TEMA 7.

FAMILIAS LOGICAS
INTEGRADAS

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IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

TEMA 7 FAMILIAS LOGICAS INTEGRADAS

7.1. Introduccin
7.2. Familias lgicas bipolares
Lgica diodo-transistor (DTL)
Lgica transistor-transistor (TTL)
Lgica resistencia transistor (RTL)

7.3. Familias lgicas MOSFET

Circuitos lgicos de carga integrada MOSFET
Lgica CMOS

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TEMA 7. FAM LOGICAS INTEGRADAS

7.1. INTRODUCCIN

En el tema anterior hemos visto la simbologa asociada a los distintos circuitos que realizan las
operaciones bsicas: AND, OR; NOT, etc..

En este tema estudiaremos los circuitos digitales ms simples que realizan dichas operaciones lgicas.
 Los circuitos digitales se encuentran agrupados en distintas familias, de acuerdo con las
caractersticas y estructuras fsicas en que se basen.
 Una primera CLASIFICACION:

Las familias lgicas pasivas

 En su constitucin solamente intervienen elementos pasivos (resistencias y diodos). Hoy da, estn
totalmente en desuso
 Desventajas: La prdida de nivel en las seales, la poca inmunidad al ruido y el pequeo aislamiento
entre entrada y salida.
Las familias lgicas activas son aquellas que estn formadas (casi exclusivamente), por dispositivos
electrnicos activos (transistores)
 Ventajas: proporcionan ganancia (restauracin de niveles) y mejoran el aislamiento entre etapas.
 Si los transistores son BJT se denominan familias lgicas bipolares
 Si los transistores son de efecto de campo (MOSFET) se denominan familias lgicas MOSFET.
D. Pardo, et al. 1999

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Como hemos estudiado en el Tema 6: en los circuitos lgicos la salida slo puede
tomar uno de dos valores ("0" "1") cuando las entradas tambin toman slo esos
valores.


Para conseguir esta caracterstica de los circuitos, los transistores deben estar:




En corte o muy prximos a l

O conduciendo (saturado si es bipolar o en la regin lineal si son de efecto de campo).

Nunca deben estar operando en una situacin intermedia de sus caractersticas, para que la
tensin de salida no est en la regin prohibida.
Solamente en la transicin desde un estado al otro el transistor pasar por la regin activa si es
bipolar o por la de saturacin si es de efecto de campo.

BJT
IC ( mA)

7.1. INTRODUCCIN

MOSFET

IB = 80 A


IB = 60 A

IB = 40 A
IB = 20 A

FFI-UPV.es

IB = 0 A
VCE (V)

FFI-UPV.es

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Caractersticas de los circuitos digitales (son independientes de la funcin que realicen

o de la familia a la que pertenezcan).








7.1. INTRODUCCIN

Poseen dos niveles lgicos de tensin, bien diferenciados, para representar los dos valores
posibles de las variables.
Dos tensiones umbral (tensin a la que la puerta comienza a cambiar de estado), una para
cada estado lgico.
Dos mrgenes de ruido (uno para cada estado o nivel lgico), que son la variacin de tensin
admisible a la entrada de un circuito lgico sin que la salida del mismo cambie de estado, es
decir, sin que el circuito "detecte" un nivel lgico diferente.
Abanico de entrada, que es el mximo nmero de entradas que el circuito lgico puede tener.
Abanico de salida, que es el nmero mximo de circuitos lgicos que una puerta puede
alimentar.
Tiempo de propagacin, el cual se define como la media aritmtica entre los tiempos medios de
propagacin del cambio de estado de la entrada a la salida en los casos en que la salida pasa
del estado 1 al 0 y viceversa.
Potencia disipada, la cual se define, normalmente, como la requerida por la puerta para estar
funcionando al 50%, es decir, tanto tiempo en el estado 1 como en el 0.

Se pueden estudiar todas estas caractersticas para las distintas familias lgicas no
vamos a ver un anlisis comparado de las diversas familias lgicas.
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7.2. FAM LOG BIPOLARES

+VCC

Familias Lgicas Bipolares




Dentro de la lgica bipolar, existen diversas familias.

Todas ellas tienen en comn: que emplean en su
constitucin la etapa inversora (amplificador en emisor
comn).
Esta es la parte del circuito que proporciona:

Ganancia en corriente,
Complementacin a una variable
Fija la tensin de salida a un valor perfectamente determinado.

RC
RB

V0

Vi
FFI-UPV.es

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Tipos de familias lgicas bipolares:



Cuando la etapa inversora es tal que en el estado de

ON el transistor est saturado, se suelen denominar
circuitos lgicos bipolares saturados, entre los que
estudiaremos las familias DTL, TTL y RTL.
En otros circuitos el transistor de la etapa inversora
cuando conduce no est saturado, recibiendo el
nombre genrico de circuitos lgicos no saturados
(entre ellos la familia ECL).

Este tipo de circuitos es, en general, ms rpido.

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7.2. FAM LOG BIPOLARES

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Familias lgicas bipolares

VCC

VCC

Lgica diodo-transistor (DTL)

EJEMPLO: puerta NAND:



Los diodos D1, D2 y D3 forman la puerta AND

Y su salida est conectada, a travs de dos
diodos D01 y D02, al inversor formado por el
transistor Q.

Funcionamiento:


RC

RL

Cuando todas las entradas estn en "1" lgico

(VCC Voltios):
 Los diodos D1, D2 y D3 estn en corte.
 D01 y D02 lo estn en directa.
 Si RL es suficientemente pequea, IB
puede ser suficiente para saturar al
transistor Q y ser la salida VCE(sat) 0V.

V0
V1

D1

V2

D2

V3

D3

D01 D02
Q
IB

Lgica Diodo Transistor DTL (NAND)

Funcin lgica NAND (tres entradas),
con lgica definida positiva.

V1
V2
V3

V1 V2 V3

0 1

1 1

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Si alguna o todas las entradas estn a "0" lgico (0V):

 En esa rama/s el diodos de entrada est en directa.
 Aplicamos tensin baja a D01  Las tres uniones D01 , D02 y la unin base-emisor
del transistor estarn en corte con lo que VCE=VCC ("1" lgico).
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7.2. FAM LOG BIPOLARES

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Familias lgicas bipolares

Lgica transistor - transistor (TTL)

Quiz son los circuitos ms conocidos y utilizados

por su alta velocidad de respuesta y su bajo
consumo.
Deriva del anterior reemplazando las entradas por
un transistor multi-emisor.
Funcionamiento:


Si una o ms de las entradas estn en 0 lgico (0

Volts) Los emisores de Q2 estn directamente
polarizados, Q2 conduce y circula IC.
Como la corriente de base de Q3 no puede ser
negativa  Q3 est cortado  V0=VCC 1 lgico.
Si todas las entradas estn a 1 lgico (VCC), todos
los emisores de Q2 estn inversamente polarizados
 Su unin base-colectora est en directa.
La corriente circula de VCC a travs de RL hacia la
base de Q3  Q3 estr saturado y VCE=0 volts
0 lgico.

Lgica Transistor- Transistor TTL

(NAND)

Este circuito realiza la

funcin lgica NAND
para tres entradas, con
lgica definida positiva.

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0 1

1 1

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7.2. FAM LOG BIPOLARES

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Familias lgicas bipolares



VCC
RC

Lgica resistencia -transistor (RTL)

Este es un tipo de lgica que ya en la prctica no se utiliza, sin

embargo es muy simple y adems es histricamente la primera
que fue utilizada extensamente.

V1
V0

Funcionamiento:


RB

Si cualquiera de las m entradas est en el estado de alta (VCC ), el

correspondiente transistor conectado a ella estar conduciendo
(saturado) y la salida ser la baja tensin, VCE0V.

V2

Por otro lado, si todas las entradas estn en baja (0V), los m
transistores estn en corte y la salida est en alta (VCC ).

RB
Vm

La operacin que realiza, en lgica definida positiva, es la NOR.

Lgica ResistenciaTransistor RTL (NOR)

V1
V2
V3

0 1

1 0

V1 +V2 +V3
Este circuito realiza la funcin
lgica NOR para tres entradas,
con lgica definida positiva.
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7.3. FAM LOG MOSFET

Familias lgicas MOSFET

Bsicamente, los circuitos digitales MOSFET estn incluidos dentro de uno

de los tres siguientes grupos:




Lgica de carga integrada

Lgica de simetra complementaria (CMOS)
Lgica dinmica multifsica.

Los dos primeros tipos forman los que se conocen como circuitos lgicos
estticos, que analizaremos brevemente en esta leccin. Los circuitos
lgicos dinmicos sern analizados cuando aparezcan ms claramente sus
aplicaciones.
 Circuitos lgicos de carga integrada MOSFET
 Lgica CMOS

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7.3. FAM LOG MOSFET

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Familias lgicas MOSFET



VDD

Circuitos lgicos de carga integrada MOSFET

S

Estos circuitos estn basados en la etapa inversora de carga

integrada, analizada en el Tema 5. Las modificaciones del circuito
inversor bsico estn encaminadas a proporcionarle ms de una
entrada.

En la figura se muestra una etapa inversora de carga integrada

saturada con tres transistores activos en serie.

Funcionamiento



La corriente de drenador slo podr existir si todos los transistores

activos tienen su rejilla a la tensin de alta ("1" lgico), la cual ser VDD
Si cualquiera de las rejillas tiene una tensin aplicada correspondiente al
estado de baja ("0" lgico), ese dispositivo estar en corte no permitiendo
el paso de la corriente de drenador; la salida entonces estar en alta ("1"
lgico).
Cuando todas las rejillas estn en alta, todos los transistores estarn
conduciendo, existir corriente de drenador, y la salida estar en el
estado de baja ("0" lgico).

Con lgica definida positiva, este circuito realiza la operacin NAND.

Lgica NMOS (NAND)

0 1

1 1

Funcin lgica NAND

NOTA: Examinaremos los circuitos construidos con carga integrada saturada y con inversores canal N. El
anlisis de los otros tipos es inmediato.
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7.3. FAM LOG MOSFET

Familias lgicas MOSFET



Circuitos lgicos de carga integrada MOSFET

Si al transistor activo de la etapa inversora saturada se le aaden otros transistores activos en

paralelo, cada uno con su entrada como se muestra en la Figura.
Funcionamiento:



Uno cualquiera de ellos en conduccin hace que la salida est en el estado de baja ("0" lgico).
Solamente si todas las entradas estn a la tensin de baja, la salida est en alta ("1" lgico).

Este circuito por tanto realiza la operacin NOR, con lgica definida positiva.

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VDD

1
S

0 1

1 0

Lgica NMOS (NOR)

Funcin lgica NOR

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7.3. FAM LOG MOSFET

Familias lgicas MOSFET



D. Pardo, et al. 1999

VDD

Lgica CMOS: El inversor bsico CMOS tambin puede

utilizarse para construir circuitos lgicos.

Cada entrada acta sobre dos transistores, uno canal N y el

otro canal P.
El nmero de transistores necesario es el doble del de
entradas del circuito n mayor que el de carga integrada.
Se necesitamos transistores con los dos tipos de canal y por
tanto con los dos tipos de sustrato.
Sin embargo, el consumo de los circuitos lgicos CMOS es
mucho menor  interesantes para algunas aplicaciones.
El Circuito NOR:


Lgica CMOS (NOR)

0 1

1 0

Cuando alguna de las entradas o las dos estn en alta ("1"

lgico, en lgica definida positiva), el transistor correspondiente
de canal N est conduciendo y la salida estar en baja ("0"
lgico).
Solamente cuando las dos entradas estn en baja, la salida
estar en alta. La funcin que realiza este circuito es por tanto
la NOR.

Funcin lgica NOR

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TEMA 7. FAM LOGICAS INTEGRADAS

7.3. FAM LOG MOSFET

Familias lgicas MOSFET

VDD

Lgica CMOS


Puede comprobarse fcilmente que el circuito de la figura

con lgica definida positiva, realiza la operacin NAND.

0 1

1 1

Funcin lgica NAND

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Lgica CMOS (NAND)

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Agradecimientos


Daniel Pardo Collantes, rea de Electrnica, Departamento de Fsica Aplicada

de la Universidad de Salamanca.

Referencias
Pardo Collantes, Daniel; Bailn Vega, Lus A., Elementos de
Electrnica.Universidad de Valladolid. Secretariado de Publicaciones e
Intercambio Editorial.1999.
 Jose Antonio Gmez Tejedor. Apuntes Fundamentos Fsicos de la Informtica
(FFI). Universidad Politcnica de Valencia.
http://personales.upv.es/jogomez/ffi.html


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