumtrica de vacancias para el Cu 1000 veces desde la T ambiente (298K).
Considere que la energa necesaria para producir un mol de vacancias es de
20000 cal.
) TT T - T (
R
Q -
= ) 1000 ( Ln
exp =
nexp
exp n
=
) K 298 ( n
) T ( n
= 1000
298 298
)
298
TT T -
298
T (
R
Q
-
298
Q/RT -
Q/RT -
v
v
K 375 = 298/0,795 = T
T - 298 = T ) 205 , 0 (-
(298)T
T - 298
=
20000 -
987 , 1 * ) 1000 ln(

Respuesta:
Defectos Intersticiales
Se produce cuando se inserta un tomo en una estructura cristalina en
una posicin normalmente desocupada.
Los tomos intersticiales son de mayor tamao que los sitios
intersticiales, por lo cual la regin cristalina vecina esta comprimida y
distorsionada.
El aumento de sitios intersticiales ocupados produce un aumento de la
resistencia de los materiales metlicos
La cantidad de tomos intersticiales en la estructura generalmente es
constante (an cuando cambie la temperatura)

Defecto intersticial (interstitial defects): Un defecto intersticial se forma
cuando un tomo ingresa a la red cristalina en un lugar que regularmente no
esta ocupado por un tomo.
Radios atmicos posibles
elementos intersticiales A
H B C N O
0,46 0,97 0,77 0,71 0,60
Sitios N Coordinacin
Cbicos 8
Octadricos 6
Tetradricos 4
Ejercicio Calcular el tamao y nmero de los sitios octadricos y tetradricos
para el Fe bcc y fcc. El parmetro reticular de la celda bcc y fcc son 2,866 y 3,589
A, respectivamente. Mientras el radio atmico del Fe es 1,241 (bcc) y 1,269 (fcc) A
Estructura fcc:
Sitio octadrico:
A
Arista
R
o fcc
526 0
2
589 3
2
,
2(1,269) - , 2R -
Fe
= = =
celda por s ersticiale int sitios 4 = centro 1 +
4
1
) aristas 12 ( = N
Sitio tetradrico:
A 285 , 0 = 1,269 -
4
3 589 , 3
= R -
4
cubo Diag
= R
Fe t f cc
celda por s ersticiale int sitios 8 = N
Estructura bcc:
Sitio octadrico:
A 192 , 0 =
2
2(1,241) - 866 , 2
=
2
2R - Arista
= R
Fe
o bcc
( )
celda por s ersticiale int sitios 6 =
2
1
caras 6 +
4
1
) aristas 12 ( = N
Sitio tetradrico:
( ) ( ) ( )
A 361 , 0 = 1,214 - 567 , 2 = R
R + r = a 4 1 + a 2 1 = R
t bcc
2 2
o
2
0 t f cc
( )
celda por s ersticiale int sitios 12 =
2
1
caras 6 4 = N
Ejercicio en clases

Calcule la deformacin lineal provocada en la retcula del Fe fcc cuando un
tomo de C se ubica en la posicin octadrica del centro de la red.
Parmetro de red (nm) Radio atmico (A)
Fe
C
0,3589
-----------
1,269
0,77
Respuesta:


Tarea

Una pieza de Fe bcc cilndrica de 5 cm de dimetro y 0,5 cm de
largo es sometida a tratamiento trmico a 1200 C, calcule el
cambio de volumen en %.
Defecto Sustitucionales
Se introduce un defecto sustitucional cuando un tomo es sustituido con un
tipo distinto de tomo.
Un tomo sustitucional ocupa un sitio normal en la red.
Estos tomos cuando son de mayor tamao, causa una reduccin de los
espacios interatmicos vecinos.
Cuando son de menor tamao, causando que los tomos vecinos tengan
distancia interatmicas mayores.
Los defectos sustitucionales se pueden introducir en forma de impurezas o
adicionar de manera deliberada en la aleacin.
Una vez introducidos, la cantidad de defectos generalmente no varia con la
temperatura.

Ejercicio en clase

Una aleacin Cu Zn cristaliza fcc, los tomos de Zn se ubican en el centro de
cara de cada celda y los tomos de Cu se ubican en los vrtices.
a) Calcule la densidad terica.
b) Calcule la composicin en masa y atmica de la aleacin:
Masa atmica
g/mol
Radio atmico
nm
Cobre
Zn
63,54
65,37
0,1278
0,1332
DEFECTOS LINEALES
Resistencia de un cristal perfecto:
Esfuerzo terico de corte:
L
x
Comparacin del esfuerzo de corte terico para el deslizamiento con
valores medidos de Esfuerzo de corete crtico real (ECCR).
Metal Estructura Mdulo de corte en la
direccin de
deslizamiento (x 10
6

lb/pulg
2
)
t
(lb/pulg
2
)
ECCR
(lb/pulg
2
)
Al
Ag
Cu
o - Fe
Mg
FCC
FCC
FCC
BCC
HCP
3,54
3,63
5,91
~ 10
2,39
556.000
577.000
940.000
~ 1.590.000
381.000
114
54
71
4000
57
En 1934, G. I. Taylor, E. Orowan y M.
Polanyi postularon que puede existir una
imperfeccin dentro de la red de los
cristales y que el movimiento de la
imperfeccin a bajos niveles de
esfuerzos conduzca a la deformacin.
El concepto de dislocacin fue
introducido por Volterra y Timpe en la
teora de la elasticidad del continuo, en
1900.
Las dislocaciones fueron vistas por
primera vez a comienzo de 1950, en los
cristales de haluros de plata por una
tcnica de decolorado
Dislocacin de borde
Una dislocacin de borde se crea en un cristal por la interseccin de un
semiplano extra de tomos

Dislocacin de tornillo (helicoidal)
Una dislocacin de tornillo se puede formar en un cristal perfecto aplicando
tensiones de cizalladura en las regiones del cristal perfecto que han sido
separadas por un plano cortante.
Estas tensiones de cizalladura introducen en la estructura cristalina una regin
de distorsin en forma de una rampa en espiral de tomos distorsionados.

Dislocacin mixta
La lnea de dislocacin puede presentar partes de
carcter de borde y otras de carcter de tornillo. El
desorden atmico varia a lo largo de la curva AB
Cambios en las posiciones atmicas que acompaan al movimiento
de una dislocacin de borde (cua) a medida que sta se mueve en
respuesta a una tensin de cizalle aplicada.
Desplazamiento de una dislocacin

Representacin de la analoga entre el movimiento de una oruga
y el de una dislocacin.
Si se aplican esfuerzos de corte, los tomos rompen sus enlaces en el defecto
y la dislocacin se mueve (deslizamiento), en la direccin de deslizamiento,
en el plano de deslizamiento.
Multiplicacin de dislocaciones
Cuando existe deformacin plstica, se produce un aumento de la densidad
de dislocaciones.
Fuente de dislocacin Frank-Read:
E/L=(Gb
2
/4t )ln (R/r
o
)
La energa por unidad de longitud de la dislocacin de borde es:
E/L=(Gb
2
/4t(1v ))ln (R/r
o
) Razn de Poisson: 0,2-0,4 metales
Energa involucrada en una dislocacin
Como las dislocaciones son un defecto, su existencia incrementa la energa del
cristal. La deformacin causada por una simple dislocacin es significante a
una distancia de 100 a
o
del centro de la dislocacin.
Energa involucrada en una dislocacin de tornillo.
Ejercicio : (a) Determine la distancia entre los planos (111), (001), (110) y sus planos
inmediatamente paralelo para el Cu (a
0
= 3,6151 A). (b) Determine la densidad
atmica de estos planos.
Resultado
A 09 , 2 =
3
3 6151 , 3
= d
A 81 , 1 =
2
6151 , 3
= d
A 278 , 1 =
4
2 6151 , 3
= d
91 , 0 =
) 6151 , 3 ( ) 2 )( 4 3 (
) 278 , 1 )( ))( 6 1 ( 3 + ) 2 / 1 ( 3 (
=
2
2
79 , 0 =
) 6151 , 3 (
) 278 , 1 )( ))( 4 ( 4 / 1 + 1 (
=
2
2
56 , 0 =
) 2 6151 , 3 )( 6151 , 3 (
) 278 , 1 )( ))( 4 ( 4 / 1 + ) 2 / 1 ( 2 (
=
2
Ejercicio Por qu las dislocaciones se mueven por planos compactos?
Ejercicio X: Por qu las dislocaciones se mueven por direcciones compactas?
Respuesta:

Son direcciones con vector de Burgers ms pequeo y por tanto son ms
estables al presentar menos energa.
E/L=(Gb
2
/4t )ln (R/r
o
)
Respuesta:

Las dislocaciones se mueven con mayor facilidad a lo largo de planos con
espaciamientos amplios donde la distorsin reticular debido al movimiento de la
dislocacin es pequeo. La separacin entre planos vara directamente con el
grado de compacticidad en los planos.
Sistema de deslizamiento observados en estructuras cristalinas
Factor fcc bcc hcp
Esfuerzo cortante
resultante crtico (psi)
50-100
5000-
10000
50-100
Nmero de sistemas de
deslizamiento
12 48 3
Deslizamiento cruszado Ocurre Ocurre No ocurre
Resumen de
propiedades
Dctil Resistente
Relativamente
frgil
Ejercicio: Dibuje los sistemas de deslizamiento para las tres estructuras
cristalinas
Respuesta:
fcc
hcp
bcc
Borde de grano (grain boundary): es la superficie que separa los granos
individuales, siendo una zona estrecha donde los tomo no se encuentra
espaciados de manera apropiada a la red cristalina.
Grano (grain): por se un monocristal un grano es una porcin de materia donde
dentro de la cual el ordenamiento de los tomos es idntico.
Se puede controlar las propiedades de un material mediante el endurecimiento
por tamao de grano debido a que los lmites de grano actan como barreras al
movimiento de dislocaciones.
Al-4% masa Cu
Al Simulacin
DEFECTOS DE SUPERFICIE
Una tcnica mediante el cual se especifica el tamao de grano es el
entregado por la American Society for Testing and Materials (ASTM).
N = 2
n-1


N= nmero de granos por pulgada cuadrada en una fotografa del metal
tomada con una amplificacin x 100.
n = ndice de tamao de grano ASTM
Ejemplo: Supngase que se encuentran 16 granos por pulgada cuadrada en
una fotomicrografa con ampliacin x 100 de un metal. Determine el ndice
ASTM de tamao de grano
N=16=2
n-1

log16=(n-1)log2
1,204=(n-1)(0,301)
n=5
Respuesta:
Ejemplo: Supngase que se encuentran 16 granos por pulgada cuadrada en
una fotomicrografa con ampliacin x 250. Determine el ndice ASTM de
tamao de grano
250 => 1 plg
1 => x plg => 0,004 plg => 0,000016 plg
2

100 => 1 plg
1 => x plg => 0,01 plg => 0,0001 plg
2

0,000016 plg
2
=> 16
0,0001 plg
2
=> x
x = 100
N=100=2
n-1

log100=(n-1)log2
2=(n-1)(0,301)
n=7,6 8
Fallas de apilamiento: Ocurren en los metales fcc y hcp y representa un
error en la secuencia de apilamiento de los planos compactos.
Fallas de apilamiento
A-B-A-B-A-B hcp
A-B-C-A-B-C fcc
A-B-C-A-B-A-B-C-A-B-C
Falla de apilamiento
MACLAS
Microfotografa de maclas
de latn x 250
El borde de macla es un plano que separa dos partes de un grano que tienen
una pequea diferencia en la orientacin cristalogrfica.