Captulo

Familias lgicas

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Introduccin
Como respuesta a la pregunta dnde estn las puertas? te diremos que integradas en unos dispositivos fabricados con semiconductores que seguramente habrs visto cuando destapas un aparato electrnico; se llaman chips y tienen el aspecto de una cucaracha con muchas patitas. Y con las prcticas que te propondremos tendrs la oportunidad de manejarlos. Los vers identificados tambin como circuitos integrados. Los circuitos integrados digitales estn constituidos internamente por mltiples componentes: resistencias, diodos, transistores, etc. Las familias lgicas se caracterizan segn los elementos utilizados en su fabricacin .

Contenido
3.3. Familia TTL: Lgica transistor-transistor
3.3.1. Caractersticas de transistor bipolar 3.3.2. DTL lgica diodo-transistor 3.3.3. TTL lgica transistor-transistor

Objetivos
Al completar este captulo: u Sers capaz de diferenciar las familias lgicas por sus parmetros caractersticos. u Conocers las subfamilias ms utilizadas. u Diferenciars claramente los dispositivos CMOS y TTL. u Conocers en las prcticas los encapsulados y caractersticas de funcionamiento de circuitos integrados TTL y CMOS. u Comprobars experimentalmente el comportamiento de diversos circuitos integrados montando circuitos prcticos como una alarma por el tacto, un temporizador, un comprobador de bateras y otros.

3.4. Familia CMOS: Lgica con transistores MOS complementarios

3.4.1. Caracterstica del transistor unipolar 3.4.2. Elaboracin de puertas lgicas mediante CMOS

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3.3 Familia TTL: Lgica transistortransistor

3.3.1 Caractersticas de transistor bipolar
El transistor bipolar es el formado por tres capas de material semiconductor. Ese material semiconductor puede ser tipo p y tipo n. Cuando se juntan ambas capas constituyen un diodo. Y si agregamos una capa ms tenemos un transistor. El transistor podr ser npn o pnp. Ambos son tiles para implementar puertas lgicas y nosotros utilizaremos el npn para nuestro cometido. En la siguiente figura podrs observar la simbologa de un transistor tipo npn (T) al cual se le han conectado dos resistencias que nos permiten polarizar el transistor a fin de obtener los resultados previstos; es decir, conseguir dos estados bien diferenciados que representen los niveles lgicos 1 y 0.

(a)

(b)
Transistor polarizado + grfica Ic _ Vce

Junto al esquema elctrico hay una grfica que parece un tanto compleja, pero vers, a poco de analizarla, que no slo no es compleja sino que adems nos har ver muy claramente el comportamiento de nuestro amigo... el transistor. El transistor ha sido creado, bsicamente, como dispositivo amplificador, a tal punto que la corriente Ic que entra por el colector (c) y sale por el emisor (e) hacia masa guarda la siguiente relacin respecto a la corriente Ib que entra por la base (b) y sale por el emisor hacia masa: Ic = x Ib donde es el factor de amplificacin (valor tpico = 100)

Pongamos valores prcticos al circuito del transistor. Por ejemplo: +Vcc = 5 V y Rc = 100 &. Vamos a suponer que conectamos la base del transistor a una fuente variable a travs de una resistencia limitadora Rb = 10 k. Para comprender la grfica vamos a calcular los siguientes parmetros que colocaremos en una tabla resumen: Ib = VA/Rb Ic = x Ib V0 = Vcc Ic x Rc
VA (v) 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 Ib (ma) 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 Ic (ma) 0 5 10 15 20 25 V0 (v) 5,0 4,5 4,0 3,5 3,0 2,5

Valores tericos para el circuito de la figura (a) anterior.

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VA (v) 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

Ib (ma) 0,30 0,35 0,40 0,45 0,50

Ic (ma) 30 35 40 45 50

V0 (v) 2,0 1,5 1,0 0,5 0,0

Valores tericos para el circuito de la figura (a) anterior.

Lo que hemos conseguido en la tabla es ni ms ni menos que algunos puntos de la recta que corta a ambas coordenadas. Las curvas que aparecen en la grfica corresponden a valores de corriente de base y responden a condiciones reales, por lo cual vemos que nunca llegaremos a tener una tensin nula entre colector y emisor (o sea V0). Volveremos sobre esta cuestin cundo veamos los mrgenes de tensin que determinan cundo un nivel lgico es 0 o 1. Para acabar esta cuestin diremos que el transistor est en corte cuando la tensin aplicada a su base es 0 V y en saturacin cuando aplicamos Vcc. En la tabla siguiente analizamos la conclusin a la que llegamos despus de la experiencia que acabamos de realizar. En la parte de la derecha de la tabla utilizamos la notacin 0 y 1, segn el nivel de tensin correspondiente.
VA 0V 5V V0 5V 0V entrada 0 1 salida 1 0

Tabla de Verdad del circuito mostrado en la figura (a) anterior.

A esta altura ya te habrs dado cuenta de que el circuito analizado es la puerta NOT, verdad? A fin de contar con una forma sencilla de analizar los circuitos que conforman las distintas familias lgicas, vamos a simplificar el funcionamiento del transistor asocindolo a un interruptor. Veamos:

El transistor en corte (interruptor abierto) y en saturacin (interruptor cerrado)

3.3.2 DTL lgica diodo-transistor

En la figura siguiente te presentamos una puerta NAND implementada con lgica DTL. Como ya sabes, un diodo se comporta como un interruptor cerrado si est directamente polarizado y como uno abierto si lo est inversamente. Vamos a analizar el funcionamiento de esta puerta para que entiendas cmo trabaja el transistor bipolar.

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Puerta NAND con DTL y su smbolo lgico

Anlisis del circuito: Cuando el voltaje aplicado en VA, VB o VC sea 0 V (nivel 0), el diodo correspondiente estar directamente polarizado puesto que el nodo est conectado a +Vcc a travs de la resistencia R1 y el ctodo estar a masa. Entonces actuar como un interruptor cerrado. Cuando el voltaje aplicado sea de +5 V (nivel 1), el diodo en cuestin, en principio, no estara ni directa ni inversamente polarizado ya que tendr aplicada en sus dos extremos (nodo y ctodo) la misma tensin. Pero ya hemos visto que debemos superar una tensin de aproximadamente 0,6 V para que el diodo conduzca corriente. Cuando en el punto X tengamos una tensin de masa (cuando alguna de las tensiones de entrada est a nivel 0), el transistor T estar cortado, y cuando tengamos una tensin suficiente alta, T estar saturado. Cuando todas las entradas estn a nivel 1 (+5 V), todos los diodos estn cortados, por lo que la base de T estar recibiendo corriente suministrada por la fuente a travs de R1 y los diodos Dd y De que estarn directamente polarizados. R1 est dimensionada de forma que la corriente recibida por T es suficiente para saturarlo. Con estas herramientas podrs verificar si en la tabla que tienes ms abajo no hemos metido la pata... T tienes la palabra.
Va 0V 0V 0V 0V +5V +5V Vb 0V 0V +5V Vc 0V Da cerrado Db cerrado cerrado abierto abierto cerrado cerrado abierto abierto Dc cerrado abierto cerrado abierto cerrado abierto cerrado abierto Vx 0,6V 0,6V 0,6V 0,6V 0,6V 0,6V 0,6V T abierto +5V abierto +5V abierto +5V abierto +5V abierto +5V abierto +5V abierto +5V V0 ABC 000 001 010 011 100 101 110 111 S 1 1 1 1 1 1 1 0

+5V cerrado 0V cerrado

+5V +5V cerrado 0V 0V 0V +5V 0V abierto abierto abierto abierto

+5V +5V +5V +5V +5V

> 1,8V cerrado 0,6V

Tabla para verificar el correcto funcionamiento del circuito anterior

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3.3.3 TTL lgica transistor-transistor

Sub-familias Estndar Baja potencia Alta velocidad Schottky Schottky baja potencia Schottky avanzada Schottky avanzada y baja potencia Rpida Designacin (*) 74 --74 L --74 H --74 S --74 LS --74 AS --74 ALS --74 F ---

Subfamilias de la familia TTL

De todos los circuitos disponibles en TTL, nos centraremos en el anlisis de la tpica compuerta Nand con salida totem-pole.

3.3.3.1 TTL con salida totem-pole

En la figura siguiente podrs ver el circuito lgico tipo TTL con los valores tpicos de resistencia que corresponde a una NAND de tres entradas y presenta algunas diferencias respecto al tipo DTL analizado anteriormente. La configuracin de T3 y T4 es la que ha inspirado el nombre de totem-pole por la analoga con esos postes que los pieles rojas del oeste americano usaban para sus rituales. All solan atar a los prisioneros condenados a morir y que, en el ltimo segundo, eran salvados por el hroe de turno.

Circuito lgico NAND implementado con TTL y su smbolo lgico

Veamos la misin de los elementos que definen a esta familia: El transistor T1 tiene la particularidad de tener mltiples emisores. Cada uno de ellos equivale a un diodo tal como se usaba en el DTL. Y, adems, entre base y colector tenemos un diodo equivalente que cumple la funcin de Dd de la puerta DTL vista anteriormente. A continuacin te mostramos el circuito equivalente de T1 para aclarar lo que acabamos de describir. El transistor T2 viene a suministrar la corriente de saturacin de T4. Tenemos un transistor T3 que se encarga de suministrar la corriente de salida de la puerta cuando el nivel de salida es 1.

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Circuito equivalente al transistor T1

En las siguientes figuras podemos ver el comportamiento del circuito en el caso de que todas las entradas estn a 1 lgico (+5 V) y cuando alguna entrada est a nivel 0 (masa).

Funcionamiento de la puerta NAND cuando todas las entradas estn a nivel alto

Funcionamiento de la puerta NAND cuando alguna o algunas entradas estn a nivel bajo

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3.4 Familia CMOS: Lgica con transistores MOS complementarios

3.4.1. Caracterstica del transistor unipolar
Con posterioridad a la aparicin de los transistores bipolares se desarrollaron los unipolares, conocidos tambin como transistores tipo MOS (Metal-Oxido-Semiconductor). En funcin de las cargas que se mueven disponemos de transistores tipo NMOS y de transistores PMOS. En la siguiente figura podrs ver el smbolo de ambos. Cuando el funcionamiento se basa en el movimiento de cargas negativas el transistor se denomina NMOS y cuando son las cargas positivas las que se mueven, el transistor ser de tipo PMOS. De ah lo de su denominacin unipolar... Al igual que los transistores bipolares podemos controlar el flujo de corriente entre D y S aplicando las oportunas tensiones en la puerta G. Veamos, por ejemplo, cmo podramos implementar una puerta inversora mediante un transistor NMOS.

Si analizas la grfica VS = f (VA) podrs deducir que la salida VA se mantiene muy prximo al valor de tensin de fuente VDD (nivel lgico 1) cuando en la entrada aplicamos una tensin VA por debajo de VIL (prximo a la tensin de masa, o sea al nivel lgico 0). Por el contrario, cuando apliquemos una tensin VA que supere el valor VIH (muy prximo al valor de fuente VDD, o sea al nivel lgico 1) a la salida tendremos una tensin VS muy prxima a la tensin de masa, o sea al nivel lgico 0. De modo que podremos afirmar que: VS = VA A continuacin te mostramos la equivalencia del transistor MOS con un interruptor en funcin del nivel lgico aplicado a su puerta G (para ambos tipos de transistores).

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Debemos ser honestos contigo... en realidad estamos usando una simplificacin del smbolo de los transistores MOS. Su smbolo detallado es:

3.4.2. Elaboracin de puertas lgicas mediante CMOS Cuando en una puerta utilizamos un transistor tipo NMOS emparejado con uno
PMOS decimos que usamos transistores CMOS para indicar que son complementarios. Te proponemos analizar juntos el funcionamiento de la puerta NOR que se muestra en la Figura 3.5 del libro. A continuacin podrs ver como queda dicho circuito cuando reemplazamos cada transistor por un interruptor abierto o cerrado segn sean los niveles lgicos de entrada.

Estado de los transistores CMOS segn el nivel lgico de las entradas.

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