Familia lgica

En ingeniera electrnica, se puede referir a uno de dos conceptos relacionados: una familia lgica de dispositivos circuitos integradosdigitales monolticos, es un grupo de puertas lgicas (o compuertas) construidas usando uno de varios diseos diferentes, usualmente con niveles lgicos compatibles y caractersticas de fuente de poder dentro de una familia. Muchas familias lgicas fueron producidas como componentes individuales, cada uno conteniendo una o algunas funciones bsicas relacionadas, las cuales se podran ser utilizadas como construccin de bloques para crear sistemas o como por as llamarlo pegamento para interconectar circuitos integrados ms complejos. Tambin puede referirse a un conjunto de tcnicas usadas para la implementacin de la lgica dentro de una larga escala de circuitos integrados tal como un procesador central, memoria, u otra funcin compleja; estas familias usan tcnicas dinmicas registradas para minimizar el consumo de energa y el retraso.

[editar]Tipos

de familias lgicas

Dentro de las familias lgicas se encuentran:

DL (Lgica Diodo) RTL (Lgica Resistencia-Transistor) DTL (Lgica Diodo-Transistor) HTL (Lgica de alto umbral) ECL (Lgica de Acoplamiento de Emisor) TTL (Lgica Transistor-Transistor) MOS (Semiconductor xido Metal)

PMOS (MOS tipo-P) NMOS (MOS tipo-N) CMOS (MOS Complementario) BiCMOS (CMOS Bipolar)

IIL I2L (Lgica Inyeccin Integrada)

[editar]MOS
Estas familias, son aquellas que basan su funcionamiento en los transistores de efecto de campo o MOSFET. Estos transistores se pueden clasificar en 2 tipos, segn el canal utilizado:

1. NMOS: se basa nicamente en el empleo de transistores NMOS para obtener una funcin
lgica. Su funcionamiento de la puerta lgica es el siguiente: cuando la entrada se encuentra en el caso de un nivel bajo, el transistor NMOS estar en su zona de corte, por lo tanto, la intensidad que circular por el circuito ser nula y la salida estar la tensin de polarizacin (un nivel alto); y cuando la entrada se encuentra en el caso de que est en un nivel alto, entonces el transistor estar conduciendo y se comportar como interruptor, y en la salida ser un nivel bajo. 2. PMOS:

El transistor MOS se puede identificar como un interruptor controlado por la tensin de la puerta, V_G, que es la que determinar cundo conduce y cuando no.

[editar]IIL
Tambin conocida en su forma abreviada como I2L, es la lgica de Inyeccin integrada, sus siglas vienen de su nombre en ingls: Integrated Interjection Logic. Es una clase de circuitos digitales construido con colectores mltiples BJT. Cuando fue introducido, tena una velocidad comparable con la del TTL, y su potencia tan baja como la del CMOS.

FAMILIAS LOGICAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Una familia lgica es el conjunto de circuitos integrados (CIs) los cuales pueden ser interconectados entre si sin ningn tipo de Interfase o aditamento, es decir, una salida de un CI puede conectarse directamente a la entrada de otro CI de una misma familia. Se dice entonces que son compatibles. Las familias pueden clasificarse en bipolares y MOS. podemos mencionar algunos ejemplos. Familias bipolares: RTL, DTL, TTL, ECL, HTL, IIL. Familias MOS: PMOS, NMOS, CMOS. Las tecnologas TTL (lgica transistor- transistor) y CMOS (metal oxidosemiconductor complementario) son los mas utilizadas en la fabricacin de CIs SSI (baja escala de integracin) y MSI (media escala de integracin). CARACTERSTICAS GENERALES NIVELES LGICOS Para que un CI TTL opere adecuadamente, el fabricante especifica que una entrada baja vare de 0 a 0.8V y una alta vare de 2 a 5V. La regin que esta comprendida entre 0.8 y 2V se le denomina regin prohibida o de incertidumbre y cualquier entrada en este rango dara resultados impredecibles. Los rangos de salidas esperados varan normalmente entre 0 y 0.4V para una salida baja y de 2.4 a 5V para una salida alta.

La diferencia entre los niveles de entrada y salida (2-2.4V y 0.8-0.4V) es proporcionarle al dispositivo inmunidad al ruido que se define como la insensibilidad del circuito digital a seales elctricas no deseadas. Para los CI CMOS una entrada alta puede variar de 0 a 3V y una alta de 7 a 10V (dependiendo del tipo de CI CMOS). Para las salidas los CI toman valores muy cercanos a los de VCC Y GND (Alrededor de los 0.05V de diferencia). Este amplio margen entre los niveles de entrada y salida ofrece una inmunidad al ruido mucho mayor que la de los CI TTL. VELOCIDAD DE OPERACIN Cuando se presenta un cambio de estado en la entrada de un dispositivo digital, debido a su circuitera interna, este se demora un cierto tiempo antes de dar una respuesta a la salida. A este tiempo se le denomina retardo de propagacin. Este retardo puede ser distinto en la transicin de alto a bajo (H-L) y de bajo a alto (L-H). La familia TTL se caracteriza por su alta velocidad (bajo retardo de propagacin) mientras que la familia CMOS es de baja velocidad, sin embargo la subfamilia de CI CMOS HC de alta velocidad reduce considerablemente los retardos de propagacin. FAN-OUT O ABANICO DE SALIDA Al interconectar dos dispositivos TTL (un excitador que proporciona la seal de entrada a una carga) fluye una corriente convencional entre ellos. Cuando hay una salida baja en el excitador, este absorbe la corriente de la carga y cuando hay una salida alta en el excitador, la suministra. En este caso la corriente de absorcin es mucho mayor a la corriente de suministro. Estas corrientes determinan el fan-out que se puede definir como la cantidad de entradas que se pueden conectar a una sola salida, que para los CIs TTL es de aproximadamente de 10. Los CIs CMOS poseen corrientes de absorcin y de suministro muy similares y su fan-out es mucho mas amplio que la de los CIs TTL. Aproximadamente 50.

CIRCUITOS INTEGRADOS TTL

Esta familia utiliza elementos que son comparables a los transistores bipolares diodos y resistores discretos, y es probablemente la mas utilizada. A raz de las mejoras que se han realizado a los CI TTL, se han creado subfamilias las cuales podemos clasificarlas en: TTL estndar. TTL de baja potencia (L). TTL Schottky de baja potencia (LS). TTL Schottky (S).

TTL Schottky avanzada de baja potencia (ALS). TTL Schottky avanzada (AS).

Como sus caractersticas de voltaje son las mismas (La familia lgica TTL trabaja normalmente a +5V), analizaremos sus velocidades y consumo de potencia.

Velocidad aproximada 1.5 ns 3 ns 4 ns 10 ns 10 ns 33 ns

Subfamilia TTL Schottky avanzada Schottky Schottky avanzada de baja potencia Schottky de baja potencia estndar baja potencia

Tabla 1: Velocidades de las distintas subfamilias TTL

Consumo de potencia por puerta 1 mW 1 mW 2 mW 7 mW 10 mW 20 mW

Subfamilia TTL baja potencia Schottky avanzada de baja potencia Schottky de baja potencia Schottky avanzada estndar Schottky

Tabla 2: Consumo de potencia de las subfamilias TTL

Observemos que las subfamilias Schottky de baja potencia como la Schottky avanzada de baja potencia renen excelentes caractersticas de alta velocidad y bajo consumo de potencia. Debido a su configuracin interna, las salidas de los dispositivos TTL NO pueden conectarse entre si a menos que estas salidas sean de colector abierto o de tres estados.

CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS

Estos CIs se caracterizan por su extremadamente bajo consumo de potencia, ya que se fabrican a partir de transistores MOSFET los cuales por su alta impedancia de entrada su consumo de potencia es mnimo. Estos CIs se pueden clasificar en tres subfamilias:

Familia estndar (4000) serie 74C00 serie 74HC00

Rango de tensin 3 15 V 3 15 V 3 15 V

Consumo potencia 10 mW 10 mW 10 mW

Velocidad 20 a 300 ns 20 a 300 ns 8 a 12 ns

Tabla 3: Subfamilias CMOS La serie 74HCT00 se utiliza para realizar interfaces entre TTL y la serie 74HC00. DESCARGAS ELECTROSTTICAS Los dispositivos CMOS son muy susceptibles al dao por descargas electrostticas entre un par de pines. Estos daos pueden prevenirse: Almacenando los CI CMOS en espumas conductoras especiales. Usando soldadores alimentados por batera o conectando a tierra las puntas de los soldadores alimentados por ac. Desconectando la alimentacin cuando se vayan a quitar CI CMOS o se cambien conexiones en un circuito. Asegurando que las seales de entrada no excedan las tensiones de la fuente de alimentacin. Desconectando las seales de entrada antes de las de alimentacin. No dejar entradas en estado flotante, es decir, conectarlos a la fuente o a tierra segn se requiera.

2. Suplemento # 1: Las familias lgicas

3. 4.
En el contenido principal del libro, las funciones lgicas bsicas se han manejado como "cajas negras" cuya construccin interior es un asunto que no debe preocupar ni al tcnico ni al diseista de sistemas digitales, para quienes su principal inters son ms bien los niveles de voltaje con los cuales se define tanto el cero ("0") como el uno ("1") as como la velocidad mxima a la cual se garantiza que pueda trabajar cierto circuito integrado con el cual se est construyendo el sistema. Sin embargo, para aquellos con curiosidad tcnica,

aunque no posean un ttulo universitario en ingeniera electrnica, tal vez les haya quedado la curiosidad por saber qu es lo que hay detrs de esas "cajas negras". Para satisfacer en parte dicha curiosidad, aqu se dar un resumen breve sobre cmo se implementan algunas funciones lgicas, usando para ello diagramas esquemticos elementales sin llevar a cabo un anlisis tcnico que involucre frmulas en los cuales se hable de parmetros tcnicos tales como la ganancia de corriente beta de un transistor bipolar o la curva de caracterstica de operacin del mismo.

Posiblemente la manera ms sencilla de implementar funciones lgicas sea mediante el uso de diodos, los cuales permiten el paso de la corriente elctrica en una sola direccin ms no en la direccin contraria. Esta manera de construr funciones lgicas es conocida de varias maneras tales como "Diode Logic", "Diode-Diode Logic" o inclusive como "Diode-Resistor Logic".

En el siguiente diagrama esquemtico tenemos la funcin OR implementada con diodos:

5. 6.
El funcionamiento de este circuito es extremadamente sencillo. Si las entradas a los diodosD1 y D2 en las terminales 3 y 4 son "0" (cero voltaje aplicado en ellas) entonces no llegar voltaje alguno a la terminal 1. En pocas palabras, cuando ambas entradas son "0" la salida ser "0". Si aplicamos un voltaje (un "1") a la terminal 3 y mantenemos la entrada a la terminal 4 en "0", entonces la corriente elctrica podr flur directamente de la terminal 3 a la terminal 1 poniendo un "1" (el voltaje aplicado en la entrada del diodo D1) en la salida.

Esta corriente elctrica no puede flur por el diodo D2 aunque su entrada sea "0" porque el diodo solo es capaz de conducir corriente elctrica en la direccin indicada por la flecha en su smbolo. Con esto, si la entrada en la terminal 3 es "1" y la entrada en la terminal 4 es "0", la salida ser "1". Y lo mismo ocurrir cuando la entrada en la terminal 3 sea "0" y la entrada en la terminal 4 sea "1". En pocas palabras, cuando cualquiera de las entradas es "1" la salida ser tambin "1". Y si ambas entradas son "1" la salida ser "1". Esta es precisamente la accin de un OR.

En el siguiente diagrama esquemtico tenemos la funcin AND implementada con diodos:

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Este circuito tambin tiene una explicacin sencilla.

Si las entradas a los diodos D1 y D2 en las terminales 4 y 5 son "1", entonces al estar ambos lados de cada diodo al mismo potencial elctrico ninguno de ellos conducir corriente elctrica alguna (la corriente elctrica slo puede flur de un "1" a un "0") y la terminal 1 se mantendr al mismo nivel del voltaje al cual est conectada a travs de la resistencia R1. En pocas palabras, cuando ambas entradas son "1" la salida ser "1". Si aplicamos un "0" a la terminal 4 y mantenemos la entrada a la terminal 5 en "1", entonces la corriente elctrica podr flur directamente a travs del diodo D1 de la fuente de voltaje a la terminal 4 siguiendo la flecha simblica del diodo D1, con lo cual el voltaje en la terminal 1 se desplomar al nivel de "tierra elctrica", o sea a "0". Con esto, si la entrada en la terminal 4 es "0" y la entrada en la terminal 5 es "1", la salida ser "0". Y lo mismo ocurrir cuando la

entrada en la terminal 4 sea "1" y la entrada en la terminal 5 sea "0". En pocas palabras, cuando una de las entradas es "0" la salida ser "0". Y si ambas entradas son "0" la salida ser "0". Esta es precisamente la accin de un AND.

La principal desventaja de utilizar nicamente diodos para implementar funciones lgicas es que no hay manera alguna de implementar la funcin NOT, los diodos no proporcionan manera alguna de poder invertir un "1" lgico convirtindolo en un "0", o viceversa. Por otro lado, como los diodos no proporcionan amplificacin alguna (en el sentido elctrico) de la potencia de la seal digital, la seal se va deteriorando rpidamente por las prdidas cumulativas de voltaje a travs de los diodos.

Fue precisamente la invencin del transistor bipolar lo que abri el camino para la miniaturizacin electrnica y la dramtica reduccin de costos que permitieron la construccin de circuitos lgicos cada vez ms complejos a precios accesibles al consumidor general. En su esencia ms bsica el transistor, adems de su capacidad para poder amplificar seales analgicas tales como seales de audio y video cuyos voltajes pueden tomar cualquier valor dentro de ciertos rangos, tena inherentemente la capacidad para poder actuar como un inversor lgico, esto es, como un bloque NOT:

9. 10.
En este diagrama esquemtico, podemos ver que si aplicamos un voltaje Vin de +5 volts a la

base del transistor, el transistor se "encender" conduciendo corriente elctrica, y al hacer tal cosa el transistor se comportar como un "corto circuito" con lo cual el voltaje Voutentre sus otras dos terminales, el colector (la terminal superior) y el emisor (la terminal inferior) ser prcticamente de cero. Si el interruptor elctrico a la izquierda del circuito es bajado de modo tal que a la base del transistor ya no le llegue ningn voltaje, entonces el transistor se comportar como un circuito "abierto", y el voltaje de salida Vout ser el mismo que hay entre su colector y su emisor, o sea +5 volts. Si designamos al voltaje de +5 volts como un "1" lgico y al voltaje de cero volts como un "0" lgico, lo que tenemos en esencia es un circuito que con un "1" a la entrada nos produce un "0" a la salida, y con un "0" a la entrada nos produce un "1" a la salida. Esta es precisamente la accin de un inversor NOT. Con la adicin de algunos cuantos componentes adicionales, podemos irle agregando al transistor bsico ms terminales de entrada con las cuales podemos construr otros bloques lgicos, adems de proporcionarle al diseo bsico un funcionamiento elctrico ms estable que el que puede proporcionar el circuito anterior.

Tras la invencin del transistor, con la invencin del circuito integrado se abri el camino hacia lo que prometi ser una miniturizacin an ms dramtica de componentes electrnicos que prometa reducir enormemente el espacio ocupado por cualquier aparato electrnico, reducir enormemente el consumo de energa para poder tenerlo operando, y reducir el costo de los componentes usados para construr un equipo electrnico. Es as como empezaron a surgir diseos ptimos que por su simpleza y bajo costo comenzaron a utilizarse como "ladrillos" bsicos para la integracin a gran escala que estaba por llegar. Las familias lgicas de circuitos integrados en un principio fueron identificadas casi todas ellas por tres letras como RTL, TTL, DTL, MOS; o por cuatro letras como DCTL y CMOS, una costumbre que todava prevalece hasta nuestros das. A continuacin tenemos un resumen de lo que hay detrs de estos acrnimos.

La lgica DTL (Diode-Transistor-Logic)

Aqu el diseo bsico est centralizado en torno a un transistor bipolar en cuya entrada se han aadido varios diodos, como lo muestra el siguiente diagrama esquemtico:

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La forma en la que trabaja este circuito es la siguiente: supngase que todas las tres entradasA, B y C estn conectadas al nivel de voltaje alto (en este caso, Vcc), que identificaremos aqu de la manera usual como un "1" lgico. Siendo as, habr una seal de entrada en la base del transistor que ocasionar que dicho transistor conduzca corriente elctrica, lo cual har que la salida del transistor caiga prcticamente al nivel de "0". Ahora bien, si cualquiera de las tres entradas A, B y C recibe una seal de "0", o sea si cualquiera de los diodos a la entrada es "aterrizado" a tierra elctrica con una seal de "cero", el voltaje a la entrada de la base del transistor ser prcticamente de cero, con lo cual el transistor no conducir corriente elctrica alguna y por lo tanto el voltaje de salida del mismo ser igual a Vcc o a "1". Este comportamiento lo podemos resumir de la manera siguiente: si cualquiera de las entradas A, B C toma un valor de "0", la salida ser "1". Unicamente cuando todas las entradas tienen un valor de "0" podremos tener una salida de "0". Si recordamos bien lo que vimos en los captulos anteriores, esta es precisamente la funcin NAND, como lo indica la funcin Boleana puesta a la derecha a la salida del colector del transistor. Es as como el bloque fundamental de la lgica DTL viene siendo precisamente la funcin NAND.

La lgica DCTL (Direct-Coupled Transistor Logic)

A diferencia del diseo anterior que requiere un diodo para implementar cada entrada, la lgica DCTL requiere del uso de un transistor para implementar cada entrada de la

compuerta lgica, lo cual naturalmente aumenta el costo y la complejidad del circuito. El diagrama esquemtico para el componente esencial de esta clase de lgica es el siguiente:

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La forma en la cual trabaja este circuito es la siguiente: supngase que ambas entradas A y Bno estn recibiendo voltaje alguno, estando ambas conectadas a "tierra elctrica" (que viene siendo el equivalente de una seal de "cero"). En tal caso, ninguno de los dos transistores estar conduciendo corriente elctrica alguna, y la salida ser igual al voltaje Vcc, o sea un "1" lgico. Si aplicamos un voltaje a cualquiera de los dos transistores (o sea una seal de "1") o a ambos, entonces la salida unida de ambos colectores caer a un voltaje prcticamente de cero. Puesto de otra manera, si cualquiera de las dos entradas A y/o B toma un valor de "uno", la salida caer a "cero". Se requiere que ambas entradas sean "0" para que la salida sea "1". Esta es precisamente la funcin lgica NOR, como lo indica la expresin Boleana puesta a la derecha a la salida conjunta de los colectores de ambos transistores.

La lgica RTL (Resistor-Transistor-Logic)

Esta clase de circuitos integrados fue la primera que proporcion en el mercado componentes lgicos discretos a bajo costo con los cuales se empezaron a implementar muchas funciones lgicas bsicas. Aunque todava no haba alguna "estandarizacin"

llevada a cabo por las empresas que iniciaron la fabricacin de circuitos integrados RTL, por vez primera se empezaron a fabricar muchos tipos de circuitos que adems de funciones lgicas bsicas implementaban algunas funciones algo ms sofisticadas, como contadores binarios o registros de transferencia.

Por la forma en la cual est integrada la electrnica interna, el "bloque fundamental" de la familia RTL no es ninguna de nuestras funciones lgicas bsicas (OR, AND, NOT), sino la funcin NOR. El bloque NOR es el "caballito de batalla" de la familia RTL.

Los circuitos integrados RTL siempre se destacaron por ser una familia de componentes muy resistentes a cualquier tipo de falla. Inclusive en la literatura promocional de los mismos se afirmaba que no haba forma posible de daarlos aunque al construr un prototipo usando circuitos RTL se cometiesen errores al hacer las conexiones elctricas. Quiz uno de los libros que ms contribuyeron a popularizar el uso de los circuitos integrados de la familia RTL fue el libro "RTL Cookbook" de Don Lancaster, un personaje tan pintoresco como prolfico que tuvo la virtud de hacer accesibles en sus libros conocimientos que anteriormente slo estaban al alcance de estudiantes de la carrera de ingeniera elctrica en universidades de prestigio.

Entre algunos de los circuitos integrados construdos con tecnologa RTL podemos mencionar como ejemplos los siguientes, construdos por la empresa Motorola:

15. MC789P -- Hex inverter (seis inversores NOT)

MC724P -- Quad two input gate (cuatro NORs de dos entradas) MC790P -- Dual J-K Flip-Flop (dos flip-flops J-K)

16. Adems de estos componentes podemos mencionar el ul914 (Dual two input NOR, dos
NOR de dos entradas) construdo por varios fabricantes.

Para quienes tienen nociones bsicas de electrnica elemental, a continuacin se reproduce el diagrama esquemtico que muestra la manera en la cual opera un circuito RTL esencial, un NOR de tres entradas A, B y C, en cuya construccin se utilizan tres transistores y cuatro resistencias:

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La forma en la que trabaja este circuito es la siguiente: cuando las tres entradas estn "aterrizadas a tierra" (el smbolo que aparece en la parte ms inferior del diagrama), lo cual equivale a un cero (0) lgico, los tres transistores permanecen desactivados, no conducen ninuna corriente, con lo cual a la salida de los mismos ser igual al voltaje Vcc que equivale al uno (1) lgico. En otras palabras, cuando todas las entradas son (0), la salida es (1). Pero cuando una de las entradas A, B o C recibe un voltaje, un (1), entonces el transistor al cual le llega la seal empieza a conducir, con lo cual se desploma el voltaje de salida. En otras palabras, si cualquiera de las entradas tiene un valor de (1), la salida caer a (0). La salida ser (1) nicamente cuando todas las entradas sean (0). Esta es precisamente la funcin NOR.

La familia RTL qued descontinuada del mercado cuando hizo su aparicin una nueva familia de circuitos integrados basada en otra tecnologa que veremos a continuacin.

La familia TTL (Transistor-Transistor-Logic)

Aqu podemos hablar ya de toda una verdadera familia de circuitos lgicos basada en la tecnologa TTL, la cual fue creada por la compaa Texas Instruments (la misma compaa que di el primer impulso fuerte al desarrollo de los circuitos con un nivel elevado de integracin)

Por la forma en la cual est integrada la electrnica interna, el "bloque fundamental" de la familia TTL tampoco es ninguna de nuestras funciones lgicas bsicas (OR, AND, NOT),

sino la funcin NAND, lo cual se concluye al apreciar el diagrama esquemtico del siguiente circuito TTL de dos entradas:

19. 20.
El par de transistores mostrados en el lado derecho del diagrama esquemtico en conjunto recibe el nombre de configuracin totem-pole, a semejanza de los totems indios, y actan como par inseparable para proporcionar la eficiencia mxima de velocidad que es caracterstica de la familia TTL. Como puede apreciarse en el transistor de entrada, este es un transistor especial de dos colectores que requiere un proceso ms cuidadoso de fabricacin. Cuando se ensambla un circuito de esta naturaleza a travs de componentes individuales discretos, es frecuente agregarle un diodo entre los dos transistores que forman el conjunto totem-pole que ayuda a impedir que los transistores a la salida conduzcan simultneamente:

21. 22.
El circuito integrado bsico de esta familia es el 7400, tambin identificado en mucha literatura tcnica como el SN7400, aunque en realidad las siglas SN puestas al principio simplemente identifican de modo nico a la compaa Texas Instruments, el fabricante que di inicio a esta primera gran familia de circuitos integrados (supuestamente en un principio las siglas simplemente significaban "nmero de serie" o Serial Number, perdindose este significado inicial con el paso del tiempo). El "diagrama esquemtico" y el aspecto fsico de este circuito integrado en su presentacin como paquete DIP (dual in-line package) se muestran a continuacin (el smbolo "&", conocido como el ampersand y el cual se lee en ingls precisamente como "and", puesto dentro de cada bloque lgico, en conjuncin con la burbuja invesora se debe leer en estos diagramas esquemticos como "nand"):

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La siguiente figura muestra cmo est montada dentro de estos encapsulamientos de plstico DIP la "pastilla de silicn" o wafer:

25. 26.
Se puede encontrar una descripcin ms a fondo sobre esta tecnologa en el siguiente enlace:

http://en.wikipedia.org/wiki/7400

Aunque la familia TTL en cierta forma ya est algo obsoleta, superada por las familias CMOS, los circuitos integrados TTL fueron tan utilizados que an hay muchos de ellos en operacin. Podemos encontrar en Wikipedia un listado de los circuitos integrados que pertenecen a esta familia yndonos al siguiente enlace:

http://en.wikipedia.org/wiki/List_of_7400_series_integrated_circuits

La familia Schottky TTL

Un paso posterior en la evolucin de la familia TTL fue la implementacin en los circuitos integrados de la misma de diodos basados en el diodo Schottky, el cual es representado en los diagramas esquemticos con el siguiente smbolo:

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y el cual permiti incrementar de forma considerable la rapidez con la cual los circuitos integrados podan llevar a cabo sus operaciones. La identificacin de un circuito integrado de la familia Schottky TTL es la misma que la utilizada por la familia TTL, excepto que para denotar su mayor velocidad se le agrega una "S" intermedia a la nomenclatura de cada componente de la familia. De este modo, el equivalente pin-por-pin del circuito integrado 7400 vendra siendo el circuito integrado 74S00, que a su vez vendra siendo el bloque fundamental de esta familia. La nomenclatura se mantiene constante a travs de todos los componentes de esta familia. Por ejemplo, en el circuito integrado 74S32, los primeros dos dgitos "74" indican que es un circuito integrado correspondiente a la familia TTL, los ltimos dos dgitos "32" indican que se trata de un paquete que incluye cuatro compuertas OR de dos entradas cada una, y la letra "S" intermedia indica que se trata de un circuito integrado de alta velocidad.

La familia CMOS

As como Texas Instruments se convirti en una empresa pionera al introducir la familia lgica basada en la tecnologa TTL, tambin la empresa RCA llev a cabo el siguiente proceso evolutivo introduciendo como una alternativa a la familia TTL una serie de circuitos integrados basados en una tecnologa que requiere un consumo muy bajo de energa: la familia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor). El acrnimo indica que para la construccin de estos circuitos se utiliza ya no el transistor bipolar sino el transistor MOS basado a su vez en el transistor de efecto de campo (field effect transistor), apareado en pares de modo tal que puedan implementar una de varias compuertas lgcas de las maneras que veremos a continuacin. La gran ventaja de este tipo de componentes es que presentan una alta impedancia (resistencia elctrica) de entrada consumiendo por lo tanto muy poca corriente elctrica. El bajo consumo de corriente elctrica hace a esta tecnologa atractiva en aplicaciones en las cuales es imperativo el ahorro de energa (principalmente artculos electrnicos operados con batera porttil desechable). Sin embargo, su velocidad es inferior a la velocidad de la familia TTL, de modo tal que cada familia tiene aqu sus pros y sus contras.

Por la forma en la cual est integrada la electrnica interna, el "bloque fundamental" de la familia CMOS no es tampoco ninguna de nuestras funciones lgicas bsicas (OR, AND, NOT), sino, al igual que en el caso de la familia RTL, puede ser ya sea la funcin NOR o tambin la funcin NAND. El circuito integrado bsico de la gran familia progenitora de las compuertas lgicas CMOS es el 4000, basado en los bloques NOR, cuya relacin de pins es la siguiente:

29. 30.
A continuacin tenemos el "diagrama esquemtico" de las funciones proporcionadas por otros de los circuitos lgicos pertenecientes a esta familia:

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La tecnologa CMOS se ha vuelto tan importante, que no podemos cerrar este Suplemento

sin dar una idea as sea generalizada sobre cmo trabaja la electrnica CMOS, para beneficio de los lectores que tengan algunas nociones elementales sobre cuestiones elctricas.

El punto de partida para poder construr compuertas lgicas mediante tecnologa CMOS es la fsica del funcionamiento del transistor MOSFET (acrnimo del ingls Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, que en espaol significa "Transistor de Efecto de Campo Metal Oxido Semiconductor) ejemplificado en los siguientes diagramas en los cuales la regin de color amarillo es la capa "metlica", la regin de color verde es la regin de "xido" y la regin de color magenta es el substrato del semiconductor:

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El transistor MOS bsico es un componente de tres terminales, dos terminales denominadasD (de la palabra inglesa drain que significa drenaje) y S (de la palabra inglesa source que significa fuente) en las cuales se aplica una fuente de voltaje, y una terminal de "control" denominada G (de la palabra inglesa gate que puede tomarse como gatillo o compuerta). Como puede verse en el diagrama de la izquierda, cuando la terminal G est abierta (Open) sin que se le est aplicando voltaje alguno, entonces la corriente elctrica que est tratando de enviar el polo positivo de la batera (resaltada en la trayectoria incompleta de color azul) llega hasta la regin (de color ciano) denominada N en donde la posible conduccin de corriente elctrica queda detenida al no haber en la regin P (de color magenta) camino alguno mediante el cual se pueda completar la trayectoria. La situacin cambia por completo cuando en el diagrama de la derecha le aplicamos un voltaje a la terminal G. Al aplicar dicho voltaje, se polarizan las regiones de color amarillo, verde y magenta, de modo tal que mientras en la regin de color amarillo se crean cargas elctricas positivas en la regin P de color magenta (que llamaremos el substrato) se crea una contraparte de igual nmero de cargas elctricas negativas, formando

dentro de la regin P un "canal" N de color azul que conecta las dos regiones N, con lo cual se establece un camino para la conduccin de energa elctrica (resaltada en la trayectoria cerrada de color rojo).

El transistor MOSFET cuyo funcionamiento acabamos de ver es un transistor de tipo canal-N (conocido tambin como transistor NMOS), as llamado porque el "canal" de conduccin que permite el paso de corrientes elctricas funciona a base de cargas elctricasnegativas. Existe otro transistor MOSFET cuyo funcionamiento es parecido al de arriba excepto que dicho transistor es un transistor MOS de tipo canal-P (conocido tambin comotransistor PMOS) en el cual el "canal" de conduccin que permite el paso de corrientes elctricas funciona a base de cargas elctricas positivas. En los diagramas esquemticos es posible distinguir el uno del otro porque el primero de ellos (canal-N) se dibuja utilizando una flecha intermedia entre las terminales D y S que siempre apunta hacia adentro, mientras que en el segundo se dibuja una flecha intermedia que siempre apunta hacia afuera como lo muestra el smbolo empleado para este ltimo:

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Aunque no entraremos mucho aqu en los detalles tcnicos requeridos en los diseos de circuitos que utilizan transistores de efecto de campo, se har la observacin de que mientras que los modelos tericos utilizados en el transistor bipolar como el que vimos al principio son modelos basados en corrientes elctricas (la ganancia beta - - de un transistor bipolar est especificada como la razn entre la corriente del colector y la corriente de la base del transistor bipolar), los modelos tericos utilizados en el transistor de efecto de campo son modelos tericos basados en voltajes elctricos. La diferencia esencial entre un transistor NMOS y un transistor PMOS es que si al transistor NMOS se le aplica un voltaje equivalente al "1" en la terminal G el transistor se cierra (se pone en el estado ON, equivalente al establecimiento del contacto en un interruptor elctrico) y si se le remueve dicho voltaje poniendo as un "0" en la terminal G el contacto se abre entrando el

transistor en el equivalente al estado OFF en un interruptor elctrico; mientras que en un transistor PMOS la accin es al revs, si se se le aplica un voltaje equivalente al "1" en la terminal G el transistor se abre entrando el transistor en el equivalente al estado OFF en un interruptor elctrico, y si se le remueve dicho voltaje poniendo as un "0" en la terminal G el contacto se cierra ponindose el transistor en el estado ON. Esta accin inversora del transistor PMOS frecuentemente se destaca en los diagramas poniendo la famosa burbuja inversora lgica justo en la terminal G del transistor.

El circuito bsico para construr un amplificador de voltajes MOSFET que tambin puede ser utilizado como inversor lgico siempre y cuando los voltajes de entrada y salida estn restringidos a nicamente dos valores con los cuales se definan el "0" y el "1" es el siguiente para un MOSFET de canal-N:

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En este circuito elemental, si se utiliza como inversor lgico, la aplicacin de un voltaje Vinen la terminal G ocasiona que el transistor MOSFET comience a conducir, con lo cual toda la cada del voltaje de +5 voltios de la fuente de poder ocurrir a travs de la resistencia de carga Rload de 10 mil ohms cuyo uso limita la magnitud de la corriente elctrica impidiendo un corto circuito, y el voltaje a travs del transistor MOSFET ser casi cero. Con este circuito, la aplicacin a la entrada de un voltaje de +5 voltios tomado como un "1" lgico produce a la salida un voltaje que podemos tomar como cero voltios, o sea un "0" lgico, mientras que la remocin del voltaje a la entrada que equivale "aterrizar" la

entrada a un "0" lgico ocasionar que el transistor MOSFET deje de conducir siendo por lo tanto la salida igual a +5 voltios o un "1" lgico. En pocas palabras, cuando la entrada es "1" la salida es "0", y cuando la entrada es "0" la salida es "1". Esta es precisamente la accin del inversor lgico.

Para un MOSFET de canal-N, el circuito requerido para crear un inversor lgico es el siguiente:

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Aunque los dos circuitos anteriores pueden ser utilizados como inversores lgicos, existe un diseo mucho ms eficiente que prcticamente no consume nada de corriente elctrica bajo ninguna circunstancia, un diseo basado en el uso de pares complementarios de transistores MOSFET, uno de tipo-P y uno de tipo-N, de lo cual deriva el uso de la palabra "complementario" en el acrnimo C-MOS o Complementary MOS.

En el siguiente diagrama, tenemos un bosquejo sobre cmo trabaja el circuito CMOS ms sencillo de todos, un inversor NOT construdo con transistores MOS conectados en serie:

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Como puede verse en el diagrama de la izquierda, la aplicacin simultnea de un voltaje bajoL (del ingls Low, equivalente al "0" lgico) en las terminales G de ambos transistores MOS hace que el transistor superior PMOS conduzca y que el transistor inferior NMOS se abra, lo cual tiene el efecto de "conectar" la salida al voltaje positivo de la fuente. En pocas palabras, un "0" a la entrada produce un "1" a la salida. Y si se aplica un voltaje alto H (del ingls High, equivalente al "1" lgico) en las terminales G de ambos transistores MOS entonces el transistor superior PMOS se abrir elctricamente mientras que el transistor inferior NMOS se "cerrar" conectando la salida al polo negativo de la fuente de poder usualmente denominado como "tierra" o "0". En pocas palabras, un "1" a la entrada produce un "0" a la salida. Esta es precisamente la accin requerida del inversor lgico.

Veamos a continuacin cmo trabaja una compuerta NAND construda a base de transistores MOS complementarios:

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Supngase que en ambas terminales de entrada A y B se aplica el equivalente elctrico de un cero ("0") lgico, lo cual equivale a tener "aterrizadas" ambas entradas al punto de referencia conocido como "tierra elctrica". Entonces cada uno de los transistores MOS estar en estado de "encendido" (ON) o "apagado" (OFF) de la siguiente manera:

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Como puede verse, los dos transistores MOS superiores Q1 y Q2 que estn conectados en paralelo estarn ambos "encendidos", con lo cual la salida Output del circuito estar conectada directamente a la fuente de voltaje Vdd, la cuyo valor tomaremos como el "1" lgico, mientras que los transistores MOS Q3 y Q4 que estn amboso conectados en serieestarn ambos "apagados", pudiendo ser considerados ambos en tal caso como un circuito abierto que no conducir corriente alguna. En este caso, con dos entradas de "0" tendremos que la salida ser "1".

Veamos ahora el caso en que en aplicamos un "0" lgico en la terminal de entrada A y un "1" lgico en la terminal de entrada B:

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En este caso, el transistor Q1 estar encendido (ON), con capacidad para poder conducir corriente, razn por la cual se le puede considerar como un "corto circuito" que sirve para conectar la salida al voltaje de la fuente Vdd, o sea al "1" lgico, mientras que el transistorQ2 estar apagado (OFF), pudiendo ser considerado elctricamente como un circuito abierto. Y aunque el transistor Q4 tambin est en la condicin de "encendido" estando por lo tanto en la capacidad para poder conducir corriente, el transistor Q2 con el cual est conectado en serie est en la condicin de apagado (OFF), de modo tal que no hay posibilidad alguna de conduccin de corriente a travs de la combinacin en serie

de Q3 yQ4. En este caso, tenemos que con una entrada de "0" en la terminal A y una entrada de "1" en la terminal B la salida ser "1".

La situacin en la que aplicamos una entrada de "1" en la terminal A y una entrada de "0" en la terminal B no es muy diferente a la situacin anterior:

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y seguiremos teniendo un "1" a la salida del circuito.

Por ltimo, cuando aplicamos un "1" lgico en ambas entradas A y B:

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podemos ver que la combinacin paralela de los transistores Q1 y Q2 estar en la condicin de "apagado" (OFF), desconectando a la salida Output de la fuente de poder Vdd, mientras que por el otro lado la combinacin en serie de ambos transistores Q3 y Q4 estar en la condicin de "encendido" (ON), conectando elctricamente la salida Output a "tierra elctrica". Este es un circuito cuya salida ser "0" nicamente cuando ambas entradas son "1", y es por lo tanto un circuito NAND.

La construccin de una compuerta lgica NOR mediante la tecnologa de transistores MOS complementarios no es muy diferente a la de la compuerta lgica NAND, como podemos apreciarlo en el siguiente diagrama del circuito:

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Como puede verse, las nicas diferencias son que mientras los transistores Q1 y Q2 en el circuito NAND estaban conectados en paralelo, ahora en el circuito NOR estn conectadosen serie, mientras que los transistores Q3 y Q4 que estaban conectados en serie ahora estn conectados en paralelo. El procedimiendo de anlisis que se llev a cabo sobre

el circuito CMOS NAND es casi idntico al procedimiento de anlisis que se lleva a cabo sobre el circuito CMOS NOR.

Con los componentes lgicos basados en la tecnologa CMOS, podemos construr una compuerta AND con el simple hecho de conectar un inversor NOT a la salida de un bloque AND:

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Existe disponible en Internet un programa interactivo muy instructivo y entretenido mantenido por el Profesor Norman Hendrich de la Universidad de Hamburg (Alemania) que demuestra la accin de los transistores CMOS empezando por el funcionamiento de los transistores MOS hasta cubrir algunas compuertas bsicas NAND e inclusive hasta un flipflop D construdo con transistores MOS complementarios. La direccin para accesar estos programas interactivos (los cuales requieren que la computara tenga instalada la plataforma Java 1.0, obtenible gratuitamente de Internet):

http://tams-www.informatik.uni-hamburg.de/applets/cmos/cmosdemo.html

La forma en la cual trabajan los applets colocados en esta pgina es la siguiente:

(1) En la demostracin "CMOS transistor demo", si pulsamos con el mouse de la computadora en la terminal de entrada G del transistor tipo-P, el color de la terminal cambiar repetidamente de azul (el estado "0") a rojo (el estado "1") y viceversa. Con la terminal G de color azul (un "0" a la entrada) ambas terminales del transistor toman el mismo color rojo, y el transistor est conduciendo, mientras que si la terminal G toma el color rojo el transistor se "abre" y deja de conducir. La accin es similar en el transistor tipo-N de la derecha.

(2) En la demostracin "CMOS inverter demo", si pulsamos repetidamente con el mouse de la computadora en la terminal de entrada A de la configuracin complementaria de transistores, el color de la terminal cambiar repetidamente de rojo (un "1" a la entrada) a azul (un "0" a la entrada) y a amarillo (sin conexin ni a "1" ni a "0", lo que llamamos comnmente un estado flotante, equivalente a cortar con unas pinzas el alambre que va a la termina A). Esta demostracin ilustra algo importante a lo cual no le habamos dado tanta importancia anteriormente con el fin de no atiborrar a los lectores con un exceso de detalles: estrictamente hablando, la ausencia de un voltaje no es lo mismo que el equivalente de un "0" lgico. En realidad, al hablar de poner un "0" a la entrada de la terminal G de un transistor MOS (o de cualquier compuerta lgica bajo cualquier familia de circuitos integrados, la que sea), por la ausencia de un voltaje no se est queriendo dar a entender en ningn momento que la terminal de entrada es desconectada totalmente y por completo del circuito; tal estado es un estado altamente inestable. Siempre que se habla de poner un "0" en una entrada se debe entender que la terminal se debe conectar al polo negativo de la fuente de poder y nunca que se est desconectando elctricamente del resto del sistema. La buena prctica del diseo de los circuitos lgicos exige siempre que todas las entradas a una compuerta o a un bloque estn conectadas siempre elctricamente al sistema, por ningn motivo deben quedar "flotantes". Por esto mismo, todas las entradas no-utilizadas en un circuito integrado deben ser conectadas elctricamente a "tierra".

(3) En la demostracin "CMOS inverter power consumption demo", se puede ver cmo el consumo de energa de una configuracin CMOS ocurre cuando la entrada est cambiando de un estado estable al otro, precisamente en ese breve lapso de tiempo en el cual la entrada tiene un color amarillo.

(4) La demostracin "CMOS 2-input NOR gate demo" ilustra claramente cmo en una compuerta NOR de dos entradas la salida va ciclando segn los valores de las entradas A y Bsean "1" o "0". Esta demostracin refuerza el concepto destacando en la Tabla de Verdad anexa el estado correspondiente a las entradas seleccionadas.

(5) La demostracin "CMOS 2-input NAND gate demo" ilustra claramente cmo en una compuerta NAND de dos entradas la salida va ciclando segn los valores de las entradas A yB sean "1" o "0". Al igual que en el caso anterior, esta demostracin tambin refuerza el concepto destacando en la Tabla de Verdad anexa el estado correspondiente a las entradas seleccionadas.

(6) La demostracin "CMOS 3-input NAND gate demo" ilustra claramente cmo en una compuerta NAND de tres entradas la salida va ciclando segn los valores de las entradas A,B y C sean "1" o "0".

(7) La demostracin "CMOS complex AOI32 (and-or-invert) gate demo" es precisamente la implementacin con tecnologa CMOS de la famosa configuracin AOI que vimos en la Seccin Captulo 3: Problemas Resueltos.

(8) La demostracin "CMOS transmision gate demo" demuestra la forma en la cual se pueden interconectar los transistores MOS para poder obtener lo que aqu llaman una compuerta de transmisin o compuerta-T (T-gate), que permite conectar elctricamente la entrada a la salida permitiendo el paso de la seal en ambas direcciones. En realidad, esto es lo mismo que habamos visto en el Captulo 7 del libro (Tpicos Especiales), a lo cual llamamos interruptor bilateral.

(9) La demostracin "CMOS D-latch gate demo" demuestra cmo se puede construr con las compuertas de transmisin vistas arriba y con pares de transistores complementarios MOS un bloque de accin similar a la del flip-flop tipo-D para almacenar un bit de informacin.

Se pueden encontrar detalles adicionales sobre la familia CMOS de la famosa serie-4000 en la pgina de la Wikipedia:

http://en.wikipedia.org/wiki/4000_series

Tambin podemos encontrar en Wikipedia un listado de los circuitos integrados que pertenecen a esta familia yndonos al siguiente enlace:

http://en.wikipedia.org/wiki/List_of_4000_series_integrated_circuits

Los transistores complementarios CMOS nos permiten construr fcilmente, adems de las funciones lgicas bsicas cubiertas arriba, otras funciones "clsicas", tales como el bloqueOAI (Or-And-Invert):

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Este bloque es la contraparte del bloque AOI (And-Or-Invert) introducido en la seccin de problemas resueltos correspondiente al captulo 3 (El lgebra Boleana).

La tecnologa de los transistores MOS es utilizada no slo como punto de partida para construr funciones lgicas bsicas, tambin sirve para construr las memorias de acceso aleatorio RAM requeridas por cualquier computadora digital para poder funcionar. Existen dos tipos de memorias RAM disponibles bajo esta tecnologa:

1) Las memorias RAM estticas (SRAM, static RAM).

2) Las memorias RAM dinmicas (DRAM, dynamic RAM).

La "clula bsica" del RAM esttico, basada en una configuracin de transistores MOS que funcionalmente reproduce la accin de un flip-flop como elemento de memoria, y utilizada para almacenar un "bit" de informacin dentro de este flip-flop, es la siguiente:

59. 60.
El flip-flop de almacenamiento est bosquejado dentro de la regin amarilla del diagrama. En el diagrama se recuerda que un voltaje bajo (un "0") apaga el transistor NMOS y enciende el transistor PMOS, mientras que un voltaje alto (un "1") enciende al transistor NMOS y apaga al transistor PMOS. Como es tpico en cualquier configuracin moderna de RAMs, tenemos una lnea para situar a la clula bsica dentro de una serie de renglones (ROW LINE) y otra lnea perpendicular para situarla dentro de una serie de columnas (COLUMN LINE). El flip-flop es puesto en el estado "0" en el estado "1" poniendo un voltaje en la lnea del rengln que corresponde a la clula seleccionada y aplicando voltajes contrarios en las dos lneas de columna que identifica a la clula.

Como suele suceder, muchas veces la solucin "terica" a un problema no necesariamente

es la ms econmica ni la ms obvia. Aunque podemos construr una clula bsica para un RAM partiendo exclusivamente del uso piramidal de funciones lgicas bsicas, existe una forma ms econmica de almacenar un "bit" de informacin dentro de una clula bsica que no requiere de configuracin alguna de flip-flop. Esta consiste en utilizar un pequeo condensador elctrico microminiaturizado para almacenar una carga elctrica, de modo tal que la presencia de una carga elctrica almacenada en la clula bsica nos indique la presencia de un "1" lgico mientras que la ausencia de una carga elctrica nos indicar un "0" lgico. Desafortunadamente, ningn condensador elctrico por bueno que sea puede retener la carga almacenada por tiempo indefinido, y en una memoria construda de esta manera es necesario estar "refrescando" la clula continuamente de manera dinmica para evitar perder la informacin. Tambin al leer un "1" es necesario volver a refrescar el almacenamiento del "1" con el fin de evitar perder ese bit de informacin. Es por esta razn que este tipo de memorias RAM son conocidas como memorias RAM dinmicas.

La "clula bsica" del RAM dinmico utilizada para almacenar un "bit" de informacin es la siguiente:

61. 62.
Como es tpico en la microelectrnica, la reproduccin "fotogrfica" miniaturizada de esta clula bsica nos permite construr una memoria RAM con capacidad para varios bits como

la siguiente memoria RAM dinmica en la que podemos almacenar 16 bits seleccionables cada uno de ellos con el domicilio compuesto a3a2a1a0:

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